Este documento discute junções metal-semicondutor. Apresenta a estrutura de uma junção MS, explicando os diagramas de banda de energia e o potencial de built-in. Também aborda o equilíbrio térmico na junção, a operação sob tensão direta e reversa, e a equação de Poisson para análise eletrostática.
1) O documento discute as propriedades magnéticas dos materiais e circuitos magnéticos. 2) A permeabilidade magnética é uma característica que determina a capacidade de um material aceitar linhas de indução magnética em seu interior. 3) Materiais ferromagnéticos como o ferro possuem alta permeabilidade magnética e são amplamente usados em circuitos magnéticos de máquinas elétricas.
O documento descreve os principais aspectos de transformadores elétricos, incluindo níveis de tensão no Brasil para transmissão, subtransmissão e distribuição de energia, aspectos construtivos de transformadores, o conceito de transformador ideal sem perdas e sua operação a vazio e com carga, além de conceitos como razão de transformação, polaridade, rendimento e regulação.
The document discusses EEG of children and sleep activity. It provides background on the use of EEG and describes the different normal EEG waves seen in children including alpha, beta, theta, and delta waves. It discusses how EEG is used to study sleep and outlines the different sleep stages. Key points covered include the international 10-20 system for electrode placement, common EEG artifacts, and physiological measures used to study sleep such as EEG, EOG, and EMG tracings.
O documento discute conceitos de engenharia elétrica relacionados a campos magnéticos, circuitos magnéticos e conversão eletromecânica de energia. Em especial, apresenta a Lei de Ampère, relações entre campo magnético, fluxo e força magnetomotriz, efeitos de entreferros em circuitos magnéticos.
Este relatório apresenta os resultados de uma prática experimental com um transformador abaixador. Foram realizadas medições dos enrolamentos do transformador usando um multímetro, identificando o primário e o secundário. Também foram medidas as tensões de saída no secundário usando um osciloscópio e um multímetro, mostrando redução da tensão como esperado para um transformador abaixador. A frequência da rede elétrica foi calculada com base nos resultados do osciloscópio.
1. An EEG requires electrodes to detect brain wave activity, amplifiers to magnify the small signals, filters to remove unwanted waves, and recording units to document the waves.
2. Proper electrode placement and preparation is important for EEG, including cleaning the scalp, using conductive gel, and ensuring good contact.
3. The 10-20 system standardizes electrode placement locations as a percentage of the skull size, and different areas are labeled based on lobe and laterality (odd numbers left, even right).
The document discusses Schottky diodes. It begins by explaining that a Schottky diode is a semiconductor diode formed by the junction of a semiconductor and metal. It has a low forward voltage drop and very fast switching action. The document then discusses the construction of a Schottky diode, which involves forming a metal-semiconductor junction. Finally, it provides some key applications of Schottky diodes, such as for voltage clamping due to their low forward voltage drop, and in switched-mode power supplies due to their efficiency.
Electrical status epilepticus in sleep (ESES) is an electroencephalographic pattern showing significant epileptiform discharges during sleep. Two clinical syndromes associated with ESES are continuous spike wave in slow-wave sleep (CSWS) and Landau-Kleffner syndrome (LKS). CSWS often presents with global regression and loss of language or cognitive skills, while LKS primarily involves language regression. Treatment of ESES focuses on antiepileptic drugs and corticosteroids, with the goal of resolving seizures and discharges to improve long-term neuropsychological outcomes.
1) O documento discute as propriedades magnéticas dos materiais e circuitos magnéticos. 2) A permeabilidade magnética é uma característica que determina a capacidade de um material aceitar linhas de indução magnética em seu interior. 3) Materiais ferromagnéticos como o ferro possuem alta permeabilidade magnética e são amplamente usados em circuitos magnéticos de máquinas elétricas.
O documento descreve os principais aspectos de transformadores elétricos, incluindo níveis de tensão no Brasil para transmissão, subtransmissão e distribuição de energia, aspectos construtivos de transformadores, o conceito de transformador ideal sem perdas e sua operação a vazio e com carga, além de conceitos como razão de transformação, polaridade, rendimento e regulação.
The document discusses EEG of children and sleep activity. It provides background on the use of EEG and describes the different normal EEG waves seen in children including alpha, beta, theta, and delta waves. It discusses how EEG is used to study sleep and outlines the different sleep stages. Key points covered include the international 10-20 system for electrode placement, common EEG artifacts, and physiological measures used to study sleep such as EEG, EOG, and EMG tracings.
O documento discute conceitos de engenharia elétrica relacionados a campos magnéticos, circuitos magnéticos e conversão eletromecânica de energia. Em especial, apresenta a Lei de Ampère, relações entre campo magnético, fluxo e força magnetomotriz, efeitos de entreferros em circuitos magnéticos.
Este relatório apresenta os resultados de uma prática experimental com um transformador abaixador. Foram realizadas medições dos enrolamentos do transformador usando um multímetro, identificando o primário e o secundário. Também foram medidas as tensões de saída no secundário usando um osciloscópio e um multímetro, mostrando redução da tensão como esperado para um transformador abaixador. A frequência da rede elétrica foi calculada com base nos resultados do osciloscópio.
1. An EEG requires electrodes to detect brain wave activity, amplifiers to magnify the small signals, filters to remove unwanted waves, and recording units to document the waves.
2. Proper electrode placement and preparation is important for EEG, including cleaning the scalp, using conductive gel, and ensuring good contact.
3. The 10-20 system standardizes electrode placement locations as a percentage of the skull size, and different areas are labeled based on lobe and laterality (odd numbers left, even right).
The document discusses Schottky diodes. It begins by explaining that a Schottky diode is a semiconductor diode formed by the junction of a semiconductor and metal. It has a low forward voltage drop and very fast switching action. The document then discusses the construction of a Schottky diode, which involves forming a metal-semiconductor junction. Finally, it provides some key applications of Schottky diodes, such as for voltage clamping due to their low forward voltage drop, and in switched-mode power supplies due to their efficiency.
Electrical status epilepticus in sleep (ESES) is an electroencephalographic pattern showing significant epileptiform discharges during sleep. Two clinical syndromes associated with ESES are continuous spike wave in slow-wave sleep (CSWS) and Landau-Kleffner syndrome (LKS). CSWS often presents with global regression and loss of language or cognitive skills, while LKS primarily involves language regression. Treatment of ESES focuses on antiepileptic drugs and corticosteroids, with the goal of resolving seizures and discharges to improve long-term neuropsychological outcomes.
Calibration of an EEG machine involves checking various parameters to ensure accurate measurements. It is important as it allows correct interpretation of recordings and comparison to previous studies. Parameters checked include paper speed, pen alignment, centering and damping, time constant, high frequency filter, sensitivity, amplitude linearity, gain, noise level and more. Verifying these helps identify any issues needing adjustment and confirms the machine is functioning properly.
O documento discute as Leis de Kirchhoff para circuitos elétricos. Apresenta as definições fundamentais como ramo, nó e malha e explica a Lei das Correntes de Kirchhoff e a Lei das Tensões de Kirchhoff. Resolve exemplos numéricos aplicando as leis para determinar correntes e tensões em diferentes circuitos.
