O documento discute o funcionamento do transistor MOSFET, explicando que ele forma uma camada de portadores na superfície que conecta os terminais de fonte e dreno. A corrente de dreno-fonte é proporcional à mobilidade dos portadores nesta camada de superfície e ao campo elétrico no canal.
E book 10-partidas-de-motores-revisão_1.0Edson Lopes
Os dez principais sistemas de partidas de motores que você precisa conhecer para se dar bem na área durante a execução de atividades práticas e principalmente em testes admissionais.
Partida Direta de motor elétrico trifásico
Partida Direta com reversão.
Partida Estrela Triângulo
Partida Estrela Triângulo com reversão
Partida por AutoTransformador conhecida também como partida por “chave compensadora”
Partida por Autotransformador com Reversão
Partida tipo Aceleração Rotórica para motor elétrico trifásico com rotor bobinado.
Motor trifásico com reversão e freio eletromagnético comandado por botões
Partida de motor Dahlander
Partida de motor Dahlander com Reversão
O documento discute os efeitos da corrente elétrica no corpo humano e animais domésticos. Ele fornece definições importantes como limiar de percepção, limiar de reação, impedância total do corpo e resistência inicial do corpo. Além disso, o documento apresenta tabelas com valores de impedância total do corpo para diferentes tensões de contato.
O documento discute conceitos básicos de eletricidade, incluindo eletrostática, potencial elétrico, corrente elétrica e tipos de circuitos. Explica como resistores funcionam em circuitos série e paralelo e as leis de Ohm, Potência e Energia.
Técnicas de Inspeção e Procedimentos para Testes - Cabos ElétricosAlexandre Grossi
Este documento fornece instruções sobre técnicas de inspeção e procedimentos de teste para cabos elétricos. Ele descreve verificações a serem realizadas antes dos testes elétricos, como resistência de isolamento e tensão aplicada, e fornece uma folha de inspeção/testes com atividades regulares como limpeza de terminações e medição de fatores como resistência de isolamento e descargas parciais.
O documento descreve o projeto da Usina Hidrelétrica de Jirau no Rio Madeira em Rondônia, incluindo suas características técnicas, desafios logísticos, programas ambientais e impactos socioeconômicos na região.
O documento discute conceitos básicos sobre sistemas de aterramento elétrico, incluindo definições, finalidades, proteção contra choques elétricos e exemplos de aterramento de equipamentos. Também aborda materiais para aterramento e modelos matemáticos para cálculo de resistência de aterramento.
O documento discute máquinas de corrente contínua, descrevendo seu funcionamento como motor e gerador. Explica os princípios de indução eletromagnética e comutação que permitem a geração de corrente contínua. Apresenta diferentes tipos de geradores de acordo com o método de excitação, incluindo excitação independente, em derivação, em série e composta.
1. O documento apresenta definições técnicas relacionadas a sistemas de proteção contra descargas atmosféricas (SPDA).
2. Inclui definições de termos como descarga atmosférica, raio, sistema de proteção contra descargas atmosféricas, subsistemas de captores e aterramento.
3. A norma estabelece requisitos para o projeto, instalação e manutenção de SPDAs em estruturas comuns e especiais.
E book 10-partidas-de-motores-revisão_1.0Edson Lopes
Os dez principais sistemas de partidas de motores que você precisa conhecer para se dar bem na área durante a execução de atividades práticas e principalmente em testes admissionais.
Partida Direta de motor elétrico trifásico
Partida Direta com reversão.
Partida Estrela Triângulo
Partida Estrela Triângulo com reversão
Partida por AutoTransformador conhecida também como partida por “chave compensadora”
Partida por Autotransformador com Reversão
Partida tipo Aceleração Rotórica para motor elétrico trifásico com rotor bobinado.
Motor trifásico com reversão e freio eletromagnético comandado por botões
Partida de motor Dahlander
Partida de motor Dahlander com Reversão
O documento discute os efeitos da corrente elétrica no corpo humano e animais domésticos. Ele fornece definições importantes como limiar de percepção, limiar de reação, impedância total do corpo e resistência inicial do corpo. Além disso, o documento apresenta tabelas com valores de impedância total do corpo para diferentes tensões de contato.
O documento discute conceitos básicos de eletricidade, incluindo eletrostática, potencial elétrico, corrente elétrica e tipos de circuitos. Explica como resistores funcionam em circuitos série e paralelo e as leis de Ohm, Potência e Energia.
Técnicas de Inspeção e Procedimentos para Testes - Cabos ElétricosAlexandre Grossi
Este documento fornece instruções sobre técnicas de inspeção e procedimentos de teste para cabos elétricos. Ele descreve verificações a serem realizadas antes dos testes elétricos, como resistência de isolamento e tensão aplicada, e fornece uma folha de inspeção/testes com atividades regulares como limpeza de terminações e medição de fatores como resistência de isolamento e descargas parciais.
O documento descreve o projeto da Usina Hidrelétrica de Jirau no Rio Madeira em Rondônia, incluindo suas características técnicas, desafios logísticos, programas ambientais e impactos socioeconômicos na região.
O documento discute conceitos básicos sobre sistemas de aterramento elétrico, incluindo definições, finalidades, proteção contra choques elétricos e exemplos de aterramento de equipamentos. Também aborda materiais para aterramento e modelos matemáticos para cálculo de resistência de aterramento.
O documento discute máquinas de corrente contínua, descrevendo seu funcionamento como motor e gerador. Explica os princípios de indução eletromagnética e comutação que permitem a geração de corrente contínua. Apresenta diferentes tipos de geradores de acordo com o método de excitação, incluindo excitação independente, em derivação, em série e composta.
1. O documento apresenta definições técnicas relacionadas a sistemas de proteção contra descargas atmosféricas (SPDA).
2. Inclui definições de termos como descarga atmosférica, raio, sistema de proteção contra descargas atmosféricas, subsistemas de captores e aterramento.
3. A norma estabelece requisitos para o projeto, instalação e manutenção de SPDAs em estruturas comuns e especiais.
O documento apresenta conceitos básicos sobre eletricidade, incluindo: 1) A carga elétrica é a propriedade das partículas atômicas que compõem a matéria e é medida em coulombs; 2) Átomos são constituídos de prótons, nêutrons e elétrons; 3) A carga dos prótons é positiva e dos elétrons é negativa; 4) A força de atração entre prótons e elétrons mantém os elétrons em órbita.
O documento descreve os principais aspectos dos motores de indução, incluindo suas características, limitações, formas construtivas, classificação, circuito equivalente e métodos de controle de velocidade, como a variação da tensão e frequência aplicada.
O documento apresenta os principais tipos de diagramas elétricos e sua importância para a análise, instalação e manutenção de equipamentos. Descreve diagramas funcionais, de disposição e tradicionais, normas de identificação de componentes, simbologia para diagramas e elementos de comando e proteção.
