Eletrônica I
Prof. Ivo Carvalho
Engenharia Eletrônica
Bibliografia
 Desoer, C.A., Kuh, E.S., Basic Circuit Theory,
McGraw Hill, 1967.
 Sedra, A.S., Smith, K.C., Microelectronic Circuits,
3rd. ed., Harcourt Brace College Publishers, 1991.
 Nascimento, D., Slides das Aulas de Eletrônica I –
DEL-UFRJ, 2009.
Temas Gerais
 Introdução aos elementos discretos lineares;
 Conceitos básicos da Teoria de Circuitos;
 Dispositivos semicondutores passivos e
ativos;
 Desenho de circuitos eletrônicos simples
com amplificadores operacionais.
Abordagens
 Dimensões comparáveis ao menor
comprimento de onda () dos sinais de um
circuito (ex.: linhas de transmissão):
– Modelos de parâmetros distribuídos;
– Leis de Maxwell;
 Dimensões << :
– Modelos de parâmetros concentrados;
– Leis de Kirchhoff.
Grandezas Fundamentais
 Tensão (diferença de potencial – d.d.p.):
grandeza escalar relacionada ao campo
elétrico – unidade: volt (V);
 Corrente: escalar relacionada ao fluxo de
carga elétrica – unidade: ampère (A);
 Potência: taxa de variação da Energia –
unidade: watt (W): ;
 Energia: trabalho realizado pela corrente –
unidade: joule (J): .
)
(
)
(
)
( t
i
t
v
t
P 

dt
t
P
t
U
t


0
0
0 )
(
)
(
Definições Iniciais
 Nó - qualquer ponto do circuito em que dois
ou mais terminais se liguem;
 Ramo – caminho único entre dois nós
consecutivos;
 Malha ou Laço - qualquer caminho fechado
seguido sobre ramos de um circuito.
Leis de Kirchhoff
 Lei de Kirchhoff de Tensão (LKT ou KVL):
– A soma das tensões em uma malha, devidamente
orientadas, é nula;
 Lei de Kirchhoff de Corrente (LKC ou KCL):
– A soma das correntes que entram em um nó é nula.
Fontes Independentes...
 Fonte Independente de Tensão:
Pilha / Bateria Fonte DC (CC) Fonte AC
 Fonte Independente de Corrente:
Fonte DC (CC) ou AC
Elementos Básicos
Símbolo Geral Linear
Resistor VR = f (iR) VR = R  iR
Capacitor
Indutor



t
C
C
C dt
i
C
V
V
0
1
)
0
(
 

 dt
i
g
V C
C














dt
di
h
dt
d
h
V L
i
H
L

dt
di
L
V L
L 
Associações de Fontes de Tensão
 Associação em série:
 Veq = V1 + V2:
 Associação em paralelo:
 Só é válida quando V1 = V2 = Veq, caso contrário, burla a
LKT.
Associações de Fontes de Corrente
 Associação em série:
 Só é válida quando I1 = I2 = Ieq, caso contrário, burla a
LKC.
 Associação em paralelo:
 Ieq = I1+I2:
Associações de Resistores Lineares
 Associação em série:
 Req = R1 + R2 + ... + Rn
 Associação em paralelo:
 ;
 Geq = G1 + G2 + ... + Gn
n
eq R
R
R
R
1
...
1
1
1
2
1




Associações de Capacitores Lineares
 Associação em série:
 ;
 Seq = S1 + S2 + ... + Sn
 VCeq(0) = VC1(0)+...+VCn(0)
 Associação em paralelo:
 Ceq = C1 + C2 + ... + Cn;
 VCeq(0) = VC1(0) = ... = VCn(0)
n
eq C
C
C
C
1
...
1
1
1
2
1




Associações de Indutores Lineares
 Associação em série:
 Leq = L1 + L2 + ... + Ln;
 iLeq(0) = iL1(0) = ... = iLn(0).
 Associação em paralelo:
 ;
 eq =  1 +  2 + ... +  n;
 iLeq(0) = iL1(0) + ... + iLn(0).
n
eq L
L
L
L
1
...
1
1
1
2
1




Transformador Ideal
 Relação entre tensões e número de espiras nos
enrolamentos primário e secundário:
 Conservação da potência:
 Símbolo:
1
2
1
2
0
2
2
0
1
1
),
sen(
)
(
),
sen(
)
(
N
N
A
A
t
A
t
v
t
A
t
v