This document describes various artifacts that can be seen on an EEG, including their characteristics and origins. It discusses physiological artifacts like eye movements, cardiac activity, EMG, and environmental artifacts. Specific artifacts covered include eye blinks, lateral eye movements, pulse artifacts, muscle activity from chewing or swallowing, sweat artifacts, 60Hz noise, electrode movement, IV drips, and more. The document provides examples of many of these artifacts and how they appear on an EEG recording.
1) The document discusses the Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) capacitor, which is important for understanding MOSFET operation.
2) It describes the energy band diagrams and carrier accumulation, depletion, and inversion in MOS capacitors under different bias conditions for both p-type and n-type semiconductor substrates.
3) Key concepts covered include the flat-band voltage, threshold voltage, effects of oxide charges, and maximum depletion width.
Periodic Lateralized Epileptiform Discharges (PLEDs) are repeating waveforms seen on EEG that occur at regular intervals and are localized to one hemisphere. They are commonly seen after acute cortical injuries like stroke and infections. PLEDs are classified based on their pattern and presence of additional rhythmic discharges. They indicate unstable brain physiology resulting from seizures, injury or metabolic disturbances. While not strictly ictal, PLEDs are associated with increased risk of clinical seizures. Prognosis depends on the underlying cause, with acute severe strokes having the worst outcomes. Treatment involves antiepileptic drugs mainly if clinical seizures are present.
This document discusses various EEG artifacts and benign variants that can appear on an EEG reading. It describes mechanical artifacts such as those caused by electromagnetic interference, electrostatic interference, radio frequency interference, and instrument artifacts. It also discusses biological artifacts including those from eye movements, cardiac/pulse activity, electromyography, movement, skin potentials, and tongue movements. Some benign rhythmic activities and epileptiform variants are also outlined such as frontal arousal rhythm, midline theta rhythm, and 14-16Hz positive bursts. Proper identification and differentiation of artifacts and variants is important for accurate EEG interpretation.
[1] O documento descreve os diagramas de blocos de funções (FBD), uma linguagem gráfica de programação para controladores lógicos programáveis. [2] Os blocos lógicos correspondem a uma linguagem intermediária que inclui funções de temporização pré-definidas, facilitando a criação de programas. [3] O documento também explica portas lógicas como AND, OR, NAND e NOR usando circuitos elétricos e tabelas-verdade.
This presentation looks at EEG signal generation, pyramidal cells, recording of EEG, source localisation, polarity, analysis of dipole, derivations, montages,
Este documento apresenta um estudo sobre as perdas em um transformador monofásico sob diferentes condições de operação. Foram realizados testes em um transformador de 1 kVA para medir as perdas no núcleo e enrolamentos sem carga e com cargas resistiva e indutiva. Os resultados experimentais foram comparados a simulações no Simulink usando o circuito equivalente do transformador.
Amplificador expandible en potencia hasta 1500 wattscauqui
El documento presenta diferentes configuraciones y componentes para construir amplificadores de potencia de hasta 1500W. Incluye tablas con la cantidad de transistores, voltaje máximo y carga de parlantes permitida, así como diagramas eléctricos y esquemas de conexión para versiones cuasicomplementaria NPN y complementaria con transistores NPN y PNP. También contiene información sobre la posición de componentes, máscaras y circuitos impresos.
Séries fourier cap_3 Exemplos de Séries de FourierCiro Marcus
1) O documento apresenta exemplos de cálculo de séries de Fourier para diferentes funções periódicas, como onda quadrada, onda triangular e onda dente de serra.
2) São mostrados os passos de cálculo dos coeficientes de Fourier a_n e b_n para cada função por meio das fórmulas de Euler-Fourier.
3) Os resultados são expressos como séries infinitas que aproximam cada função periódica original.
This project report describes building a light detector circuit using a NAND gate integrated circuit. The circuit uses a light dependent resistor (LDR) and resistors in a voltage divider configuration to produce different logic levels at the inputs of the NAND gate depending on light conditions. When dark, the LDR has high resistance and the NAND gate output is low, turning off an LED. When light, the LDR resistance drops and the NAND gate output goes high, powering the LED. The circuit exploits how an LDR's resistance changes with light to effectively detect light and dark conditions.
- EEG patterns change significantly during prenatal development and early childhood as brain maturation occurs rapidly, especially during the first year of life.
- In preterm infants, EEG organization into behavioral sleep states like wakefulness, active sleep, and quiet sleep is seen by 35 weeks gestation.
- In full-term newborns, active sleep makes up about 50% of total sleep and is characterized by features like anterior slow dysrhythmia and frontal sharp transients. Quiet sleep shows a trace alternans pattern.
- During infancy, features continue developing with sleep spindles and vertex sharp waves emerging between 2-6 months. The theta rhythm in wakefulness localizes to rolandic-occ
Este documento apresenta um resumo do programa de uma disciplina de Análise de Sinais e Sistemas ministrada pelo professor K. Z. Nóbrega. O programa aborda tópicos como definição de sinais e sistemas, tipos de sinais e operações sobre sinais, propriedades e tipos de sistemas, representação de sistemas por equações diferenciais, convolução, análise de Fourier, transformada de Laplace e transformada Z. A bibliografia inclui 4 referências sobre o tema. Informações adicionais sobre apoio
O documento discute conceitos fundamentais de eletricidade e eletrônica, incluindo geração, transmissão e distribuição de energia, corrente contínua e alternada, resistores, capacitores, semicondutores e circuitos integrados. Também apresenta experimentos práticos relacionados a esses tópicos que podem ser realizados em laboratório.
The CMOS fabrication process in VLSI.
CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor) is the term usually used to describe the small amount of memory on a computer motherboard that stores the BIOS settings.
This document is a presentation by Dr. Lynn Fuller on Gallium Arsenide (GaAs) devices, technologies, and integrated circuits. It provides an overview and comparison of silicon and GaAs, describes GaAs crystal growth techniques like molecular beam epitaxy (MBE), and discusses GaAs field effect transistors (MESFETs) and the fabrication process for GaAs integrated circuits. The presentation contains numerous diagrams and equations to illustrate concepts in GaAs device physics and fabrication processes.
Tunnel diodes have the following key properties:
1. They were invented in 1957 and work by allowing electrons to tunnel through a very narrow p-n junction using the quantum tunneling effect.
2. They have an unusual current-voltage characteristic with a negative-resistance region, which makes them useful for high-frequency oscillators.
3. Their main applications are in high-speed switching, signal detection, and frequency generation due to their ability to operate at frequencies into the microwave range resulting from their fast switching speeds.
A 4 month old baby presented with infantile spasms. The EEG showed a hypsarrhythmic background pattern with high amplitude, poorly organized brain waves. An asynchronous slow wave correlated with the baby's clinical spasm. This is consistent with West syndrome, which is characterized by the triad of infantile spasms, arrest of psychomotor development, and hypsarrhythmia on EEG.
The document discusses how a magazine represents social groups through its genre and artist. For genre, the magazine covers different genres each month to appeal to more readers rather than focusing on one genre. This issue features some pop music articles as the quirky, colorful cover suggests a pop artist. For the artist, the magazine aims to show artists as they truly are. The bright colors and bubbly pose of the cover artist portray her as a happy, innocent, fun, and imaginative person who cares about her appearance.
