Programa da aula
1
 Introdução/Evolução
 Transistor Bipolar
 Características construtivas
 Funcionamento como amplificador
 Configurações básicas
 Curva característica
 Reta de carga
 Circuitos de polarização
 Transistor como regulador
 Bibliografia
Introdução
2
 Em 1948, na Bell Telephone, um grupo de
pesquisadores, liderados por Shockley,
apresentou um dispositivo formado por três
camadas de material semicondutor com tipos
alternados, ou seja, um dispositivo com duas
junções. O dispositivo recebeu o nome de
TRANSISTOR.
Introdução
3
Figura 1 - O primeiro transistor de junção de germânio da Bell Laboratories, 1950
Evolução
4
Figura 2 – Evolução do Transistor
Evolução
5
 Descrição da imagem anterior:
 1941: Válvula termiônica usada em telecomunicações;
 1948: Point-contact transistor, seis meses após sua
invenção;
 1955: Transistor que substituiu as válvulas ou tubos a
vácuo em equipamentos de comunicação em rede;
 1957: Amplificador de faixa larga de alta frequência;
 1967: Microchip, usado para produzir os tones (sons)
em aparelhos de telefone;
 1997: Chip, que pode conter mais de 5 milhões de
transistores, usados em modems e celulares.
Evolução
6
 O transistor subtituiu as válvulas na maioria
das aplicações eletrónicas.
 O transistor contribuiu para todas as
invenções relacionadas, como os circuitos
integrados, componentes opto-eletrónicos e
microprocessadores.
Evolução
7
 Praticamente todos os equipamentos
eletrónicos projetados hoje em dia usam
componentes semicondutores. As vantagens
sobre as difundidas válvulas eram bastantes
significativas, tais como:
 Menor tamanho, mais leve e mais resistente
 Não precisava de filamento
 Mais eficiente, pois dissipa menos potência
 Não necessita de tempo de aquecimento
 Menores tensões de alimentação
Transistor Bipolar
8
 O transistor pode controlar a corrente;
 Ele é montado numa estrutura de cristais
semicondutores, formando duas camadas de
um tipo (N) e no meio delas o outro cristal (P);
 Cada uma dessas camadas recebe um nome em
relação à sua função na operação do transistor;
Figura 3 - Transistor da esquerda é chamado de NPN e o outro de PNP
Transistor Bipolar
9
 Características construtivas
 Da mesma forma que nos diodos, são
formadas barreiras de potencial nas junções
das camadas P e N.
Figura 4 – Barreiras de potencial nos transistores NPN e PNP
Transistor Bipolar
10
 Funcionamento como amplificador (NPN)
 Polarizando diretamente a junção emissor-base
Figura 5 – Polarização direta da junção emissor-base
Transistor Bipolar
11
 Funcionamento como amplificador (NPN)
 Polarizando inversamente a junção base-coletor
Figura 6 – Polarização reversa da junção base-coletor
Transistor Bipolar
12
 Funcionamento como amplificador (NPN)
 Polarização completa, a corrente de coletor IC passa
a ser controlada pela corrente de base IB.
Figura 7 – Transistor controlando corrente
Transistor Bipolar
13
 Funcionamento como amplificador (cont.)
 Um aumento na corrente de base IB provoca
um aumento na corrente de coletor IC.
 A corrente de base sendo bem menor que a
corrente de coletor, uma pequena variação de
IB provoca uma grande variação de IC. Isto
significa que a variação de corrente de coletor
é um reflexo amplificado da variação da
corrente na base.
Transistor Bipolar
14
 Funcionamento como amplificador (cont.)
 O fato do transistor possibilitar a amplificação
de um sinal faz com que ele seja considerado
um dispositivo ativo.
 Este efeito amplificação, denominado ganho
de corrente, pode ser expresso
matematicamente pela relação entre a
variação de corrente do coletor e a variação
da corrente de base , isto é:
Transistor Bipolar
15
 Funcionamento como amplificador (cont.)
Figura 8 – Efeito Amplificação no Transistor NPN
Transistor Bipolar
16
 Tensões e Correntes nos Transistores
IE = IC + IB IE = IC + IB
VCE = VBE + VCB VEC = VEB + VBC
Figura 9 - Tensões e Correntes
Transistor Bipolar
17
 Configurações Básicas
 Os transistores podem ser utilizados em três configurações
