1) O documento discute quatro efeitos que modificam a curva C-V básica de um capacitor MOS: a presença de cargas no óxido, a depleção no gate de silício policristalino, a espessura da camada de carga na acumulação e inversão, e efeitos quânticos.
2) A presença de cargas no óxido modifica as tensões de flat-band e threshold, devido ao campo elétrico adicional induzido pelas cargas no óxido.
3) A deple
O documento descreve a característica C-V (capacitância-tensão) do capacitor MOS. Explica que a curva C-V pode ser usada para determinar parâmetros importantes como a espessura do óxido, concentração de dopagem e tensões de limiar e flat-band. Detalha também como a capacitância varia nas regiões de acumulação, depleção e inversão do dispositivo.
Este documento apresenta a estrutura básica do capacitor MOS e do transistor MOSFET. Ele discute a estrutura MOS ideal e suas propriedades, incluindo a semelhança com um capacitor de placas paralelas. Também apresenta ferramentas como diagramas de bloco de carga e de banda de energia que ajudam na compreensão qualitativa do funcionamento do dispositivo MOS.
Este documento descreve os três regimes de polarização do capacitor MOS: acumulação, depleção e inversão. Explica como a variação da tensão de gate VG altera a curvatura das bandas de energia no semicondutor e a distribuição de cargas. A camada de inversão forma-se quando VG excede a tensão de limiar Vt, introduzindo portadores minoritários no semicondutor. O documento também discute a escolha do tipo de dopagem no gate e substrato para obter pequenas tensões Vt positivas ou negativas.
O documento discute os regimes de polarização de um capacitor MOS. Apresenta seis regras gerais sobre como o diagrama de banda de energia do MOS é modificado em resposta à tensão aplicada no gate. Descreve especificamente a condição de flat-band, quando as bandas são planas, e o regime de acumulação, quando uma tensão negativa atrai lacunas positivas para perto da interface óxido-silício.
Este documento descreve os regimes de polarização do capacitor MOS, especificamente o regime de depleção. Explica como a aplicação de uma tensão positiva no gate cria uma região de depleção no semicondutor, desprovida de portadores majoritários. Também define a tensão de threshold como aquela em que a concentração de elétrons na superfície iguala a concentração de dopagem no bulk, indicando a transição para o regime de inversão.
O documento descreve as características do capacitor MOS, incluindo como o potencial de superfície, largura da região de depleção e carga no substrato variam com a tensão de gate. Explica que o potencial de superfície aumenta até atingir 2ψB na tensão de limiar, quando a interface entra em regime de inversão. A largura da região de depleção também aumenta com a tensão de gate até saturar em Wdmax na inversão. A carga no substrato é composta por componentes de acumulação, dep
O documento descreve um curso sobre dispositivos semicondutores no qual são estudados o capacitor MOS e o transistor MOS. O conteúdo programático inclui revisão de semicondutores, diagrama de bandas, regimes de cargas no capacitor MOS, características do transistor MOS e efeitos em dispositivos. A avaliação é feita por duas provas com pesos diferentes na nota final.
O documento descreve o funcionamento e polarização de transistores bipolares. Resume-se em 3 frases:
1) O transistor bipolar consiste de três seções de materiais semicondutores - coletor, emissor e base - que podem estar polarizadas direta ou inversamente, determinando três regiões de operação: corte, saturação ou região ativa.
2) Os circuitos de polarização simples e automática são descritos, incluindo equações para calcular seus componentes e analisar o ponto de polarização.
3) Práticas experiment
O documento descreve a característica C-V (capacitância-tensão) do capacitor MOS. Explica que a curva C-V pode ser usada para determinar parâmetros importantes como a espessura do óxido, concentração de dopagem e tensões de limiar e flat-band. Detalha também como a capacitância varia nas regiões de acumulação, depleção e inversão do dispositivo.
Este documento apresenta a estrutura básica do capacitor MOS e do transistor MOSFET. Ele discute a estrutura MOS ideal e suas propriedades, incluindo a semelhança com um capacitor de placas paralelas. Também apresenta ferramentas como diagramas de bloco de carga e de banda de energia que ajudam na compreensão qualitativa do funcionamento do dispositivo MOS.
Este documento descreve os três regimes de polarização do capacitor MOS: acumulação, depleção e inversão. Explica como a variação da tensão de gate VG altera a curvatura das bandas de energia no semicondutor e a distribuição de cargas. A camada de inversão forma-se quando VG excede a tensão de limiar Vt, introduzindo portadores minoritários no semicondutor. O documento também discute a escolha do tipo de dopagem no gate e substrato para obter pequenas tensões Vt positivas ou negativas.
O documento discute os regimes de polarização de um capacitor MOS. Apresenta seis regras gerais sobre como o diagrama de banda de energia do MOS é modificado em resposta à tensão aplicada no gate. Descreve especificamente a condição de flat-band, quando as bandas são planas, e o regime de acumulação, quando uma tensão negativa atrai lacunas positivas para perto da interface óxido-silício.
Este documento descreve os regimes de polarização do capacitor MOS, especificamente o regime de depleção. Explica como a aplicação de uma tensão positiva no gate cria uma região de depleção no semicondutor, desprovida de portadores majoritários. Também define a tensão de threshold como aquela em que a concentração de elétrons na superfície iguala a concentração de dopagem no bulk, indicando a transição para o regime de inversão.
O documento descreve as características do capacitor MOS, incluindo como o potencial de superfície, largura da região de depleção e carga no substrato variam com a tensão de gate. Explica que o potencial de superfície aumenta até atingir 2ψB na tensão de limiar, quando a interface entra em regime de inversão. A largura da região de depleção também aumenta com a tensão de gate até saturar em Wdmax na inversão. A carga no substrato é composta por componentes de acumulação, dep
O documento descreve um curso sobre dispositivos semicondutores no qual são estudados o capacitor MOS e o transistor MOS. O conteúdo programático inclui revisão de semicondutores, diagrama de bandas, regimes de cargas no capacitor MOS, características do transistor MOS e efeitos em dispositivos. A avaliação é feita por duas provas com pesos diferentes na nota final.
O documento descreve o funcionamento e polarização de transistores bipolares. Resume-se em 3 frases:
1) O transistor bipolar consiste de três seções de materiais semicondutores - coletor, emissor e base - que podem estar polarizadas direta ou inversamente, determinando três regiões de operação: corte, saturação ou região ativa.
2) Os circuitos de polarização simples e automática são descritos, incluindo equações para calcular seus componentes e analisar o ponto de polarização.
3) Práticas experiment
O documento discute os transistores unipolares JFET e MOSFET, descrevendo seu funcionamento, características e aplicações. No caso do JFET, explica-se que ele controla a corrente entre dreno e fonte por meio da tensão aplicada na porta, devido ao estreitamento do canal sob tensão reversa nas junções porta-fonte. Já o MOSFET controla a corrente por meio do acúmulo de cargas na interface óxido-semiconductor, possibilitando dois tipos de dispositivos.
