Resumo avionica

Resumo Avionica ( Eletronica )
CAPITULO 1
CIRCUITOS REATIVOS
Resistor = é um componente eletrônico que consome energia elétrica e
dissipa em forma de calor.
Resistor se opõe a corrente elétrica. Sua relação entre a corrente e
a tensão está em FASE.
Capacitor = componente que armazena energia através de campo
eletrostático. Unidade Farad
Capacitancia = unidade da capacitância também é o farad e quanto
maior a capacitância , maior a oposição á variação de tensão.
Reatancia capacitiva (XC) é a oposição que o capacitor eferece na
corrente elétrica ALTERNADA . É medida em ohms.
Comportamento do capacitor em C.A = funciona como curto-
circuito.
Comportamento do capacitor em C.C = funciona como chave aberta.
Relacao entre tensão e corrente = em um capacitor a TENSAO esta
atrasada 90 graus em relação a corrente.
Indutor (L)= componente eletrônico que armazena energia através de
campo magnético unidade de medida é o Henry. Ele também se opõe a
variação da corrente.
Reatancia Indutiva (XL) = É a oposição que o indutor apresenta á
corrente elétrica ALTERNADA . A Reatancia é medida em OHMS .
Comportamento do Indutor em C.C = curto-circuito.
Comportamento do Indutor em C.A = chave aberta.
Relacao entre tensão e corrente = em um indutor a TENSAO esta
adiantada 90 graus em relação a corrente.
CIRCUITOS RESISTIVOS E REATIVOS.
Circuitos resistivos = é constituídos apenas por resistores.
Circuitos Reativos = é constituídos por resistores, capacitores e/ou
indutores.

Circuito RC = circuito reativo resistor /capacitor.
Circuito RL = circuito reativo resistor /indutor.
Circuito RLC = circuito reativo resistor /capacitor/ indutor.
Impedancia (Z) = Em um circuito reativo a oposição total á passagem
de corrente elétrica é chamada de impedância.
POTENCIA ELETRICA EM CIRCUITOS REATIVOS E
RESISTIVOS.
Potencia em circuitos resistivos = no circuito resistivo a energia
fornecida pela fonte de tensão é inteiramente dissipada em forma de calor
pelas resistências.
Potencia em circuitos reativos = no circuito reativo parte da energia
entregue pela fonte de reqüê é dissipada em forma de calor pelos
resistores e parte dessa energia é armazenada pelos capacitores e
indutores.
Potencia Aparente (PA) = unidade de medida é o Volt Ampere (VA) .
Em circuito Reativo o calculo da (PA) utiliza a impedância do circuito
tanto a energia dissipada pelo resistor quanto as energias armazenadas
pelos indutores e/ou capacitores.
Potencia Real (PR) = unidade de medida é o WATT (W). Em circuito
também REATIVO a potencia real é aquela que é dissipada em forma de
calor pelos resistores, ou seja , considera-se apenas os resistores.
Fator de Potencia (FP) = é a RELACAO entre a potencia real e a
potencia aparente, quanto Maior o fator de potencia , melhor a qualidade
do circuito.
Frequencia de Corte = em qualquer circuito reativo as freqüências das
reatâncias indutivas e capacitivas são diferentes , ou seja, freqüência de
corte provoca uma divisão por igual da tensão da fonte ,ou seja, metade
da tensão vai para a parcela reativa e a outra metade para a parcela
resistiva do circuito. Quando isso acontece a (PR) potencia real CAI para
a metade de seu valor Maximo. Essa situação denomina se PONTO DE
MEIA POTENCIA OU PONTO 0,707.
CIRCUITO REATIVO SERIE
Em um circuito serie a CORRENTEé a MESMA em todos os PONTOS
do circuito , com isso , a corrente será REFERENCIA quando o assunto
for ângulo de fase entre tensão e corrente.

Circuito RL serie = Quando ligamos um indutor em serie com um
resistor, a queda de tensão no resistor estará em fase com a corrente, e a
queda de tensão no indutor estará adiantada em 90 graus.
Circuito RC serie = Quando ligamos um capacitor em serie com um
resistor, a queda de tensão no resistor estará em fase com a corrente, e a
queda de tensão no capacitor estará atrasada (defasada) em 90 graus
Circuito RLC ou RCL serie = Quando ligamos capacitores, resistores e
indutores em serie, a queda de tensão no capacitor estará atrasada 90
graus em relação a corrente, a queda de tensão no indutor estará adiantada
90 graus em relação a corrente e a queda de tensão no resistor estará em
fase com a corrente.
CLASSIFICAÇÃO DOS CIRCUITOS RCL EM SERIE:
*Quando XL for maior que XC ou EL maior que EC temos : ângulo(0)
positivo,circuito RL
*Quando XC for maior que XL ou EC maior que EL temos : ângulo(0)
negativo,circuito RC
*Quando XL for igual à XC ou EL igual à EC temos : ângulo(0) igual a
zero,circuito resistivo.
RESSONANCIA EM SERIE = Quando as reatâncias indutivas e
capacitivas são iguais elas se anulam, dessa forma o circuito RLC fica
ressonante ou FREQUENCIA RESSONANTE. A impedância total passa
a ser apenas a resistência no circuito.
SELETIVIDADE = A seletividade é característica de um receptor de
selecionar um sinal de freqüência e é determinada pelos circuitos
ressonantes. Quanto MENOR a resistência ôhmica de um circuito RCL
MAIOR sua SELETIVIDADE, ou seja , dessa forma o INDUTOR é o
‘’Q’’ Fator de qualidade no circuito ressonante, quando ele for maior a
seletividade de freqüência é melhor, denominando se a LARGURA DA
FAIXA OU FAIXA DE PASSAGEM DO CIRCUITO (BAND WIDTH).
CIRCUITOS REATIVOS EM PARALELO.
Em um circuito paralelo a TENSAO é a MESMA em todos os
PONTOS do circuito , com isso , a TENSAO será REFERENCIA
quando o assunto for ângulo de fase entre tensão e corrente.
Circuito RL paralelo = Quando ligamos um indutor em paralelo com
um resistor, a corrente no resistor estará em fase com a queda de tensao, e

a corrente no indutor estará atrasada (defasada) em 90 graus em relação a
tensao.
Circuito RC paralelo = Quando ligamos um capacitor em paralelo com
um resistor, a corrente no resistor estará em fase com a tensao, e a
corrente no capacitor estará adiantada em 90 graus em relação a queda de
tensão
Circuito RLC ou RCL paralelo = Quando ligamos capacitores,
resistores e indutores em serie, a corrente no capacitor estará adiantada 90
graus em relação a queda de tensão ,a corrente no indutor estará atrasada
90 graus em relação a tensao e a corrente no resistor estará em fase com a
queda de tensao.
CLASSIFICAÇÃO DOS CIRCUITOS RCL EM PARALELO:
*Quando XL for menor que XC ou IL maior que IC temos : ângulo(0)
negativo,circuito RL
*Quando XC for menor que XL ou IC maior que IL temos : ângulo(0)
positivo,circuito RC
*Quando XL for igual à XC ou IL igual à IC temos : ângulo(0) igual a
zero,circuito resistivo.
RESSONANCIA EM PARALELO = Quando as reatâncias indutivas e
capacitivas são iguais elas se anulam, dessa forma o circuito RLC fica
ressonante ou FREQUENCIA RESSONANTE. Situacao em que as
correntes no capacitor e no indutor são iguais IC=IL.
CIRCUITO TANQUE IDEAL
(LC PARALELO)
Chama-se circuito tanque qualquer associação LC em PARALELO. A
designação tanque resulta da capacidade que tem os circuitos LC de
armazenar energia. Um circuito tanque ideal possui resistência ôhmica
igual a zero (R=0), e não existe na prática.
Quando um circuito tanque é alimentado por uma fonte de tensão
alternada, existem dois caminhos para a corrente elétrica circular, pelo
capacitor e pelo indutor.
Se a fonte de CA operar em baixa freqüência, a maior parte da corrente
circulará pelo indutor do que pelo capacitor, porque XL é menor do que
XC. Se, porém, a fonte de CA operar em alta freqüência, a maior parte da
corrente circulará pelo capacitor porque XC é menor do que XL.

