O documento descreve a estrutura cristalina dos semicondutores de silício e germânio, que possuem uma estrutura cúbica onde cada átomo se liga a quatro vizinhos através de ligações covalentes. Semicondutores podem ser intrínsecos ou extrínsecos, dependendo de impurezas adicionadas que criam portadores de carga adicionais. Semicondutores do tipo N possuem excesso de elétrons, enquanto do tipo P possuem excesso de lacunas.