Este documento descreve a tecnologia de crescimento epitaxial precisamente controlado desenvolvida pela NTT para fabricar heteroestruturas semicondutoras ultrafinas de alta qualidade necessárias para dispositivos eletrônicos rápidos, como osciladores terahertz baseados em diodos de tunelamento ressonante. A NTT usa epitaxia de fase de vapor metalorgânico precisamente controlada para produzir interfaces abruptas de alta qualidade com controle de espessura a nível de nanômetros. Esta tecnologia permitiu que os pesquisadores fabricassem RT

1. Original:
Room-temperature Resonant-tunneling-diode Terahertz Oscillator Based on
Precisely Controlled Semiconductor Epitaxial Growth Technology
Oscilador de Terahertz de diodo de
tunelamento ressonante de temperatura
ambiente baseado em tecnologia de
semiconductor de crescimento epitaxial
precisamente controlado
Seminário 1
Profa. R. Ragi

2. 2

3. Autores
3

4. Introdução
O diodo de tunelamento ressonante (RTD) é um dispositivo semicondutor que usa o
fenômeno de tunelamento quântico.
Seu princípio de funcionamento é baseado no fenômeno de tunelamento ressonante
proposto por Tsu e Esaki em 1973.
Os perfis de banda de condução de um RTD convencional e a sua relação com as
características corrente-tensão serão estudados em seguida. O caso de polarização
zero é mostrado na abaixo.
4

5. Introdução
As camadas ativas do RTD consistem de uma estrutura de dupla barreira (DB), onde
uma camada de poço quântico não-dopado é sanduichada entre duas camadas de
barreira não-dopada.
Devido ao uso do comportamento quântico dos portadores, cada camada da estrutura
DB é geralmente da ordem de nm de espessura.
As camadas da DB estão conectadas com as regiões de contato do emissor e do coletor
fortemente dopado preenchido com elétrons. Níveis discretos quase ligados ou níveis
ressonantes são formados na camada de poço. Na fig. (A), o nível mais baixo de
ressonância é indicado.
5

6. d0
d1
d2
camada não-dopada
poço de
potencial
barreira de potencial
ctt
barreira de potencial
material
dopado
camada não-dopada
Esquema de estrutura geral de RTD
d3
d4
material
dopado
ctt

7. (space layer)
n+ - GaAs
0,5 μm
(space layer)
100 Å
Interface: GaAs/Al0,25Ga0,75As
Al0,25Ga0,75As
In0,08Ga0,92As
Al0,25Ga0,75As
40 Å
GaAs
50 Å
40 Å
GaAs
n+ - GaAs
0,5 μm
100 Å
Interface:
Al0,25Ga0,75As/In0,08Ga0,92As
M. A. Reed et al, Observation of Discrete Electronic States in a Zero-Dimensional Semiconductor Nanostructure, Physical
Review Letters, 60, 6, 1988.
7

8. Introdução
À medida que a tensão de polarização aumenta, elétrons fluem do emissor para o coletor
através do nível de ressonância.
A corrente aumenta quase linearmente até que o fundo da banda de condução do
emissor ultrapasse o nível de ressonância, como mostrado na fig. (B).
8

9. Introdução
Um aumento adicional na tensão de polarização provoca uma queda acentuada da
corrente, porque o nível de ressonância cai abaixo do fundo banda de condução do
emissor, como mostrado na fig. (C).
9

10. Introdução
A característica corrente-tensão figura na abaixo exibe o diferencial de condutância
negativo (NDC), que é um das características fundamentais dos RTDs.
A relação entre corrente de pico e corrente de vale (IP/IV) na acima é chamada de
razão de pico- vale (RPV) e é uma das figuras de mérito dos RTDs.
Uma aplicação prática dos dispositivos que apresentam NDC é um oscilador de alta
frequência, que pode ser construído conectando-se um dispositivo NDC a ressoadores
externos.
10

11. Introdução
A estrutura do oscilador fundamental utilizado neste trabalho, que tem um RTD
integrado com uma antena slot[2], é mostrada abaixo.
O RTD com NDC fornece o ganho necessário para a oscilação.
O slot forma uma onda estacionária do campo eletromagnético como um ressoador e
também atua como uma antena irradiando potência de saída, ao mesmo tempo.
Estrutura fundamental do oscilador RTD integrado com antena slot
11