Water covers 70% of the Earth's surface, but only 3% is freshwater. Over 97% of the total water on Earth is saline. Freshwater is vital for human life, as water makes up 70% of the human body. It regulates body temperature, lubricates joints, and is essential for every cell to function properly. Humans need a daily supply of fresh water to make up for losses from normal body functions like respiration and perspiration. Water has many important everyday uses like drinking, bathing, cleaning, cooking, washing, and more.
Calibration of an EEG machine involves checking various parameters to ensure accurate measurements. It is important as it allows correct interpretation of recordings and comparison to previous studies. Parameters checked include paper speed, pen alignment, centering and damping, time constant, high frequency filter, sensitivity, amplitude linearity, gain, noise level and more. Verifying these helps identify any issues needing adjustment and confirms the machine is functioning properly.
O documento discute as Leis de Kirchhoff para circuitos elétricos. Apresenta as definições fundamentais como ramo, nó e malha e explica a Lei das Correntes de Kirchhoff e a Lei das Tensões de Kirchhoff. Resolve exemplos numéricos aplicando as leis para determinar correntes e tensões em diferentes circuitos.
This document describes various artifacts that can be seen on an EEG, including their characteristics and origins. It discusses physiological artifacts like eye movements, cardiac activity, EMG, and environmental artifacts. Specific artifacts covered include eye blinks, lateral eye movements, pulse artifacts, muscle activity from chewing or swallowing, sweat artifacts, 60Hz noise, electrode movement, IV drips, and more. The document provides examples of many of these artifacts and how they appear on an EEG recording.
1) The document discusses the Metal-Oxide-Semiconductor (MOS) capacitor, which is important for understanding MOSFET operation.
2) It describes the energy band diagrams and carrier accumulation, depletion, and inversion in MOS capacitors under different bias conditions for both p-type and n-type semiconductor substrates.
3) Key concepts covered include the flat-band voltage, threshold voltage, effects of oxide charges, and maximum depletion width.
Periodic Lateralized Epileptiform Discharges (PLEDs) are repeating waveforms seen on EEG that occur at regular intervals and are localized to one hemisphere. They are commonly seen after acute cortical injuries like stroke and infections. PLEDs are classified based on their pattern and presence of additional rhythmic discharges. They indicate unstable brain physiology resulting from seizures, injury or metabolic disturbances. While not strictly ictal, PLEDs are associated with increased risk of clinical seizures. Prognosis depends on the underlying cause, with acute severe strokes having the worst outcomes. Treatment involves antiepileptic drugs mainly if clinical seizures are present.
This document discusses various EEG artifacts and benign variants that can appear on an EEG reading. It describes mechanical artifacts such as those caused by electromagnetic interference, electrostatic interference, radio frequency interference, and instrument artifacts. It also discusses biological artifacts including those from eye movements, cardiac/pulse activity, electromyography, movement, skin potentials, and tongue movements. Some benign rhythmic activities and epileptiform variants are also outlined such as frontal arousal rhythm, midline theta rhythm, and 14-16Hz positive bursts. Proper identification and differentiation of artifacts and variants is important for accurate EEG interpretation.
[1] O documento descreve os diagramas de blocos de funções (FBD), uma linguagem gráfica de programação para controladores lógicos programáveis. [2] Os blocos lógicos correspondem a uma linguagem intermediária que inclui funções de temporização pré-definidas, facilitando a criação de programas. [3] O documento também explica portas lógicas como AND, OR, NAND e NOR usando circuitos elétricos e tabelas-verdade.
This presentation looks at EEG signal generation, pyramidal cells, recording of EEG, source localisation, polarity, analysis of dipole, derivations, montages,
Este documento apresenta um estudo sobre as perdas em um transformador monofásico sob diferentes condições de operação. Foram realizados testes em um transformador de 1 kVA para medir as perdas no núcleo e enrolamentos sem carga e com cargas resistiva e indutiva. Os resultados experimentais foram comparados a simulações no Simulink usando o circuito equivalente do transformador.
Amplificador expandible en potencia hasta 1500 wattscauqui
El documento presenta diferentes configuraciones y componentes para construir amplificadores de potencia de hasta 1500W. Incluye tablas con la cantidad de transistores, voltaje máximo y carga de parlantes permitida, así como diagramas eléctricos y esquemas de conexión para versiones cuasicomplementaria NPN y complementaria con transistores NPN y PNP. También contiene información sobre la posición de componentes, máscaras y circuitos impresos.
Séries fourier cap_3 Exemplos de Séries de FourierCiro Marcus
1) O documento apresenta exemplos de cálculo de séries de Fourier para diferentes funções periódicas, como onda quadrada, onda triangular e onda dente de serra.
2) São mostrados os passos de cálculo dos coeficientes de Fourier a_n e b_n para cada função por meio das fórmulas de Euler-Fourier.
3) Os resultados são expressos como séries infinitas que aproximam cada função periódica original.
This project report describes building a light detector circuit using a NAND gate integrated circuit. The circuit uses a light dependent resistor (LDR) and resistors in a voltage divider configuration to produce different logic levels at the inputs of the NAND gate depending on light conditions. When dark, the LDR has high resistance and the NAND gate output is low, turning off an LED. When light, the LDR resistance drops and the NAND gate output goes high, powering the LED. The circuit exploits how an LDR's resistance changes with light to effectively detect light and dark conditions.
- EEG patterns change significantly during prenatal development and early childhood as brain maturation occurs rapidly, especially during the first year of life.
- In preterm infants, EEG organization into behavioral sleep states like wakefulness, active sleep, and quiet sleep is seen by 35 weeks gestation.
- In full-term newborns, active sleep makes up about 50% of total sleep and is characterized by features like anterior slow dysrhythmia and frontal sharp transients. Quiet sleep shows a trace alternans pattern.
- During infancy, features continue developing with sleep spindles and vertex sharp waves emerging between 2-6 months. The theta rhythm in wakefulness localizes to rolandic-occ
Este documento apresenta um resumo do programa de uma disciplina de Análise de Sinais e Sistemas ministrada pelo professor K. Z. Nóbrega. O programa aborda tópicos como definição de sinais e sistemas, tipos de sinais e operações sobre sinais, propriedades e tipos de sistemas, representação de sistemas por equações diferenciais, convolução, análise de Fourier, transformada de Laplace e transformada Z. A bibliografia inclui 4 referências sobre o tema. Informações adicionais sobre apoio
O documento discute conceitos fundamentais de eletricidade e eletrônica, incluindo geração, transmissão e distribuição de energia, corrente contínua e alternada, resistores, capacitores, semicondutores e circuitos integrados. Também apresenta experimentos práticos relacionados a esses tópicos que podem ser realizados em laboratório.
The CMOS fabrication process in VLSI.
CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor) is the term usually used to describe the small amount of memory on a computer motherboard that stores the BIOS settings.
This document is a presentation by Dr. Lynn Fuller on Gallium Arsenide (GaAs) devices, technologies, and integrated circuits. It provides an overview and comparison of silicon and GaAs, describes GaAs crystal growth techniques like molecular beam epitaxy (MBE), and discusses GaAs field effect transistors (MESFETs) and the fabrication process for GaAs integrated circuits. The presentation contains numerous diagrams and equations to illustrate concepts in GaAs device physics and fabrication processes.