)
(
)
(
)
(
)
( 2
2
1
1 t
i
t
v
t
i
t
v 


Sistemas Lineares de Primeira Ordem
 Superposição:
– Resposta à entrada nula (ZIR) (vh)
– Resposta ao estado nulo (ZSR) (vh+vp)
 Circuito RC (t  0):
 ZIR: E = 0:
 ZSR: Vc(0) = 0:
0
1
, 








 v
R
dt
dv
C
dt
dv
C
R
v
i
i
v
V
V C
R
R
C
R
E
v
R
dt
dv
C
dt
dv
C
R
v
E
i
i
v
V
E
V C
R
R
C 









1
,
Resposta
completa.
Sistemas Lineares de Primeira Ordem
 Respostas:
– ZIR: ;
– ZSR: ;
– Completa: .
 ZIR + ZSR vs.
Transiente + Regime Permanente:
– Transiente (ou transitório): decai com o tempo;
– Regime permanente: mantém-se com
comportamento intimamente associado à entrada:
 .
0
,
)
(
1
0 


t
e
V
t
v
t
RC
0
),
1
(
)
(
1





t
e
E
t
v
t
RC
0
),
1
(
)
(
1
1
0 






t
e
E
e
V
t
v
t
RC
t
RC
0
,
)
(
)
(
1
0 




t
E
e
E
V
t
v
t
RC
Sistemas Lineares de Primeira Ordem
 Circuito RL (t  0):
 ZIR: I = 0:
 ZSR: IL(0) = 0:
 Respostas:
– ZIR: ;
– ZSR: ;
– Completa: .
 Transiente + Regime Permanente:
0
, 










 i
R
dt
di
L
dt
di
L
R
i
v
v
i
i
i L
R
R
L
I
R
i
R
dt
di
L
dt
di
L
R
i
I
v
v
i
i
I
i L
R
R
L 










 )
(
,
0
,
)
( 0 


t
e
I
t
i
t
L
R
0
),
1
(
)
( 




t
e
I
t
i
t
L
R
0
),
1
(
)
( 0 






t
e
I
e
I
t
i
t
L
R
t
L
R
0
,
)
(
)
( 0 




t
I
e
I
I
t
i
t
L
R
Sistemas Lineares de Primeira Ordem
 Entrada senoidal (ZSR):
– Entrada: ;
– Homogênea: ;
– Particular: ;
– Completa: .

0
,
)
(
1
0 


t
e
V
t
v
t
RC
h
0
),
cos(
)
( 2 

 t
t
A
t
vp 

0
),
cos(
)
( 1 
 t
t
A
t
E 
0
),
cos(
cos
)
(
)
(
)
( 2
1
2 








t
t
A
e
A
t
v
t
v
t
v
t
RC
p
h 


2
1
2
1
1
2
)
( C
C
R
A
A











 

RC

 
1
tan 1
2
Impedância Elétrica
 Fontes senoidais...
– Elementos simples operando em regime
permanente:
Resistor Capacitor Indutor
 ;
 ;
 ;
 .
)
cos(
)
( 0t
t
i 

)
cos(
)
( 0t
R
t
vR 


)
cos(
)
sen(
)
cos(
)
( 2
0
1
0
1
0
1
0
0





 


  t
t
dt
t
t
v C
C
C
C
)
cos(
)
sen(
)
( 2
0
0
0
0
)
cos( 0 




 





 t
L
t
L
L
t
v dt
t
d
L
Fasores e Números Complexos
 Senóides como exponenciais complexas:
Resistor Capacitor Indutor
 ;
 ;
 ;
 .
 
)
(
Re
)
cos(
)
(
)
( 0
0
t
i
t
t
i
e
t
i C
t
j
C 


 

)
(
)
cos(
)
( 0 t
i
R
t
R
t
vR 


 





 









 )
(
Re
)
(
Re
)
cos(
)
(
0
0
2
0
1
0
t
i
C
j
C
j
t
i
t
t
v C
C
C
C


 

 
)
(
Re
)
cos(
)
( 0
2
0
0 t
i
L
j
t
L
t
v C
L 



 

 
Impedância e Admitância
 Impedância = Resistência + Reatância:
 Resistores: resistência R (real);
 Indutores: reatância indutiva XL() = L – imaginária positiva;
 Capacitores: reatância capacitiva XC() = 1/(C) – imaginária negativa.
 Associação em série: Z() = R + j (XL - XC) (soma fasorial).
 Admitância = Condutância + Susceptância (“permitância”):
 Resistores: condutância G (real);
 Indutores: susceptância indutiva BL() = 1/(L) – imaginária negativa;
 Capacitores: susceptância capacitiva BC() = C – imaginária positiva.
 Assoc. em paralelo: Y() = G + j (BC - BL) (soma fasorial).
Voltando ao Circuito RC...
– Entrada [E(t)]: ;
– Saída [VC(t)]: ;
 Em regime permanente:
– Função de Transferência (é função de ):
0
),
cos(
)
( 1 
 t
t
A
t
E 
0
),
cos(
cos
)
(
)
(
)
( 2
1
2 








t
t
A
e
A
t
v
t
v
t
v
t
RC
p
h 


)
cos(
)
( 2 
 
 t
A
t
v
   
































RC
Z
jX
H
Z
X
A
A
R
H
R
H
C
C
C
C
C
j
C
j









1
tan
)
(
)
(
,
)
(
)
(
)
(
1
2
1
2
2
1
2
1
2
1
2
1
1
2
)
( C
C
R
A
A











 