O documento descreve os diagramas de banda de energia de um MOSFET em diferentes regimes de polarização: (1) flat-band, (2) acumulação, (3) depleção e (4) inversão. À medida que a tensão aplicada ao gate varia, o nível de Fermi e a curvatura das bandas no semicondutor e óxido também variam, levando a diferentes distribuições de carga na interface.
Este documento descreve os principais conceitos de diodos semicondutores e retificação. Ele explica a física dos semicondutores, o funcionamento do diodo, polarização direta e reversa, curva característica do diodo, e tipos de retificadores como retificador de meia onda e retificador de onda completa. O documento também aborda capacitores, filtros e diodos Zener.
Este documento descreve os princípios básicos da eletrônica, incluindo:
1) A física dos semicondutores, como o silício e germânio, e como as impurezas criam semicondutores tipo N e P.
2) O funcionamento básico do diodo semicondutor, formado pela junção de um semicondutor tipo N e tipo P.
3) Como polarizar o diodo direta ou inversamente e como isso afeta o fluxo de corrente através do diodo.
1) O documento discute vários métodos de polarização CC de um transistor, incluindo polarização fixa, polarização estável do emissor e polarização por divisor de tensão.
2) A polarização fixa estabelece o ponto de operação usando resistores de base e coletor. A polarização estável do emissor melhora a estabilidade adicionando um resistor de emissor.
3) A polarização por divisor de tensão usa resistores para gerar uma tensão de base quase independente do ganho beta, melhorando a independência de temperatura.
O documento discute o funcionamento e polarização de transistores bipolares. Ele explica que um transistor bipolar é composto por três camadas de semicondutor dopado, denominadas emissor, base e coletor. Descreve como os elétrons ou buracos são injetados do emissor para a base e coletor quando o transistor é polarizado corretamente, permitindo que ele seja usado para amplificação. Também define os parâmetros-chave do transistor como ganho de corrente e relação entre as correntes de emissor e coletor.
Este documento fornece um resumo sobre eletrônica, cobrindo tópicos como:
1) Diodos semicondutores e retificação, incluindo a física dos semicondutores e o funcionamento de diodos.
2) Transistores bipolares, incluindo a polarização e correntes em transistores.
3) Amplificadores de sinal, incluindo amplificadores emissor comum e coletor comum.
4) Amplificadores de potência e osciladores.
5) Transistores especiais como JFETs
1) O documento discute o transistor bipolar de junção (TBJ), sua configuração base comum e suas curvas características de entrada e saída.
2) A curva característica de entrada do TBJ na configuração base comum é semelhante à curva de um diodo, enquanto a curva característica de saída apresenta três regiões distintas: corte, saturação e ativa.
3) A região ativa é a mais utilizada em aplicações de amplificação por apresentar comportamento linear, permitindo menor distor
Este documento descreve o funcionamento de um amplificador em configuração emissor comum. Ele define os principais conceitos relacionados como ganho de tensão, impedância de entrada e saída, e analisa como esses parâmetros são calculados para este tipo de amplificador. O documento também discute possíveis fontes de distorção no sinal de saída e como capacitores podem ser usados para melhorar o desempenho.
O documento descreve o transistor bipolar, seu conceito, estrutura e funcionamento. Especificamente: (1) O transistor bipolar é um componente eletrônico que controla a corrente e é amplamente usado como amplificador de sinais ou interruptor eletrônico; (2) Sua estrutura básica consiste em três pastilhas semicondutoras dispostas como um sanduíche; (3) Existem dois tipos de transistores bipolares, NPN e PNP, diferindo na polaridade das tensões aplicadas.
i. O documento descreve os transistores bipolares de junção (TBJ), que são formados por três regiões semicondutoras (emissor, base e coletor) com duas junções PN.
ii. Há dois tipos de TBJ: n-p-n e p-n-p, dependendo da polaridade das regiões semicondutoras.
iii. A polarização das junções determina o modo de operação do TBJ, sendo os modos ativo, de corte e de saturação os mais importantes para aplicações eletrônicas.
Este documento fornece uma introdução sobre diodos semicondutores e retificação. Descreve a física por trás dos semicondutores, incluindo a estrutura do átomo, dopagem e tipos N e P. Também explica o funcionamento básico do diodo, incluindo polarização, curva característica e retificação. Por fim, aborda aplicações como retificadores, filtros e diodos Zener.
O documento discute o funcionamento do transistor MOSFET, explicando que ele forma uma camada de portadores na superfície que conecta os terminais de fonte e dreno. A corrente de dreno-fonte é proporcional à mobilidade dos portadores nesta camada de superfície e ao campo elétrico no canal.
O documento descreve o funcionamento e características do transístor bipolar. Ele é constituído por duas junções PN e três terminais (Emissor, Base e Coletor) e pode ser usado como interruptor, amplificador ou oscilador. Para conduzir, é necessário aplicar uma corrente mínima na Base, que origina uma maior corrente entre Emissor e Coletor.
O documento descreve o funcionamento do transistor de efeito de campo (FET), incluindo sua estrutura, características e aplicações. O FET é um transistor unipolar de três terminais (gate, source e drain) que controla a corrente de portadores majoritários através de um canal usando uma tensão aplicada no gate. O documento explica como medir parâmetros importantes como corrente de saturação e tensão de estrangulamento do FET.
Este documento contém 8 exercícios sobre o uso de transistores como chaves e fontes de corrente. Os exercícios cobrem tópicos como dimensionamento de resistores de base e coletor, cálculo de correntes em transistores e circuitos com fontes de corrente constante usando zener.
(1) O transístor bipolar é constituído por duas junções PN de material semicondutor (silício ou germânio) e três terminais: emissor, base e coletor. (2) Para conduzir, uma pequena corrente aplicada na base origina uma grande corrente entre o emissor e o coletor, amplificando sinais. (3) O transístor bipolar pode ser usado como interruptor, amplificador ou oscilador mediante polarização correta das junções PN.
O documento descreve os conceitos básicos de fontes de alimentação, incluindo retificação, filtragem e regulagem. Também aborda os conceitos de transistores bipolares, incluindo estrutura, efeito transistor, polarização e curva característica. Por fim, apresenta experimentos para verificar parâmetros de fontes e transistores.
O documento discute a camada de inversão em MOSFETs e como ela pode ser pensada como um filme resistivo tipo-n que conecta a fonte e o dreno. Também aborda como a tensão de limiar (Vt) de um MOSFET depende da polarização do corpo através do efeito de corpo. Por fim, explica como a carga na camada de inversão varia ao longo do canal de um MOSFET quando uma tensão é aplicada entre a fonte e o dreno.