Tunnel diodes have the following key properties:
1. They were invented in 1957 and work by allowing electrons to tunnel through a very narrow p-n junction using the quantum tunneling effect.
2. They have an unusual current-voltage characteristic with a negative-resistance region, which makes them useful for high-frequency oscillators.
3. Their main applications are in high-speed switching, signal detection, and frequency generation due to their ability to operate at frequencies into the microwave range resulting from their fast switching speeds.
A 4 month old baby presented with infantile spasms. The EEG showed a hypsarrhythmic background pattern with high amplitude, poorly organized brain waves. An asynchronous slow wave correlated with the baby's clinical spasm. This is consistent with West syndrome, which is characterized by the triad of infantile spasms, arrest of psychomotor development, and hypsarrhythmia on EEG.
The document discusses how a magazine represents social groups through its genre and artist. For genre, the magazine covers different genres each month to appeal to more readers rather than focusing on one genre. This issue features some pop music articles as the quirky, colorful cover suggests a pop artist. For the artist, the magazine aims to show artists as they truly are. The bright colors and bubbly pose of the cover artist portray her as a happy, innocent, fun, and imaginative person who cares about her appearance.
Water covers 70% of the Earth's surface, but only 3% is freshwater. Over 97% of the total water on Earth is saline. Freshwater is vital for human life, as water makes up 70% of the human body. It regulates body temperature, lubricates joints, and is essential for every cell to function properly. Humans need a daily supply of fresh water to make up for losses from normal body functions like respiration and perspiration. Water has many important everyday uses like drinking, bathing, cleaning, cooking, washing, and more.
Este documento presenta información sobre un estudiante llamado Andrés Felipe Delgado que asiste al Colegio Nicolás Esguerra. Contiene su nombre, apellido y número de identificación, así como cuatro tópicos sobre rotar, reflejar, posicionar e inclinar objetos.
Makalah ini membahas tentang ekonomi teknik dengan fokus pada analisis rate of return. Makalah ini menjelaskan konsep dasar analisis rate of return, asumsi, dan penggunaannya. Beberapa metode analisis rate of return dijelaskan seperti internal rate of return (IRR) dan contoh kasus.
The document describes a student's ideal house, which is a mansion that has a big swimming pool and garden with a fountain. It also has a Ford Mustang car. The house does not have a Fiat Seat 600 car or any carp or orchard. The house has a green and black bathroom, a plasma TV, and 3 plants. It also has a bar and cinema on the first floor but does not have a pink wall or dance floor or karaoke.
Este documento presenta una introducción al hardware de una computadora. Explica que el hardware incluye la computadora y sus periféricos, y describe los componentes principales de la computadora como la placa base, procesador y memoria RAM. Además, clasifica los periféricos en de entrada, salida y almacenamiento, e incluye ejemplos como el teclado, monitor, disco duro y elementos de red como el router.
Flowchart digunakan untuk menggambarkan alur proses suatu sistem dan terbagi menjadi beberapa jenis seperti sistem, dokumen, skematik, program dan proses. Setiap jenis flowchart memiliki tujuan khusus seperti menjelaskan alur kerja sistem secara keseluruhan, alur dokumen, langkah program, atau analisis proses manufaktur. Flowchart membantu memahami hubungan antarproses dan urutan yang terjadi.
El documento presenta una lista de términos relacionados con formas geométricas básicas como elipse, polígono, espirales simétricas, espirales logaritmícas, estrella perfecta, estrella compleja, formas de flecha y formas de notas. También menciona programas como Corel Draw que pueden usarse para crear estas formas.
The document provides advice on improving sales pitches by focusing on the audience rather than the company. It notes that most pitches focus on details about the company but the audience does not care about these things. It recommends asking three questions - who is the audience, what is their problem, and how can you help - to craft a pitch that addresses the audience's needs directly. An example is given of reframing a pitch to discuss the audience's situation and how the company can help solve their problem. The overall message is to change the focus of sales pitches from the company to the audience in order to generate more interest, sales, and profits.
The document promotes the website www.dtrendy.net and offers logo and banner samples for resellers to purchase for P3,500. The website and its branding materials are mentioned repeatedly throughout.
O documento discute os efeitos das dimensões em nanoestruturas condutoras. Resume que em condutores macroscópicos a resistência é proporcional à condutividade e dimensões, mas em nanoestruturas a relação muda dependendo do grau de desordem e localização dos portadores. Sistemas altamente condutores seguem a relação macroscópica, enquanto sistemas desordenados apresentam transporte localizado e dependência exponencial da resistência com o comprimento.
The document provides step-by-step instructions for creating a Facebook fan page for a clothing store. It details logging into Facebook and clicking "Create Page", selecting "Brand or Product" and then "Clothing", agreeing to terms and conditions, typing the store name and description, adding the website URL, uploading a logo, adding the page to favorites, and inviting friends to like the new page. The fan page creation process is complete once these steps are followed.
This document provides information for interns participating in AIESEC Cambodia's Cambodian Education Discovery project. The 6-week project involves teaching English to children in NGOs, organizing an event to raise awareness of Cambodian education, and assisting orphans. Details are given on job descriptions, visa guidelines, accommodations, expenses, partner organizations, and contacts.
El documento describe diferentes tipos de rellenos uniformes y degradados que pueden aplicarse a objetos, incluyendo rellenos uniformes con una sola tonalidad de color, rellenos degradados lineales, cónicos y cuadrados con mezclas de colores, rellenos degradados de dos colores y rellenos de patrón personalizados con imágenes. También presenta una herramienta de editor de patrones para crear rellenos personalizados.
The document discusses hobbies and creates a new list ranking them. It first notes an online list that ranked cooking over sports, which the boys felt was incorrect. They then make their own list, putting sport first, new technologies second, and studies third. The document explains that studies is third because you need to be realistic. It adds that music was forgotten in the lists but should be above all as a lifelong passion across generations. Finally, it concludes that times and passions change.
As junções metal-semicondutor têm grande aplicabilidade na fabricação de dispositivos eletrônicos, tais como diodos, fotodetectores, transistores de efeito de campo, entre
outros. Um material pode ser classificado segundo a sua condutividade como metal, isolante ou semicondutor.
Essa classificação pode ser feita através da posição do nível de Fermi nesses materiais.
O documento descreve os princípios básicos de dispositivos eletromagnéticos. Explica a lei de Faraday-Lenz sobre indução eletromagnética e como isso gera uma força contra-eletromotriz. Também discute o balanço energético em circuitos magnéticos, perdas por histerese em núcleos ferromagnéticos, e como o fluxo magnético depende da tensão aplicada mas não das propriedades do material do núcleo quando alimentado por corrente alternada.
Contacto entre metal e semicondutor. determinação experimental da diferença d...Adilson Andrade
1. O documento descreve um experimento para determinar a diferença de potencial de contato em um díodo Schottky de germânio tipo n.
2. A teoria sobre junções metal-semicondutor e a característica corrente-tensão de díodos Schottky é apresentada.
3. A resistência diferencial do díodo é medida em diferentes temperaturas e é usada para calcular a diferença de potencial de contato.