Este documento apresenta os principais componentes semicondutores de potência, como diodos, tiristores, chaves controláveis, UJT e circuitos integrados para aplicações em eletrônica de potência. Inclui descrições técnicas detalhadas sobre o funcionamento e características desses dispositivos, além de exemplos de aplicações em retificadores, inversores e fontes chaveadas.
- O documento discute os conceitos de magnetismo e eletromagnetismo, incluindo imãs naturais e artificiais, campos magnéticos, eletromagnetismo, indução eletromagnética e leis relacionadas.
- É explicado como correntes elétricas criam campos magnéticos e como campos magnéticos podem induzir correntes elétricas em condutores.
- Conceitos como fluxo magnético, densidade de fluxo, permeabilidade e relutância são definidos e suas relações com campos magnétic
1) O documento discute comandos e motores elétricos, incluindo eletromagnetismo, métodos de partida, tipos de circuitos e componentes de chaves de partida.
2) É descrito o funcionamento de motores de indução, incluindo sua constituição, funcionamento teórico e tipos como motores monofásicos.
3) São explicados conceitos-chave como indução magnética, campo girante, torque e escorregamento em motores de indução.
O documento descreve os princípios básicos de dispositivos eletromagnéticos. Explica a lei de Faraday-Lenz sobre indução eletromagnética e como isso gera uma força contra-eletromotriz. Também discute o balanço energético em circuitos magnéticos, perdas por histerese em núcleos ferromagnéticos, e como o fluxo magnético depende da tensão aplicada mas não das propriedades do material do núcleo quando alimentado por corrente alternada.
Microsoft power point motores e geradores cc 2011-2aTiago Santiago
O documento discute máquinas elétricas, especificamente geradores e motores. Ele descreve os principais tipos de máquinas elétricas e suas partes, explica como geradores e motores funcionam através da indução eletromagnética, e fornece equações para calcular tensões em geradores.
O documento discute sistemas polifásicos, incluindo sistemas monofásicos com três condutores, sistemas trifásicos, circuitos trifásicos equilibrados e desequilibrados, transformadores trifásicos e medição de potência em sistemas trifásicos.
O documento descreve os principais aspectos de transformadores, incluindo: 1) Transformadores são equipamentos que reduzem ou aumentam a tensão elétrica por meio de bobinas acopladas magneticamente; 2) Existem transformadores ideais e reais, sendo que nos reais há perdas; 3) Transformadores monofásicos e trifásicos funcionam com corrente alternada e possuem enrolamentos primário e secundário.
1. O documento apresenta os resultados de experimentos realizados com circuitos retificadores de meia onda e onda completa.
2. Foram realizados testes com diodos direta e inversamente polarizados para entender seu funcionamento.
3. Os circuitos retificadores de meia onda e onda completa foram construídos e testados com e sem filtro capacitivo para produzir tensão contínua.
O documento descreve circuitos trifásicos equilibrados e desequilibrados. Apresenta as tensões e correntes de fase e linha em fontes trifásicas, além de conexões trifásicas como estrela e triângulo. Explica como calcular tensões, correntes e diagramas fasoriais para cargas equilibradas e desequilibradas nas conexões estrela e triângulo.
O documento discute capacitores, incluindo como funcionam, características, aplicações em circuitos eletrônicos, construção, simbologia, tipos como capacitores de mica, papel e plástico, associação em paralelo e série, e exemplos de cálculos.
Este documento discute a capacidade de condução de corrente em barras de cobre produzidas pela Planalto Engenharia e Automação, localizada em Lages, Santa Catarina. Ele fornece informações sobre a capacidade de condução de corrente em barras de cobre fabricadas pela empresa e seus contatos, incluindo endereço, telefone e site.
N 1996-projeto de redes eletricas em envelopes com cabos dirHigor Bastos
Este documento descreve diretrizes e especificações técnicas para projetos de redes elétricas subterrâneas da Petrobras, incluindo: (1) critérios para escolha entre cabos em envelopes de concreto ou diretamente no solo, (2) considerações sobre interferências com outras estruturas, e (3) detalhamento técnico de aspectos como profundidade, espaçamento e proteção dos cabos.
O documento discute os procedimentos e normas para a comissionamento e energização de subestações. Ele destaca a importância de (1) criar normas e procedimentos detalhados, (2) realizar testes específicos de equipamentos como relés diferenciais, e (3) concluir o comissionamento somente após a finalização de um checklist e a liberação para energização.
Facts - Flexible AC Transmission SystemsJim Naturesa
O documento discute os problemas de estabilidade de tensão em sistemas elétricos e como dispositivos FACTS (Flexible AC Transmission Systems) podem ajudar a resolver esses problemas. Especificamente, descreve como compensadores estáticos de reativos (SVCs) podem controlar a tensão através da geração ou absorção de potência reativa.
O documento discute as linguagens de programação para PLCs definidas pela norma IEC 61131-3, incluindo Diagrama de Blocos de Funções, Sequenciamento Gráfico de Funções, Lista de Instruções e Texto Estruturado. Também descreve a linguagem Ladder, incluindo sua estrutura básica, simbologia, detecção de eventos e utilização de chaves externas.
O documento descreve os principais aspectos de transformadores elétricos, incluindo níveis de tensão no Brasil para transmissão, subtransmissão e distribuição de energia, aspectos construtivos de transformadores, o conceito de transformador ideal sem perdas e sua operação a vazio e com carga, além de conceitos como razão de transformação, polaridade, rendimento e regulação.
Nbr 5410 abnt instalações elétricas de baixa tensãoSamanta Tolentino
1. Este documento estabelece as condições técnicas para instalações elétricas de baixa tensão em edificações.
2. A norma se aplica a instalações com tensão menor que 1000V em corrente alternada ou 1500V em corrente contínua.
3. O documento especifica requisitos para garantir a segurança de pessoas, animais e bens nas instalações elétricas.
1) O documento discute condutores e capacitores na eletrostática, definindo condutores como materiais que possuem elétrons livres para se movimentar sob campo elétrico e isolantes como aqueles em que os elétrons estão fortemente ligados.
2) Em condutores, as cargas se redistribuem de modo a anular o campo elétrico interno, gerando uma densidade de carga superficial que o polariza.
3) Dois condutores carregados formam um capacitor, onde a diferença de potencial é diretamente pro
Este documento descreve os regimes de polarização do capacitor MOS, especificamente o regime de depleção. Explica como a aplicação de uma tensão positiva no gate cria uma região de depleção no semicondutor, desprovida de portadores majoritários. Também define a tensão de threshold como aquela em que a concentração de elétrons na superfície iguala a concentração de dopagem no bulk, indicando a transição para o regime de inversão.