O documento discute três principais efeitos quânticos em MOSFETs em escalas nanométricas: 1) tunelamento através do óxido fino, 2) quantização da energia no substrato e no gate, e 3) tunelamento entre fonte e dreno. Estes efeitos causam deslocamentos na tensão de limiar e na tensão de saturação de dreno. Modelos precisos requerem soluções analíticas das equações de Schrödinger e Poisson.
1) O documento descreve varistores de óxido metálico produzidos pela Voltts Componentes Eletrônicos Ltda. para proteção contra sobretensões em circuitos eletrônicos.
2) Os varistores têm curva característica simétrica U/I e funcionam como resistências dependentes de tensão, conduzindo mais corrente quando a tensão aplicada é maior.
3) Os varistores de óxido metálico podem absorver grandes quantidades de energia, protegendo componentes semicondutores contra picos de tensão
O documento discute os transistores unipolares JFET e MOSFET, descrevendo seu funcionamento, características e aplicações. No caso do JFET, explica-se que ele controla a corrente entre dreno e fonte por meio da tensão aplicada na porta, devido ao estreitamento do canal sob tensão reversa nas junções porta-fonte. Já o MOSFET controla a corrente por meio do acúmulo de cargas na interface óxido-semiconductor, possibilitando dois tipos de dispositivos.
O documento descreve os diagramas de banda de energia de um MOSFET em diferentes regimes de polarização: (1) flat-band, (2) acumulação, (3) depleção e (4) inversão. À medida que a tensão aplicada ao gate varia, o nível de Fermi e a curvatura das bandas no semicondutor e óxido também variam, levando a diferentes distribuições de carga na interface.
Este documento descreve os principais conceitos de diodos semicondutores e retificação. Ele explica a física dos semicondutores, o funcionamento do diodo, polarização direta e reversa, curva característica do diodo, e tipos de retificadores como retificador de meia onda e retificador de onda completa. O documento também aborda capacitores, filtros e diodos Zener.
Este documento descreve os princípios básicos da eletrônica, incluindo:
1) A física dos semicondutores, como o silício e germânio, e como as impurezas criam semicondutores tipo N e P.
2) O funcionamento básico do diodo semicondutor, formado pela junção de um semicondutor tipo N e tipo P.
3) Como polarizar o diodo direta ou inversamente e como isso afeta o fluxo de corrente através do diodo.
1) O documento discute vários métodos de polarização CC de um transistor, incluindo polarização fixa, polarização estável do emissor e polarização por divisor de tensão.
2) A polarização fixa estabelece o ponto de operação usando resistores de base e coletor. A polarização estável do emissor melhora a estabilidade adicionando um resistor de emissor.
3) A polarização por divisor de tensão usa resistores para gerar uma tensão de base quase independente do ganho beta, melhorando a independência de temperatura.
O documento discute o funcionamento e polarização de transistores bipolares. Ele explica que um transistor bipolar é composto por três camadas de semicondutor dopado, denominadas emissor, base e coletor. Descreve como os elétrons ou buracos são injetados do emissor para a base e coletor quando o transistor é polarizado corretamente, permitindo que ele seja usado para amplificação. Também define os parâmetros-chave do transistor como ganho de corrente e relação entre as correntes de emissor e coletor.
Este documento fornece um resumo sobre eletrônica, cobrindo tópicos como:
1) Diodos semicondutores e retificação, incluindo a física dos semicondutores e o funcionamento de diodos.
2) Transistores bipolares, incluindo a polarização e correntes em transistores.
3) Amplificadores de sinal, incluindo amplificadores emissor comum e coletor comum.
4) Amplificadores de potência e osciladores.
5) Transistores especiais como JFETs
1) O documento discute o transistor bipolar de junção (TBJ), sua configuração base comum e suas curvas características de entrada e saída.
2) A curva característica de entrada do TBJ na configuração base comum é semelhante à curva de um diodo, enquanto a curva característica de saída apresenta três regiões distintas: corte, saturação e ativa.
3) A região ativa é a mais utilizada em aplicações de amplificação por apresentar comportamento linear, permitindo menor distor
Este documento descreve o funcionamento de um amplificador em configuração emissor comum. Ele define os principais conceitos relacionados como ganho de tensão, impedância de entrada e saída, e analisa como esses parâmetros são calculados para este tipo de amplificador. O documento também discute possíveis fontes de distorção no sinal de saída e como capacitores podem ser usados para melhorar o desempenho.
O documento descreve o transistor bipolar, seu conceito, estrutura e funcionamento. Especificamente: (1) O transistor bipolar é um componente eletrônico que controla a corrente e é amplamente usado como amplificador de sinais ou interruptor eletrônico; (2) Sua estrutura básica consiste em três pastilhas semicondutoras dispostas como um sanduíche; (3) Existem dois tipos de transistores bipolares, NPN e PNP, diferindo na polaridade das tensões aplicadas.
i. O documento descreve os transistores bipolares de junção (TBJ), que são formados por três regiões semicondutoras (emissor, base e coletor) com duas junções PN.
ii. Há dois tipos de TBJ: n-p-n e p-n-p, dependendo da polaridade das regiões semicondutoras.
iii. A polarização das junções determina o modo de operação do TBJ, sendo os modos ativo, de corte e de saturação os mais importantes para aplicações eletrônicas.
Este documento fornece uma introdução sobre diodos semicondutores e retificação. Descreve a física por trás dos semicondutores, incluindo a estrutura do átomo, dopagem e tipos N e P. Também explica o funcionamento básico do diodo, incluindo polarização, curva característica e retificação. Por fim, aborda aplicações como retificadores, filtros e diodos Zener.
O documento discute o funcionamento do transistor MOSFET, explicando que ele forma uma camada de portadores na superfície que conecta os terminais de fonte e dreno. A corrente de dreno-fonte é proporcional à mobilidade dos portadores nesta camada de superfície e ao campo elétrico no canal.
O documento descreve o funcionamento e características do transístor bipolar. Ele é constituído por duas junções PN e três terminais (Emissor, Base e Coletor) e pode ser usado como interruptor, amplificador ou oscilador. Para conduzir, é necessário aplicar uma corrente mínima na Base, que origina uma maior corrente entre Emissor e Coletor.
O documento descreve o funcionamento do transistor de efeito de campo (FET), incluindo sua estrutura, características e aplicações. O FET é um transistor unipolar de três terminais (gate, source e drain) que controla a corrente de portadores majoritários através de um canal usando uma tensão aplicada no gate. O documento explica como medir parâmetros importantes como corrente de saturação e tensão de estrangulamento do FET.
Este documento contém 8 exercícios sobre o uso de transistores como chaves e fontes de corrente. Os exercícios cobrem tópicos como dimensionamento de resistores de base e coletor, cálculo de correntes em transistores e circuitos com fontes de corrente constante usando zener.