Para uma determinada freqüência a reatância indutiva será igual à
reatância capacitiva (XL = XC), logo, o circuito entra em ressonância.
Uma vez estando o circuito em ressonância, a corrente através do indutor
e do capacitor é igual (IL = IC), porém defasadas de 180º.
Assim sendo, a corrente total de IL e IC é igual a zero.
Assim, nesse circuito ressonante em paralelo hipotético, a impedância do
circuito será infinita e não haverá corrente de linha. Entretanto, haverá
uma corrente circulatória no tanque apesar de nenhuma corrente ser
fornecida pela fonte (ciclo vicioso). Depois da carga inicial do capacitor,
ele se descarrega sobre o indutor. A energia que percorre o indutor é
armazenada em seu campo magnético. O campo magnético resultante em
torno do indutor age como fonte de energia para recarregar o capacitor.
Essa transferência de energia entre os dois elementos continua na
freqüência de ressonância sem qualquer perda. O sistema está em estado
oscilatório. Um circuito tanque ideal não existe, pois sempre existe
alguma resistência ôhmica no circuito tanque, tornando a impedância
menor que infinito e provocando perdas. A ressonância nos circuitos
paralelos é chamada de anti-ressonante, por serem seus efeitos
exatamente opostos aos observados nos circuitos em série.
IMPEDANCIA NO CIRCUITO TANQUE.
LC PARALELO.
A impedância de um circuito paralelo difere de um circuito serie.Em serie
quando se tem uma grande quantidade de reatância indutiva faz com que
o circuito haja indutivamente, já em paralelo nas mesmas condições ou
seja , grande quantidade de reatância indutiva quem predomina é a
reatância capacitiva pois a corrente é maior no ramo capacitivo.A largura
da faixa ou faixa ressonante são iguais em serie e paralelo e o fator de
qualidade ``Q`` tanto no circuito ressonante serie como no paralelo
funciona da mesma forma , quanto maior ``Q`` maior seletividade.
FILTROS DE FREQUENCIA
A função de um filtro de freqüência é efetuar a separação de
determinadas freqüências de componentes de C.C dos de C.A.
Filtro Passa-Baixa = esse filtro destina se a conduzir freqüência abaixo
da freqüência de corte.
Filtro Passa-Alta = esse filtro destina se a conduzir freqüência acima da
freqüência de corte.
FILTROS DE CIRCUITOS SINTONIZADOS OU RESSONANTES

No circuito ressonante a característica é a ótima seletividade e se tornam
ideais para filtros de reqüência, em serie se tem uma baixa impedância á
corrente em que esta SINTONIZADA e uma Grande impedância no
RESTO das correntes do circuito. Já no PARALELO é o contrario.
Filtro Passa- faixa = ou passa banda deixa passar correntes dentro dos
limites de uma faixa continua.
Filtro Corta-Faixa = são destinados a suprir as correntes de todas as
freqüências dentro de uma faixa continua limitada.
CAPITULO 2
OSCILOSCOPIO
O osciloscópio é um instrumento de medição básico, permite observar
valores e formas de sinais em qualquer ponto do circuito.Consiste de um
TRC (tubo de raios catódicos) e ampliadores auxiliares.
TRC = o TRC é a parte mais importante do osciloscópio , é um tubo de
vidro com tela de fósforo , no seu interior contem um alto vacuo que
direciona o feixe de elétrons.
Canhao eletrônico = fica dentro do TRC, é ele que direciona o feixe de
elétrons pra tela do TRC , o canhao possue um filamento , um catodo (-),
uma grade e 2 anodos (+) , o primeiro anodo focalizador e o segundo
anodo acelerador altamente positivo. A finalidade da tela do TRC é
transformar energia cinética do elétron em energia luminosa.Para ter a cor
verde na tela é usado silicato de zinco , e na parte interior do tubo com
exceção da tela existe uma cobertura de AQUADAC que tem a função de
devolver o excesso de elétrons para o catodo.
DEFLEXAO VERTICAL E HORIZONTAL
Se o TRC não tivesse a deflexão vertical e horizontal , o feixe de elétrons
emitido pelo canhao do TRC produziria um ponto luminoso no centro da
tela. Existem 2 tipos de deflexão :
Eletrostatico e Eletromagnetico
Circuito gerador de Base de Tempo ou gerador dente de serra = tem a
finalidade de mover o feixe da esquerda para a direita em uma velocidade
uniforme, esse movimento chama-se Varredura Linear.
CAPITULO 3

REQUISITOS PARA ANÁLISE DE CIRCUITOS
Fontes ou Geradores de TENSAO CONSTANTE = é o equipamento
destinado a fornecer tensão constante chamado de EQUIVALENTE DE
THEVENIN. Fonte de tensão ideal não existe , fonte de tensão real
possui resistência interna maior que zero.
Fontes ou Geradores de CORRENTE CONSTANTE = é o
equipamento destinado a fornecer corrente constante chamado de
EQUIVALENTE DE NORTON. Fonte de corrente ideal não existe ,
fonte de corrente real possui resistência interna menor que infinito.
TEOREMAS
LEI DE KIRCHOFF
Primeira lei de Kirchoff lei dos Nós = a soma das correntes que entra
em um Nó é IGUAL a soma das correntes que saem do Nó.
Segunda lei de Kirchoff lei das Malhas = em qualquer circuito fechado
, a soma álgebra de das quedas de potencial deve ser igual a das elevações
de potencial.
TEOREMA DA SUPERPOSICAO
Em qualquer REDE contendo uma ou mais fonte de TENSAO ou
CORRENTE , a corrente em qualquer elemento do circuito é a soma
álgebra das correntes que seriam causadas por cada fonte individual.
TEOREMA DE THEVENIN
Qualquer circuito por mais COMPLEXO que seja, poderá ser
representado por um circuito equivalente simples , constituído por um
GERADOR DE TENSAO (ETH) em serie com uma resistência interna
(RTH)
TEOREMA DE NORTON
Qualquer circuito por mais COMPLEXO que seja, poderá ser
representado por um circuito equivalente simples , constituído por um
GERADOR DE CORRENTE (IN) em paralelo com uma resistência
interna (RN)
OBS: O circuito THEVENIN pode ser convertido no circuito
NORTON,para isso é necessário igualar as resistências internas e aplicar
a lei de OHMS.

TEOREMA DA MAXIMA TRANSFERENCIA DE ENERGIA
A máxima POTENCIA transferida por uma fonte para uma carga ocorre
quando a IMPEDANCIA da carga for IGUAL a IMPEDANCIA da
FONTE.
CAPITULO 4
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES
Os semicondutores são a base da eletrônica moderna, pois diodos,
transistores, circuitos integrados e muitos outros dispositivos são
construídos tendo por base o silício e o Germanio, o cristal semicondutor
mais utilizado.
Ligações covalentes
O silício e o germânio são tetravalentes, ou seja, possuem quatro elétrons
nas suas camadas de valência. Para que os átomos de silício e germânio
se tornem estáveis, é necessário que ambos completem as suas camadas
de valência com oito elétrons. Os átomos de silício e germânio
conseguem esse objetivo formando uma estrutura chamada de rede
cristalina, onde um átomo central compartilha um elétron com cada um
de seus quatro vizinhos.O silício e o germânio nascem isolantes, e
passam a serem condutores quando são adicionados impurezas.
O efeito da temperatura sobre os semicondutores
A rede cristalina ou o compartilhamento do elétron que torna o átomo
estável só acontece na temperatura de zero absoluto. Se aplicarmos uma
d.d.p (TENSAO) em um cristal semi condutor PURO, obteremos uma
corrente elétrica proporcional á temperatura que o cristal suporta.Para
uma mesma temperatura , a corrente que circula no Germanio é muito
Maior do que a corrente que circula no Silicio, o que indica que as
ligações covalentes do silício são muito mais estáveis do que o germânio.
DOPAGEM DO CRISTAL SEMI-CONDUTOR.
É um processo químico com a finalidade de adicionar ``impurezas`` no
interior da estrutura cristalina do semicondutor a fim de se obter tipos de
cristais com características positivas e negativas que juntas irão formar os
diversos tipos de componentes semicondutores.
DOPAGEM COM ELEMENTO PENTAVALENTE TIPO (N)