O documento apresenta conceitos básicos sobre eletricidade, incluindo: 1) A carga elétrica é a propriedade das partículas atômicas que compõem a matéria e é medida em coulombs; 2) Átomos são constituídos de prótons, nêutrons e elétrons; 3) A carga dos prótons é positiva e dos elétrons é negativa; 4) A força de atração entre prótons e elétrons mantém os elétrons em órbita.
O documento descreve os principais aspectos dos motores de indução, incluindo suas características, limitações, formas construtivas, classificação, circuito equivalente e métodos de controle de velocidade, como a variação da tensão e frequência aplicada.
O documento apresenta os principais tipos de diagramas elétricos e sua importância para a análise, instalação e manutenção de equipamentos. Descreve diagramas funcionais, de disposição e tradicionais, normas de identificação de componentes, simbologia para diagramas e elementos de comando e proteção.
Este documento apresenta os principais componentes semicondutores de potência, como diodos, tiristores, chaves controláveis, UJT e circuitos integrados para aplicações em eletrônica de potência. Inclui descrições técnicas detalhadas sobre o funcionamento e características desses dispositivos, além de exemplos de aplicações em retificadores, inversores e fontes chaveadas.
- O documento discute os conceitos de magnetismo e eletromagnetismo, incluindo imãs naturais e artificiais, campos magnéticos, eletromagnetismo, indução eletromagnética e leis relacionadas.
- É explicado como correntes elétricas criam campos magnéticos e como campos magnéticos podem induzir correntes elétricas em condutores.
- Conceitos como fluxo magnético, densidade de fluxo, permeabilidade e relutância são definidos e suas relações com campos magnétic
1) O documento discute comandos e motores elétricos, incluindo eletromagnetismo, métodos de partida, tipos de circuitos e componentes de chaves de partida.
2) É descrito o funcionamento de motores de indução, incluindo sua constituição, funcionamento teórico e tipos como motores monofásicos.
3) São explicados conceitos-chave como indução magnética, campo girante, torque e escorregamento em motores de indução.
O documento descreve os princípios básicos de dispositivos eletromagnéticos. Explica a lei de Faraday-Lenz sobre indução eletromagnética e como isso gera uma força contra-eletromotriz. Também discute o balanço energético em circuitos magnéticos, perdas por histerese em núcleos ferromagnéticos, e como o fluxo magnético depende da tensão aplicada mas não das propriedades do material do núcleo quando alimentado por corrente alternada.
Microsoft power point motores e geradores cc 2011-2aTiago Santiago
O documento discute máquinas elétricas, especificamente geradores e motores. Ele descreve os principais tipos de máquinas elétricas e suas partes, explica como geradores e motores funcionam através da indução eletromagnética, e fornece equações para calcular tensões em geradores.
O documento discute sistemas polifásicos, incluindo sistemas monofásicos com três condutores, sistemas trifásicos, circuitos trifásicos equilibrados e desequilibrados, transformadores trifásicos e medição de potência em sistemas trifásicos.
O documento descreve os principais aspectos de transformadores, incluindo: 1) Transformadores são equipamentos que reduzem ou aumentam a tensão elétrica por meio de bobinas acopladas magneticamente; 2) Existem transformadores ideais e reais, sendo que nos reais há perdas; 3) Transformadores monofásicos e trifásicos funcionam com corrente alternada e possuem enrolamentos primário e secundário.
1. O documento apresenta os resultados de experimentos realizados com circuitos retificadores de meia onda e onda completa.
2. Foram realizados testes com diodos direta e inversamente polarizados para entender seu funcionamento.
3. Os circuitos retificadores de meia onda e onda completa foram construídos e testados com e sem filtro capacitivo para produzir tensão contínua.
O documento descreve circuitos trifásicos equilibrados e desequilibrados. Apresenta as tensões e correntes de fase e linha em fontes trifásicas, além de conexões trifásicas como estrela e triângulo. Explica como calcular tensões, correntes e diagramas fasoriais para cargas equilibradas e desequilibradas nas conexões estrela e triângulo.
O documento discute capacitores, incluindo como funcionam, características, aplicações em circuitos eletrônicos, construção, simbologia, tipos como capacitores de mica, papel e plástico, associação em paralelo e série, e exemplos de cálculos.
Este documento discute a capacidade de condução de corrente em barras de cobre produzidas pela Planalto Engenharia e Automação, localizada em Lages, Santa Catarina. Ele fornece informações sobre a capacidade de condução de corrente em barras de cobre fabricadas pela empresa e seus contatos, incluindo endereço, telefone e site.
N 1996-projeto de redes eletricas em envelopes com cabos dirHigor Bastos
Este documento descreve diretrizes e especificações técnicas para projetos de redes elétricas subterrâneas da Petrobras, incluindo: (1) critérios para escolha entre cabos em envelopes de concreto ou diretamente no solo, (2) considerações sobre interferências com outras estruturas, e (3) detalhamento técnico de aspectos como profundidade, espaçamento e proteção dos cabos.
O documento discute os procedimentos e normas para a comissionamento e energização de subestações. Ele destaca a importância de (1) criar normas e procedimentos detalhados, (2) realizar testes específicos de equipamentos como relés diferenciais, e (3) concluir o comissionamento somente após a finalização de um checklist e a liberação para energização.
Facts - Flexible AC Transmission SystemsJim Naturesa
O documento discute os problemas de estabilidade de tensão em sistemas elétricos e como dispositivos FACTS (Flexible AC Transmission Systems) podem ajudar a resolver esses problemas. Especificamente, descreve como compensadores estáticos de reativos (SVCs) podem controlar a tensão através da geração ou absorção de potência reativa.
O documento discute as linguagens de programação para PLCs definidas pela norma IEC 61131-3, incluindo Diagrama de Blocos de Funções, Sequenciamento Gráfico de Funções, Lista de Instruções e Texto Estruturado. Também descreve a linguagem Ladder, incluindo sua estrutura básica, simbologia, detecção de eventos e utilização de chaves externas.
O documento descreve os principais aspectos de transformadores elétricos, incluindo níveis de tensão no Brasil para transmissão, subtransmissão e distribuição de energia, aspectos construtivos de transformadores, o conceito de transformador ideal sem perdas e sua operação a vazio e com carga, além de conceitos como razão de transformação, polaridade, rendimento e regulação.
Nbr 5410 abnt instalações elétricas de baixa tensãoSamanta Tolentino
1. Este documento estabelece as condições técnicas para instalações elétricas de baixa tensão em edificações.
2. A norma se aplica a instalações com tensão menor que 1000V em corrente alternada ou 1500V em corrente contínua.
3. O documento especifica requisitos para garantir a segurança de pessoas, animais e bens nas instalações elétricas.
1) O documento discute condutores e capacitores na eletrostática, definindo condutores como materiais que possuem elétrons livres para se movimentar sob campo elétrico e isolantes como aqueles em que os elétrons estão fortemente ligados.
