Transístor bipolar 
O termo Transístor resulta da aglutinação dos termos ingleses TRANsfer + reSISTOR (resistência de transferência). 
O termo bipolar refere-se ao facto dos portadores electrões e lacunas participarem no processo do fluxo de corrente. 
http://www.prof2000.pt/users/lpa 

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Constituição 
Um transístor bipolar (com polaridade NPN ou PNP) é constituído por duas 
junções PN (junção base-emissor e junção base-colector) de material 
semicondutor (silício ou germânio) e por três terminais designados por Emissor 
(E), Base (B) e Colector (C). 
Altamente 
dopado 
Menos 
dopado que 
o Emissor e 
mais dopado 
que a Base 
Altamente 
dopado 
Camada 
mais fina 
e menos 
dopada 
N – Material semicondutor com excesso de electrões livres 
P – Material semicondutor com excesso de lacunas 
Menos 
dopado que 
o Emissor e 
mais dopado 
que a Base 
Camada 
mais fina 
e menos 
dopada
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Junções PN internas e símbolos 
Junção PN 
base - emissor 
Junção PN 
base - emissor 
Junção PN 
base - colector 
Junção PN 
base - colector
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Principio de funcionamento 
Para que o transístor bipolar conduza é necessário que seja aplicada na 
Base uma corrente mínima (VBE ≥ 0,7 Volt), caso contrário não haverá 
passagem de corrente entre o Emissor e o Colector. 
IB = 0 
O transístor não conduz 
(está ao corte) 
Se aplicarmos uma pequena corrente na base o transístor conduz e 
pode amplificar a corrente que passa do emissor para o colector. 
Uma pequena corrente 
entre a base e o emissor… 
…origina uma grande corrente 
entre o emissor e o colector
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Utilização 
O transístor bipolar pode ser utilizado: 
 como interruptor electrónico. 
 na amplificação de sinais. 
 como oscilador.
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Polarização 
Para o transístor bipolar poder ser utilizado com interruptor, como amplificador ou como 
oscilador tem que estar devidamente polarizado através de uma fonte DC. 
Para o transístor estar correctamente polarizado a junção PN base – emissor deve 
ser polarizada directamente e a junção base – colector deve ser polarizada 
inversamente. 
Regra prática: 
O Emissor é polarizado com a mesma polaridade que o semicondutor que o constitui. 
A Base é polarizada com a mesma polaridade que o semicondutor que a constitui. 
O Colector é polarizado com polaridade contrária à do semicondutor que o constitui. 
Emissor Base Colector Emissor Base Colector 
P N P N P N 
+ - - - + +
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Polarização 
Emissor Base Colector Emissor Base Colector 
P N P N P N 
+ - - - + + 
+ 
Rc 
Rb 
_ 
Rc 
Rb 
+ 
_ 
Rb – Resistência de polarização de base 
Rc – Resistência de colector ou resistência de carga
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Representação de tensões e correntes 
VCE – Tensão colector - emissor 
VBE – Tensão base – emissor 
VCB – Tensão colector - base 
IC – Corrente de colector 
IB – Corrente de base 
IE – Corrente de emissor 
VRE – Tensão na resistência de emissor 
VRC – Tensão na resistência de colector
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Relação das correntes 
Rc 
Rb 
+ 
IC 
IE 
IB 
Considerando o sentido convencional da corrente e 
aplicando a lei dos nós obtemos a seguinte relação 
das correntes num transístor bipolar 
IE = IC + IB
10 
Características técnicas 
Utilizando o código alfanumérico do transístor podem-se obter as suas 
características técnicas por consulta de um data book ou de um data sheet do 
fabricante. 
IC É a máxima corrente de colector que o transístor pode suportar. Se 
este parâmetro for excedido o componente poderá queimar. 
VCEO Tensão máxima colector – emissor com a base aberta. 
VCBO Tensão máxima colector – base com o emissor aberto. 
VEBO Tensão máxima emissor – base com o colector aberto. 
hFE ou b Ganho ou factor de amplificação do transístor. 
hFE = IC : IB 
Pd Potência máxima de dissipação. 
fT Frequência de transição (frequência para a qual o ganho do transístor 
é 1 ou seja, o transístor não amplifica mais a corrente).
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Substituição de transístores por equivalentes 
 Num circuito não se pode substituir um transístor de 
silício por um de germânio ou vice – versa. 
 Também não se pode trocar directamente um transístor 
NPN por um PNP ou vice – versa. 
 A letra (A, B, C…) que pode aparecer no fim do código 
alfanumérico indica sempre aperfeiçoamentos ou 
melhorias em pelo menos um dos parâmetros, limites ou 
características do transístor. 
Exemplo: O BC548A substitui o BC548. 
O BC548A não substitui o BC548B
Dissipadores de calor 
O uso de 
dissipadores ou 
radiadores 
externos de calor 
são quase que 
obrigatórios nos 
transístores que 
trabalham com 
potências 
elevadas de modo 
a evitar o 
sobreaquecimento 
do componente e 
a sua possível 
destruição. 
Lucínio Preza de Araújo 12