Quando um cristal semicondutor é dopado com impurezas pentavalentes
ou DOADORAS ( Fosforo ou Arsenio), obtemos um cristal tipo N , pois
possue grande números de elétrons livres 5 eletrons na camada de
valencia. Importante : Dessa forma os Portadores tipo N (Eletrons) são
MAJORITARIOS , e o tipo P MINORITARIOS.
DOPAGEM COM ELEMENTO TRIVALENTE TIPO (P)
Quando um cristal semicondutor é dopado com impurezas Trivalentes ou
ACEITADORAS ( INDIO ou GALIO), obtemos um cristal tipo P , pois
possui grande números de Lacunas ou falta de eletrons livres ou seja 3
eletrons na camada de Valencia, dessa forma o conjunto do átomo
permanece eletricamente neutro.Importante : Dessa forma os Portadores
tipo P (Lacunas) são MAJORITARIOS , e o tipo N MINORITARIOS.
OBS:
Depois de dopadosos semicondutores tipo N ou tipo P podem ser usados
como diodos, transistores etc.
Junções PN
Quando um cristal tipo N é unido a um cristal tipo P, alguns elétrons
livres do cristal N invadem o cristal P. Ao saírem do cristal N, estes
elétrons formam íons positivos neste cristal e ao entrarem no cristal P,
completam uma lacuna e formam um íon negativo neste cristal. Essa
combinação de portadores acaba formando uma barreira de íons (Camada
De Deplexao) na fronteira entre os dois cristais e continua até que a
quantidade de íons negativos no cristal P acaba por repelir e impedir a
passagem dos elétrons livres do cristal N.
Camada de depleção: A região da fronteira entre os dois cristais onde
ficaram depositados os íons é chamada de camada de depleção.
Barreira de potencial: Podemos dizer que barreira de potencial é força
com que os íons negativos do cristal P repelem os elétrons livres do
cristal N e os impedem de atravessar a junção. Para vencer esta força, é
necessária a aplicação de uma diferença de potencial de 0,7V para os
diodos de silício e de 0,2V para os diodos de germânio.
OBS: Em polarização reversa a camada de deplexao tende se a expandir
,aumentando ainda mais a barreira de potencial, impedindo a passagem
de elétrons.
Polarização direta de uma junção PN

Quando ligamos o terminal negativo da fonte de tensão no cristal N e o
terminal positivo no cristal P e aplicamos uma diferença de potencial
maior do que o valor da barreira da potencial (0,7V para diodos de silício
e 0,2V para diodos de germânio), estamos polarizando diretamente a
junção PN. Todo diodo (junção PN) polarizado diretamente apresenta
uma resistência muito baixa e conduz a corrente elétrica intensamente.
Polarização inversa da junção PN
Quando o terminal positivo da fonte é aplicado ao cristal N e o terminal
negativo ao cristal P, a junção (diodo) está reversamente polarizada e seu
comportamento é análogo ao de uma chave aberta, não apresentando
condução de corrente elétrica.
Diodo retificador
Existem muitos tipos de diodos, tais como o diodo zener, o SCR, o
fotodiodo entre outros, porém um dos mais utilizados é o diodo
retificador. O anodo (positivo)é um cristal do tipo P e o catodo (negativo)
é um cristal do tipo N.
Ruptura da junção PN
Os diodos possuemlimitações que não podemser ultrapassadas, sob pena
de destruição da junção PN. A ruptura da junção de um diodo pode ser
causada porvários fatores como corrente direta além da suportada, tensão
reversa acima da tensão de ruptura e ruptura por efeito térmico.
Aumento da corrente direta além da máxima suportada: Um dos efeitos
da corrente elétrica é o efeito joule, que é o aumento da temperatura com
o aumento da corrente.
Aumento da tensão reversa acima da tensão de ruptura:. Dois elétrons
libertam quatro, quatro libertam oito e este ciclo provoca um efeito de
avalanche ou break down que provoca a destruição da junção.
Ruptura por efeito térmico: Na ruptura por efeito térmico, o aumento
da temperatura provoca um aumento dos portadores minoritários e da
corrente reversa. O aumento da corrente provoca um novo aumento da
temperatura e este ciclo acaba por destruir a junção PN por dissipação
excessiva de potência.
CAPITULO 5
FONTES DE FORÇA ELETRICA

Tipos de fonte de força:
Existem basicamente três tipos de fonte de força CC:
Pilhas e baterias: Convertem energia química em energia elétrica CC.
Geradores CC: Convertem energia mecânica em energia elétrica CC.
Fontes de força eletrônica: Convertem tensão CA em CC, CC em CA
ou CC em CC.
CA em CC: Representa a maioria das fontes de força eletrônica. A
energia CA geralmente provém da rede de 110/220V 60Hz.
CC em CA: É mais conhecido como inversor. Este dispositivo é
necessário quando se necessita de energia CA e só se dispõe de baterias e
pilhas como fonte de energia, ou seja, só de energia CC.
CC em CC: É mais conhecido como conversor CC-CC. É utilizada
quando está disponível apenas tensão contínua de pilhas ou baterias e se
faz necessária uma tensão contínua de valor mais alto que a fornecida.
Tensão alternada senoidal
Ciclo: Ciclo é um conjunto de valores que se repetem periodicamente.
Semiciclos: A parte do ciclo acima do eixo dos tempos é chamada de
semiciclo positivo e a parte do ciclo abaixo do eixo dos tempos é
chamada de semiciclo negativo.
Período (T): É o tempo necessário para completar um ciclo. A unidade
do período é o segundo (s).
Freqüência: É o número de ciclos que ocorrem por segundo. A unidade
da freqüência é o Hertz (Hz).
Valor eficaz: Se considerarmos uma tensão alternada e uma tensão
contínua de mesmo valor alimentando um mesmo resistor, perceberemos
que a dissipação de potência é diferente e expressa pela relação: Vef =
0,707 . VP
Etapas de uma fonte de força CA-CC
1) Ajuste da amplitude da tensão CA: Esta etapa abaixa ou eleva
amplitude da tensão alternada por meio de um transformador.

2) Retificação: Na etapa de retificação, a tensão alternada é transformada
em tensão contínua pulsante por meio de diodos retificadores.
3) Filtragem: Na etapa de filtragem, a tensão contínua pulsante é filtrada e
transformada em contínua pura por meio de um capacitor, uma
combinação de capacitores e indutores ou uma combinação de
capacitores e resistores.
4) Regulagem: A etapa de regulagem garante uma tensão constante para a
carga, independente de variações de tensão na entrada CA ou das
variações de resistência da própria carga.
Ajuste da amplitude da tensão alternada
O ajuste da amplitude da tensão alternada em uma fonte de força
eletrônica é feito por um transformador. Em um transformador, a
potência do primário é igual a potência do secundário e a elevação ou
abaixamento da tensão é conseguido através do número diferente de
espiras para o primário e para o secundário.
Retificação
Retificador de meia onda
O diodo retificador (TRANSFORMA DE AC PARA DC PULSANTE
NA SAIDA E SUA FINALIDADE É FUNCIONAR COMO CHAVE
NO CIRCUITO) possui a característica de conduzir a corrente elétrica
quando está polarizado diretamente (Positivo no anodo e negativo no
catodo), e de impedir a circulação da corrente elétrica quando está
polarizado inversamente (Negativo no anodo e positivo no catodo). Para
um determinado semiciclo da tensão alternada de entrada o diodo está
polarizado diretamente, conduzindo a corrente elétrica através da carga
(RL). Para o semiciclo oposto, o diodo está polarizado reversamente,
bloqueando a circulação da corrente elétrica. O retificador de meia onda
possui baixa eficiência, pois apenas um semiciclo do sinal de entrada é
transmitido para a carga. A tensão de saída de um retificador de meia
onda é chamada de tensão contínua pulsante de meia onda, e possui
freqüência igual a da tensão de entrada. A tensão média de saída de um
retificador de meia onda é igual a 0,318 vezes a tensão de pico (Vp). O
diodo deverá suportar uma tensão reversa superior à tensão de pico do
secundário do transformador (VP). A vantagem do retificador de meia
onda é a simplicidade, pois utiliza apenas um diodo.
Retificador de onda completa

Um retificador de onda completa utiliza um transformador que possui no
enrolamento de secundário uma tomada central (center-tape), e dois
diodos retificadores. A tensão total fornecida pelo secundário de um
transformador com center-tape é o dobro da tensão fornecida para a
carga. Em um retificador de onda completa, cada diodo retificador
conduz alternadamente, e a carga recebe os dois semiciclos da tensão da
rede. A tensão de saída de um retificador de onda completa é chamada de
tensão contínua pulsante, e possui freqüência igual ao dobro da
freqüência da tensão de entrada. A tensão média de saída de um
retificador de onda completa é igual a 0,636 vezes a tensão de pico (Vp).
Os diodos retificadores deverão suportar uma tensão reversa superior à
tensão de pico (VP). A vantagem do retificador de onda é que todos os
semiciclos da tensão de entrada são transmitidos para a carga.
Retificador em ponte (NÃO USA CENTER TAP)
Um retificador em ponte utiliza quatro diodos retificadores em uma
configuração chamada de ponte, NÃO USA transformador com center-
tape. A tensão média de saída de um retificador em ponte é igual a 0,636
vezes a tensão de pico (Vp). Os diodos retificadores deverão suportar
uma tensão reversa superior à tensão de pico (VP). A vantagem do
retificador em ponte é que todos os semiciclos da tensão de entrada são
transmitidos para a carga.
Filtragem
A função do circuito de filtro é transformar a tensão contínua pulsante
proveniente do retificador em uma tensão contínua pura.
Fator de ripple: Podemos considerar o ripple ou tensão de ondulação
como sendo uma forma de onda não senoidal sobreposta ao nível médio
CC.
Geralmente, usa-se como regra um ripple máximo de 6% da tensão da
fonte.
Filtro a capacitor
O filtro mais simples e mais empregado é o filtro a capacitor. O capacitor
é um componente eletrônico que possui a característica de se opor à
variação da tensão.
C = Valor do capacitor de filtro em Farads. I = Corrente CC na carga em
ampères.
t = Período da tensão de ondulação CA, em segundos.