(1) O documento discute a condução de corrente elétrica através de diferentes materiais, incluindo metais, sólidos iônicos fundidos e em solução aquosa, e sólidos covalentes.
(2) A condução em metais ocorre devido aos elétrons de valência que se comportam como elétrons livres, permitindo alta mobilidade. A lei de Ohm relaciona corrente, tensão e resistência.
(3) Sólidos iônicos são isolantes quando sólidos devido às ligações
Este documento discute as ligações metálicas e a teoria das bandas de energia para explicar a condutividade elétrica nos sólidos metálicos. Explica-se que as ligações metálicas ocorrem devido aos elétrons de valência serem compartilhados entre os átomos vizinhos, formando ligações deslocalizadas. A teoria das bandas mostra como a combinação dos orbitais atômicos forma bandas de energia quase contínuas nos sólidos, com a banda de valência parcial
1) O documento descreve os conceitos básicos de corrente elétrica, incluindo a estrutura atômica, movimento de elétrons, condutores e isolantes.
2) A lei de Ohm é explicada, relacionando tensão, corrente e resistência em um circuito elétrico.
3) As leis de Kirchhoff são introduzidas, incluindo a lei das tensões e a lei das correntes para analisar circuitos elétricos.
aula 7 transistores unijunção e efeito de campo.pptxBenedito32
[1] O documento descreve os principais tipos de transistores de junção e de efeito de campo, incluindo suas estruturas e funcionamento. [2] Apresenta os transistores uni-junção, JFET e MOSFET, explicando como cada um controla o fluxo de corrente e pode ser usado como um interruptor ou amplificador. [3] Também discute cuidados importantes com MOSFETs para protegê-los de descargas eletrostáticas que podem danificar seus finos óxidos de gate.
Este documento resume as propriedades dos semicondutores e o funcionamento dos diodos semicondutores. Explica como os semicondutores podem ser do tipo N ou P dependendo do dopante usado, e como uma junção PN cria uma barreira de potencial. Descreve o comportamento de uma junção PN sob polarização direta e inversa, incluindo suas curvas características.
Este documento é uma lista de exercícios sobre inorgânica para alunos de química do 3o período. Contém 13 questões sobre propriedades elétricas de sólidos, teoria de ligação em cristais, classificação de condutores, semicondutores e isolantes, e estrutura de bandas em semicondutores intrínsecos e extrínsecos.
O documento descreve um curso sobre dispositivos semicondutores no qual são estudados o capacitor MOS e o transistor MOS. O conteúdo programático inclui revisão de semicondutores, diagrama de bandas, regimes de cargas no capacitor MOS, características do transistor MOS e efeitos em dispositivos. A avaliação é feita por duas provas com pesos diferentes na nota final.
Este documento contém um questionário sobre soldadura respondido por um aluno. No questionário, o aluno descreve: 1) Os tipos de máquinas de soldar mais utilizadas, incluindo geradores, transformadores/rectificadores e inversores; 2) O princípio de funcionamento de máquinas transformadoras e rectificadoras; 3) O significado de fator de marcha em máquinas de soldar.
1) O documento introduz os conceitos fundamentais da teoria dos semicondutores, comparando-a com a teoria dos tubos de vácuo.
2) Apresenta os principais materiais semicondutores, como silício e germânio, e explica como a estrutura de bandas de energia determina seu comportamento elétrico.
3) Discorre sobre os fenômenos de transporte em semicondutores, explicando como a temperatura gera pares elétron-lacuna que conduzem corrente nos dois sentidos através das bandas de
Este documento discute conceitos fundamentais de eletromagnetismo para engenheiros. Primeiro, apresenta alguns fenômenos eletromagnéticos observados experimentalmente, como força em condutores imersos em campos magnéticos e indução de tensão em condutores em movimento. Em seguida, define grandezas como indução magnética, campo magnético e permeabilidade magnética para modelar matematicamente esses fenômenos.
O documento descreve como um campo magnético é produzido por uma corrente elétrica de acordo com a descoberta de Hans Christian Oersted em 1820. Explica como o campo magnético é gerado por condutores retos, espiras circulares, bobinas e solenoides, e como determinar a direção e intensidade do campo magnético em diferentes situações.
O documento descreve os circuitos magnéticos e sua analogia com circuitos elétricos. Circuitos magnéticos direcionam o fluxo magnético para onde for desejado usando materiais com propriedades magnéticas específicas. As características magnetizantes dos materiais são não lineares e devem ser consideradas no projeto de dispositivos eletromagnéticos. Circuitos com núcleos de ar ou materiais não ferromagnéticos são considerados magneticamente lineares.
O documento fornece uma introdução sobre noções básicas de eletrostática, incluindo:
1) A estrutura atômica e a constituição de átomos com prótons, nêutrons e elétrons;
2) A carga elétrica elementar e como calcular a carga total de um corpo com base no número de prótons ou elétrons;
3) Elétrons livres e como eles conduzem a corrente elétrica em materiais condutores.
Este documento descreve um experimento realizado para levantar as curvas de magnetização de dois indutores, um com núcleo de ferro-silício e outro com núcleo de ferrite. As curvas foram construídas variando a tensão aplicada e medindo a corrente correspondente. A curva do ferrite mostrou uma região linear mais extensa, enquanto a do ferro-silício atingiu saturação com campos magnéticos menores, tornando-o mais adequado para aplicações de indutores.
O documento discute propriedades elétricas, térmicas, ópticas e magnéticas de materiais. Apresenta conceitos como condutividade elétrica, resistividade, semicondutores intrínsecos e extrínsecos, bandas de energia, condução em semicondutores e operação de diodos. Também aborda propriedades magnéticas como ferromagnetismo, domínios magnéticos e curva de histerese.
Fonte simples 5,6 volts regulada com zener e transistorZeca Leite
O documento descreve os componentes usados em um projeto para construir uma fonte de alimentação e um amplificador. Ele explica as características e simbologia do transformador, diodo, capacitor, resistor e transistor bipolar usados no circuito, além de detalhar o funcionamento do amplificador de tensão com transistor.
1) O documento discute o ciclo de criação e destruição do ozônio na estratosfera, representado pela equação de destruição do ozônio pela luz ultravioleta solar. A frequência dos fótons de luz ultravioleta que corresponde à energia de quebra da molécula de ozônio é aproximadamente 15x1014 Hz.
2) O documento apresenta uma série de questões sobre conceitos atômicos e propriedades de elementos químicos.
3) As questões abordam tópicos como os
Solução da equação diferencial de Bessel no Maple de duas maneiras diferentes: (1) Usando o comando dsolve e plot. (2) Usando o pacote DEtools e comando DEplot
1) O documento discute como encontrar os zeros de uma função transcendental usando o software Maple.
2) A função é definida e graficada para identificar possíveis raízes.
3) Os comandos fsolve e NSolve do Maple podem ser usados para calcular as raízes numericamente, considerando o intervalo físico relevante.
De formas primitivas de memória até a DRAM traz uma discussão sobre memórias nos computadores eletro-mecânicos, tais como as memórias baseadas em tubos à vácuo, a evolução, a memoria DRUM, depois as memórias de núcleo magnético, e enfim o advento da DRAM por Robert Dennard.