básicas: Base Comum (BC), Emissor comum (EC), e Coletor
comum (CC). O termo comum significa que o terminal é
comum a entrada e a saída do circuito.
Figura 10 - Configurações Básicas
Transistor Bipolar
18
 Configurações Básicas (cont.)
Base Comum
Ganho de tensão elevado
Ganho de corrente menor que 1
Ganho de potência intermediário
Impedância de entrada baixa
Impedância de saída alta
Coletor Comum
Ganho de tensão menor que 1
Ganho de corrente elevado
Ganho de potência intermediário
Impedância de entrada alta
Impedância de saída baixa
Emissor Comum
Ganho de tensão elevado
Ganho de corrente elevado
Ganho de potência elevado
Impedância de entrada baixa
Impedância de saída alta
Transistor Bipolar
19
 Configurações Básicas (cont.)
 A configuração Emissor-Comum é a mais
utilizada em circuitos transistorizados.
 Por isso, os diversos parâmetros dos
transistores fornecidos pelos manuais
técnicos têm como referência esta
configuração.
Transistor Bipolar
20
 Curva Característica - EC
 Podemos trabalhar com a chamada curva
característica de entrada. Para cada valor
constante de VCE, varia-se a tensão de entrada
VBE, obtendo-se uma corrente de entrada IB,
resultando num gráfico conforme figura abaixo.
 Observa-se que é possível controlar a corrente
de base, variando-se a tensão entre a base e o
emissor.
Transistor Bipolar
21
 Curva Característica – EC
Figura 11 - Curva Característica de Entrada EC
Transistor Bipolar
22
 Curva Característica – EC
 Para cada constante de corrente de entrada
IB, variando-se a tensão de saída VCE, obtém-
se uma corrente de saída IC, cujo gráfico tem
o seguinte aspecto.
Transistor Bipolar
23
 Curva Característica – EC
Figura 12 -Curva Característica de Saída EC
Transistor Bipolar
24
 Funcionamento como chave
 A utilização do transistor nos seus estados de
SATURAÇÃO e CORTE, isto é, de modo que ele
ligue conduzindo totalmente a corrente entre
emissor e o coletor, ou desligue sem conduzir
corrente alguma é conhecido como operação
como chave.
 No exemplo a seguir, ao se ligar a chave S1,
fazendo circular uma corrente pela base do
transistor, ele satura e acende a lâmpada.
Transistor Bipolar
25
 Funcionamento como chave
 O resistor ligado a base é calculado, de forma que,
a corrente multiplicada pelo ganho dê um valor
maior do que o necessário o circuito do coletor, no
caso, a lâmpada.
Figura 13 – Exemplo de utilização como chave
Transistor Bipolar
26
 Funcionamento como chave
Figura 14 – Analogia de um transistor com uma chave
Transistor Bipolar
27
 Ponto de Operação (Quiescente)
 Os transistores são utilizados como elementos
de amplificação de corrente e tensão, ou como
elementos de controle ON-OFF. Tanto para
estas como para outras aplicações, o
transistor deve estar polarizado corretamente.
 Polarizar um transistor é fixá-lo num ponto de
operação em corrente contínua, dentro de
suas curvas características.
Transistor Bipolar
28
 Ponto de Operação (Quiescente)
 Também chamado de polarização DC, este
ponto de operação (ou quiescente) pode estar
localizado nas regiões de corte, saturação ou
ativa da curva característica de saída.
 Os pontos QA (região ativa), QB (região de
saturação) e QC (região de corte) da figura a
seguir caracterizam as três regiões citadas.
Transistor Bipolar
29
 Ponto de Operação (Quiescente)
Figura 15 – Pontos Quiescentes de um Transistor
Transistor Bipolar
30
 Reta de carga
 É o lugar geométrico de todos os pontos de operação
possíveis para uma determinada polarização.
Figura 16 – Reta de Carga de um Transistor
Transistor Bipolar
31
 Circuito de Polarização em Emissor
Comum
 Nesta configuração, a junção BE é polarizada
diretamente e a junção BC reversamente.
Para isso, utilizam-se duas baterias e dois
resistores para limitar as correntes e fixar o
ponto de operação.
E
B
C
IB
IC
VCC
VBB
RB
RC
IE
Transistor Bipolar
32
 Circuito de Polarização em Emissor Comum
 Malha de entrada: RB.IB + VBE = VBB então,
 Malha de saída: RC
.IC
+VCE
=VCC
então,
E
B
C
IB
IC
VCC
VBB
RB
RC
IE
R
V V
I
B
BB BE
B