2) Em condutores, as cargas se redistribuem de modo a anular o campo elétrico interno, gerando uma densidade de carga superficial que o polariza.
3) Dois condutores carregados formam um capacitor, onde a diferença de potencial é diretamente pro
Este documento descreve os regimes de polarização do capacitor MOS, especificamente o regime de depleção. Explica como a aplicação de uma tensão positiva no gate cria uma região de depleção no semicondutor, desprovida de portadores majoritários. Também define a tensão de threshold como aquela em que a concentração de elétrons na superfície iguala a concentração de dopagem no bulk, indicando a transição para o regime de inversão.
1) Cavidades ressonantes são estruturas fechadas que confinam campos eletromagnéticos em altas frequências, substituindo circuitos ressonantes RLC. 2) As cavidades possuem vários modos de ressonância correspondentes a configurações dos campos elétrico e magnético. 3) O fator de qualidade indica as perdas na cavidade e determina sua seletividade frequencial.
O documento discute circuitos magnéticos em máquinas elétricas, abordando os seguintes tópicos: 1) Lei de Ampère e conceito de força magnetomotriz; 2) Relação entre indução magnética e intensidade de campo; 3) Inclusão de entreferros no circuito magnético e sua análise; 4) Conceitos de relutância, permeabilidade e fluxo magnético.
i. O documento descreve o funcionamento de um transistor MOSFET, explicando como a corrente de dreno (Ids) varia em relação à tensão de dreno (Vds) para diferentes tensões de gate (Vg).
ii. Há uma tensão de saturação (Vdsat) acima da qual a corrente se mantém constante, devido ao fenômeno de "pinch-off" onde a carga no canal se anula.
iii. Antes da saturação a curva é linear, representando a região de funcionamento óhmica, e após a satura
O documento descreve conceitos de energia magnética armazenada em um indutor ideal quando uma corrente é aplicada. A energia magnética é igual a 1/2 LI2, onde L é a indutância do indutor e I é a corrente. A densidade de energia magnética no interior de um solenoide longo e fino é dada por B2/2μ0, onde B é o campo magnético e μ0 é a permeabilidade magnética do vácuo.
Este relatório descreverá os procedimentos da construção de um conversor CC-CC do tipo forward proposto pelo professor Ricardo Brioschi à turma do 7º período de Engenharia Elétrica do IFES. Serão apresentadas características do projeto, como espessura do enrolamento, bem como cálculos relevantes, dentre eles ressaltasse as relações de espiras do transformador e outros.
[1] O documento descreve um experimento para medir o tempo de carga e descarga de um condensador em um circuito RC. [2] Ele explica a teoria por trás do processo de carga e descarga de um condensador através de equações diferenciais e a constante de tempo. [3] O procedimento experimental é detalhado, incluindo a montagem do circuito, medições de tensão, tempo de carga e descarga e análise dos resultados.
O documento descreve o funcionamento do transistor de efeito de campo (FET), incluindo sua estrutura, características e aplicações. O FET é um transistor unipolar de três terminais (gate, source e drain) que controla a corrente de portadores majoritários através de um canal usando uma tensão aplicada no gate. O documento explica como medir parâmetros importantes como corrente de saturação e tensão de estrangulamento do FET.
Este documento descreve os três regimes de polarização do capacitor MOS: acumulação, depleção e inversão. Explica como a variação da tensão de gate VG altera a curvatura das bandas de energia no semicondutor e a distribuição de cargas. A camada de inversão forma-se quando VG excede a tensão de limiar Vt, introduzindo portadores minoritários no semicondutor. O documento também discute a escolha do tipo de dopagem no gate e substrato para obter pequenas tensões Vt positivas ou negativas.
Análise da resposta natural e a um degrau de um circuito RL e RC utilizando P...Ygor Aguiar
[1] Análise da resposta natural e a um degrau de circuitos RC e RL utilizando simulações no PSpice. [2] Circuitos apresentam comportamento exponencial na resposta. [3] Simulações comprovam teoria e permitem análise gráfica da tensão e corrente nos elementos.
O documento descreve os conceitos básicos de fontes de alimentação, incluindo retificação, filtragem e regulagem. Também aborda os conceitos de transistores bipolares, incluindo estrutura, efeito transistor, polarização e curva característica. Por fim, apresenta experimentos para verificar parâmetros de fontes e transistores.
1. O documento apresenta os conceitos teóricos e práticos sobre circuitos RC, incluindo carga e descarga de capacitores através de resistores.
2. São mostrados exemplos de circuitos RC e equações que descrevem a carga e descarga de capacitores.
3. A experiência prática envolve a medição da carga e descarga de um capacitor em circuitos RC e a observação das formas de onda em um osciloscópio.
A roda de Barlow é um disco dentado que gira em torno de um eixo horizontal quando colocado em um campo magnético e atravessado por uma corrente elétrica. A força eletromagnética faz o disco girar como um motor elétrico. A velocidade limite do disco é diretamente proporcional à corrente elétrica e ao campo magnético.
A roda de Barlow é um disco dentado que gira em torno de um eixo horizontal quando colocado em um campo magnético e atravessado por uma corrente elétrica. A força eletromagnética faz o disco girar como um motor elétrico. A velocidade limite do disco é diretamente proporcional à corrente elétrica.
1. O documento descreve um experimento realizado com um circuito RC, medindo a tensão no capacitor e resistor ao longo do tempo para calcular a constante de tempo do circuito.
2. Os alunos montaram o circuito e mediram a resistência e capacitância dos componentes, observando que a tensão no capacitor aumenta e no resistor diminui exponencialmente com o tempo conforme previsto teoricamente.
3. A análise dos resultados permitiu calcular experimentalmente a constante de tempo do circuito, que apresentou um erro relativo de cerca de 15% em rel
O documento discute resistência elétrica e capacitância. Explica que a resistência depende da geometria e do material condutor e é definida pela relação entre tensão e corrente. Também define capacitância como a relação entre carga elétrica armazenada e a diferença de potencial entre placas condutoras. Fornece exemplos de cálculo de resistência e capacitância para diferentes configurações de condutores e dielétricos.
O documento discute resistência elétrica e capacitância. Explica que a resistência depende da geometria e do material condutor e é definida pela relação entre tensão e corrente. Também define capacitância como a relação entre carga elétrica armazenada e a diferença de potencial entre placas condutoras. Fornece exemplos de cálculo de resistência e capacitância para diferentes configurações de condutores e dielétricos.