Er = Máxima tensão de ondulação (ripple) pico-a-pico permitida, em
volts.
Podemos perceber que quanto maior o período, maior o valor do
capacitor necessário para a filtragem. Quanto maior o capacitor
empregado na filtragem, menor o ripple ou tensão de ondulação na tensão
contínua de saída. O capacitor deverá suportar uma tensão reversa
superior à tensão de pico (Vp).
Filtros LC e RC
Embora o filtro a capacitor seja o mais simples, pode-se melhorar a
filtragem usando-se indutores (choques) e resistores em combinação com
ele. Um choque reduz a amplitude do ripple, pois o indutor possui a
característica de ser opor a variação de corrente. A vantagem dos filtros
LC e RC é a diminuição do ripple. A desvantagem do filtro LC é o
tamanho e o peso dos indutores necessários e a desvantagem do filtro RC
é a perda de energia na resistência do conjunto.
Regulagem
Os circuitos de regulagem impedem que qualquer variação da tensão de
entrada CA seja transferida para a saída CC e também que variações da
corrente de carga afetem a qualidade e a amplitude da tensão de saída. Os
circuitos reguladores utilizam diodos zener ou circuitos integrados como
referência de tensão e transistores de passagem para aumentar a
capacidade de fornecimento de corrente da fonte de força eletrônica.
Tipos de proteção contra sobrecarga
As proteções mais utilizadas são os fusíveis e os disjuntores (circuit
breakers). Quanto a velocidade de rompimento, os fusíveis podem ser
classificados em três faixas: ação retardada, retardo médio e alta
velocidade. A diferença entre os disjuntores e os fusíveis é que os
disjuntores podem ser rearmados mecanicamente, isto é, o disjuntor não
se queima, ele se desarma.
Capítulo 6
Transistor de junção
Transistor de junção bipolar ( TJB )
Os transistores são componentes eletrônicos construídos a partir de
cristais semicondutores, principalmente o silício e o germânio. Sua

função é amplificar a corrente elétrica, sendo empregado principalmente
em amplificadores, osciladores e no interior de circuitos digitais.
Existem dois tipos de transistores de junção bipolar, o NPN e o PNP.
NPN seta pra fora PNP seta pra dentro
Os transistores possuem três terminais: coletor, base e emissor.
Características gerais dos transistores de junção bipolar ( TJB )
Para funcionar corretamente, os TJBs necessitam da polarização
adequada:
Junção base-emissor: Deverá ser polarizada diretamente. Possui uma
queda de tensão de 0,7V nos transistores de silício e de 0,2V nos
transistores de germânio..
Junção base-coletor: Deverá ser polarizada reversamente.
IE= IB+IC
A corrente que circula pelo terminal emissor é igual à soma das correntes
da base e do coletor.
VCE= VBE+VBC
A queda de tensão entre os terminais de emissor e coletor é igual à soma
das quedas de tensão entre base e emissor e base e coletor.
Tipos de configuração
Os transistor pode ser ligado ao circuito de três maneiras diferentes:
BASE COMUM EMISSOR COMUM COLETOR COMUM
OBS O BETA É O GANHO DO TRANSISTOR , o ganho se da sempre
na relação de TENSAO DE ENTRADA E TENSAO DE SAIDA.
Cada configuração apresenta vantagens e desvantagens.
Base comum: (VBC) O sinal é aplicado entre emissor e base e é retirado
entre coletor e base. Apresenta ganho de corrente menor do que a unidade
e ganho de tensão elevado. IMPORTANTE : baixa impedância de
entrada (Z) e Alta (Z) de saida. Amplificação DE CORRENTE igual a
UM sem defasagem de sinal.
Coletor comum:(VCC) O sinal é aplicado entre base e coletor e é
retirado entre emissor e coletor. Apresenta ganho de corrente elevado e

ganho de tensão menor do que a unidade. ALTA impendancia de Entrada
e Baixa impedância de saída. Amplificação DE TENSAO igual a UM
sem defasagem de sinal
Emissor comum: (VCE) O sinal é aplicado entre base e emissor e é
retirado entre coletor e emissor. Apresenta ganho de corrente e tensão
intermediários, podendo ser usado como amplificador de corrente ou
tensão.. IMPORTANTE : Media impedância de entrada (Z) e Alta (Z) de
saída , Esta configuração apresenta uma defasagem de 180º entre a tensão
de entrada e saída , pode amplificar o sinal de saída ate CENTENAS DE
VEZES É O MAIS USADO.
OBS IMPORTANTE: A CORRENTE DE FUGA (ICO) É COMUM
NOS TRANSISTORES DEVIDO AOS PORTADORES
MINORITARIOS. A PRINCIPAL CORRENTE DE FUGA É A DE
COLETOR PARA BASE (ICBO). VARIOS SISTEMAS SÃO
USADOS PARA MANTER A IC CONSTANTE OU MESMO COM O
AUMENTO DA ICO,UTILIZANDO SISTEMAS DE
REALIMENTACAO CONTINUA CC.
Curvas característica do transistor de junção bipolar
A configuração emissor comum é a mais utilizada das três configurações,
portanto, exemplificaremos as curvas características dos transistores de
junção bipolar nesta configuração.
Curva característica de entrada
A curva de entrada relaciona a tensão de entrada, a corrente de entrada e a
tensão de saída.
Na configuração emissor comum, a tensão de entrada é VBE (tensão
entre base e emissor), a corrente de entrada é IB (corrente de base) e a
tensão de saída é VCE (tensão entre coletor e emissor).
Curva característica de saída
A curva de saída relaciona a tensão de saída, a corrente de saída e a
corrente de entrada.
Na configuração emissor comum, a tensão de saída é VCE (tensão entre
coletor e emissor), a corrente de saída é IC (corrente de coletor) e a
corrente de entrada é IB (corrente de base).
Curva de máxima dissipação de potência

A potência dissipada por uma transistor é definida pela multiplicação da
corrente de coletor pela tensão entre coletor e emissor: Pmáx =
IC . VCE
Reta de carga: A reta de carga é traçada sobre a curva de saída e
determina os limites máximos (saturação) e mínimos (corte) de trabalho
do transistor.
Saturação: Na saturação, a tensão VCE é próxima de zero.
Corte: No corte a VCE é igual a tensão da fonte de alimentação.
Ponto Quiescente (Q) ou ponto de trabalho: É determinado sobre a reta de
carga.
Capítulo 7
Estabilização da polarização de transistores
Limitações dos transistores bipolares (TJB)
Como qualquer componente eletrônico, o transistor em funcionamento
normal, não deve ultrapassar os valores limites de tensão, corrente,
potência, temperatura e freqüência que são fornecidos pelo fabricante,
sob pena de desempenho não satisfatório, diminuição do tempo de vida
ou mesmo destruição do componente.
Limitações de correntes
A principal limitação de corrente é a corrente de coletor (IC).
Eventualmente, o fabricante pode fornecer, também, os valores máximos
das correntes de base (IB) e de emissor (IE).
Limitações de tensões
Como limitação de tensão, geralmente o fabricante fornece os valores
máximos das tensões entre os três terminais, ou seja, os valores máximos
de VBE (tensão entre base e emissor), VBC (tensão entre base e coletor)
e VCE (tensão entre coletor e emissor).
VBE: Para VBE, a informação mais importante é a tensão máxima
reversa, pois a junção base emissor é polarizada reversamente quando o
transistor é utilizado como chave.