Nesta apresentação vamos ensinar passo-a-passo como extrair pontos de um gráfico que você deseje comparar com outros resultados disponíveis que você tenha, gerando um arquivo de dados que pode ser salvo com extensão .txt ou .dat, por exemplo.
O documento descreve a Máquina Analítica projetada por Charles Babbage em 1837, considerada o primeiro computador programável. A máquina poderia armazenar e processar números de até 40 dígitos usando milhares de engrenagens. Sua programação era feita através de cartões perfurados semelhantes aos usados em teares da época, permitindo executar operações matemáticas e tomar decisões condicionais.
Charles Babbage como um visionário, concebe a primeira ideia de um computador através do desenvolvimento da sua Máquina Analítica. Suas idéias se aproximavam muito mais dos cientistas da metade do século XX do que os de sua época. Babbage chegava a muitas soluções que eram inviáveis em seu tempo. O que teria feito esse gênio se vivesse nos tempos modernos ?
O documento descreve a evolução dos computadores mecanizados, desde a Máquina Diferencial de Charles Babbage até a máquina de Scheutz. Scheutz foi inspirado pelo projeto de Babbage e construiu seu próprio modelo. Ele e seu filho construíram então uma máquina de metal funcional e receberam apoio do governo sueco. Sua máquina foi a primeira demonstração concreta do potencial das máquinas matemáticas e recebeu reconhecimento internacional.
A Máquina Diferencial de Babbage era uma máquina de calcular mecânica projetada para calcular tabelas matemáticas de forma automática através de um sistema de engrenagens. Se construída, teria 7 eixos verticais principais para processar números de até 20 dígitos e poderia calcular funções constantes e não constantes como logaritmos de forma aproximada.
O projeto da Máquina Diferencial de Charles Babbage e as dificuldades enfrentadas na Londres do século XVIII para se implementar um projeto ambicioso para a sua época. Também, as dificuldades de investimento para uma das mais importantes realizações que contribuíram para o advento do computador no século XX. E as sabotagens de Clement, o engenheiro chefe, no projeto da Máquina Diferencial. Tudo isso, e muito mais, nesta apresentação, 12 - A Evolução do Pensamento Mecanizado.
O documento descreve a teoria por trás da máquina diferencial, um dos primeiros computadores mecanizados projetados por Charles Babbage no século 19. A máquina usaria o método de diferenças constantes para calcular tabelas numéricas de forma automatizada. Após receber apoio financeiro do governo britânico, Babbage iniciou a construção da máquina, marcando o início de um dos projetos mais influentes da história da computação.
Charles Babbage teve a ideia de que tabelas numéricas poderiam ser calculadas por máquinas após ver tabelas de logaritmos na Sociedade Analítica em Cambridge. Ele projetou a Máquina Diferencial, capaz de calcular tabelas usando o método de diferenças constantes e imprimi-las em placas de metal, eliminando erros. Um protótipo de seis dígitos provou a viabilidade do conceito.
1. Gottfried Wilhelm Leibniz inventou a primeira calculadora mecânica, chamada de Stepped Reckoner, na década de 1670 em Paris. 2. O Stepped Reckoner usava uma engrenagem especial conhecida como roda de Leibniz para realizar operações de multiplicação mecanicamente. 3. Embora revolucionária, a máquina de Leibniz não funcionou na prática devido a problemas mecânicos em seu mecanismo de transporte.
O documento descreve o funcionamento do diodo IMPATT (Avalanche de ionização por impacto e de Tempo de Trânsito), um dispositivo semicondutor usado para gerar sinais de micro-ondas. O diodo IMPATT utiliza o processo de avalanche em uma junção PN sob tensão reversa para gerar portadores de carga, cujo tempo de trânsito através da região N produz uma defasagem entre a tensão e a corrente, permitindo que o dispositivo oscile a frequências de micro-ondas quando polarizado corretamente.
Nesta apresentação, a número 7 da série, dando continuidade ao processo de evolução do pensamento mecanizado, vamos falar sobre a que é considerada a primeira máquina calculadora com impacto histórico, a calculadora de Blaise Pascal, mostrada ao público em 1646, ou aproximadamente, e que apesar de suas deficiências técnicas, ilustra a tentativa do homem no processo de mecanizar um trabalho intelectual, como a aritmética. São discutidas o contexto histórico em que a máquina de Blaise se desenvolveu, suas razões, e problemas vividos em uma época tão distante, a 400 anos atrás, mas problemas ainda tão contemporâneos. Sem dúvida alguma, esta apresentação ilustra a genialidade de um homem, que mesmo vivendo em uma época com tão poucos recursos técnicos e científicos, esculpiu na madeira e no ferro, a expressão mais sublime da sua genialidade, a Pascaline.
1) O documento descreve a invenção da primeira calculadora mecânica por Wilhelm Schickard em 1623, antecipando a máquina de Pascal.
2) A calculadora de Schickard foi destruída em um incêndio antes que pudesse ser enviada para Kepler, mas Schickard descreveu a máquina em cartas.
3) Essas cartas foram redescobertas em 1935, levando à reconstrução da máquina de Schickard e ao reconhecimento de sua importância histórica.
O documento descreve as características do capacitor MOS, incluindo como o potencial de superfície, largura da região de depleção e carga no substrato variam com a tensão de gate. Explica que o potencial de superfície aumenta até atingir 2ψB na tensão de limiar, quando a interface entra em regime de inversão. A largura da região de depleção também aumenta com a tensão de gate até saturar em Wdmax na inversão. A carga no substrato é composta por componentes de acumulação, dep
O documento discute a diferença entre sistemas analógicos e digitais, usando como exemplo um velocímetro (analógico) e um odômetro (digital) em carros. Sistemas analógicos medem variáveis de forma contínua, enquanto sistemas digitais contam itens de forma discreta. O documento também menciona alguns dos primeiros computadores analógicos desenvolvidos na Grécia Antiga, como um mecanismo encontrado em um navio naufragado que calculava órbitas planetárias.
O documento descreve a evolução da matemática mecanizada, desde os primeiros ábacos até os números hindo-arábicos modernos. Começando com os ábacos primitivos feitos de areia ou madeira, o documento explica como eles foram amplamente usados na Europa e em outras civilizações antigas. Finalmente, os números hindo-arábicos foram adotados gradualmente na Europa entre os séculos XIII e XVII, apesar de inicial confusão e resistência, devido a conceitos como zero e valor posicional.
A evolução do pensamento mecanizado até os computadores atuais começou com o trabalho de matemáticos como Napier e Gunter, que desenvolveram representações físicas dos logaritmos. Posteriormente, Oughtred inventou a régua de cálculo circular, permitindo multiplicações e divisões rápidas, e popularizou símbolos como "x". No entanto, disputas surgiram sobre quem realmente inventou a régua circular.
1) O documento discute o transistor bipolar de junção (TBJ), sua configuração base comum e suas curvas características de entrada e saída.
2) A curva característica de entrada do TBJ na configuração base comum é semelhante à curva de um diodo, enquanto a curva característica de saída apresenta três regiões distintas: corte, saturação e ativa.
3) A região ativa é a mais utilizada em aplicações de amplificação por apresentar comportamento linear, permitindo menor distor
1. P R O F A . R E G I A N E R A G I
Contato metal-semicondutor
2. Introdução
Junções metal-semicondutor (MS) são de grande importância
na eletrônica uma vez que estão presentes em todos os
dispositivos semicondutores.