Curso básico de eletrônica digital parte 8Renan Boccia
Este documento descreve os principais tipos de multivibradores, circuitos digitais que geram sinais oscilatórios. Apresenta o multivibrador astável, que gera sinais retangulares sem estados estáveis, cuja frequência depende dos valores dos componentes RC. Também explica como gerar oscilações usando inversores ou portas lógicas, e como controlar o ciclo ativo do sinal de saída.
Este documento descreve um experimento sobre circuitos RLC em corrente alternada. Ele explica o comportamento desses circuitos na ressonância, quando a impedância é mínima e a corrente máxima. São apresentados três métodos para determinar a frequência de ressonância: observando a diferença de fase entre a tensão e a corrente, medindo a amplitude máxima da tensão no resistor ou analisando as figuras de Lissajous.
Semelhante a O modelo básico de corrente-tensão dos MOSFETs - 1 (20)
Solução da equação diferencial de Bessel no Maple de duas maneiras diferentes: (1) Usando o comando dsolve e plot. (2) Usando o pacote DEtools e comando DEplot
1) O documento discute como encontrar os zeros de uma função transcendental usando o software Maple.
2) A função é definida e graficada para identificar possíveis raízes.
3) Os comandos fsolve e NSolve do Maple podem ser usados para calcular as raízes numericamente, considerando o intervalo físico relevante.
De formas primitivas de memória até a DRAM traz uma discussão sobre memórias nos computadores eletro-mecânicos, tais como as memórias baseadas em tubos à vácuo, a evolução, a memoria DRUM, depois as memórias de núcleo magnético, e enfim o advento da DRAM por Robert Dennard.
Nesta apresentação vamos ensinar passo-a-passo como extrair pontos de um gráfico que você deseje comparar com outros resultados disponíveis que você tenha, gerando um arquivo de dados que pode ser salvo com extensão .txt ou .dat, por exemplo.
O documento descreve a Máquina Analítica projetada por Charles Babbage em 1837, considerada o primeiro computador programável. A máquina poderia armazenar e processar números de até 40 dígitos usando milhares de engrenagens. Sua programação era feita através de cartões perfurados semelhantes aos usados em teares da época, permitindo executar operações matemáticas e tomar decisões condicionais.
Charles Babbage como um visionário, concebe a primeira ideia de um computador através do desenvolvimento da sua Máquina Analítica. Suas idéias se aproximavam muito mais dos cientistas da metade do século XX do que os de sua época. Babbage chegava a muitas soluções que eram inviáveis em seu tempo. O que teria feito esse gênio se vivesse nos tempos modernos ?
O documento descreve a evolução dos computadores mecanizados, desde a Máquina Diferencial de Charles Babbage até a máquina de Scheutz. Scheutz foi inspirado pelo projeto de Babbage e construiu seu próprio modelo. Ele e seu filho construíram então uma máquina de metal funcional e receberam apoio do governo sueco. Sua máquina foi a primeira demonstração concreta do potencial das máquinas matemáticas e recebeu reconhecimento internacional.
A Máquina Diferencial de Babbage era uma máquina de calcular mecânica projetada para calcular tabelas matemáticas de forma automática através de um sistema de engrenagens. Se construída, teria 7 eixos verticais principais para processar números de até 20 dígitos e poderia calcular funções constantes e não constantes como logaritmos de forma aproximada.
O projeto da Máquina Diferencial de Charles Babbage e as dificuldades enfrentadas na Londres do século XVIII para se implementar um projeto ambicioso para a sua época. Também, as dificuldades de investimento para uma das mais importantes realizações que contribuíram para o advento do computador no século XX. E as sabotagens de Clement, o engenheiro chefe, no projeto da Máquina Diferencial. Tudo isso, e muito mais, nesta apresentação, 12 - A Evolução do Pensamento Mecanizado.
O documento descreve a teoria por trás da máquina diferencial, um dos primeiros computadores mecanizados projetados por Charles Babbage no século 19. A máquina usaria o método de diferenças constantes para calcular tabelas numéricas de forma automatizada. Após receber apoio financeiro do governo britânico, Babbage iniciou a construção da máquina, marcando o início de um dos projetos mais influentes da história da computação.
Charles Babbage teve a ideia de que tabelas numéricas poderiam ser calculadas por máquinas após ver tabelas de logaritmos na Sociedade Analítica em Cambridge. Ele projetou a Máquina Diferencial, capaz de calcular tabelas usando o método de diferenças constantes e imprimi-las em placas de metal, eliminando erros. Um protótipo de seis dígitos provou a viabilidade do conceito.
1. Gottfried Wilhelm Leibniz inventou a primeira calculadora mecânica, chamada de Stepped Reckoner, na década de 1670 em Paris. 2. O Stepped Reckoner usava uma engrenagem especial conhecida como roda de Leibniz para realizar operações de multiplicação mecanicamente. 3. Embora revolucionária, a máquina de Leibniz não funcionou na prática devido a problemas mecânicos em seu mecanismo de transporte.
O documento descreve o funcionamento do diodo IMPATT (Avalanche de ionização por impacto e de Tempo de Trânsito), um dispositivo semicondutor usado para gerar sinais de micro-ondas. O diodo IMPATT utiliza o processo de avalanche em uma junção PN sob tensão reversa para gerar portadores de carga, cujo tempo de trânsito através da região N produz uma defasagem entre a tensão e a corrente, permitindo que o dispositivo oscile a frequências de micro-ondas quando polarizado corretamente.
Nesta apresentação, a número 7 da série, dando continuidade ao processo de evolução do pensamento mecanizado, vamos falar sobre a que é considerada a primeira máquina calculadora com impacto histórico, a calculadora de Blaise Pascal, mostrada ao público em 1646, ou aproximadamente, e que apesar de suas deficiências técnicas, ilustra a tentativa do homem no processo de mecanizar um trabalho intelectual, como a aritmética. São discutidas o contexto histórico em que a máquina de Blaise se desenvolveu, suas razões, e problemas vividos em uma época tão distante, a 400 anos atrás, mas problemas ainda tão contemporâneos. Sem dúvida alguma, esta apresentação ilustra a genialidade de um homem, que mesmo vivendo em uma época com tão poucos recursos técnicos e científicos, esculpiu na madeira e no ferro, a expressão mais sublime da sua genialidade, a Pascaline.
1) O documento descreve a invenção da primeira calculadora mecânica por Wilhelm Schickard em 1623, antecipando a máquina de Pascal.
2) A calculadora de Schickard foi destruída em um incêndio antes que pudesse ser enviada para Kepler, mas Schickard descreveu a máquina em cartas.
3) Essas cartas foram redescobertas em 1935, levando à reconstrução da máquina de Schickard e ao reconhecimento de sua importância histórica.