Transístor bipolar polarização

  • 1.
    Transístor bipolar Otermo Transístor resulta da aglutinação dos termos ingleses TRANsfer + reSISTOR (resistência de transferência). O termo bipolar refere-se ao facto dos portadores electrões e lacunas participarem no processo do fluxo de corrente. http://www.prof2000.pt/users/lpa 
  • 2.
    2 Constituição Umtransístor bipolar (com polaridade NPN ou PNP) é constituído por duas junções PN (junção base-emissor e junção base-colector) de material semicondutor (silício ou germânio) e por três terminais designados por Emissor (E), Base (B) e Colector (C). Altamente dopado Menos dopado que o Emissor e mais dopado que a Base Altamente dopado Camada mais fina e menos dopada N – Material semicondutor com excesso de electrões livres P – Material semicondutor com excesso de lacunas Menos dopado que o Emissor e mais dopado que a Base Camada mais fina e menos dopada
  • 3.
    3 Junções PNinternas e símbolos Junção PN base - emissor Junção PN base - emissor Junção PN base - colector Junção PN base - colector
  • 4.
    4 Principio defuncionamento Para que o transístor bipolar conduza é necessário que seja aplicada na Base uma corrente mínima (VBE ≥ 0,7 Volt), caso contrário não haverá passagem de corrente entre o Emissor e o Colector. IB = 0 O transístor não conduz (está ao corte) Se aplicarmos uma pequena corrente na base o transístor conduz e pode amplificar a corrente que passa do emissor para o colector. Uma pequena corrente entre a base e o emissor… …origina uma grande corrente entre o emissor e o colector
  • 5.
    5 Utilização Otransístor bipolar pode ser utilizado:  como interruptor electrónico.  na amplificação de sinais.  como oscilador.
  • 6.
    6 Polarização Parao transístor bipolar poder ser utilizado com interruptor, como amplificador ou como oscilador tem que estar devidamente polarizado através de uma fonte DC. Para o transístor estar correctamente polarizado a junção PN base – emissor deve ser polarizada directamente e a junção base – colector deve ser polarizada inversamente. Regra prática: O Emissor é polarizado com a mesma polaridade que o semicondutor que o constitui. A Base é polarizada com a mesma polaridade que o semicondutor que a constitui. O Colector é polarizado com polaridade contrária à do semicondutor que o constitui. Emissor Base Colector Emissor Base Colector P N P N P N + - - - + +
  • 7.
    7 Polarização EmissorBase Colector Emissor Base Colector P N P N P N + - - - + + + Rc Rb _ Rc Rb + _ Rb – Resistência de polarização de base Rc – Resistência de colector ou resistência de carga
  • 8.
    8 Representação detensões e correntes VCE – Tensão colector - emissor VBE – Tensão base – emissor VCB – Tensão colector - base IC – Corrente de colector IB – Corrente de base IE – Corrente de emissor VRE – Tensão na resistência de emissor VRC – Tensão na resistência de colector
  • 9.
    9 Relação dascorrentes Rc Rb + IC IE IB Considerando o sentido convencional da corrente e aplicando a lei dos nós obtemos a seguinte relação das correntes num transístor bipolar IE = IC + IB
  • 10.
    10 Características técnicas Utilizando o código alfanumérico do transístor podem-se obter as suas características técnicas por consulta de um data book ou de um data sheet do fabricante. IC É a máxima corrente de colector que o transístor pode suportar. Se este parâmetro for excedido o componente poderá queimar. VCEO Tensão máxima colector – emissor com a base aberta. VCBO Tensão máxima colector – base com o emissor aberto. VEBO Tensão máxima emissor – base com o colector aberto. hFE ou b Ganho ou factor de amplificação do transístor. hFE = IC : IB Pd Potência máxima de dissipação. fT Frequência de transição (frequência para a qual o ganho do transístor é 1 ou seja, o transístor não amplifica mais a corrente).
  • 11.
    11 Substituição detransístores por equivalentes  Num circuito não se pode substituir um transístor de silício por um de germânio ou vice – versa.  Também não se pode trocar directamente um transístor NPN por um PNP ou vice – versa.  A letra (A, B, C…) que pode aparecer no fim do código alfanumérico indica sempre aperfeiçoamentos ou melhorias em pelo menos um dos parâmetros, limites ou características do transístor. Exemplo: O BC548A substitui o BC548. O BC548A não substitui o BC548B
  • 12.
    Dissipadores de calor O uso de dissipadores ou radiadores externos de calor são quase que obrigatórios nos transístores que trabalham com potências elevadas de modo a evitar o sobreaquecimento do componente e a sua possível destruição. Lucínio Preza de Araújo 12