RC

 
1
tan 1
2
Equivalentes Thévenin e Norton
 Seja uma rede linear “de-uma-porta”
qualquer:
– Caso os componentes passivos sejam
puramente resistivos:
 Zeq = Req;

0
0
0
,
, 





AB
V
N
i
AB
Th
Fontes
AB
eq i
I
V
V
i
V
R
E se houver um elemento não-linear?
 Abordagens:
– Isolar o elemento não-linear e reduzir toda a parte
linear a um Equivalente Thévenin ou Norton:
Ex.:
– Utilizar uma aproximação linear do elemento não-
linear:
 modelos simplificados de uso geral;
 modelos para pequenos sinais...
O Diodo Semicondutor
 Junção P-N:
– Operação:
 Equação geral:
onde:
• IS – corrente de saturação ou de escala,
da ordem de 10-15 ~ 10-9 A (dobra apro-
ximadamente a cada aumento de 5°C);
• VT – tensão térmica  26 mV a 25°C (kT/q);
• n  2 para diodos discretos e  1 para
diodos integrados.
• Para cada década de aumento de corrente,
aumento de cerca de 60 mV (n=1) ou
120 mV (n=2) na tensão direta;
• VD entre cerca de 0,6 e 0,8 V na gama de operação de um diodo.
)
1
( 
  T
D
V
n
V
S
D e
I
I
Diodo – Modelos Lineares
Modelo de
Pequenos Sinais:
D
T
I
V
n
rd


Tipos de Diodo
 Polarizações de operação:
– Direta / reversa:
 Genérico (Vd  0,7V);
 Schottky (metal-semicondutor; Vd  0,3V);
 Túnel (GHz, efeitos quânticos);
– Direta:
 Schokley (PNPN - pulsos);
 LED (Vd depende da cor);
– Reversa:
 Fotodiodo;
 Varicap;
– Ruptura:
 Zener.
Aplicações de Diodos
 Retificador de Meia-Onda:
–
– Tensão inversa de pico:
 VIp = VSp











0
0
0
),
(
,
0
D
S
D
S
d
out
D
S
out
V
V
V
V
r
R
R
V
V
V
V
Aplicações de Diodos
 Retificador de Onda Completa:
– Transformador com tomada central
–
– Tensão inversa de pico:
 VIp = 2VSp – VD0











0
0
0
),
(
,
0
D
S
D
S
d
out
D
S
out
V
V
V
V
r
R
R
V
V
V
V
Aplicações de Diodos
 Retificador de Onda Completa:
– Ponte de diodos
–
– Tensão inversa de pico:
 VIp = VSp – 2VD0 + VD0
= VSp – VD0














0
0
0
2
),
2
(
2
,
0
D
S
D
S
d
out
D
S
out
V
V
V
V
r
R
R
V
V
V
V
Aplicações de Diodos
 Retificador + Filtro Capacitivo:
– Capacitor C em paralelo com a carga R
– Meia Onda Onda Completa:
 
 
r
p
L
DP
r
p
L
DM
p
r
V
V
I
i
V
V
I
i
R
C
f
V
V
/
2
2
1
/
2
1










  
 
)
2
/(
2
1
)
2
/(
1
2
r
p
L
DP
r
p
L
DM
p
r
V
V
I
i
V
V
I
i
R
C
f
V
V












Aplicações de Diodos
 Regulador Zener:
– Análise geral (via Thévenin):
– Regulação de linha:
– Regulação de carga:
L
Z
R
R
S
Z
Z
Z
Z
L
i
i
i
R
i
V
r
i
V
V
V








 0
)
//
(
0 R
r
i
r
R
r
V
r
R
R
V
V Z
L
Z
Z
S
Z
Z
L 




Z
Z
S
L
r
R
r
V
V




)
//
( R
r
I
V
Z
L
L




Aplicações de Diodos
 Circuitos Limitadores ou Ceifadores (Clipping):
Aplicações de Diodos
 Circuitos Grampeadores (Clamping):
– Grampeador positivo:
– Grampeador negativo:
Aplicações de Diodos
 Dobradores de Tensão:
– Meia onda ou “em cascata”:
– Onda completa:
Aplicações de Diodos
 Multiplicador de Tensão:
Redes de Duas Portas
 Genéricas vs. Lineares:
– Parâmetros-y:
– Parâmetros-z:
– Parâmetros-h:
– Parâmetros- g:







2
22
1
21
2
2
12
1
11
1
V
y
V
y
I
V
y
V
y
I







2
22
1
21
2
2
12
1
11
1
I
z
I
z
V
I
z
I
z
V







2
22
1
21
2
2
12
1
11
1
V
h
I
h
I
V
h
I
h
V







2
22
1
21
2
2
12
1
11
1
I
g
V
g
V
I
g
V
g
I
0
1
1
11
2

I
V
I
g
0
2
1
12
1

V
I
I
g
0
1
2
21
2

I
V
V
g
0
2
2
22
1

V
I
V
g
Amplificadores
 Redes de duas portas (idealmente, unidirecionais) que
visam aumentar a magnitude de um sinal
preservando sua morfologia...
 Simbologia:
– Ganhos:
 de Tensão: , de Corrente: , de Potência:
– Amplificador de Tensão ideal:
 g11=0, g12=0, g22=0, g21=Av.
i
o
v
V
V
A 
i
o
i
I
I
A  i
v
i
i
o
o
p A
A
I
V
I
V
A 

Amplificadores
 Representação do Ganho em decibéis (dB):
– Ganho de tensão = 20log10(|Av|) dB;
– Ganho de corrente = 20log10(|Ai|) dB;
– Ganho de potência = 10log10(Ap) dB.
– Não confundir valores negativos em Ax e em dB!
 Se o ganho de potência é maior que 1 (> 0 dB):
– Potência entregue à carga > potência recebida da fonte...
– Necessidade de fonte externa:
 Pdc = V1 I1 + V2 I2;
 Pdc + PI = PL + Pdiss;
 Eficiência:
%
100


dc
L
P
P

Amplificadores
 Saturação:
– Operação:
v
i
v A
L
v
A
L 



Amplificadores
 Não-Linearidade e Polarização (Biasing):
– Operação:
 Vi(t) = vi(t) + vi0;
 Vo(t) = vo(t) + vo0;
 vo(t)  Av· vi(t) :
Q
i
o
v
dv
dv
A 
Modelos para Amplificadores
Tipo Modelo Parâmetro de Ganho Características
Ideais
Amplificador de
Tensão
Ganho de tensão de
circuito aberto
Ri = 
Ro = 0
Amplificador de
Corrente
Ganho de corrente de
curto-circuito
Ri = 0
Ro = 
Amplificador de
Transcondutância
Transcondutância de
curto-circuito
Ri = 
Ro = 
Amplificador de
Transresistência
Transresistência de
circuito aberto
Ri = 0
Ro = 0
)
V/V
(
0


o
i
i
o
vo
v
v
A
)
A/A
(
0


o
v
i
o
is
i
i
A
)
A/V
(
0


o
v
i
o
m
v
i
G
)
V/A
(
0


o
i
i
o
m
i
v
R
Amplificadores
 Exemplos:
– Cascateamento de três estágios de amp. de tensão:
– Transistor bipolar (modelo simplificado de pequenos sinais):
Amplificadores
 Resposta em freqüência:
– Ilustração com base no Amp. de Tensão:
– Largura de banda (bandwidth - BW):
 pontos de 3dB...
)
sen(
)
( t
V
t
v i
i 
 )
sen(
)
( 
 
 t
V
t
v o
o
)
(
)
(
)
(
)
(








T
V
V
T
i
o
Amplificadores
 Resposta em freqüência:
– Exemplo – acoplamento DC (filtro passa-altas):
io = Gm.vi
 Modelo Real Simplificado vs. Modelo Ideal:
Real Simplificado: Ideal:
 A muito grande;  A  
 Ri muito grande;  Ri  ;
 BW: [0 , fH], fH muito grande.  BW  [0 , ).
Realimentação Negativa!!
Amplificadores Operacionais
)
( 
 



 v
v
A
v
A
v i
o
vi  0, para vo finito
em operação linear
 Exemplo – Determine o ganho A para:
– Gm = 10 mA/V;
– R = 10 k;
–  = 100.
Amplificadores Operacionais
 Estrutura interna do famoso Amp. Op. 741:
Amplificadores Operacionais
 Configurações básicas (considerando o modelo ideal):
Amplificador Não-Inversor Amplificador Inversor
 
 ; 
 Ro = 0;  Ro = 0.
 Para R1  : seguidor unitário (buffer unitário).
Amplificadores Operacionais
1
2
1
R
R
R
v
v
A
i
o 





i
i
in
i
v
R
1
2
R
R
A 

1
R
i
v
R
i
i
in 

Dificuldade prática para
fazer A e Rin elevados...
 Exemplo - Amplificador Inversor alternativo:
– Requisitos de projeto:
 A = 100;
 Rin = 1 M;
 R’s  1 M.
Amplificadores Operacionais