O documento descreve as características do capacitor MOS, incluindo como o potencial de superfície, largura da região de depleção e carga no substrato variam com a tensão de gate. Explica que o potencial de superfície aumenta até atingir 2ψB na tensão de limiar, quando a interface entra em regime de inversão. A largura da região de depleção também aumenta com a tensão de gate até saturar em Wdmax na inversão. A carga no substrato é composta por componentes de acumulação, dep
O documento discute os efeitos das dimensões em nanoestruturas condutoras. Resume que em condutores macroscópicos a resistência é proporcional à condutividade e dimensões, mas em nanoestruturas a relação muda dependendo do grau de desordem e localização dos portadores. Sistemas altamente condutores seguem a relação macroscópica, enquanto sistemas desordenados apresentam transporte localizado e dependência exponencial da resistência com o comprimento.
O documento discute a diferença entre sistemas analógicos e digitais, usando como exemplo um velocímetro (analógico) e um odômetro (digital) em carros. Sistemas analógicos medem variáveis de forma contínua, enquanto sistemas digitais contam itens de forma discreta. O documento também menciona alguns dos primeiros computadores analógicos desenvolvidos na Grécia Antiga, como um mecanismo encontrado em um navio naufragado que calculava órbitas planetárias.
O documento descreve a evolução da matemática mecanizada, desde os primeiros ábacos até os números hindo-arábicos modernos. Começando com os ábacos primitivos feitos de areia ou madeira, o documento explica como eles foram amplamente usados na Europa e em outras civilizações antigas. Finalmente, os números hindo-arábicos foram adotados gradualmente na Europa entre os séculos XIII e XVII, apesar de inicial confusão e resistência, devido a conceitos como zero e valor posicional.
A evolução do pensamento mecanizado até os computadores atuais começou com o trabalho de matemáticos como Napier e Gunter, que desenvolveram representações físicas dos logaritmos. Posteriormente, Oughtred inventou a régua de cálculo circular, permitindo multiplicações e divisões rápidas, e popularizou símbolos como "x". No entanto, disputas surgiram sobre quem realmente inventou a régua circular.
Estruturas de Madeiras: Dimensionamento e formas de classificaçãocaduelaia
Apresentação completa sobre origem da madeira até os critérios de dimensionamento de acordo com as normas de mercado. Nesse material tem as formas e regras de dimensionamento
AE03 - ESTUDO CONTEMPORÂNEO E TRANSVERSAL ENGENHARIA DA SUSTENTABILIDADE UNIC...Consultoria Acadêmica
Os termos "sustentabilidade" e "desenvolvimento sustentável" só ganharam repercussão mundial com a realização da Conferência das Nações Unidas sobre o Meio Ambiente e o Desenvolvimento (CNUMAD), conhecida como Rio 92. O encontro reuniu 179 representantes de países e estabeleceu de vez a pauta ambiental no cenário mundial. Outra mudança de paradigma foi a responsabilidade que os países desenvolvidos têm para um planeta mais sustentável, como planos de redução da emissão de poluentes e investimento de recursos para que os países pobres degradem menos. Atualmente, os termos
"sustentabilidade" e "desenvolvimento sustentável" fazem parte da agenda e do compromisso de todos os países e organizações que pensam no futuro e estão preocupados com a preservação da vida dos seres vivos.
Elaborado pelo professor, 2023.
Diante do contexto apresentado, assinale a alternativa correta sobre a definição de desenvolvimento sustentável:
ALTERNATIVAS
Desenvolvimento sustentável é o desenvolvimento que não esgota os recursos para o futuro.
Desenvolvimento sustantável é o desenvolvimento que supre as necessidades momentâneas das pessoas.
Desenvolvimento sustentável é o desenvolvimento incapaz de garantir o atendimento das necessidades da geração futura.
Desenvolvimento sustentável é um modelo de desenvolvimento econômico, social e político que esteja contraposto ao meio ambiente.
Desenvolvimento sustentável é o desenvolvimento capaz de suprir as necessidades da geração anterior, comprometendo a capacidade de atender às necessidades das futuras gerações.
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Introdução ao GNSS Sistema Global de PosicionamentoGeraldoGouveia2
Este arquivo descreve sobre o GNSS - Globas NavigationSatellite System falando sobre os sistemas de satélites globais e explicando suas características
Os nanomateriais são materiais com dimensões na escala nanométrica, apresentando propriedades únicas devido ao seu tamanho reduzido. Eles são amplamente explorados em áreas como eletrônica, medicina e energia, promovendo avanços tecnológicos e aplicações inovadoras.
Sobre os nanomateriais, analise as afirmativas a seguir:
-6
I. Os nanomateriais são aqueles que estão na escala manométrica, ou seja, 10 do metro.
II. O Fumo negro é um exemplo de nanomaterial.
III. Os nanotubos de carbono e o grafeno são exemplos de nanomateriais, e possuem apenas carbono emsua composição.
IV. O fulereno é um exemplo de nanomaterial que possuí carbono e silício em sua composição.
É correto o que se afirma em:
ALTERNATIVAS
I e II, apenas.
I, II e III, apenas.
I, II e IV, apenas.
II, III e IV, apenas.
I, II, III e IV.
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AE03 - ESTUDO CONTEMPORÂNEO E TRANSVERSAL INDÚSTRIA E TRANSFORMAÇÃO DIGITAL ...Consultoria Acadêmica
“O processo de inovação envolve a geração de ideias para desenvolver projetos que podem ser testados e implementados na empresa, nesse sentido, uma empresa pode escolher entre inovação aberta ou inovação fechada” (Carvalho, 2024, p.17).
CARVALHO, Maria Fernanda Francelin. Estudo contemporâneo e transversal: indústria e transformação digital. Florianópolis, SC: Arqué, 2024.
Com base no exposto e nos conteúdos estudados na disciplina, analise as afirmativas a seguir:
I - A inovação aberta envolve a colaboração com outras empresas ou parceiros externos para impulsionar ainovação.
II – A inovação aberta é o modelo tradicional, em que a empresa conduz todo o processo internamente,desde pesquisa e desenvolvimento até a comercialização do produto.
III – A inovação fechada é realizada inteiramente com recursos internos da empresa, garantindo o sigilo dasinformações e conhecimento exclusivo para uso interno.
IV – O processo que envolve a colaboração com profissionais de outras empresas, reunindo diversasperspectivas e conhecimentos, trata-se de inovação fechada.
É correto o que se afirma em:
ALTERNATIVAS
I e II, apenas.
I e III, apenas.
I, III e IV, apenas.
II, III e IV, apenas.
I, II, III e IV.
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Um protocolo de comunicação é um conjunto de regras formais que descrevem como transmitir ou trocar dados, especialmente através de uma rede. Um protocolo de comunicação padronizado é aquele que foi codificado como padrão. Exemplos deles incluem WiFi, o protocolo da Internet e o protocolo de transferência de hipertexto (HTTP).