12. Introdução
O circuito equivalente para a estrutura em (a) é mostrado em (b).
Aqui, alguns dos elementos parasitas, tais como resistências de contacto foram omitidos.
Oscilação ocorre se Gd > GL, ou seja, se o valor absoluto da NDC exceder a perda de
radiação da antena slot.
12

13. Introdução
A frequência de oscilação é determinada pela ressonância em paralelo de L e C
na figura em (b) correspondente à onda estacionária mostrada (a), onde L é a
indutância dominantemente produzida pela antena, e C a capacitância produzida pelo
RTD e pela antena.
13

14. Introdução
A operação do RTD em alta velocidade é baseada em algumas das características
fundamentais dos RTD´s.
 Um deles é o tempo curto de tunelamento ressonante, que
corresponde ao tempo de tunelamento quântico de um elétron
atravessando a estrutura de DB; esta quantidade é estimada
para ser da ordem de PS ou menos.
 Outra é a tempo curto de carregamento da sua capacitância
própria.
A alta densidade de corrente do RTD acima de 1×105 A/cm2 e sua capacitância
comparativamente baixa, efetivamente reduz o tempo de carregamento.
14

15. Introdução
Estas são as principais características que distinguem os RTD´s dos outros dispositivos
de NDC, tais como díodo Esaki onde a alta densidade de corrente está associada com
a alta dopagem na região ativa, o que aumenta significativamente a sua capacitância
e tempo de carga.
Tais características excelentes do RTD indicou que osciladores de RTD poderiam
operar em frequências nunca alcançadas por outros dispositivos semicondutores.
A primeira demonstração de um oscilador RTD foi relatada por Sollner em 1984 para
RTDs de GaAs /AlGaAs, para os quais a frequência de oscilação foi de 18 GHz a 200 K
[3].
15

16. Introdução
16

17. Introdução
17

18. Introdução
18

19. Introdução
A frequência de oscilação atingiu 712 GHz na temperatura ambiente em 91 com RTDs de
InAs/AlSb.
19

20. Introdução
Recentemente, o intervalo de sub-terahertz (sub-THz) e terahertz (THz) têm atraído
muito interesse, uma vez que existem várias aplicações práticas, entre elas
comunicações de banda larga sem fio, segurança e imagem.
Embora as exigências de dispositivos operando a temperatura ambiente na faixa de
sub-THz e THz tenha aumentado, nenhum aumento na frequência de oscilação de
RTDs foi notificada até 2009.
Operação à temperatura ambiente na faixa de THz ainda não tinha sido atingido por
nenhum outro dispositivo.
20

21. Introdução
O NTT Photonics Laboratories e Tokyo Institute of Technology (Tokyo Tech) têm colaborado
com o desenvolvimento de osciladores de RTD operando em THz desde 2007.
O Instituto de Tecnologia de Tóquio é
uma universidade de pesquisa pública
localizada na grande área de Tokyo,
Japão. Tokyo Tech é a maior instituição
de ensino superior no Japão dedicado à
ciência e tecnologia.
Nippon Telegraph and Telephone Corporation,
conhecida como NTT, é uma empresa de
telecomunicações japonesa com sede em Tóquio,
no Japão. NTT é a maior empresa de
telecomunicações da Ásia, e a segunda maior do
mundo em termos de receita.
21

22. Introdução
O NTT tem desenvolvido uma técnica precisamente controlada de crescimento
epitaxial para obter heteroestruturas semicondutoras ultrafinas de alta qualidade.
Tokyo Tech tem desenvolvido o projeto e a tecnologia de microfabricação de
osciladores RTD que operem na faixa de sub-THz a THz.
Em 2009, estes dois grupos relataram um recorde no valor da oscilação fundamental,
em 831 GHz .
Em 2011, o grupo conseguiu bem sucedidamente estender a frequência de oscilação
fundamental para acima de THz à temperatura ambiente
22

23. Introdução
Neste estudo será apresentado as tecnologias essenciais para esta realização.
A tecnologia de crescimento epitaxial precisamente controlada de semicondutores
desenvolvida no NTT e sua aplicação em dispositivos eletrônicos ultra-rápidos são
descritos.
O projeto e a tecnologia de microfabricação para os osciladores RTD desenvolvidos
pelo Tokyo Tech também são apresentados.
Finalmente, a abordagem para oscilação em THz e sua demonstração experimental
também são mostrados.
23