3
4
2
4
1
2
1
R
R
R
R
R
R
v
v
A
i
o
 Somador Inversor:
Amplificadores Operacionais












 n
n
f
f
f
o v
R
R
v
R
R
v
R
R
v 
2
2
1
1
 Amplificador Diferencial:
– Pontos fracos:
 Baixa impedância de entrada;
 Dificuldade para alterar o ganho.
Amplificadores Operacionais
 
1
_
1
2
1
2
2 R
R
v
v
R
R
v
Diff
in
o




 Algumas aplicações com capacitor e resistor:
Integrador Diferenciador
Amplificadores Operacionais




t
i
c
o dt
t
v
R
C
v
t
v
0
0 )
(
1
)
(
dt
t
dv
R
C
t
v i
o
)
(
)
( 



Eletronica 1.ppt

  • 1.
    Eletrônica I Prof. IvoCarvalho Engenharia Eletrônica
  • 2.
    Bibliografia  Desoer, C.A.,Kuh, E.S., Basic Circuit Theory, McGraw Hill, 1967.  Sedra, A.S., Smith, K.C., Microelectronic Circuits, 3rd. ed., Harcourt Brace College Publishers, 1991.  Nascimento, D., Slides das Aulas de Eletrônica I – DEL-UFRJ, 2009.
  • 3.
    Temas Gerais  Introduçãoaos elementos discretos lineares;  Conceitos básicos da Teoria de Circuitos;  Dispositivos semicondutores passivos e ativos;  Desenho de circuitos eletrônicos simples com amplificadores operacionais.
  • 4.
    Abordagens  Dimensões comparáveisao menor comprimento de onda () dos sinais de um circuito (ex.: linhas de transmissão): – Modelos de parâmetros distribuídos; – Leis de Maxwell;  Dimensões << : – Modelos de parâmetros concentrados; – Leis de Kirchhoff.
  • 5.
    Grandezas Fundamentais  Tensão(diferença de potencial – d.d.p.): grandeza escalar relacionada ao campo elétrico – unidade: volt (V);  Corrente: escalar relacionada ao fluxo de carga elétrica – unidade: ampère (A);  Potência: taxa de variação da Energia – unidade: watt (W): ;  Energia: trabalho realizado pela corrente – unidade: joule (J): . ) ( ) ( ) ( t i t v t P   dt t P t U t   0 0 0 ) ( ) (
  • 6.
    Definições Iniciais  Nó- qualquer ponto do circuito em que dois ou mais terminais se liguem;  Ramo – caminho único entre dois nós consecutivos;  Malha ou Laço - qualquer caminho fechado seguido sobre ramos de um circuito.
  • 7.
    Leis de Kirchhoff Lei de Kirchhoff de Tensão (LKT ou KVL): – A soma das tensões em uma malha, devidamente orientadas, é nula;  Lei de Kirchhoff de Corrente (LKC ou KCL): – A soma das correntes que entram em um nó é nula.
  • 8.
    Fontes Independentes...  FonteIndependente de Tensão: Pilha / Bateria Fonte DC (CC) Fonte AC  Fonte Independente de Corrente: Fonte DC (CC) ou AC
  • 9.
    Elementos Básicos Símbolo GeralLinear Resistor VR = f (iR) VR = R  iR Capacitor Indutor    t C C C dt i C V V 0 1 ) 0 (     dt i g V C C               dt di h dt d h V L i H L  dt di L V L L 
  • 10.
    Associações de Fontesde Tensão  Associação em série:  Veq = V1 + V2:  Associação em paralelo:  Só é válida quando V1 = V2 = Veq, caso contrário, burla a LKT.
  • 11.
    Associações de Fontesde Corrente  Associação em série:  Só é válida quando I1 = I2 = Ieq, caso contrário, burla a LKC.  Associação em paralelo:  Ieq = I1+I2:
  • 12.
    Associações de ResistoresLineares  Associação em série:  Req = R1 + R2 + ... + Rn  Associação em paralelo:  ;  Geq = G1 + G2 + ... + Gn n eq R R R R 1 ... 1 1 1 2 1    
  • 13.
    Associações de CapacitoresLineares  Associação em série:  ;  Seq = S1 + S2 + ... + Sn  VCeq(0) = VC1(0)+...+VCn(0)  Associação em paralelo:  Ceq = C1 + C2 + ... + Cn;  VCeq(0) = VC1(0) = ... = VCn(0) n eq C C C C 1 ... 1 1 1 2 1    
  • 14.
    Associações de IndutoresLineares  Associação em série:  Leq = L1 + L2 + ... + Ln;  iLeq(0) = iL1(0) = ... = iLn(0).  Associação em paralelo:  ;  eq =  1 +  2 + ... +  n;  iLeq(0) = iL1(0) + ... + iLn(0). n eq L L L L 1 ... 1 1 1 2 1    