VBC e VCE: A junção base coletor é normalmente polarizada
reversamente, portanto o fabricante fornece os valores máximos reversos
para VCE e VBC.
Avalanche ou breakdown: Quando um componente construído com base
em cristais semicondutores é polarizado reversamente, os portadores
minoritários (existem em proporção à temperatura) são acelerados em
direção à camada de depleção. Se a diferença de potencial reversa
aumentar drasticamente, a velocidade dos portadores minoritários
também aumenta, provocando choques entre os portadores minoritários e
os elétrons da estrutura cristalina. Os choques fornecem energia e liberam
mais portadores que provocam novos choques, levando a destruição do
componente eletrônico. A tensão em que a avalanche começa é chamada
de tensão de ruptura.
Os fabricantes especificam as tensões de ruptura entre coletor e base e
entre coletor e emissor.
BVBCO : Tensão de ruptura entre coletor e base. A letra o B significa
breakdown, e a letra O que o emissor está aberto (open).
BVCEO : Tensão de ruptura entre coletor e emissor com a base aberta.
Limitações de potência
Esta limitação é considerada a mais importante para os transistores. Em
um transistor, a potência é dissipada pelo coletor .A dissipação de
potência em qualquer componente eletrônico provoca aquecimento. Caso
o aumento de temperatura no transistor não seja controlado, o
componente corre um serio risco de ser danificado. Para limitar a
temperatura de trabalho são utilizados dissipadores de calor, ventoinhas e
componentes sensíveis à temperatura nos circuitos de polarização.
Instabilidade térmica dos transistores
Os semicondutores são muito sensíveis a temperatura, pois a estabilidade
da rede cristalina só é perfeita no zero absoluto. Conforme a temperatura
aumenta, a rede cristalina se torna instável, liberando elétrons e formando
lacunas. Esses elétrons ou lacunas são diretamente responsáveis pela
corrente de fuga nos semicondutores.
Os transistores apresentam uma corrente de fuga indesejável chamada de
ICBO. Esta corrente flui entre coletor e base estando o terminal de
emissor aberto. Quando o transistor é polarizado, esta corrente de fuga é
amplificada conforme o ganho do transistor.

Variação do ganho dos transistores
O ganho de um transistor pode sofrer enormes variações.
Temperatura: Quando a temperatura aumenta, o ganho de um transistor
aumenta.
Corrente de coletor (IC): Quando a corrente de coletor aumenta, o
ganho inicialmente aumenta, porém para valores muito elevados da
corrente de coletor, o ganho passa a diminuir.
Diferenças de fabricação: Para dois transistores iguais, fabricados no
mesmo lote, o ganho pode varias consideravelmente (em torno de 300%).
Podemos concluir que qualquer projeto baseado no ganho de um
transistor será certamente fracassado, pois o ganho depende da variação
da corrente de coletor e da temperatura.
Polarização
Em uma primeira análise, polarizar é aplicar as tensões corretas entre as
junções do transistor, ou seja, polarizar diretamente a junção base-
emissor e reversamente a junção base-coletor.
Estabilização
Estabilizar a polarização de um transistor é construir circuitos de
polarização auto-ajustáveis, para que as variações da corrente de coletor
(em função do aumento da temperatura ou variação do ganho) sejam
corrigidas e o ponto Q não mude de lugar ao longo da reta de carga,esse
ponto ``Q`` tem que ficar entre o ponto Maximo (saturação) e o mínimo
(corte) para um bom funcionamento do transistor (TJB).
A corrente de base é diretamente proporcional à tensão entre base e
emissor. Os métodos podem variar, mas todos os circuitos de
estabilização buscam diminuir a VBE, diminuindo assim a corrente de
base, consequentemente ,diminui a corrente de coletor.
Polarização automática com RB (Resistor de Base) ligado ao coletor
Esta forma de estabilização é bastante eficiente, possuindo apenas o
inconveniente da realimentação de CA do coletor para a base
Estabilização por realimentação de CC com RE
Esta polarização é pouco utilizada porque limita a corrente de coletor e a
potência do circuito.
Polarização por divisor de tensão

A polarização por divisor de tensão é a mais utilizada porque é
praticamente imune às variações da corrente de coletor. A base do
transistor é alimentada por um divisor de tensão estabilizado e a corrente
de coletor é determinada fixando-se a corrente de emissor. Esta
configuração é bastante utilizada em pré-amplificadores e possui ótima
qualidade de estabilização.
Estabilização da polarização de estágios de potência
Dois dispositivos são usados na estabilização da polarização de estágios
de potência: o diodo retificador e os termistores ou resistores NTC.
A corrente de coletor do transistor depende da temperatura. A
estabilização de estágios de potência utiliza elementos sensíveis à
temperatura que alteram a polarização.
A utilização dos termistores e dos diodos no circuito visa sempre à
diminuição da tensão entre base e emissor (VBE), o que provoca a
diminuição da corrente de base e da corrente de coletor.
Transistores especiais
Transistores de efeito de campo (FET) transistores unipolares
O transistor de efeito de campo, conhecido como FET (Field Effect
Transistor) ou TEC são . As diferenças fundamentais entre os transistores
de efeito de campo (FETs) e os de junção bipolar (TJBs), é que nos FETs
a corrente é dada pelo fluxo de portadores de um só tipo, e por este
motivo, os transistores de efeito de campo são conhecidos como
transistores unipolares (UJT OU TJU) em contraposição aos demais que
são bipolares. A outra grande diferença é que os FETs são transistores
controlados pela tensão, enquanto os TJBs são controlados pela corrente.
A principal vantagem dos transistores de efeito de campo é a elevada
impedância de entrada. Os principais transistores de efeito de campo são:
o JFET (Junction Field Effect Transistor) e o MOSFET (Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor).
JFET
O JFET ou TECJ é o mais comum dos transistores de efeito de campo.
Ele é de silício, que pode ser do tipo “N” ou “P”, possui dreno (drain) e
fonte (source) e a porta (gate) ou gatilho.
MOSFET

O MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) ou
IGFET (Insulated Gate Field Effect Transistor) é o transistor de efeito de
campo mais utilizado em aplicações que requerem uma altíssima
impedância de entrada. Em um MOSFET, o gatilho está isolado do canal
por uma camada de dióxido de silício (vidro), material altamente isolante,
o que torna a corrente de porta extremamente pequena seja a porta
positiva ou negativa Os transistores MOSFET são amplamente utilizados
na fabricação de circuitos integrados.
Construção física do
UJT
Símbolo do UJT Oscilador de relaxação
O transistor de junção única (UJT ou TJU) é um dispositivo
semicondutor de três terminais que tem sua principal aplicação em
circuitos osciladores não senoidais e de comutação. Utilizando o UJT é
possível construir um excelente oscilador de relaxação para controlar o
disparo de tiristores.
Capítulo 8
Amplificadores transistorizados
Os amplificadores transistorizados ou seja, possuem transistores podem
ser classificados de acordo com a freqüência de operação, a classe de
operação, o sistema de acoplamento e o uso.
Freqüência de operação
Amplificadores de audiofreqüência. Estes amplificadores atuam em
uma faixa de freqüência que vai de 20Hz a 20KHz, usados em receptores
de rádio e intercomunicadores.
Amplificadores de videofreqüência. Estes amplificadores abrangem
uma ampla faixa de freqüência que vai de 30KHz a 6MHz usados em
vídeo de radares e televisores
Amplificadores de radiofreqüência vai de 30KHz até vários GHz.Estes
amplificadores são usados, em circuitos de sintonia de rádios.
Classe de operação
A classe de operação está relacionada com a posição do ponto “Q” ao
longo da reta de carga.

Amplificador classe “A” O amplificador classe “A” opera durante os
dois semiciclos do sinal de entrada (360º).
Amplificador classe “B” O amplificador classe “B” opera durante um
semiciclo do sinal de entrada (180º).
Amplificador classe “C” A operação em classe “C” é polarização
inversa da junção de entrada do transistor (120º).
Sistemas de acoplamento
Um simples estágio amplificador, normalmente não é suficiente nas
aplicações em aparelhos receptores, em transmissores e outros
equipamentos eletrônicos. Um ganho mais elevado é obtido pelo
acoplamento de vários estágios amplificadores. A finalidade dos sistemas
de acoplamento é o casamento de impedâncias entre os estágios e o
isolamento da corrente contínua de uma etapa para outra, permitindo
apenas a passagem do sinal.
Casamento de impedâncias
O estágio de entrada deve ter a impedância igual à fonte de sinal e o
estágio final deve ter impedância igual à carga.
Acoplamento RC
Oferecem (Baixa Eficiência), (Resposta de freqüência limitada pelo efeito
shunt ,ou seja , boa qualidade na faixa de audio), (Aplicação
Amplificadores de áudio (20 a 20KHz)
Acoplamento por impedâncias
É igual o acoplamento RC porem sua Aplicação é em Amplificadores de
rádio-frequência (30KHz a vários GHz).
Acoplamento a transformador
Oferecem (Eficiência Maxima), (Resposta de freqüência é considerada
Pobre), (Aplicação tem sido evitada pois é caro e pesado)
Acoplamento direto
A eficiência deste tipo de acoplamento depende das resistências de
coletor e base dos transistores utilizados nos estágios.
Aplicação: Amplificadores de tensão contínua. (abaixo de 10Hz).