24. Motivação
Wi-Fi com raios T mais próximo da realidade
http://www.projetoderedes.com.br/blognews/2012/05/wi-fi-com-raios-t-maisproximo-da-realidade/?utm_source=rss&utm_medium=rss&utm_campaign=wi-ficom-raios-t-mais-proximo-da-realidade - 19 de maio de 2012
Radiação terahertz
Pesquisadores japoneses bateram o recorde de transmissão de dados sem fios na
faixa dos terahertz, uma parte ainda inexplorada do espectro eletromagnético.
A taxa de dados alcançada é 20 vezes maior do que o melhor padrão wi-fi.
A banda dos raios T fica entre as micro-ondas e o infravermelho distante – 1 THz
equivale a 1.000 GHz.
Os raios T, ou radiação terahertz, vêm sendo considerados como altamente
promissores para o uso biomédico, eventualmente substituindo os raios X – apesar do
nome “radiação terahertz”, trata-se de uma radiação não-ionizante.
Em 2007, pesquisadores demonstraram pela primeira vez que os raios T poderiam ser
usados também para a transmissão digital de dados.
Desde então tem havido uma procura frenética pelo desenvolvimento de geradores
de radiação terahertz e de antenas capazes de captá-la.
24

25. Motivação
O experimento foi possível graças a um componente de 1 milímetro quadrado,
chamado diodo-túnel, ou diodo de tunelamento ressonante (branco, sobre o suporte
metálico).Imagem: Tokyo Institute of Technology.
Quase terahertz
Por enquanto, os trabalhos na transmissão de dados na faixa dos terahertz têm
adotado uma especificação mais folgada, que vai dos 300 GHz até os 3 THz. Nenhuma
agência de telecomunicação até agora regulamentou a faixa dos THz.
Apesar de teoricamente suportar taxas de transferência de dados de até 100 Gb/s –
15 vezes mais do que o wi-fi de próxima geração, que ainda está em fase de
especificação – o “wi-fi terahertz” provavelmente terá um alcance mais limitado, por
volta dos 10 metros.
Neste trabalho mais recente, os pesquisadores do Instituto de Tecnologia de Tóquio
demonstraram uma taxa de transmissão de 3 Gb/s a 542 GHz.
Ou seja, eles estão a meio-caminho dos raios T – o que é muito, considerando-se que
é uma tecnologia com poucos anos de desenvolvimento.
25

26. Motivação
Diodo-túnel
O experimento foi possível graças a um componente de 1 milímetro quadrado,
chamado um diodo de tunelamento ressonante, ou RTD (Resonant Tunnelling Diode).
Diodos-túnel têm a característica incomum de que a tensão que produzem pode
algumas vezes diminuir quando a corrente aumenta.
Eles são projetados de tal forma que este processo faz com que o diodo entre em
ressonância, emitindo ondas de frequência muito alta – teoricamente, de vários
terahertz.
Os pesquisadores japoneses afirmam que o próximo passo da pesquisa é justamente
aproximar a prática dessa teoria, entrando finalmente no regime efetivo dos terahertz.
Antes de qualquer uso prático, será necessário também aumentar a potência do
componente.
26

27. Crescimento epitaxial precisamente controlado de
semicondutores para heteroestruturas ultrafinas em
dispositivos eletrônicos ultra-rápidos
(Parte II)

28. Crescimento epitaxial precisamente controlado de
semicondutores para heteroestruturas ultrafinas em
dispositivos eletrônicos ultra-rápidos
A configuração atômica ideal de uma heterointerface semicondutora III-V é mostrado
esquematicamente na fig. 3 (a).
A estrutura de uma DB de um RTD consiste de uma heterointerface entre barreira e
poço quântico.
28

29. Crescimento epitaxial precisamente controlado de
semicondutores para heteroestruturas ultrafinas em
dispositivos eletrônicos ultra-rápidos
Cristal de boa qualidade para tais heteroestruturas é essencial para dispositivos
semicondutores modernos, tais como os transistores de alta velocidade, lasers, de
fotodiodos, para produzir alto desempenho.
Por exemplo, excelente aspereza da camada de composição é necessária em dispositivos
reais para formar um perfil de banda ideal.
Na fig. 3 (a), a composição atômica muda
abruptamente na interface, e não há
nenhuma mistura de camada em torno da
interface.
O controle da espessura da camada da
ordem de nm ou menos, também é
necessário.
29