(1) O transístor bipolar é constituído por duas junções PN de material semicondutor (silício ou germânio) e três terminais: emissor, base e coletor. (2) Para conduzir, uma pequena corrente aplicada na base origina uma grande corrente entre o emissor e o coletor, amplificando sinais. (3) O transístor bipolar pode ser usado como interruptor, amplificador ou oscilador mediante polarização correta das junções PN.
O documento descreve os conceitos básicos de fontes de alimentação, incluindo retificação, filtragem e regulagem. Também aborda os conceitos de transistores bipolares, incluindo estrutura, efeito transistor, polarização e curva característica. Por fim, apresenta experimentos para verificar parâmetros de fontes e transistores.
O documento discute a camada de inversão em MOSFETs e como ela pode ser pensada como um filme resistivo tipo-n que conecta a fonte e o dreno. Também aborda como a tensão de limiar (Vt) de um MOSFET depende da polarização do corpo através do efeito de corpo. Por fim, explica como a carga na camada de inversão varia ao longo do canal de um MOSFET quando uma tensão é aplicada entre a fonte e o dreno.
O documento discute três principais efeitos quânticos em MOSFETs em escalas nanométricas: 1) tunelamento através do óxido fino, 2) quantização da energia no substrato e no gate, e 3) tunelamento entre fonte e dreno. Estes efeitos causam deslocamentos na tensão de limiar e na tensão de saturação de dreno. Modelos precisos requerem soluções analíticas das equações de Schrödinger e Poisson.
1) O documento descreve varistores de óxido metálico produzidos pela Voltts Componentes Eletrônicos Ltda. para proteção contra sobretensões em circuitos eletrônicos.
2) Os varistores têm curva característica simétrica U/I e funcionam como resistências dependentes de tensão, conduzindo mais corrente quando a tensão aplicada é maior.
3) Os varistores de óxido metálico podem absorver grandes quantidades de energia, protegendo componentes semicondutores contra picos de tensão
As junções metal-semicondutor têm grande aplicabilidade na fabricação de dispositivos eletrônicos, tais como diodos, fotodetectores, transistores de efeito de campo, entre
outros. Um material pode ser classificado segundo a sua condutividade como metal, isolante ou semicondutor.
Essa classificação pode ser feita através da posição do nível de Fermi nesses materiais.
1) O documento introduz os conceitos fundamentais da teoria dos semicondutores, comparando-a com a teoria dos tubos de vácuo.
2) Apresenta os principais materiais semicondutores, como silício e germânio, e explica como a estrutura de bandas de energia determina seu comportamento elétrico.
3) Discorre sobre os fenômenos de transporte em semicondutores, explicando como a temperatura gera pares elétron-lacuna que conduzem corrente nos dois sentidos através das bandas de
O documento descreve exercícios sobre capacitores com gabarito. Os exercícios envolvem circuitos RC, capacitores associados em série e paralelo, carga e descarga de capacitores, e cálculos envolvendo capacitância, carga e diferença de potencial.
O documento discute três principais mecanismos de interferência: 1) acoplamento capacitivo, onde um condutor passa próximo a uma fonte de ruído e capta este ruído; 2) acoplamento indutivo, onde uma corrente induz uma tensão em outro circuito próximo; e 3) condução através de impedância comum, como aterramentos. Também apresenta técnicas para mitigar interferências, como blindagem e layout cuidadoso.
O documento discute processos de filmes finos metálicos utilizados em circuitos integrados. Aborda processos de metalização como deposição de filmes finos de metais e aplicações como interconexão e eletrodos. Também descreve os requisitos para filmes metálicos como baixa resistividade e resistência à eletromigração.
PhD Thesis Defense Presentation - Estudo da viabilidade de fabricação de disp...Alessandro Oliveira
1) O documento descreve estudos sobre a viabilidade de fabricação de dispositivos semicondutores baseados em filmes de carbeto de silício obtidos por PECVD.
2) Foram realizados experimentos de cristalização, corrosão e dopagem dos filmes de carbeto de silício amorfo, bem como a fabricação de estruturas básicas como capacitores e heterojunções.
3) Os resultados indicaram a formação de nanocristais de carbeto de silício cúbico após tratamento térmico e taxas de corrosão
O documento apresenta o currículo e plano de ensino do professor Guilherme Nonino Rosa para a disciplina de Eletricidade e Eletrônica. O currículo do professor inclui formação técnica e superior em Ciências da Computação, Informática e Docência no Ensino Superior. O plano de ensino descreve os objetivos, metodologia, avaliação e cronograma para abordar conceitos básicos de eletricidade e eletrônica, incluindo componentes como capacitor, resistor e dispositivos semicondutores.
Curso básico de eletrônica digital parte 4Renan Boccia
Este documento discute circuitos integrados digitais da família CMOS. Explica que os circuitos CMOS usam transistores de efeito de campo (MOSFETs) em vez de transistores bipolares. Também descreve as vantagens dos circuitos CMOS, incluindo baixo consumo de energia e alta velocidade, devido ao fato de que sempre um transistor está desligado, poupando energia.
1 - Projeto desenvolveu solução para melhorar desempenho de linhas de transmissão contra descargas atmosféricas usando malhas de aterramento de baixa impedância.
2 - Resultados indicaram valores de impedância entre 7-12,5 Ω para linhas de 230kV e 19-27 Ω para linhas de 345kV para desempenho satisfatório.
3 - Propôs projeto de malha de aterramento para solos mineiros com resistividades entre 600-4500 Ωm usando diferentes configurações de cabos e tratamento com bentonita
Este documento discute o desenvolvimento de massas refratárias secas para fornos de indução de grande porte. Resume que (1) fornos de indução de grande porte oferecem flexibilidade na produção de aços, porém requerem refratários resistentes; (2) o desenvolvimento de novos refratários levou a testes de dilatação térmica e propriedades mecânicas; (3) os resultados mostraram que um refratário com baixa retração térmica e alta resistência é ideal para evitar trincas no revestimento.
O documento descreve o projeto físico de indutores e transformadores, incluindo a escolha do núcleo magnético, cálculo do número de espiras, determinação do entreferro e cálculo da bitola dos condutores. É apresentado o cálculo das perdas e da elevação de temperatura dos elementos magnéticos.
O documento descreve diferentes tipos de soldagem e os riscos à saúde associados a cada um, incluindo exposição a fumos metálicos, gases, radiação e outros. Ele fornece detalhes sobre como esses riscos podem ser reduzidos usando equipamentos de proteção individual adequados.
O documento discute os domínios de deformação em estruturas de concreto armado sujeitas à flexão. São definidos quatro domínios de acordo com os limites de deformação do concreto e da armadura. Exemplos numéricos ilustram o cálculo da altura útil e da área de aço necessária para resistir a momentos fletores em diferentes configurações.