  • 15.
    Transformador Ideal  Relaçãoentre tensões e número de espiras nos enrolamentos primário e secundário:  Conservação da potência:  Símbolo: 1 2 1 2 0 2 2 0 1 1 ), sen( ) ( ), sen( ) ( N N A A t A t v t A t v        ) ( ) ( ) ( ) ( 2 2 1 1 t i t v t i t v   
  • 16.
    Sistemas Lineares dePrimeira Ordem  Superposição: – Resposta à entrada nula (ZIR) (vh) – Resposta ao estado nulo (ZSR) (vh+vp)  Circuito RC (t  0):  ZIR: E = 0:  ZSR: Vc(0) = 0: 0 1 ,           v R dt dv C dt dv C R v i i v V V C R R C R E v R dt dv C dt dv C R v E i i v V E V C R R C           1 , Resposta completa.
  • 17.
    Sistemas Lineares dePrimeira Ordem  Respostas: – ZIR: ; – ZSR: ; – Completa: .  ZIR + ZSR vs. Transiente + Regime Permanente: – Transiente (ou transitório): decai com o tempo; – Regime permanente: mantém-se com comportamento intimamente associado à entrada:  . 0 , ) ( 1 0    t e V t v t RC 0 ), 1 ( ) ( 1      t e E t v t RC 0 ), 1 ( ) ( 1 1 0        t e E e V t v t RC t RC 0 , ) ( ) ( 1 0      t E e E V t v t RC
  • 18.
    Sistemas Lineares dePrimeira Ordem  Circuito RL (t  0):  ZIR: I = 0:  ZSR: IL(0) = 0:  Respostas: – ZIR: ; – ZSR: ; – Completa: .  Transiente + Regime Permanente: 0 ,             i R dt di L dt di L R i v v i i i L R R L I R i R dt di L dt di L R i I v v i i I i L R R L             ) ( , 0 , ) ( 0    t e I t i t L R 0 ), 1 ( ) (      t e I t i t L R 0 ), 1 ( ) ( 0        t e I e I t i t L R t L R 0 , ) ( ) ( 0      t I e I I t i t L R
  • 19.
    Sistemas Lineares dePrimeira Ordem  Entrada senoidal (ZSR): – Entrada: ; – Homogênea: ; – Particular: ; – Completa: .  0 , ) ( 1 0    t e V t v t RC h 0 ), cos( ) ( 2    t t A t vp   0 ), cos( ) ( 1   t t A t E  0 ), cos( cos ) ( ) ( ) ( 2 1 2          t t A e A t v t v t v t RC p h    2 1 2 1 1 2 ) ( C C R A A               RC    1 tan 1 2
  • 20.
    Impedância Elétrica  Fontessenoidais... – Elementos simples operando em regime permanente: Resistor Capacitor Indutor  ;  ;  ;  . ) cos( ) ( 0t t i   ) cos( ) ( 0t R t vR    ) cos( ) sen( ) cos( ) ( 2 0 1 0 1 0 1 0 0            t t dt t t v C C C C ) cos( ) sen( ) ( 2 0 0 0 0 ) cos( 0              t L t L L t v dt t d L
  • 21.
    Fasores e NúmerosComplexos  Senóides como exponenciais complexas: Resistor Capacitor Indutor  ;  ;  ;  .   ) ( Re ) cos( ) ( ) ( 0 0 t i t t i e t i C t j C       ) ( ) cos( ) ( 0 t i R t R t vR                       ) ( Re ) ( Re ) cos( ) ( 0 0 2 0 1 0 t i C j C j t i t t v C C C C        ) ( Re ) cos( ) ( 0 2 0 0 t i L j t L t v C L         
  • 22.
    Impedância e Admitância Impedância = Resistência + Reatância:  Resistores: resistência R (real);  Indutores: reatância indutiva XL() = L – imaginária positiva;  Capacitores: reatância capacitiva XC() = 1/(C) – imaginária negativa.  Associação em série: Z() = R + j (XL - XC) (soma fasorial).  Admitância = Condutância + Susceptância (“permitância”):  Resistores: condutância G (real);  Indutores: susceptância indutiva BL() = 1/(L) – imaginária negativa;  Capacitores: susceptância capacitiva BC() = C – imaginária positiva.  Assoc. em paralelo: Y() = G + j (BC - BL) (soma fasorial).
  • 23.
    Voltando ao CircuitoRC... – Entrada [E(t)]: ; – Saída [VC(t)]: ;  Em regime permanente: – Função de Transferência (é função de ): 0 ), cos( ) ( 1   t t A t E  0 ), cos( cos ) ( ) ( ) ( 2 1 2          t t A e A t v t v t v t RC p h    ) cos( ) ( 2     t A t v                                     RC Z jX H Z X A A R H R H C C C C C j C j          1 tan ) ( ) ( , ) ( ) ( ) ( 1 2 1 2 2 1 2 1 2 1 2 1 1 2 ) ( C C R A A               RC    1 tan 1 2