30. Crescimento epitaxial precisamente controlado de
semicondutores para heteroestruturas ultrafinas em
dispositivos eletrônicos ultra-rápidos
Além disso, o nivelamento da heterointerface é igualmente importante para o
desempenho do dispositivo uma vez que heterointerfaces reais, muitas vezes incluem
uma alta densidade de passos de monocamada, que muitas vezes afeta o transporte de
corrente.
Estas heteroestruturas semicondutores III-V são normalmente fabricadas através de
uma técnica de crescimento epitaxial, tal como epitaxia de feixes moleculares (MBE) ou
epitaxia de fase de vapor metalorgânicos (MOVPE), nas quais as camadas
semicondutoras epitaxiais são crescidas por deposição de materiais-fonte em
substratos.
No NTT Photonics Labs, MOVPE é desenvolvido principalmente para dispositivos
semicondutores avançados para sistemas de comunicação de banda larga.
Em MOVPE, metais orgânicos e hidretos são utilizados como precursores e fornecidos
ao substrato durante o crescimento epitaxial.
30

31. Crescimento epitaxial precisamente controlado de
semicondutores para heteroestruturas ultrafinas em
dispositivos eletrônicos ultra-rápidos
Para a fabricação de heteroestruturas de alta qualidade,
o controle de fornecimento de precursor de comutação é
um dos processos principais.
NTT tem desenvolvido tais técnicas chave e fabricado
heteroestruturas de alta qualidade para dispositivos
práticos.
Imagens de microscópio eletrônico de varredura com
transmissão por campo escuro anular em alto ângulo
(STEM – HAADF) da heterointerface InP / InAlAs em um
transistor alta mobilidade eletrônica (HEMT) baseado em
InP desenvolvido no NTT é mostrado na fig. 3 (b).
HAADF STEM image of InP/InAlAs
heterointerface in an InP-based HEMT
31

32. Crescimento epitaxial precisamente controlado de
semicondutores para heteroestruturas ultrafinas em
dispositivos eletrônicos ultra-rápidos
A estrutura da camada HEMT é mostrada na fig. 3 (c).
Na fig. 3 (b), cada ponto brilhante corresponde a um
átomo do grupo III ou do grupo V.
Deve notar-se que o brilho dos pontos correspondentes ao
grupo de átomos V muda abruptamente na interface, o
que significa que a distribuição de átomos do grupo V
muda abruptamente de arsênico para fósforo.
Esta imagem STEM – HAADF demonstra o excelente
controle de brusquidão (abruptness) composicional na
heterointerface.
A aspereza proporciona corrosão úmida de alta
seletividade no processo de fabricação do dispositivo, HAADF STEM image of InP/InAlAs
e contribui para as excelentes características do
heterointerface in an InP-based HEMT
dispositivo.
32

33. Crescimento epitaxial precisamente controlado de
semicondutores para heteroestruturas ultrafinas em
dispositivos eletrônicos ultra-rápidos
Circuitos integrados de HEMT baseado em InP fabricados através da tecnologia MOVPE
têm sido usados ​em sistema de comunicação de banda larga sem fio de 20 GHz [9].
NTT tem aplicado essas técnicas de crescimento epitaxial para a fabricação RTDs de alto
desempenho.
Usamos estruturas baseadas em InP de DB de InGaAs/AlAs porque a grande
descontinuidade na banda de condução entre InGaAs e AlAs é benéfica para se obter um
grande PVR.
Oscilação na região de THz requer uma densidade de corrente de pico (JP) de cerca de
around 1× 106 A/cm2 ou mais com uma grande PVR.
Hoje em dia é possível um preciso controle da espessura da barreira em torno nm e a
formação de heterointerfaces de alta qualidade com excelente aspereza composicional e
nivelamento
33

34. Crescimento epitaxial precisamente controlado de
semicondutores para heteroestruturas ultrafinas em
dispositivos eletrônicos ultra-rápidos
Um exemplo de uma imagem de um TEM de uma seção transversal de um RTD é
mostrado na fig. 4.
A imagem mostra a uniformidade de 1,2 nm da espessura da barreiras e a lisura da
heterointerfaces.
Foi também confirmado excelente uniformidade on-wafer sobre uma bolacha de 3
polegadas, onde flutuações na espessura da barreira foi estimado em cerca de ± 0,1
monocamadas.
34