Este documento discute capacitância e capacitores. Define capacitância como a propriedade de armazenar cargas elétricas em forma de campo eletrostático. Explica que capacitores são constituídos de placas metálicas separadas por um material isolante e podem armazenar energia. Detalha os diferentes tipos de capacitores e como eles podem ser associados em série ou paralelo para variar a capacitância total.
Semelhante a Capacitor MOS 5 - Inclusão de efeitos na curva C-V básica (20)
Solução da equação diferencial de Bessel no Maple de duas maneiras diferentes: (1) Usando o comando dsolve e plot. (2) Usando o pacote DEtools e comando DEplot
1) O documento discute como encontrar os zeros de uma função transcendental usando o software Maple.
2) A função é definida e graficada para identificar possíveis raízes.
3) Os comandos fsolve e NSolve do Maple podem ser usados para calcular as raízes numericamente, considerando o intervalo físico relevante.
De formas primitivas de memória até a DRAM traz uma discussão sobre memórias nos computadores eletro-mecânicos, tais como as memórias baseadas em tubos à vácuo, a evolução, a memoria DRUM, depois as memórias de núcleo magnético, e enfim o advento da DRAM por Robert Dennard.
Nesta apresentação vamos ensinar passo-a-passo como extrair pontos de um gráfico que você deseje comparar com outros resultados disponíveis que você tenha, gerando um arquivo de dados que pode ser salvo com extensão .txt ou .dat, por exemplo.
O documento descreve a Máquina Analítica projetada por Charles Babbage em 1837, considerada o primeiro computador programável. A máquina poderia armazenar e processar números de até 40 dígitos usando milhares de engrenagens. Sua programação era feita através de cartões perfurados semelhantes aos usados em teares da época, permitindo executar operações matemáticas e tomar decisões condicionais.
Charles Babbage como um visionário, concebe a primeira ideia de um computador através do desenvolvimento da sua Máquina Analítica. Suas idéias se aproximavam muito mais dos cientistas da metade do século XX do que os de sua época. Babbage chegava a muitas soluções que eram inviáveis em seu tempo. O que teria feito esse gênio se vivesse nos tempos modernos ?
O documento descreve a evolução dos computadores mecanizados, desde a Máquina Diferencial de Charles Babbage até a máquina de Scheutz. Scheutz foi inspirado pelo projeto de Babbage e construiu seu próprio modelo. Ele e seu filho construíram então uma máquina de metal funcional e receberam apoio do governo sueco. Sua máquina foi a primeira demonstração concreta do potencial das máquinas matemáticas e recebeu reconhecimento internacional.
A Máquina Diferencial de Babbage era uma máquina de calcular mecânica projetada para calcular tabelas matemáticas de forma automática através de um sistema de engrenagens. Se construída, teria 7 eixos verticais principais para processar números de até 20 dígitos e poderia calcular funções constantes e não constantes como logaritmos de forma aproximada.
O projeto da Máquina Diferencial de Charles Babbage e as dificuldades enfrentadas na Londres do século XVIII para se implementar um projeto ambicioso para a sua época. Também, as dificuldades de investimento para uma das mais importantes realizações que contribuíram para o advento do computador no século XX. E as sabotagens de Clement, o engenheiro chefe, no projeto da Máquina Diferencial. Tudo isso, e muito mais, nesta apresentação, 12 - A Evolução do Pensamento Mecanizado.
O documento descreve a teoria por trás da máquina diferencial, um dos primeiros computadores mecanizados projetados por Charles Babbage no século 19. A máquina usaria o método de diferenças constantes para calcular tabelas numéricas de forma automatizada. Após receber apoio financeiro do governo britânico, Babbage iniciou a construção da máquina, marcando o início de um dos projetos mais influentes da história da computação.
Charles Babbage teve a ideia de que tabelas numéricas poderiam ser calculadas por máquinas após ver tabelas de logaritmos na Sociedade Analítica em Cambridge. Ele projetou a Máquina Diferencial, capaz de calcular tabelas usando o método de diferenças constantes e imprimi-las em placas de metal, eliminando erros. Um protótipo de seis dígitos provou a viabilidade do conceito.
1. Gottfried Wilhelm Leibniz inventou a primeira calculadora mecânica, chamada de Stepped Reckoner, na década de 1670 em Paris. 2. O Stepped Reckoner usava uma engrenagem especial conhecida como roda de Leibniz para realizar operações de multiplicação mecanicamente. 3. Embora revolucionária, a máquina de Leibniz não funcionou na prática devido a problemas mecânicos em seu mecanismo de transporte.
O documento descreve o funcionamento do diodo IMPATT (Avalanche de ionização por impacto e de Tempo de Trânsito), um dispositivo semicondutor usado para gerar sinais de micro-ondas. O diodo IMPATT utiliza o processo de avalanche em uma junção PN sob tensão reversa para gerar portadores de carga, cujo tempo de trânsito através da região N produz uma defasagem entre a tensão e a corrente, permitindo que o dispositivo oscile a frequências de micro-ondas quando polarizado corretamente.
Nesta apresentação, a número 7 da série, dando continuidade ao processo de evolução do pensamento mecanizado, vamos falar sobre a que é considerada a primeira máquina calculadora com impacto histórico, a calculadora de Blaise Pascal, mostrada ao público em 1646, ou aproximadamente, e que apesar de suas deficiências técnicas, ilustra a tentativa do homem no processo de mecanizar um trabalho intelectual, como a aritmética. São discutidas o contexto histórico em que a máquina de Blaise se desenvolveu, suas razões, e problemas vividos em uma época tão distante, a 400 anos atrás, mas problemas ainda tão contemporâneos. Sem dúvida alguma, esta apresentação ilustra a genialidade de um homem, que mesmo vivendo em uma época com tão poucos recursos técnicos e científicos, esculpiu na madeira e no ferro, a expressão mais sublime da sua genialidade, a Pascaline.
1) O documento descreve a invenção da primeira calculadora mecânica por Wilhelm Schickard em 1623, antecipando a máquina de Pascal.
2) A calculadora de Schickard foi destruída em um incêndio antes que pudesse ser enviada para Kepler, mas Schickard descreveu a máquina em cartas.
3) Essas cartas foram redescobertas em 1935, levando à reconstrução da máquina de Schickard e ao reconhecimento de sua importância histórica.
O documento discute os efeitos das dimensões em nanoestruturas condutoras. Resume que em condutores macroscópicos a resistência é proporcional à condutividade e dimensões, mas em nanoestruturas a relação muda dependendo do grau de desordem e localização dos portadores. Sistemas altamente condutores seguem a relação macroscópica, enquanto sistemas desordenados apresentam transporte localizado e dependência exponencial da resistência com o comprimento.