Capítulo 9
Osciladores transistorizados
Os osciladores são dispositivos cuja função principal é transformar a
energia CC aplicada em energia AC. Entre as infinitas aplicações dos
osciladores, estão: o osciloscópio, o gerador de freqüência variável, o
injetor de sinais, a televisão, o rádio-transmissor, o receptor, o radar e o
sonar.
Tanques ressonantes
A oscilação eletrônica é feita por um circuito que consiste de uma bobina
e um capacitor ligados em paralelo. Esta ligação é chamada de circuito
tanque. É aquele ciclo vicioso entre o capacitor e o indutor.
Circuitos osciladores básicos
Oscilador Armstrong ( SIMPLES )
O oscilador Armstrong é o mais simples dos osciladores a transistor. A
freqüência de oscilação é a freqüência de ressonância do circuito tanque.
Oscilador Hartley ( SERIE OU PARALELO )
Neste circuito, a realimentação é obtida através de uma indutância
dividida e temos osciladores desse tipo alimentados em série e em
paralelo. A freqüência de oscilação é a freqüência de ressonância do
circuito tanque.
Oscilador Colpitts (PARALELO )
O oscilador Colpitts assemelha-se ao oscilador Hartley alimentado em
paralelo, porém, ao invés de ter o conjunto de indutância dividida para
realimentação, usa um conjunto de capacitância dividida. A freqüência de
oscilação é a freqüência de ressonância do circuito tanque.
Cristais osciladores (PIEZOELETRICO)
É o efeito piezoelétrico (VIBRACAO) que é conseguido quando é
aplicada uma diferença de potencial em um cristal oscilador, geralmente
o quartzo. A freqüência de oscilação fundamental de um cristal depende
da largura, da espessura e do tipo de corte do cristal. Prova Anac.
Circuito Multivibrador astável

O multivibrador é um circuito eletrônico capaz de produzir uma tensão de
saída em forma de onda quadrada ou retangular. Os circuitos
multivibradores são, atualmente, muito usados em receptores de TV,
osciloscópios, computadores e sistemas digitais em geral.
Capítulo 11
Circuitos integrados
Os CIs sao divididos em circuitos eletronicos Discretos e circuitos
eletrônicos Integrado
Circuitos eletrônicos discretos: São os circuitos formados por
componentes eletrônicos individuais (resistores, capacitores, diodos,
transistores, etc.), soldados em placas de circuito impresso.
Circuitos eletrônicos integrados (CIs): São os circuitos formados por
um conjunto inseparável de componentes eletrônicos, em uma única
estrutura chamada de pastilha. Com o uso de CIs, foi possível a
miniaturização de diversos equipamentos. Os circuitos integrados podem
ser divididos em dois grupos: os circuitos monolíticos e os circuitos
híbridos.
Circuitos monolíticos:Nos circuitos monolíticos, todos os componentes
dos circuitos são fabricados dentro de uma mesma pastilha de silício
envolta em um invólucro de epóxi ou Plastico.
Circuitos híbridos: Nos circuitos híbridos, várias pastilhas de silício,
conectadas entre si, são colocadas em um mesmo invólucro de epóxi.
Tipos de encapsulamento e contagem de pinos
O invólucro de um circuito integrado desempenha quatro funções
importantes:
· Protege a pastilha de silício contra a ação do meio ambiente;
· Protege mecanicamente a pastilha do circuito integrado;
· Simplifica a interligação do CI comos outros componentes do circuito;
· Dissipa o calor dentro da pastilha, durante o funcionamento do CI.
Contagem de pinos para o encapsulamento dual em linha
A contagem de pinos de CIs do tipo “dual” é feita contando-se a partir do
guia de referência no sentido anti-horário.
Encapsulamento dual em linha Contagem de pinos

Contagem de pinos para o encapsulamento TO
Encapsulamento TO Metalico Contagem de pinos
A contagem de pinos de CIs do tipo TO é feita a partir do pino
guia para a direita no sentido horário.
Capítulo 12
Sensores
Sensor de umidade
Existem certos materiais semicondutores cuja resistência varia com a
umidade relativa do ar. UMIDADE É INVERSAMENTE
PROPORCIONAL A RESISTENCIA
Termistores = Resistores que variam com a temperatura PTC e NTC
Os termistores são componentes eletrônicos que têm a capacidade de
alterar a sua resistência ôhmica com a variação da temperatura.
Dois tipos de Termistores: temperatura positivo (PTC) e negativo
(NTC).
PTC (positivo): aumento da temperatura = aumenta resistência ôhmica
NTC (negativo): aumento da temperatura = diminuição de sua
resistência ôhmica
Dispositivos fotossensíveis
Variam com a luz. Os componentes fotossensíveis podem ser a gás ou a
vácuo, as células fotocondutivas que podem ser do tipo fotorresistor,
fotodiodo e fototransistor e as células fotovoltaicas.
Células fotocondutivas (CRIACAO DE PARES
ETRICOS/LACUNAS)= Quando um fluxo luminoso incide sobre um
material semicondutor, os fótons (partículas que compõem a luz)
fornecem aos elétrons energia suficiente para produzir a ruptura das
ligações covalentes, criando pares elétron-lacuna e aumentando a
condutividade no semicondutor. Este fenômeno é conhecido como
fotocondutividade e existem 3 tipos: fotorresistores, fotodiodos e os
fototransistores.

FOTORRESISTORES = é o LDR + LUZ - RESISTENCIA
FOTODIODO ( CORRENTE DE FUGA) O fotodiodo é polarizado
no sentido inverso, circulando apenas a corrente de fuga. + LUZ +
CORRENTE DE FUGA
FOTOTRANSISTORES = FORNECE 10 VEZES MAIS CORRENTE
QUE O FOTODIODO São de 2 Juncoes PN em um invólucro. +LUZ
sobre a junção base-emissor MAIOR sua condutividade resultando em
um aumento na corrente de coletor.
CELULAS FOTOVOLTAICAS
Poduzem TENSAO com o fluxo LUMINOSO são feitas de selênio sua
tensão é aplicada á um milivoltimetro. EXEMPLO:
BATERIA SOLAR Um aplicação importante das células fotovoltaicas é
nas baterias solares. Pode fornecer energia suficiente para o
funcionamento dos instrumentos de um farol, de uma estação
meteorológica e, principalmente, de um satélite artificial.
Capítulo 13
Reguladores de tensão
DIODO ZENER REGULADOR DE TENSAO
(Trabalha com Tensao e foi feito para ser polarizado INVERSAMENTE
ELE REGULA A TENSAO INDEPENDENTEMENTE DA SAIDA DA
FONTE)
O Diodo Zener é um semicondutor feito de silício (mais estável ) que o
germânio. A grande diferença entre o Zener e um Diodo comum , é o
ponto de Tensao de trabalho, pois o Zener foi Feito para trabalhar no
PONTO DE RUPTURA, características IMPOSSIVEIS em diodos
comuns, pois queimariam.
Finalidade é Limitar a TENSAO (VR) em valor predeterminado pelo
fabricante essa zona de trabalho é determinada ZONA ZENER.
O Zener possui uma junção maior que a do diodo comum, o que
possibilita uma maior dissipação de potência. O diodo Zener é projetado
para operar na região inversa da curva característica, sendo normalmente
polarizado inversamente.