Sobre protocolos de comunicação, é correto afirmar que:
ALTERNATIVAS
Pacote é um termo genérico para referenciar uma sequência de dados binários com tamanho limitado usado como unidade de transmissão.
O número de dispositivos em um barramento não é determinado pelo protocolo.
Um sistema aberto é o que está preparado para se comunicar apenas com outro sistema fechado, usando regras padronizadas que regem o formato, o conteúdo e o significado das mensagens recebidas.
A confiabilidade em sistemas distribuídos não está relacionada às falhas de comunicação ou pela capacidade dos aplicativos em se recuperar quando tais falhas acontecem.
Os mecanismos da Internet não foram adaptados para suportar mobilidade.
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O presente trabalho consiste em realizar um estudo de caso de um transportador horizontal contínuo com correia plana utilizado em uma empresa do ramo alimentício, a generalização é feita em reserva do setor, condições técnicas e culturais da organização
2. O MOSFET é um dos dispositivos semicondutores
mais predominantes em circuitos integrados.
2
3. É o bloco de construção básico (building block) de
circuitos digitais, analógicos e de memória.
3
4. Seu pequeno tamanho permite a fabricação de
circuitos baratos e de alta densidade, como chips de
memória de gigabit (GB).
4
5. Sua potência baixa e velocidade altíssima tornam
possíveis chips para processadores de computador em
gigahertz (GHz) e rádio-frequência (RF) para telefones
celulares.
5
6. 6
O MOSFET quando integrado ocupa menos área do
que o transistor bipolar. Por isso, são amplamente
utilizados para integração em larga escala (LSI).
7. 7
Obtenção da corrente de dreno-fonte Ids
para investigação da característica
corrente-tensão dos MOSFETs nos
regimes de polarização.
8. 8
Quando uma pequena tensãoVds é aplicada entre os
terminais de fonte (S) e dreno (D), a corrente de fonte-
dreno é dada por
S D
G
+++++++
-----------
R
Vds
+
+
-
-
Vgs
tipo-n+
tipo-n+
Onde W é a
largura do
canal, e Qns é a
densidade de
carga, neste
caso, devido a
elétrons na camada de
inversão.
12. 12
Partindo do cálculo de corrente numa
estrutura 3D, e fazendo-se algumas
adaptações de interpretação, chegamos ao
resultado da corrente através da superfície de
carga da inversão do MOSFET.
13. L
Fonte Dreno
dx
x
Z
Considere inicialmente um material semicondutor
macroscópico, bulk, altamente dopado tipo-n,
dopagem uniforme, de comprimento L, largura W e
altura Z, em cujas extremidades estão os contatos de
dreno e fonte. z
13
14. L
Fonte Dreno
dx
x
Z
Tomemos uma seção reta transversal do condutor de
comprimento dx, e vamos encontrar o elemento de
resistência dR a partir da definição:
z
Onde A é a área da seção reta transversal do condutor,
ρ a resistividade do material, e σ a condutividade.
A = W.Z
dl = dx
14
16. L
Fonte Dreno
dx
x
Z
A condutividade σ no semicondutor é definida como
Desde que estamos considerando um canal condutor de
elétrons, então p = 0, e podemos escrever simplesmente,
z
Vamos chamar Qn a densidade volumétrica de carga devido aos
elétrons de condução no semicondutor, e μn é a mobilidade
eletrônica, devido a presença de um campo elétrico E.
- v
E
[μn] = cm2/V.s
[Qn] = C.cm-3
16
17. 17
A mobilidade eletrônica é uma quantidade
representada como a proporcionalidade entre a
velocidade média do portador e o campo elétrico.
Define-se a velocidade de deriva do elétron no
semicondutor como
L
Font
e
Dreno
dx
x
Z
z
- v
E
O sinal negativo significa que a deriva dos elétrons tem
direção oposta ao campo elétrico E.
18. 18
Do inglês, drift, ou deriva, é o movimento dos
portadores de carga causados por um campo elétrico,
e surgem sempre que tensões são aplicadas a um
semicondutor.
L
Font
e
Dreno
dx
x
Z
z
- v
E
19. 19
Quando um campo elétrico é aplicado a um
semicondutor, a velocidade média dos portadores de
carga não é zero.
L
Font
e
Dreno
dx
x
Z
z
- v
E
20. 20
Esta velocidade diferente de zero é chamada de
velocidade de deriva ou velocidade de drift.
L
Font
e
Dreno
dx
x
Z
z
- v
E
21. 21
Uma velocidade de portador mais rápida é desejável,
pois permite que um dispositivo semicondutor, ou
um circuito funcione a uma velocidade muito mais
elevada.
22. 22
Em geral, para o silício considera-se um valor μn em
torno de 300 cm2/Vs.
23. Voltando ao elemento de resistência dR podemos
escrever
L
Fonte Dreno
dx
x
Y
y
- v
E
23
24. Por outro lado, pela Lei de Ohm
IDS é a corrente de dreno-fonte
L
Fonte Dreno
dx
x
Z
z
- v
E
Juntando-se
estes dois
resultados
24
32. Fonte Dreno
dx
Elemento de resistência dR
Canal
L
x
z
W
Analogamente, ao realizado para o caso do gás de
elétrons 3D, suponha agora que desejamos escrever
um elemento incremental de resistência dR nesse canal
condutor de espessura dx
32
33. Fonte Dreno
dx
Elemento de resistência dR
Canal
L
x
z
W
Somente temos que ter o cuidado de introduzir a
fórmula do elemento de resistência de uma forma um
pouco diferente.
33
34. pois, no caso do MOSFET, a região de condução de
portadores, a altura Z passa a ser um δz
L
Fonte Dreno
dx
x
Z
z
- v
E
Fonte Dreno
Canal
L
x
z
W
δz
34
35. E onde tínhamos uma distribuição volumétrica de carga,
agora temos uma distribuição superficial de carga.
L
Fonte Dreno
dx
x
z
z
- v
E
Fonte Dreno
Canal
L
x
z
W
δz
35
36. Fonte Dreno
dx
Elemento de resistência dR
Canal
L
x
z
W
Desta forma, no primeiro caso, tínhamos no
denominador da fórmula da resistência uma
condutividade volumétrica, e uma área A=WZ.