O documento discute a diferença entre sistemas analógicos e digitais, usando como exemplo um velocímetro (analógico) e um odômetro (digital) em carros. Sistemas analógicos medem variáveis de forma contínua, enquanto sistemas digitais contam itens de forma discreta. O documento também menciona alguns dos primeiros computadores analógicos desenvolvidos na Grécia Antiga, como um mecanismo encontrado em um navio naufragado que calculava órbitas planetárias.
O documento descreve a evolução da matemática mecanizada, desde os primeiros ábacos até os números hindo-arábicos modernos. Começando com os ábacos primitivos feitos de areia ou madeira, o documento explica como eles foram amplamente usados na Europa e em outras civilizações antigas. Finalmente, os números hindo-arábicos foram adotados gradualmente na Europa entre os séculos XIII e XVII, apesar de inicial confusão e resistência, devido a conceitos como zero e valor posicional.
A evolução do pensamento mecanizado até os computadores atuais começou com o trabalho de matemáticos como Napier e Gunter, que desenvolveram representações físicas dos logaritmos. Posteriormente, Oughtred inventou a régua de cálculo circular, permitindo multiplicações e divisões rápidas, e popularizou símbolos como "x". No entanto, disputas surgiram sobre quem realmente inventou a régua circular.
Em 1614, o matemático escocês John Napier publicou seu trabalho seminal sobre logaritmos, que permitia que multiplicação e divisão fossem realizadas através de operações mais simples como adição e subtração. Posteriormente, Henry Briggs calculou as tabelas de logaritmos para números naturais, tornando a invenção de Napier uma ferramenta indispensável. Nos últimos anos de vida, Napier também inventou "ossos", hastes de madeira numeradas que funcionavam como uma tabela de multiplicação móvel.
AE03 - ESTUDO CONTEMPORÂNEO E TRANSVERSAL INDÚSTRIA E TRANSFORMAÇÃO DIGITAL ...Consultoria Acadêmica
“O processo de inovação envolve a geração de ideias para desenvolver projetos que podem ser testados e implementados na empresa, nesse sentido, uma empresa pode escolher entre inovação aberta ou inovação fechada” (Carvalho, 2024, p.17).
CARVALHO, Maria Fernanda Francelin. Estudo contemporâneo e transversal: indústria e transformação digital. Florianópolis, SC: Arqué, 2024.
Com base no exposto e nos conteúdos estudados na disciplina, analise as afirmativas a seguir:
I - A inovação aberta envolve a colaboração com outras empresas ou parceiros externos para impulsionar ainovação.
II – A inovação aberta é o modelo tradicional, em que a empresa conduz todo o processo internamente,desde pesquisa e desenvolvimento até a comercialização do produto.
III – A inovação fechada é realizada inteiramente com recursos internos da empresa, garantindo o sigilo dasinformações e conhecimento exclusivo para uso interno.
IV – O processo que envolve a colaboração com profissionais de outras empresas, reunindo diversasperspectivas e conhecimentos, trata-se de inovação fechada.
É correto o que se afirma em:
ALTERNATIVAS
I e II, apenas.
I e III, apenas.
I, III e IV, apenas.
II, III e IV, apenas.
I, II, III e IV.
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Apresentação completa sobre origem da madeira até os critérios de dimensionamento de acordo com as normas de mercado. Nesse material tem as formas e regras de dimensionamento
Se você possui smartphone há mais de 10 anos, talvez não tenha percebido que, no início da onda da
instalação de aplicativos para celulares, quando era instalado um novo aplicativo, ele não perguntava se
podia ter acesso às suas fotos, e-mails, lista de contatos, localização, informações de outros aplicativos
instalados, etc. Isso não significa que agora todos pedem autorização de tudo, mas percebe-se que os
próprios sistemas operacionais (atualmente conhecidos como Android da Google ou IOS da Apple) têm
aumentado a camada de segurança quando algum aplicativo tenta acessar os seus dados, abrindo uma
janela e solicitando sua autorização.
CASTRO, Sílvio. Tecnologia. Formação Sociocultural e Ética II. Unicesumar: Maringá, 2024.
Considerando o exposto, analise as asserções a seguir e assinale a que descreve corretamente.
ALTERNATIVAS
I, apenas.
I e III, apenas.
II e IV, apenas.
II, III e IV, apenas.
I, II, III e IV.
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Os nanomateriais são materiais com dimensões na escala nanométrica, apresentando propriedades únicas devido ao seu tamanho reduzido. Eles são amplamente explorados em áreas como eletrônica, medicina e energia, promovendo avanços tecnológicos e aplicações inovadoras.
Sobre os nanomateriais, analise as afirmativas a seguir:
-6
I. Os nanomateriais são aqueles que estão na escala manométrica, ou seja, 10 do metro.
II. O Fumo negro é um exemplo de nanomaterial.
III. Os nanotubos de carbono e o grafeno são exemplos de nanomateriais, e possuem apenas carbono emsua composição.
IV. O fulereno é um exemplo de nanomaterial que possuí carbono e silício em sua composição.
É correto o que se afirma em:
ALTERNATIVAS
I e II, apenas.
I, II e III, apenas.
I, II e IV, apenas.
II, III e IV, apenas.
I, II, III e IV.
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AE03 - ESTUDO CONTEMPORÂNEO E TRANSVERSAL ENGENHARIA DA SUSTENTABILIDADE UNIC...Consultoria Acadêmica
Os termos "sustentabilidade" e "desenvolvimento sustentável" só ganharam repercussão mundial com a realização da Conferência das Nações Unidas sobre o Meio Ambiente e o Desenvolvimento (CNUMAD), conhecida como Rio 92. O encontro reuniu 179 representantes de países e estabeleceu de vez a pauta ambiental no cenário mundial. Outra mudança de paradigma foi a responsabilidade que os países desenvolvidos têm para um planeta mais sustentável, como planos de redução da emissão de poluentes e investimento de recursos para que os países pobres degradem menos. Atualmente, os termos
"sustentabilidade" e "desenvolvimento sustentável" fazem parte da agenda e do compromisso de todos os países e organizações que pensam no futuro e estão preocupados com a preservação da vida dos seres vivos.
Elaborado pelo professor, 2023.
Diante do contexto apresentado, assinale a alternativa correta sobre a definição de desenvolvimento sustentável:
ALTERNATIVAS
Desenvolvimento sustentável é o desenvolvimento que não esgota os recursos para o futuro.
Desenvolvimento sustantável é o desenvolvimento que supre as necessidades momentâneas das pessoas.
Desenvolvimento sustentável é o desenvolvimento incapaz de garantir o atendimento das necessidades da geração futura.
Desenvolvimento sustentável é um modelo de desenvolvimento econômico, social e político que esteja contraposto ao meio ambiente.