Elas podem comportar-se quer como :
• uma barreira Schottky, em homenagem a Walter Schottky
• ou como um contacto ôhmico
dependendo das características da interface.
Vamos nos concentrar essencialmente nas barreiras Schottky.
http://ecee.colorado.edu/~bart/book/book/content3.htm
3. Introdução
O estudo que iremos mostrar nesta apresentação contém uma
análise eletrostática da junção MS, incluindo
• o calculo da carga,
• do campo elétrico e
• da distribuição de potencial dentro do dispositivo.
Este estudo também contém uma derivação das características
de corrente-tensão devido à difusão, emissão termiônica e
tunelamento nas junções Metal-Semicondutor, seguido de uma
discussão de contatos MS e MESFETs.
4. Estrutura da
junção metal-semicondutor
A estrutura de uma junção de metal-semicondutor é mostrada na
Figura 1, para o caso específico de contato entre um metal e um
semicondutor tipo-n.
Semicondutor
tipo -n
metal Contato ôhmico
xW0 + -
I
Va
Figura 1
5. Estrutura da junção metal-
semicondutor
À direita supõe-se um contato ôhmico, enquanto que a esquerda
considera-se um contato Schottky. Um contato ôhmico ideal é um
contato em que não existe nenhum potencial entre o metal e o
semicondutor.
A convenção de sinais de tensão e corrente aplicada também é
mostrado na Figura 1.
Semicondutor
Tipo -nmetal
Contato ôhmico
xW0 + -
I
Va
Figura 1
metal
Contato Schottky
6. Diagrama de flat-band e
potencial de built-in
Por outro lado, há uma diferença de potencial entre o metal e o
semicondutor no lado esquerdo da estrutura mostrada na Figura
1, no contato Schottky.
Semicondutor
Tipo -nmetal
Contato ôhmico
xW0 + -
I
Va
Figura 1
metal
Contato Schottky
7. Diagrama de flat-band e
potencial de built-in
Figura 2 - Diagrama de banda de energia do metal e do semicondutor: (a) antes do
contato ser feito e (b) após.
De fato, uma barreira de potencial entre o metal e o semicondutor
no lado esquerdo pode ser identificada através de um diagrama
de banda de energia, como o mostrado na Figura 2.
Figura 2
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8. Diagrama de flat-band e
potencial de built-in
Figura 2 - Diagrama de banda de energia do metal e do semicondutor: (a) antes do
contato ser feito e (b) após.
Para construir tal diagrama, em primeiro lugar consideramos o
diagrama de banda de energia do metal e do semicondutor
isoladamente, e os nivelamos com o mesmo nível de vácuo, como
mostrado na Figura 2a.
Figura 2
http://ecee.colorado.edu/~bart/book/book/content3.htm
9. Diagrama de flat-band e potencial de
built-in
Figura 2 - Diagrama de banda de energia do metal e do semicondutor: (a) antes do
contato ser feito e (b) após.
Quando o metal e semicondutores são unidos, as energias de
Fermi do metal e do semicondutor não se alteram
imediatamente. Isto produz o diagrama de flat-band mostrado
na Figura 2b.
Figura 2
http://ecee.colorado.edu/~bart/book/book/content3.htm
10. Diagrama de flat-band e potencial de
built-in
Figura 2 - Diagrama de banda de energia do metal e do semicondutor: (a) antes do
contato ser feito e (b) após.
A altura da barreira, φB, é definida como a diferença de
potencial entre a energia de Fermi do metal e o fundo da banda,
de condução onde os portadores majoritários residem.
Figura 2
http://ecee.colorado.edu/~bart/book/book/content3.htm
11. Diagrama de flat-band e potencial de
built-in
Figura 2 - Diagrama de banda de energia do metal e do semicondutor: (a) antes do
contato ser feito e (b) após.
A partir da Figura 2b, verifica-se que para um semicondutor do
tipo-n a altura da barreira é obtida a partir a equação:
(1)
Figura 2
http://ecee.colorado.edu/~bart/book/book/content3.htm
12. Diagrama de flat-band e potencial de
built-in
Figura 2 - Diagrama de banda de energia do metal e do semicondutor: (a) antes do
contato ser feito e (b) após.
Onde φM é a função trabalho do metal e χ é a afinidade
eletrônica do semicondutor, ambas amplamente tabeladas.
Figura 2
(1)
http://ecee.colorado.edu/~bart/book/book/content3.htm
13. Diagrama de flat-band e potencial de
built-in
Figura 2 - Diagrama de banda de energia do metal e do semicondutor: (a) antes do
contato ser feito e (b) após.
Para material do tipo-p, a altura da barreira é dada pela diferença
entre o topo da banda de valência e a energia de Fermi no metal.
(2)
Figura 2
http://ecee.colorado.edu/~bart/book/book/content3.htm
14. A função trabalho de metais selecionados medida sob vácuo
podem ser encontrados na Tabela 1.
15. A altura da barreira φB medida para algumas junções metal-
semicondutor encontram-se listadas na Tabela 1.
Estas alturas experimentais barreira muitas vezes diferem dos
calculados usando (1) ou (2).
16. Reações químicas entre o metal e o semicondutor alteram a
altura da barreira, bem como também os estados da interface
na superfície do semicondutor e camadas interfaciais.
Algumas tendências gerais no entanto, ainda pode ser
observadas.
17. Como previsto por (1), a altura da barreira em semicondutores
do tipo n aumenta de metais com uma função de trabalho mais
elevada como pode ser verificado para o silício.
Arseneto de gálio por o outro lado é conhecido por ter uma
grande densidade de estados de superfície, de modo que a altura
da barreira torna-se praticamente independente do metal.
18. Além disso, verifica-se que as alturas de barreira reportados na
literatura para variam amplamente também devido a diferentes
procedimentos de limpeza de superfícies.
19. O diagrama de flatband, mostrado na Figura 2b, não é um
diagrama de equilíbrio térmico, uma vez que a energia de
Fermi no metal difere daquela do semicondutor.
Equilíbrio térmico
Figura 2
20. Equilíbrio térmico
Como é possível observar analisando-se a Figura 2b, elétrons
no semicondutor tipo-n devem diminuir sua energia ao
atravessar a junção. À medida que os elétrons deixam o
semicondutor, cargas positivas, devido aos átomos doadores
ionizados presentes no semicondutor, ficam para trás.
Figura 3
Figura 2
21. Esta carga cria um campo negativo e diminui o fundo da banda
de condução do semicondutor.
Equilíbrio térmico
Figura 3 - Diagrama de banda de energia de um contato metal-semicondutor em
equilíbrio térmico.
22. Os elétrons fluem para o metal até que o equilíbrio seja
alcançado entre a difusão dos elétrons do semicondutor para o
metal e o drift dos elétrons provocados pelo campo criado
pelos átomos de impurezas ionizadas.
Equilíbrio térmico
Figura 3
23. Este equilíbrio é caracterizado por uma energia de Fermi
constante em toda a estrutura.
Equilíbrio térmico
Figura 3
24. É interessante observar que em equilíbrio térmico, isto é, sem
tensão externa aplicada, existe uma região no semicondutor,
próximo à junção, a qual é depletada de portadores móveis.