δz
36
37. Fonte Dreno
dx
Elemento de resistência dR
Canal
L
x
z
W
Agora, temos que remodelar essa situação para uma
descrição mais compatível com a nova situação, na
qual os elétrons formam uma camada de inversão em
uma suposta folha fina de superfície de carga, com
praticamente nenhuma espessura
δz
37
39. 39
Seja uma quantidade de carga q, o volume xyz, a área
xy, e o comprimento x. Definimos:
Densidade volumétrica de carga
Densidade superficial de carga
Densidade linear de carga
Uma quantidade de
carga q ocupando o
volume xyz
Uma quantidade de
carga q ocupando a
área xy
Uma quantidade de
carga q ocupando o
comprimento x
41. 41
Agora, a fórmula do elemento de resistência
incremental pode ser reescrita de uma forma mais
conveniente
42. 42
A condutividade volumétrica σv = σ foi definida como
Com Qn a densidade volumétrica de carga devido aos
elétrons de condução no semicondutor, e μn é a mobilidade
eletrônica, devido a presença de um campo elétrico E.
[μn] = cm2/V.s
[Qn] = C.cm-3
43. 43
Analogamente, a condutividade superficial σs pode
ser escrita como
Com Qns a densidade superficial de carga devido aos elétrons
na camada de inversão, e μns é a mobilidade eletrônica
superficial, uma quantidade a qual deve ser medida para
cada sistema.
[μns] = cm2/V.s
[Qns] = C.cm-2
44. 44
Sendo que o elemento de resistência incremental é
simplesmente
48. É altamente desejável que o MOSFET tenha uma
grande corrente de transistor, para que possa carregar
e descarregar a capacitância do circuito muito
rapidamente, e assim, alcançar velocidade de circuito
muito alta.
48
49. Um fator importante que determina a corrente no
MOSFET é a mobilidade de elétrons µns ou de lacunas
µps na camada da superfície de inversão, ou também
denominada mobilidade efetiva.
49
50. 50
W é a largura do canal e L é o comprimento do canal.
52. Nos MOSFETs, as mobilidades µns e µps são diversas
vezes menor do que a mobilidade µn e µp no bulk, e
podem ser obtidas usando-se a equação
52
53. Nos MOSFETs, as mobilidades µns e µps são diversas
vezes menor do que a mobilidade µn e µp no bulk, e
podem ser obtidas usando-se a equação
53
54. Nos MOSFETs, as mobilidades µns e µps são diversas
vezes menor do que a mobilidade µn e µp no bulk, e
podem ser obtidas usando-se a equação
54
55. Nos MOSFETs, as mobilidades µns e µps são diversas
vezes menor do que a mobilidade µn e µp no bulk, e
podem ser obtidas usando-se a equação
55
56. Nos MOSFETs, as mobilidades µns e µps são diversas
vezes menor do que a mobilidade µn e µp no bulk, e
podem ser obtidas usando-se a equação
56
Como de aulas passadas tínhamos que a carga por área
na inversão total no MOSFET de canal-n é
57. Nos MOSFETs, as mobilidades µns e µps são diversas
vezes menor do que a mobilidade µn e µp no bulk, e
podem ser obtidas usando-se a equação
57
Como de aulas passadas tínhamos que a carga por área
na inversão total no MOSFET de canal-n é
58. Nos MOSFETs, as mobilidades µns e µps são diversas
vezes menor do que a mobilidade µn e µp no bulk, e
podem ser obtidas usando-se a equação
58
Como de aulas passadas tínhamos que a carga por área
na inversão total no MOSFET de canal-n é
Logo,
59. Desta forma, podemos usar esta equação
Para calcular µns, uma vez que todas as quantidades
além de µns sejam conhecidas, ou possam ser
medidas.
59
60. 60
Mobilidade de superfície é uma
função da média dos campos
elétricos no fundo e no topo da
camada de carga de inversão,
Eb e Et.
61. 61
Foi encontrado que µns é uma função da média dos
campos elétricos no topo Et, e no fundo (em inglês,
bottom) Eb, da camada de carga de inversão.
62. 62
Baseado em um novo modelo de mobilidade empírica
que é dependente apenas de Vgs, Vt e Tox, e de um
modelo correspondente de corrente de saturação, Idsat,
o impacto sobre o escalonamento do dispositivo e as
variações na fonte de alimentação sobre o desempenho
do inversor CMOS é investigado neste trabalho.
ABSTRACT
63. 63
É mostrado que o Tox o qual maximiza a velocidade do
inversor pode ser mais espessa do que as condições de
confiabilidade requer.
... continuação do ABSTRACT
64. 64
Além disso, velocidades muito altas podem ser
alcançadas mesmo em valores baixos de Vdd (para
aplicações de baixa potência), se Vt puder ser
diminuído.
... continuação do ABSTRACT
65. GATE
Substrato-p
- - --N+ N+- - --
Toxe
Et
Eb
Vg
Podemos provar isto nos passos seguintes.
Wdmax
Usando a Lei de Gauss e a
camada de depleção como
caixa Gaussiana temos:
65N-FET
66. GATE
Substrato-p
- - --N+ N+- - --
Toxe
Et
Eb
Vg
Se recordarmos o resultado obtido para a tensão de
threshold no modelo que considera a espessura da
camada de inversão uma quantidade finita,
Wdmax
Podemos usá-la para escrever o
campo elétrico no fundo:
66N-FET
67. GATE
Substrato-p
- - --N+ N+- - --
Toxe
Et
Eb
Vg
Aplicando-se agora a Lei de Gauss à caixa que engloba a
camada de depleção e a camada de inversão teremos:
Wdmax
Mas,
Então
67N-FET
68. GATE
Substrato-p
- - --N+ N+- - --
Toxe
Et
Eb
Vg
De aulas passadas tínhamos que a carga por área na
inversão total é
Wdmax
68
De modo que, podemos
escrever
N-FET
69. 69
Conhecendo-se o campo elétrico no topo e no fundo
(bottom), Et e Eb, respectivamente, podemos calcular
Para um MOSFET de canal-n, NMOSFET, de gate
poli-cristalino N+.
82. 82
Este modelo de mobilidade explica os principais efeitos
das variáveis na mobilidade superficial.
83. 83
Quando as variáveis do dispositivo Vgs, Vt, e Toxe são
adequadamente consideradas, todos os MOSFETs de
silício apresentam essencialmente a mesma
mobilidade superficial como ilustrado na Figura 6-9.
85. 85
A mobilidade de superfície é mais baixa do que a
mobilidade no bulkpor causa do espalhamento na
superfície áspera.
86. 86
Isto faz a mobilidade diminuir à medida que o campo
na camada de inversão (Eb,Et) torna-se mais forte e os
portadores de carga são confinados mais próximos da
interface de Si-SiO2.
87. 87
μns e μps ainda seguem aproximadamente a
dependência de temperatura T3/2, que é característica
do espalhamento por fônons.
88. 88
Na Fig. 6-9, a mobilidade de superfície em torno de
Vg ≈ Vt, especialmente no semicondutor fortemente
dopado (2 × 1018 cm-3), é mais baixo do que a
mobilidade universal.