Desenvolvimento sustentável é o desenvolvimento capaz de suprir as necessidades da geração anterior, comprometendo a capacidade de atender às necessidades das futuras gerações.
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2. 2
1 – A possível presença de cargas na camada do óxido.
2 – Questões de confiabilidade.
3 - Os efeitos do aparecimento de uma região de depleção no
gate de silício policristalino (poly-Si) – o que resulta efetivamente
no aumento na largura Tox.
4 - A espessura da camada de carga na acumulação e na
inversão, e efeitos quânticos.
Nesta apresentação vamos discutir :
3. 3
1 – A possível presença de
cargas na camada do óxido
4. Modificação nas tensões de flat-band e de threshold,
Vfb e Vt, com a presença de carga na camada de óxido
4
A teoria básica de MOS ignora a possibilidade da
existência de cargas no dielétrico do gate.
5. Modificação nas tensões de flat-band e de threshold,
Vfb e Vt, com a presença de carga na camada de óxido
5
Na condição de flat-band o diagrama de banda de
energia da estrutura MOS pode ser representada como
EF ,EC
EV
EF
EV
EC
Vfb0
M O S
Largura do óxido : Tox
6. 6
Assumindo que existe uma carga superficial Qox (C/cm2)
na interface Si02-Si, como o diagrama de banda de
energia se modificaria ?
EF ,EC
EV
EF
EV
EC
Vfb0
M O S
Diagrama de banda de energia na condição de flat-band
Largura do óxido : Tox
7. 7
Assumindo que existe uma carga superficial Qox (C/cm2)
na interface Si02-Si, como o diagrama de banda de
energia se modificaria ?
EF ,EC
EV
EF
EV
EC
Vfb0
M O S
Diagrama de banda de energia na condição de flat-band
Largura do óxido : Tox
8. 8
EF ,EC
EV
EF
EV
EC
Vfb
Diagrama de banda de energia na condição de flat-band
+
+
+
-Qox/Cox
M O S
EF ,EC
EV
EF
EV
EC
Vfb0
M O S
Sem qualquer carga no óxido
Com uma carga Qox na interface
óxido/substrato
Largura do óxido : Tox
9. 9
EF ,EC
EV
EF
EV
EC
Vfb0
M O S
A tensão de flat-band no diagrama de banda de energia
abaixo é dado por
Vfb = ψg - ψs
Largura do óxido : Tox
10. 10
EF ,EC
EV
EF
EV
EC
Vfb
+
+
+
-Qox/Cox
M O S
No seguinte diagrama
A carga no óxido, assumida
estar localizada na superfície
por simplicidade, induz um
campo elétrico no óxido, e
uma tensão no óxido dada
por
- Qox/Cox
Largura do óxido : Tox
13. 13
Como Qox varia Vfb, logo, a tensão de threshold, Vt,
também varia, uma vez que estão relacionadas através
da relação
14. 14
Há diversos tipos de cargas
no óxido:
Cargas fixas positivas Devido à Íons de silício presentes na interface
Si/SiO2
Cargas móveis Acredita-se ser principalmente devido à íons de
sódio. Íons móveis, podem ser detectados
observando-se os desvios das Vfb e Vt sob
tensões de gate em temperaturas elevadas , à
200 ºC, devido ao movimento de íons no óxido.
Contaminação por sódio Deve ser eliminada através de água, produtos
químicos e recepientes usados na linha de
fabricação do MOS a fim de evitar instabilidades
das tensões de Vfb e Vt.
Armadilhas de interface ou
estados interfaciais
Podem estar presentes e podem armadilhar e
liberar elétrons e gerar ruído e degradar a
corrente de subthreshold do MOSFET.
16. 16
Com o tempo, mais estados de interface e cargas no
óxido aparecem, devido à quebra ou rearranjo das
ligações químicas, após o óxido ter sido submetido a
altos campos elétricos.
17. 17
Isto levanta questões de confiabilidade, pois a tensão
de limiar, Vt, e a corrente do transistor mudaria com o
uso e poderiam causar falhas nos circuitos.
18. 18
Por isso, engenheiros trabalham para garantir a
confiabilidade do dispositivo, controlando o campo de
tensões e aperfeiçoando a qualidade da interface MOS,
verificando ou projetando a confiabilidade com testes
cuidadosos de longo prazo.
19. 19
3 - Os efeitos do aparecimento de uma região de
depleção no gate de silício policristalino (poly-Si)
– o que resulta efetivamente no aumento na
largura Tox
20. Depleção no gate de silício policristalino
Considere um capacitor MOS com um gate fabricado a
partir de silício policristalino do tipo-p⁺ e substrato tipo-n.
20
Substrato Tipo-n
Cox
P+ P+
GATE Si policristalino p⁺
21. Depleção no gate de silício policristalino
Suponha que o capacitor seja polarizado na condição de
inversão.
21
Substrato Tipo-n
+ + + + + + + +
Cox
P+ P+
GATE Si policristalino p⁺
22. Depleção no gate de silício policristalino
A figura abaixo mostra que a continuidade no fluxo elétrico
requer o encurvamento das bandas no gate.
22
23. Depleção no gate de silício policristalino
Isto indica a presença de uma camada fina de depleção
no gate.
23
Substrato Tipo-n
+ + + + + + + +
Cox
P+ P+
GATE Si policristalino p⁺
Região de
depleção
24. Depleção no gate de silício policristalino
Dependendo da concentração de dopagem no gate e
do campo no óxido, a espessura da camada de
depleção no gate de Si policristalino, Wdpoly, pode ser da
ordem de 1 a 2 nm.
24
25. Depleção no gate de silício policristalino
De acordo com a Lei de Gauss
onde εox é a permissividade dielétrica no óxido, Ԑox é o
campo elétrico no óxido e Npoly é a concentração de
dopagem no gate de Si policristalino.
25
26. Substrato
Tipo-n
+ + + + + + + +
Cox
26
P+ P+
Si policristalino p⁺
Cpoly
GATE
Efeito da
depleção no gate
policristalino,
ilustrado com a
representação de
capacitores em
série.
Porque existe uma região
de depleção presente no
gate, pode-se dizer que é
adicionado um capacitor
em série ao capacitor do
óxido, como ilustrado na
figura ao lado:
Região de
depleção
28. 28
Note que, o efeito da presença da camada de depleção
no gate policristalino, é equivalente a se considerar um
aumento na largura do óxido Tox de uma quantidade de
passando a uma largura de óxido efetiva
30. 30
A capacitância no gate cai a medida que o capacitor é
polarizado cada vez mais além da condição de inversão,
devido ao aumento da largura da região de depleção no
gate de silício policristalino, como mostrado na figura
abaixo:
http://www.eecs.berkeley.edu/~hu/Chenming-Hu_ch5.pdf
31. 31
O efeito da existência da camada de depleção no gate
de silício policristalino é indesejável, porque uma
capacitância reduzida, significa uma Qinv reduzida, e
consequentemente, uma corrente reduzida no
transistor.
http://www.eecs.berkeley.edu/~hu/Chenming-Hu_ch5.pdf
32. 32
A solução para este tipo de problema é dopar o gate de
silício policristalino o mais pesadamente possível.