O Diodo Zener atuando no ponto de ruptura possui uma pequena
resistência chamada de IMPEDANCIA ZENER
O Diodo Zener polarizado diretamente trabalha como um diodo
retificador comum.
Ruptura do Diodo Zener:
Vimos que o Diodo Retificador se comporta como um ISOLADOR
quando polarizado INVERSAMENTE,ou seja, a sua camada deplexao
aumenta , o MESMO acontece com o diodo Zener até um determinado
valor da tensão de fabricacao a partir do qual elel começa a conduzir
Fortemente. O fato dessa transformacao de de ISOLADOR á
CONDUTOR é dado pela teoria do EFEITO ZENER E O EFEITO
AVALANCHE.
EFEITO ZENER :
Polarizado inversamente ( - P e + N ),ou seja , ele foi feito para ser
utilizado inversamente diferente de um diodo retificador comum que
queimaria se fosse polarizado dessa forma , ao aplicar uma determinada
TENSAO no ZENER ( - P e + N ) a pastilha de silício (0,7v consumo de
zener) tem sua barreira de Potencial Superada, gerando corrente elétrica
INVERSA, esse efeito ocorre em diodos com TENSAO de trabalho
INFERIOR A 5 VOLTS. Seu coeficiente de temperatura é = quanto
MAIS esquenta o Diodo , Menor sua TENSAO EQUIVALE COMO
COEFICIENTE DE TEMPERATURA NEGATIVO
EFEITO AVALANCHE:
PARA TENSOES INVERSAS ( VR MAIOR QUE 7 VOLTS) Com o
aumento da TENSAO polarizado inversamente é claro, existe um
aumento na velocidade da cargas elétricas, esse aumento de velocidade
ocasiona um choque de elétrons , que desprendem elétrons de sua
estrutura atômica , assim se chocam de novo ocasionando um ciclo
vicioso formando assim o EFEITO AVALANCHE, esse efeito ocorre
com diodos com tensão SUPERIOR ao COEFICIENTE DE
TEMPERATURA ou seja MAIOR TEMPERATURA , MAIOR
TENSAO. EQUIVALE COMO COEFICIENTE
DE TEMPERATURA POSITIVO.
Limitações do diodo Zener
As limitações do diodo Zener são: a corrente máxima direta (caso venha a
trabalhar nessa região), a corrente máxima inversa e a máxima dissipação
de potência, que depende da temperatura de operação do diodo.

Aplicações do diodo Zener
A principal aplicação do diodo Zener é a estabilização da tensão em
fontes reguladas. Outras possíveis aplicações são: emprego como chave,
em circuitos limitadores, em circuitos de estabilização da polaridade de
transistores, na proteção de circuitos e de medidores, na supressão de
faíscas e na regulação da tensão alternada.
Capítulo 14
Diodos especiais
Thyristores (chaves)
O Thyristor é um semicondutor de multicamada, comutador quase
ideal 4 camadas PNP, é retificador e amplificador ao mesmo tempo,
sendo utilizado na eletrônica de potência como chaveamento de estado de
bloqueio para condução e de condução para bloqueio.. Pertencem à
família dos thyristores: o SCR, o DIAC , o TRIAC, os fotothyristores e o
diodo Shockley. TODOS PARAM DE CONDUZIR ABAIXO DA
CORRENTE DE MANUTENCAO
SCR
aproveita 1 SEMI-CICLO
O SCR (Silicon Controlled Rectifier) é um semicondutor de silício de
quatro camadas e três terminais: o anodo, o cátodo e o gatilho.
A polarização de anodo e catodo é igual à de um diodo comum, porém,
mesmo polarizado diretamente o SCR permanece impedindo a circulação
da corrente elétrica. Quando o SCR está polarizado diretamente e um
pulso positivo é aplicado ao seu gatilho, a corrente elétrica circulará do
cátodo para o anodo, sendo por esse motivo, chamado de retificador
controlado. O SCR pode conduzir apenas em 1 semi-ciclo. (primeiro
quadrante)
TRIAC 2 semi-ciclos
Atua como o SCR porem aproveita 2 semi-ciclos da senoide ou seja é
BIDIRECIONAL. Este dispositivo podepassarde um estado bloqueado a
um regime de condução nos dois sentidos de polarização e voltar ao
estado bloqueado, por inversão da tensão ou pela diminuição da corrente,
abaixo do valor da corrente de manutenção (IH). O TRIAC podeconduzir
nos (quatro quadrantes).

DIAC
SERVE PARA DISPARAR O TRIAC , NÃO TEM GATE E NEM
POLARIDADE
O DIAC (Diode Alternative Current) é um elemento simétrico, não
possuindo polaridade. Quando se aplica uma tensão positiva ou negativa
sobre os terminais de um DIAC, a corrente de fuga entre seus terminais é
mínima. Ao atingir a tensão de ruptura, a junção do DIAC sofre ruptura
por avalanche e a corrente aumenta consideravelmente, diminuindo a sua
queda de tensão. Entre as aplicações do DIAC, estão: dispositivos de
disparo para controle de fase de TRIACs, controle de velocidade de
motores universais e controle de calefação.
Fotothyristores
É IGUAL O SCR E O TRIAC POREM ATUA COM FLUXO
LUMINOSO (APROVEITA 2 SEMI-CICLO)
Em um fotothyristor, a incidência de luz sobre o cristal semicondutor
provoca a criação de pares elétrons-lacuna e, consequentemente, o
aumento da corrente de fuga seu no transistor interno de gatilho. Quanto
maior o número de pares elétrons-lacuna, maior será a corrente de fuga,
tendo como conseqüência o disparo do fotothiristor.
Thyristor bloqueável
O thiristor bloqueável podeser disparado quando for aplicada uma tensão
positiva ao seu gatilho, e rebloqueado quando for aplicada uma tensão
negativa ao mesmo gatilho.
QUADRAC
É A COMBINACAO DO DIAC LIGADO AO GATILHO DO TRIAC
Normalmente, um DIAC é acrescentado ao gatilho de um TRIAC em
aplicações de CONTROLE DE ÂNGULO DE FASE.
Diodo Shockley
UNIDIRECIONAL BIPOLAR PNPN
O diodo Shockley, também conhecido como diodo thyristor ou diodo de
quatro camadas, é um dispositivo bipolar PNPN comparável em todos os

sentidos à um thyristor, porém, estando disponíveis somente os seus
terminais de anodo e cátodo.
Diodo Túnel
Um diodo túnel é um pequeno dispositivo formado por uma junção PN,
com elevada concentração de impurezas nos cristais P e N mediante um
efeito mecânico-quântico denominado “efeito túnel”. Usado em ``RF``.
Diodo emissor de luz – LED
LED É um diodo com polarização direta .Nos diodos comuns a energia é
dissipada na forma de calor, mas no LED essa energia é irradiada na
forma de luz.
Os LEDs substituíram as lâmpadas de incandescência em várias
aplicações devido a sua baixa tensão, vida longa e rápido chaveamento
liga desliga.
Utilizando gálio, o arsênio, e o fósforo, um fabricante pode produzir
LEDs que irradiam no vermelho, verde, amarelo, azul, laranja ou
infravermelho. Os LEDs que produzem luz visível são úteis para
indicação em instrumentos, enquanto que os infravermelhos são úteis em
sistemas de alarme contra roubo e controles remotos.
Indicador de sete-segmentos
Um indicador de sete-segmentos possui sete LEDs dispostos de
forma a poder representar números de 0 a 9 e letras maiúsculas A, C, E e
F, e minúsculas b e d.
Capítulo 15
Decibéis
O decibel é a décima parte de um Bel. O Bel é uma unidade usada para se
fazer a comparação entre quantidades de energia. Para a eletrônica, o
decibel (dB) é compreendido como sendo dez vezes o logaritmo decimal
da relação entre dois níveis de potência expressos em potencia( Watt).
Aplicacao do BEL = em ANTENAS, AMPLIFICADORES, LINHAS DE
TRANSMISSAO ETC.

Capítulo 16
Amplificadores operacionais
O nome Amplificador Operacional (A.O.) Com esse dispositivo podem
ser conseguidos amplificadores capazes de operar com sinais que vão
desde corrente contínua até vários megahertz.
Para alimentar um amplificador operacional deve ser usada uma fonte
simétrica .A alimentação simétrica pode ser obtida através de duas fontes
iguais, um divisor de tensão resistivo ou uma fonte simétrica.
O amplificador operacional ideal apresenta as seguintes características:
· Impedância de entrada infinita;
· Impedância de saída nula;
· Ganho de tensão infinito;
· Tempo de atraso nulo;
· Tensão de saída nula para a situação em que a tensão na entrada V2
seja igual à da entrada V1;
· Curva de resposta em freqüência infinita.
Amplificador COM inversão
O ganho do amplificador inversor depende dos resistores da linha de
realimentação, R1 e R2.
Este amplificador apresenta uma defasagem de 180º do sinal de saída
com relação ao sinal de entrada.
Amplificador SEM inversão
Neste amplificador, o sinal de saída está em fase com o sinal de entrada.
Amplificador com ganho unitário
O amplificador operacional nessa configuração é empregado como
isolador ou “buffer”,circuitos de alta impedância
Circuito somador
Objetivo fornecer na saída uma tensão cujo valor é igual à soma das
tensões aplicadas às entradas.
Circuito subtrator

O circuito subtrator é projetado para fornecer na saída um valor de tensão
igual a diferença entre as tensões das entradas.
Aplicações não lineares
Circuitos não lineares são aqueles que, ao contrário dos analógicos,
sempre fornecem saída totalmente diferente da forma de onda de entrada.
Circuitos comparadores
São circuitos cuja função principal é comparar o sinal de entrada V1 com
um sinal de referência VR.
Comparador com tensão de referência nula
No comparador com tensão de referência nula, se a tensão V2 for positiva
a tensão de saída será negativa. E quando a tensão V2 for negativa, a
tensão de saída será positiva.
Capítulo 17
Técnicas digitais
Sistema binário de numeração
O sistema binário de numeração é um sistema de base 2, no qual existem
apenas dois algarismos para a representação de uma quantidade: 0 e 1.
Sistema octal de numeração
O sistema octal de numeração é um sistema de base 8, no qual existem
oito algarismos para a representação de uma quantidade: 0, 1, 2, 3, 4, 5,
6, 7.
Sistema hexadecimal de numeração
O sistema hexadecimal de numeração é um sistema de base 16, no qual
existem dezesseis algarismos para a representação de uma quantidade: 0,
1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, A, B, C, D, E, F.
Complemento de um número
Complemento falso: O complemento falso é obtido com a inversão de
todos os algarismos do número binário.
Complemento verdadeiro: O complemento verdadeiro é obtido com a
soma de um ao complemento falso.