  • 24.
    Equivalentes Thévenin eNorton  Seja uma rede linear “de-uma-porta” qualquer: – Caso os componentes passivos sejam puramente resistivos:  Zeq = Req;  0 0 0 , ,       AB V N i AB Th Fontes AB eq i I V V i V R
  • 25.
    E se houverum elemento não-linear?  Abordagens: – Isolar o elemento não-linear e reduzir toda a parte linear a um Equivalente Thévenin ou Norton: Ex.: – Utilizar uma aproximação linear do elemento não- linear:  modelos simplificados de uso geral;  modelos para pequenos sinais...
  • 26.
    O Diodo Semicondutor Junção P-N: – Operação:  Equação geral: onde: • IS – corrente de saturação ou de escala, da ordem de 10-15 ~ 10-9 A (dobra apro- ximadamente a cada aumento de 5°C); • VT – tensão térmica  26 mV a 25°C (kT/q); • n  2 para diodos discretos e  1 para diodos integrados. • Para cada década de aumento de corrente, aumento de cerca de 60 mV (n=1) ou 120 mV (n=2) na tensão direta; • VD entre cerca de 0,6 e 0,8 V na gama de operação de um diodo. ) 1 (    T D V n V S D e I I
  • 27.
    Diodo – ModelosLineares Modelo de Pequenos Sinais: D T I V n rd  
  • 28.
    Tipos de Diodo Polarizações de operação: – Direta / reversa:  Genérico (Vd  0,7V);  Schottky (metal-semicondutor; Vd  0,3V);  Túnel (GHz, efeitos quânticos); – Direta:  Schokley (PNPN - pulsos);  LED (Vd depende da cor); – Reversa:  Fotodiodo;  Varicap; – Ruptura:  Zener.
  • 29.
    Aplicações de Diodos Retificador de Meia-Onda: – – Tensão inversa de pico:  VIp = VSp            0 0 0 ), ( , 0 D S D S d out D S out V V V V r R R V V V V
  • 30.
    Aplicações de Diodos Retificador de Onda Completa: – Transformador com tomada central – – Tensão inversa de pico:  VIp = 2VSp – VD0            0 0 0 ), ( , 0 D S D S d out D S out V V V V r R R V V V V
  • 31.
    Aplicações de Diodos Retificador de Onda Completa: – Ponte de diodos – – Tensão inversa de pico:  VIp = VSp – 2VD0 + VD0 = VSp – VD0               0 0 0 2 ), 2 ( 2 , 0 D S D S d out D S out V V V V r R R V V V V
  • 32.
    Aplicações de Diodos Retificador + Filtro Capacitivo: – Capacitor C em paralelo com a carga R – Meia Onda Onda Completa:     r p L DP r p L DM p r V V I i V V I i R C f V V / 2 2 1 / 2 1                ) 2 /( 2 1 ) 2 /( 1 2 r p L DP r p L DM p r V V I i V V I i R C f V V            
  • 33.
    Aplicações de Diodos Regulador Zener: – Análise geral (via Thévenin): – Regulação de linha: – Regulação de carga: L Z R R S Z Z Z Z L i i i R i V r i V V V          0 ) // ( 0 R r i r R r V r R R V V Z L Z Z S Z Z L      Z Z S L r R r V V     ) // ( R r I V Z L L    
  • 34.
    Aplicações de Diodos Circuitos Limitadores ou Ceifadores (Clipping):
  • 35.
    Aplicações de Diodos Circuitos Grampeadores (Clamping): – Grampeador positivo: – Grampeador negativo:
  • 36.
    Aplicações de Diodos Dobradores de Tensão: – Meia onda ou “em cascata”: – Onda completa:
  • 37.
    Aplicações de Diodos Multiplicador de Tensão:
  • 38.
    Redes de DuasPortas  Genéricas vs. Lineares: – Parâmetros-y: – Parâmetros-z: – Parâmetros-h: – Parâmetros- g:        2 22 1 21 2 2 12 1 11 1 V y V y I V y V y I        2 22 1 21 2 2 12 1 11 1 I z I z V I z I z V        2 22 1 21 2 2 12 1 11 1 V h I h I V h I h V        2 22 1 21 2 2 12 1 11 1 I g V g V I g V g I 0 1 1 11 2  I V I g 0 2 1 12 1  V I I g 0 1 2 21 2  I V V g 0 2 2 22 1  V I V g