33. 33
No entanto, concentrações de dopagem muito altas
podem causar penetração de dopantes a partir do gate,
atravessando a camada de óxido, e chegando ao
substrato.
34. 34
Gate de SiGe policristalino (poly-SiGe) podem ser
dopados a altas concentrações, assim melhorando a
depleção no gate.
35. 35
A depleção no gate policristalino é eliminada em
tecnologia de MOSFETs mais avançados substituindo o
gate policristalino por um gate de metal.
36. 36
O efeito da presença da camada de depleção no gate
policristalino, sobre a carga de inversão, pode ser
modelada da seguinte maneira
37. 37
De fato, a depleção no gate policristalino reduz Vg por
uma quantidade de φpoly.
38. 38
Isso significa que, mesmo quando φpoly = 0.1V já seria
totalmente indesejável, uma vez que a tensão de
alimentação, e portanto o máximo valor de Vg aplicado,
seria ao redor de 1 V.
39. 39
4 – A espessura da camada de carga na
acumulação e na inversão, e efeitos quânticos.
40. 40
Até agora, por simplicidade, havíamos assumido, que a
carga na inversão é uma folha de carga na interface
Si/SiO2.
41. 41
Até agora, por simplicidade, havíamos assumido, que a
carga na inversão é uma folha de carga na interface
Si/SiO2.
Ou seja, que a camada de inversão é
infinitamente fina.
42. 42
Na realidade, porém, o perfil de carga na inversão é
determinado pela solução das equações de
Schrödinger e de Poisson.
43. 43
Por isso, esse tópico é frequentemente chamado de
Efeitos quânticos no MOSFET (em inglês, Quantum
mechanical effects in a MOS device)
44. 44
Um exemplo de perfil de carga é mostrado na figura
abaixo:
http://www.eecs.berkeley.edu/~hu/Chenming-Hu_ch5.pdf
Densidade de elétrons
Espessura
da camada
de inversão Teoria
Quântica
Camada de
depleção do Si
policristalinoGate
Largura efetiva do dielétrico
Tox físico
Largura do óxido : Tox
45. 45
http://www.eecs.berkeley.edu/~hu/Chenming-Hu_ch5.pdf
Densidade de elétrons
Espessura
da camada
de inversão Teoria
Quântica
Camada de
depleção do Si
policristalinoGate
Largura efetiva do dielétrico
Tox físico
A posição média ou o centróide da carga de inversão
abaixo da interface Si/SiO2 é chamado de espessura da
camada de inversão, Tinv.
Largura do óxido : Tox
46. 46
Podemos pensar que o fundo do eletrodo do capacitor
MOS não esteja localizado exatamente na interface
Si/SiO2, mas sim, abaixo da interface, por uma
quantidade Tinv.
Eletrodo de cima
Eletrodo de baixo
Dielétrico
V = Diferença de potencial
entre os eletrodosGATE
Interface Si/SiO2
Tinv
ÓXIDO
Largura do óxido : Tox
47. 47
Em outras palavras, Tox é aumentado efetivamente pela
quantidade Tinv/3, onde 3 é a razão de εs/εox.
Largura do óxido : Tox
49. 49
O efeito disso sobre a característica C-V básica, é
deprimir a curva C-V no início da inversão e da
acumulação.
http://www.eecs.berkeley.edu/~hu/Chenming-Hu_ch5.pdf
50. 50
A seguir apresentamos o circuito equivalente para a
compreensão da curva C-V na região de depleção e na região
de inversão.
a. Caso geral para ambas as regiões de depleção e inversão;
b. Na região de depleção;
c. Na tensão de threshold, Vg ≈ Vt;
d. inversão forte.
52. 52
Esta figura representa o caso geral.
Na região de depleção:
• Cinv é desprezível, ou seja, não há
carga de inversão, e
• Cpoly pode ser desprezada porque
• Wdpoly << Wdep.
Reduzindo portanto, a uma
combinação em série básica, de
Cox e de Cdep, como mostrada na
figura ao lado.
53. 53
À medida que a tensão Vg aumenta na
direção da tensão de limiar, a tensão de
threshold, Vt, a capacitância na inversão,
Cinv, aumenta na medida que a carga na
inversão começa a aparecer, e a
capacitância total se eleva acima da C-V
básica mostrada no gráfico abaixo.
54. 54
A capacitância sobe suavemente para
C0x porque a carga na inversão
não é localizada exatamente na
interface silício/óxido de silício, mas a
uma certa profundidade que varia com
Vg, como mostrado na figura abaixo:
Densidadede elétrons
Espessura
da camada
de inversão Teoria
Quântica
Camadade
depleção do Si
policristalinoGate
Largura efetiva do dielétrico
Tox físico
55. 55
Para valores ainda maiores de Vg, Cpoly,
não pode ser assumido como sendo o
infinito, (Wdpoly aumenta), e C começa a
cair.
56. 56
Tinv e Wdpoly eram assumidos desprezíveis quando Tox
era considerado grande (> 10 nm).
57. 57
Porém, em caso de óxidos muito finos, estas
quantidades não podem ser desconsideradas.
58. 58
Como é difícil separar Tox de Tinv e Wdpoly a partir
simplesmente de medidas, uma espessura de óxido
efetiva, Toxe, é frequentemente usada para caracterizar a
espessura efetiva total do oxido.
59. 59
Toxe é deduzida a partir da capacitância medida na região
de inversão em Vg = Vdd.
60. 60
Pode-se pensar que Toxe seja uma espessura de óxido
efetiva correspondendo também a uma capacitância de
óxido efetiva, Coxe.
61. 61
Assim, Toxe é a soma de três espessuras:
Toxe = Tox + Wdpoly /3 + Tinv/3
onde 3 é a razão de εs/εox, a qual transforma Wdpoly e
Tinv em espessuras equivalentes de óxido.
64. 64
Além disso, há um outro efeito quântico que aumenta a
tensão de threshold.
65. 65
À altas concentrações de dopagem no substrato, o
campo elétrico alto no substrato na interface com o
óxido, faz com que os níveis de energia sejam
quantizados e efetivamente aumentam Eg e diminuem ni
na equação
66. 66
Isto requer que a banda encurve mais antes de alcançar
o limite (threshold), isto é, ϕst aumentar.
67. 67
O efeito líquido é que a tensão de limiar, a tensão de
threshold, é aumentada de lOO mV, ou então,
dependendo da concentração de dopagem devido a
este efeito quântico sobre o limiar de tensão.