Código ASCII
O código ASCII é um tipo de codificação BCD, largamente utilizado em
computadores digitais e em equipamentos de comunicação de dados.
A sigla ASCII é formada pelas iniciais de American Standard Code for
Information Imterchange (Código Padrão Americano para Intercâmbio de
Informações).
O código ASCII consiste de um código binário de sete bits para transferir
informações entre computadores e seus periféricos e em comunicações de
dados a distância.
O código ASCII é formado por dois grupos de bits, sendo um de quatro
bits e outro de três bits.
Álgebra de Boole
Função E ou AND
A função E ou AND equivale a multiplicação de duas ou mais variáveis.
S = A . B (onde se lê A e B) Costuma-se relacionar a função E com
um circuito em SERIE.
Função OU ou OR
A função OU ou OR equivale a soma de duas ou mais variáveis. S = A +
B (onde se lê A ou B) .Costuma-se relacionar a função OR com um
circuito em paralelo.
.
Função NOT ou NÃO
A função NÃO, complemento
ou inversão é aquela que inverte o
estado da variável, isto é, “0” inverte
para “1” e “1” inverte para “0”.
Função NÃO E OU NAND
A função NÃO E ou NAND equivale à inversão da função AND.__
S = A . B (S igual a A e B barrados ou A e B “not”)
Função NÃO OU ou NOR

A função NÃO OU ou NOR equivale à inversão da função OR. _
S = A + B (S igual a A ou B barrados ou A ou B “not”)
Função XOR
Com a função XOR ou “OR EXCLUSIVO”, teremos “1” na saída
quando as entradas forem desiguais.
Função XNOR
Com a função XNOR ou “NOR EXCLUSIVO”, teremos “1” na saída
quando as entradas forem iguais.
Somadores
Um meio somador (Half Adder) possui duas entradas .Quando
necessitamos do bit de transporte (T), é necessário o uso de um somador
completo (Full Adder). O Full Adder é formado por dois Half Adders e
uma porta OR.
Subtratores
Um meio subtrator (Half Subtractor) possui duas entradas.Quando
necessitamos do bit de empréstimo (E), é necessário o uso de um
subtrator completo (Full Subtractor). O Full Subtractor é formado por
dois Half Subtractors e uma porta OR.
Multiplexadores
Os multiplexadores são componentes que permitem selecionar um dado,
dentre diversas fontes, como uma chave seletora de diversas posições.
Demultiplexadores
Os demultiplexadores são componentes que distribuem o nível de uma
única entrada para uma, dentre as várias saídas, de acordo com o valor
binário das entradas seletoras.
Circuitos seqüenciais
Circuitos seqüenciais são normalmente sistemas pulsados, isto é, operam
sob o comando de pulsos denominados “clock”. Dentre os componentes
utilizados em circuitos seqüenciais, o flip-flop é um dispositivo
fundamental, permitindo por suas características, o armazenamento de
estados lógicos anteriores.

Flip-Flop
Flip-flop é um dispositivo que possui dois estados estáveis. Um pulso em
suas entradas poderá ser armazenado e transformado em nível lógico
estável.
O flip-flop RS também é conhecidos como latch. Em um flip-flop RS, um
pulso na entrada “S” (Set) será armazenado.
Flip-Flop JK
O flip-flop RS possui um estado não permitido.
Flip-Flop JK Mestre-Escravo
Consiste basicamente de dois flip-flops JK, permitindo a comutação do
flip-flop, apenas na transição positiva ou negativa do clock.
Flip-Flop tipo T
Um flip-flop tipo T consiste de um flip-flop JK com as entradas J e K
interligadas.
Flip-Flop tipo D
Um flip-flop tipo D consiste de um flip-flop JK com as entradas
interligadas através de um inversor, permitindo que seja “setado” .
Contadores
O que determinára a capacidade de um contador, será o número
de flip-flops utilizados.
Contador de pulsos
Um contador de pulsos consiste de um grupo de flip-flops JK
Máster-Slave de comutação na transição negativa do clock, configurados
em série.
Contador decrescente
O circuito que efetua a contagem decrescente é o mesmo que
efetua a contagem crescente de pulsos, com a diferença de utilizar as
saídas “Q” dos flip-flops.
Registradores (Shift Registers)

O flip-flop tem a característica de armazenar o valor de um bit,
mesmo que sua entrada não esteja mais presente.
Memórias
Memórias são dispositivos que armazenam informações. Essas
informações podem ser números, letras ou caracteres. As memórias
podem ser classificadas quanto ao acesso, a volatilidade, a possibilidade
de regravação e a retenção da informação.
As palavras de memória podem ser acessadas de duas maneiras: Acesso
seqüencial e acesso aleatório.
Volatilidade: As memórias podem ser voláteis e não voláteis.
Possibilidade de regravação: As memórias que possibilitam a constante
alteração das informações são normalmente identificadas como RAM
(Random Acces Memory).
As memórias que possibilitam apenas a leitura das informações são
chamadas de ROM (Read Only Memory). As memórias ROM podem ser:
PROM: São memórias apenas para leitura. Após a gravação inicial não
pode ser apagada.
EPROM: São utilizadas apenas para leitura, podendo ser feito o seu
apagamento por ultravioleta.
EEPROM: São utilizadas apenas para leitura, podendo ser feito o seu
apagamento por meios elétricos.
Conversão de sinais
Existem basicamente dois tipos de sinais: analógicos e digitais.
Sistemas analógicos e digitais não são compatíveis entre si, necessitando
de conversores.
Analógico: Entende-se por analógica, toda a variação linear ou contínua
de um sinal.
Digital: Entende-se por digital, toda a variação discreta, isto é, em
degraus definidos ou “steps”.
Conversor digital- analógico (DA)
É utilizado quando é necessária a conversão de uma variável
digital em variável analógica.

Conversor analógico-digital (AD)
É utilizado quando é necessária a conversão de uma variável
analógica em variável digital.
Famílias de circuitos lógicos
Entende-se por famílias de circuitos lógicos, os tipos de estruturas
internas que permitem a confecção dos blocos lógicos em circuitos
integrados.
Dentre as famílias podemos destacar:
RTL (Resistor Transistor Logic)
DTL (Diode Transistor Logic)
HTL (High Threshold Logic)
TTL (Transistor Transistor Logic)
ECL (Emitter Coupled Logic)
C-MOS (Complementary MOS)
Classificação dos circuitos integrados digitais
Os circuitos integrados digitais podem ser classificados em três
grupos:
SSI – Small Scale Integration (integração em pequena escala)
MSI – Médium Scale Integration(integração em média escala)
LSI – Large Scale Integration (integração em grande escala)
Capítulo 20
Introdução aos computadores
Um microprocessador é um circuito eletrônico muito complexo.
Consiste em milhares de transistores microscópicos compactados em uma
minúscula pastilha de silício (chip).
Um microprocessador é uma parte de um computador, apenas a
porção responsável pelo controle e processamento dentro de um sistema.
Para termos um computador completo, é necessário acrescentar memória
para o programa de controle e circuitos de I/O para a comunicação com
os equipamentos periféricos.

O computador possui dois barramentos principais: o ADDRESS
BUS (unidirecional) e o DATA BUS (bidirecional).
O código de máquina é a linguagem entendida pelo
microprocessador.
Unidade central de processamento (CPU)
A unidade central de processamento está localizada dentro do
microprocessador e é composta pela ALU (unidade aritmética e lógica), o
PC (contador de programa), o ACC (acumulador) e outros registradores.
Fluxograma
O fluxograma é uma representação gráfica das tarefas de um
programa, por meio de símbolos que fornecem uma visualização imediata
do significado da tarefa.

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