  • 39.
    Amplificadores  Redes deduas portas (idealmente, unidirecionais) que visam aumentar a magnitude de um sinal preservando sua morfologia...  Simbologia: – Ganhos:  de Tensão: , de Corrente: , de Potência: – Amplificador de Tensão ideal:  g11=0, g12=0, g22=0, g21=Av. i o v V V A  i o i I I A  i v i i o o p A A I V I V A  
  • 40.
    Amplificadores  Representação doGanho em decibéis (dB): – Ganho de tensão = 20log10(|Av|) dB; – Ganho de corrente = 20log10(|Ai|) dB; – Ganho de potência = 10log10(Ap) dB. – Não confundir valores negativos em Ax e em dB!  Se o ganho de potência é maior que 1 (> 0 dB): – Potência entregue à carga > potência recebida da fonte... – Necessidade de fonte externa:  Pdc = V1 I1 + V2 I2;  Pdc + PI = PL + Pdiss;  Eficiência: % 100   dc L P P 
  • 41.
  • 42.
    Amplificadores  Não-Linearidade ePolarização (Biasing): – Operação:  Vi(t) = vi(t) + vi0;  Vo(t) = vo(t) + vo0;  vo(t)  Av· vi(t) : Q i o v dv dv A 
  • 43.
    Modelos para Amplificadores TipoModelo Parâmetro de Ganho Características Ideais Amplificador de Tensão Ganho de tensão de circuito aberto Ri =  Ro = 0 Amplificador de Corrente Ganho de corrente de curto-circuito Ri = 0 Ro =  Amplificador de Transcondutância Transcondutância de curto-circuito Ri =  Ro =  Amplificador de Transresistência Transresistência de circuito aberto Ri = 0 Ro = 0 ) V/V ( 0   o i i o vo v v A ) A/A ( 0   o v i o is i i A ) A/V ( 0   o v i o m v i G ) V/A ( 0   o i i o m i v R
  • 44.
    Amplificadores  Exemplos: – Cascateamentode três estágios de amp. de tensão: – Transistor bipolar (modelo simplificado de pequenos sinais):
  • 45.
    Amplificadores  Resposta emfreqüência: – Ilustração com base no Amp. de Tensão: – Largura de banda (bandwidth - BW):  pontos de 3dB... ) sen( ) ( t V t v i i   ) sen( ) (     t V t v o o ) ( ) ( ) ( ) (         T V V T i o
  • 46.
    Amplificadores  Resposta emfreqüência: – Exemplo – acoplamento DC (filtro passa-altas): io = Gm.vi
  • 47.
     Modelo RealSimplificado vs. Modelo Ideal: Real Simplificado: Ideal:  A muito grande;  A    Ri muito grande;  Ri  ;  BW: [0 , fH], fH muito grande.  BW  [0 , ). Realimentação Negativa!! Amplificadores Operacionais ) (        v v A v A v i o vi  0, para vo finito em operação linear
  • 48.
     Exemplo –Determine o ganho A para: – Gm = 10 mA/V; – R = 10 k; –  = 100. Amplificadores Operacionais
  • 49.
     Estrutura internado famoso Amp. Op. 741: Amplificadores Operacionais
  • 50.
     Configurações básicas(considerando o modelo ideal): Amplificador Não-Inversor Amplificador Inversor    ;   Ro = 0;  Ro = 0.  Para R1  : seguidor unitário (buffer unitário). Amplificadores Operacionais 1 2 1 R R R v v A i o       i i in i v R 1 2 R R A   1 R i v R i i in   Dificuldade prática para fazer A e Rin elevados...
  • 51.
     Exemplo -Amplificador Inversor alternativo: – Requisitos de projeto:  A = 100;  Rin = 1 M;  R’s  1 M. Amplificadores Operacionais              3 4 2 4 1 2 1 R R R R R R v v A i o
  • 52.
     Somador Inversor: AmplificadoresOperacionais              n n f f f o v R R v R R v R R v  2 2 1 1
  • 53.
     Amplificador Diferencial: –Pontos fracos:  Baixa impedância de entrada;  Dificuldade para alterar o ganho. Amplificadores Operacionais   1 _ 1 2 1 2 2 R R v v R R v Diff in o    
  • 54.
     Algumas aplicaçõescom capacitor e resistor: Integrador Diferenciador Amplificadores Operacionais     t i c o dt t v R C v t v 0 0 ) ( 1 ) ( dt t dv R C t v i o ) ( ) (   