Equilíbrio térmico
Figura 3
25. Chamamos isso de região de depleção.
O potencial através do semicondutor é igual ao potencial de
built-in, φi.
Equilíbrio térmico
Figura 3
26. Tensão direta e tensão reversa
O modo de operação de uma junção metal-semicondutor sob
tensão de polarização direta e reversa é ilustrada na Figura 4.
Figura 4
27. Tensão direta e tensão reversa
À medida que uma polarização positiva é aplicada ao metal
(Figura 4 (a)), a energia de Fermi do metal é reduzida em relação
à energia de Fermi no semicondutor.
Figura 4
28. Tensão direta e tensão reversa
Isto resulta numa menor queda de potencial através do
semicondutor.
Figura 4
29. Tensão direta e tensão reversa
O equilíbrio entre a difusão e deriva é perturbado e mais
elétrons irão difundir para o metal do que o número deriva para
o semicondutor.
Figura 4
30. Tensão direta e tensão reversa
Isto leva a uma corrente positiva através da junção com uma
tensão comparável ao potencial de built-in.
Figura 4
31. Tensão direta e tensão reversa
Figura 4
À medida que uma tensão negativa é aplicada (Figura 4 (b)), a
energia de Fermi do metal é aumentada em relação à energia
de Fermi no semicondutor.
32. Tensão direta e tensão reversa
Figura 4
O potencial através do semicondutor aumenta, dando origem a
uma região de depleção maior e um maior campo elétrico na
interface.
33. Tensão direta e tensão reversa
Figura 4
A barreira, que limita os elétrons em direção ao metal,
mantém-se inalterada, de modo que, essa barreira,
independente da tensão de polarização aplicada, limita o fluxo
de elétrons.
34. Tensão direta e tensão reversa
Figura 4
A junção metal-semicondutor com uma altura de barreira de
potencial positiva, tem, portanto, um comportamento de
retificação pronunciado.
35. Tensão direta e tensão reversa
Figura 4
Existe uma grande corrente sob polarização direta, enquanto
que quase nenhuma corrente existe sob polarização reversa.
36. Tensão direta e tensão reversa
Figura 4
O potencial através do semicondutores equivale, portanto, a
tensão de built-in , φi, menos o aplicado, Va
(3)
37. Equação de Poisson
A análise eletrostática de uma junção metal-semicondutor é de
grande interesse, uma vez que fornece conhecimento sobre a
carga e campo na região de depleção.
Também é necessário para obter as características de
capacitância-tensão do diodo e de muitos outros dispositivos.
38. A análise geral começa definindo-se a equação de Poisson:
onde a densidade de carga, ρ, é escrita como uma função da
densidade de lacunas, de elétrons, de doadores e de aceitadores.
Para resolver a equação, temos de expressar a densidade de
elétrons e de lacunas, n e p, como uma função do potencial φ,
obtendo-se:
com
onde o potencial é escolhido para ser igual a zero na região tipo n,
em que x >> xn.
(4)
(5)
39. Esta equação diferencial não-linear de segunda ordem não
pode ser resolvida analiticamente.
Em vez disso, podemos fazer uma hipótese simplificadora de
que a região de depleção está totalmente depletada e que as
regiões neutras adjacentes contem nenhuma carga.
Essa aproximação de depleção total é o nosso próximo assunto.
(5)
40. Aproximação de depleção total
O modelo analítico simplificado da junção metal-
semicondutor é baseado na aproximação de depleção total.
Essa aproximação é obtida assumindo que o semicondutor é
totalmente depletado ao longo de uma distância xd, chamada
a região de depleção.
Embora esta hipótese não forneça uma distribuição de carga
precisa, ela fornece expressões aproximadas muito razoáveis
para o campo elétrico e potencial ao longo de todo o
semicondutor.
41. Análise da depleção total
Podemos agora aplicar a aproximação de depleção total a uma
junção MS com semicondutor tipo-n.
Definimos a região de depleção entre a interface metal-
semicondutor (x = 0) e a extremidade da região de depleção
(x = xd).
A largura da camada de depleção, xd, é desconhecida, neste
ponto, mas, em um outro momento, será expressa como uma
função da tensão aplicada.
42. Análise da depleção total
Para encontrarmos a largura da camada de depleção,
começamos definindo a densidade de carga no semicondutor e
calculamos o campo elétrico e o potencial por todo o
semicondutor, em função da largura da camada de depleção.
Em seguida, calculamos a largura da camada de depleção,
exigindo que o potencial através do semicondutor seja igual à
diferença entre o alto-potencial e a tensão aplicada, .fi - Va
43. Análise da depleção total
As diferentes etapas da análise são ilustrados na figura abaixo.
Figura 5
(a) densidade de
carga, (b), campo
elétrico,
(c) potencial e (d)
energia, tal como
obtido com a análise
depleção total.
44. Análise da depleção total
À medida que o semicondutor é depletado de portadores
móveis dentro da região de depleção, a densidade de carga na
região é devido aos doadores ionizados.
Fora da região de depleção, o semicondutor é assumido neutro.
Isso gera as seguintes expressões para a densidade de carga, ρ :
onde assumimos ionização total para que a densidade de
doadores ionizado seja igual à densidade de doadores, Nd.
45. Análise da depleção total
Esta densidade de carga é
mostrada na Figura 5 (a).
A carga no semicondutor é
completamente balanceada
pela carga no metal, QM, de
modo que nenhum campo
elétrico existe, exceto em
torno da interface metal-
semicondutor.
Figura 5
46. Análise da depleção total
Usando lei de Gauss obtemos o campo elétrico em função da
posição, também mostrado na Figura 5 (b)
onde es é a constante dielétrica do semiconductor.
47. Análise da depleção total
Nós também assumimos que o campo elétrico é zero fora da
região de depleção, uma vez que um campo diferente de zero
faria com que os portadores móveis se redistribuíssem até que
não houvesse mais nenhum campo.
O maior valor (absoluto) do campo elétrico é obtido na
interface e é dada por:
onde o campo elétrico também foi relacionado à carga total
(por unidade de área), Qd, na camada de depleção
48. Análise da depleção total
Uma vez que o campo elétrico é menos o gradiente do potencial,
pode-se obter o potencial através da integração da expressão
para o campo elétrico, dando origem a:
49. Análise da depleção total
Vamos agora assumimos que o potencial através do metal possa
ser desprezado.
Uma vez que a densidade de portadores livres no metal é muito
alta, a espessura da camada de carga no metal é muito fina.
Por conseguinte, o potencial através do metal é várias ordens de
grandeza menor do que através do semicondutor, mesmo que a
quantidade total de carga seja a mesma em ambas as regiões.
50. Análise da depleção total
A diferença de potencial total através do semicondutor é igual ao
potencial de built-in, φi, em equilíbrio térmico e é ainda mais
reduzida/aumentada pela tensão aplicada quando uma tensão
positiva/negativa é aplicada ao metal como descrito pela
equação:
Esta condição de contorno fornece a seguinte relação entre o
potencial de semicondutores na superfície, a tensão aplicada e a
largura da camada de depleção:
51. Análise da depleção total
Resolvendo essa expressão para a largura da camada
depleção, xd, resulta