35. Oscilação fundamental acima de 1 THz à temperatura ambiente
Parte (III)

36. Oscilação fundamental acima de 1 THz à temperatura ambiente
Os desenhos esquemáticos e as imagens de microscópio de um oscilador RTD real
integrado com uma antena slot são mostrados na Fig. 5 (a).
As estruturas são baseadas em tecnologia avançada de microfabricação de
semicondutores da Tokyo Tech.
Os eletrodos do RTD são conectados a eletrodos da esquerda e direita da antena.
36

37. Oscilação fundamental acima de 1 THz à temperatura ambiente
Em ambas as extremidades da antena, os eletrodos são sobrepostos com uma camada de
SiO2 entre eles.
Esta estrutura forma refletores de ondas electromagnéticas de alta frequência, e
separação de polarização DC é obtida ao mesmo tempo.
Um resistor feito de película de bismuto é ligado em paralelo do lado de fora dos
eletrodos da antena para eliminar a oscilação parasitária causada pela ressonância
formada por circuitos externos, incluindo o fornecimento de linhas de polarização.
37

38. Oscilação fundamental acima de 1 THz à temperatura ambiente
Uma imagem da secção transversal do oscilador RTD é mostrada na Fig. 5 (b).
A área da mesa do emissor RTD é de cerca de 1 um2 ou menos.
A área da mesa do emissor e o comprimento da antena slot são os principais parâmetros
estruturais que determinam a frequência de oscilação e foram cuidadosamente
projetados para aumentar a frequência de oscilação.
38

39. Oscilação fundamental acima de 1 THz à temperatura ambiente
Temos aperfeiçoado a estrutura de camada do RTD a fim de estender a frequência de
oscilação para além da faixa de THz.
A dependência dos parâmetros estruturais das características do RTD, tais como o efeito
de redução da espessura da barreira, têm sido investigadas para se obter elevada JP e
reduzir o tempo de tunelamento ressonante.
39

40. Oscilação fundamental acima de 1 THz à temperatura ambiente
Além disso, a nossa investigação anterior revelou que a redução da tensão de
polarização de operação do oscilador é importante a fim de reduzir o tempo de trânsito
dos elétrons na região de depleção do coletor porque uma baixa tensão de polarização
de operação deve suprimir transições eletrônicas do vale Γ para o vale L, o que leva a
uma diminuição na velocidade de elétrons.
Para reduzir a tensão de polarização de operação, foi proposta uma nova estrutura de
RTD com um emissor não dopado gradual.
40

41. Oscilação fundamental acima de 1 THz à temperatura ambiente
Os perfis de bandas de condução das regiões DB em osciladores de RTD, com e sem um
emissor graduado em torno da tensão de polarização de operação é mostrada na fig. 6.
Inserindo um emissor gradual, o qual consiste de InGaAs rico em Ga e formas de
potencial degrau no lado emissor da estrutura de DB, efetivamente reduz a tensão de
polarização de operação. Foi examinada a eficácia da redução da espessura da barreira
e a inserção de um emissor gradual.
41

42. Oscilação fundamental acima de 1 THz à temperatura ambiente
Um exemplo de característica corrente-tensão do presente RTD com barreiras de 1,2 nm
de espessura e um emissor gradual é mostrado na fig. 7.
Temos bem sucedidamente obtido uma JP de 2.4 × 106 A/cm2 com uma PVR de 2 sob uma
tensão de polarização comparativamente baixa de 0,8 V.
De nosso conhecimento, este é o maior
valor já registrado de JP.
A característica corrente-tensão indica a
formação de barreiras ultrafinas de alta
qualidade e heterointerfaces.
42

43. Oscilação fundamental acima de 1 THz à temperatura ambiente
O espectro medido do oscilador RTD para oscilação fundamental em 1.04 THz, a qual é a
frequência de oscilação mais alta já reportada em um único dispositivo de estado sólido
operando à temperatura ambiente, é mostrado na fig. 8.
A potência de saída foi de 7 μW.
Maior otimização dos parâmetros estruturais
deve permitir o aumento da frequência de
oscilação e potência de saída para atender a
demanda por dispositivos compactos de THz.
43

44. Diodos Gunn e diodo varactor
Parte (IV)

45. Diodos Gunn
O diodo Gunn tem uma característica bastante particular:
é construído apenas com semicondutor tipo N, ao contrário dos demais diodos PN.
Na realidade, é um oscilador de microondas.
É assim denominado em homenagem a J.
Gunn, descobridor do efeito da geração de
microondas por semicondutores tipo N em
1963.
São construídos em três camadas conforme
indicado na figura acima.
A camada central tem um nível de dopagem
menor.
O dispositivo exibe característica de resistência
negativa conforme gráfico (c) da mesma
figura.
O material semicondutor pode ser
arseneto de gálio (GaAs) ou
nitreto de gálio (GaN), este último
para frequências mais elevadas.
45

46. Diodos Gunn
Podem oscilar em frequências de cerca de 5 GHz até cerca de 140 GHz.
Em geral são fornecidos como parte de um conjunto oscilador conforme a figura (d).
(b) é o circuito equivalente do diodo oscilante
na cavidade.
A frequência gerada por um diodo Gunn
depende principalmente da espessura da
camada ativa.
Entretanto, dentro de certos limites, ela pode
ser ajustada pela ressonância da cavidade.
Na figura citada, isso é dado pela haste de
sintonia.
46

47. Diodos varactor
Conforme visto no primeiro tópico da página anterior, um diodo de junção inversamente
polarizado apresenta uma região de depleção entre as camadas P e N.
A espessura dessa região aumenta com o aumento da polarização inversa e ela quase não
conduz (como um dielétrico), ou seja, um diodo inversamente polarizado pode funcionar
como um capacitor, cuja capacitância varia de acordo com a tensão aplicada. Ver Fig. 01(a)
Conhecidos também pelo nome varicap, tais
diodos são basicamente diodos de junção
construídos especificamente para funcionar
como capacitores variáveis.
Sintonia de circuitos é a principal aplicação.
O gráfico (b) da Figura 01 uma variação
capacitância x tensão inversa típica. Em (c),
símbolos usuais para diagramas.
Em (d), exemplo da sintonia com varactor de um
circuito ressonante para uso em osciladores.
47

48. Conclusões
Parte (V)

49. Conclusões
NTT e Tokyo Tech têm tido grande sucesso em seu desenvolvimento colaborativo de
osciladores RTD de THz.
Usando crescimento epitaxial de semicondutores precisamente controla -do e
tecnologias de microfabricação, tem-se conseguido oscilações fundamentais acima
THz à temperatura ambiente através da otimização da estrutura de camadas do
RTD.
Novos aumentos na frequência de oscilação e potência de saída são esperados
através de um maior aperfeiçoamento das estruturas do oscilador, que deve levar a
uma prática e compacta fonte de luz de THz em temperatura ambiente.
49

50. Apêndice
ANTENA SLOT VHF - UHF
Ideal para transmissão de sinais de TV das bandas III
(VHF), IV e V (UHF).
Seu projeto, baseia-se no conceito de fendas irradiantes,
distribuídas e alinhadas verticalmente ao longo da linha
coaxial que compõe o corpo da antena, resultando num
sinal irradiado omnidirecional.
O sistema de aletas refletoras adequadamente
posicionadas, permite o ajuste do diagrama de irradiação
para obtenção de vários tipos de cobertura horizontal a
fim de atender necessidades específicas, além de
controlar o ganho em potência.
Verticalmente, pode-se controlar o diagrama e ganho,
variando para tanto o número de bays. A antena Slot em
sua configuração básica para a Banda III (VHF) apresenta 2
e 4 fendas e para as bandas IV e V (UHF) 4 fendas em cada
bay.
50

51. Apêndice
SLOT ANTENAS horizontal, SETORIAIS e OMNI EMCTEST
Antenas Slot setoriais e Omni profissionais de elevada performance para conexões a
longa distância em banda larga. Representa uma solução ideal para Provedores na
distribuçao de Internet Sem Fios (WISP) e conexões ponto a ponto ou ponto multiponto
de elevada capacidade.
A antena é interamente projetada em desenho CAD. E' realizada em aluminio cortado
laser e tratado com pintura epoxi RAL cor branco, resistente a ventos e intemperies
como oxidacoes por marezias ou zinabres.
Sua montagem e ùnica no Brasil usando a tecnologia co-linear de combinaçao de 8-1632 SLOT (antenas) em guia-onda que promove um ganho superior tanto na emissao
quanto na recepçao do que qualquer antena o setorial em polarização Horizontal
existente no mercado!!.
A antena trabalha em polarização horizontal. Embora sua polarização seja horizontal ela
é montada na vertical. Somente antenas posicionadas como polarização horizontal terão
capacidade de transmitir e receber sinais com a antena de Slot evitando as
interferências indesejadas em polarização vertical.
51