R
V V
I
C
CC CE
C


Transistor Bipolar
33
 Circuito de polarização EC com corrente
de base constante
 Para eliminar a fonte de alimentação da base
VBB, pode-se utilizar somente a fonte VCC.
 Para garantir as tensões corretas para o
funcionamento do transistor RB
deve ser
maior que RC
.
E
B
C
IB
IC
VCC
RB
RC
IE
Transistor Bipolar
34
 Circuito de polarização EC com corrente
de base constante
E
B
C
IB
IC
VCC
RB
RC
IE
R
V V
I
B
CC BE
B


R
V V
I
C
CC CE
C


Transistor Bipolar
35
 Circuito de Polarização EC com corrente de
emissor constante.
 Neste circuito de polarização é inserido um resistor
RE entre o emissor e a fonte de alimentação
 A idéia é compensar possíveis variações de ganho
devido a mudanças de temperatura.
E
B
C
IB
IC
VCC
RB
RC
IE
RE
Transistor Bipolar
36
 Circuito de Polarização EC com corrente
de emissor constante
 Adota-se VRE = VCC / 10
E
B
C
IB
IC
VCC
RB
RC
IE
RE
R
V V R I
I
B
CC BE E E
B

  .
R
V V R I
I
C
CC CE E E
C

  .
Bibliografia
37
 MARQUES, Angelo Eduardo B.; CHOUERI
JÚNIOR, Salomão; CRUZ, Eduardo Cesar Alves.
Dispositivos semicondutores: diodos e
transistores. 11. ed. São Paulo: Érica, 2007.
Fim
38
O B R I G A D O
<gustavo.lima@ifrn.edu.br>

O transístor e sua constituição e utilidade

  • 1.
    Programa da aula 1 Introdução/Evolução  Transistor Bipolar  Características construtivas  Funcionamento como amplificador  Configurações básicas  Curva característica  Reta de carga  Circuitos de polarização  Transistor como regulador  Bibliografia
  • 2.
    Introdução 2  Em 1948,na Bell Telephone, um grupo de pesquisadores, liderados por Shockley, apresentou um dispositivo formado por três camadas de material semicondutor com tipos alternados, ou seja, um dispositivo com duas junções. O dispositivo recebeu o nome de TRANSISTOR.
  • 3.
    Introdução 3 Figura 1 -O primeiro transistor de junção de germânio da Bell Laboratories, 1950
  • 4.
    Evolução 4 Figura 2 –Evolução do Transistor
  • 5.
    Evolução 5  Descrição daimagem anterior:  1941: Válvula termiônica usada em telecomunicações;  1948: Point-contact transistor, seis meses após sua invenção;  1955: Transistor que substituiu as válvulas ou tubos a vácuo em equipamentos de comunicação em rede;  1957: Amplificador de faixa larga de alta frequência;  1967: Microchip, usado para produzir os tones (sons) em aparelhos de telefone;  1997: Chip, que pode conter mais de 5 milhões de transistores, usados em modems e celulares.
  • 6.
    Evolução 6  O transistorsubtituiu as válvulas na maioria das aplicações eletrónicas.  O transistor contribuiu para todas as invenções relacionadas, como os circuitos integrados, componentes opto-eletrónicos e microprocessadores.
  • 7.
    Evolução 7  Praticamente todosos equipamentos eletrónicos projetados hoje em dia usam componentes semicondutores. As vantagens sobre as difundidas válvulas eram bastantes significativas, tais como:  Menor tamanho, mais leve e mais resistente  Não precisava de filamento  Mais eficiente, pois dissipa menos potência  Não necessita de tempo de aquecimento  Menores tensões de alimentação
  • 8.
    Transistor Bipolar 8  Otransistor pode controlar a corrente;  Ele é montado numa estrutura de cristais semicondutores, formando duas camadas de um tipo (N) e no meio delas o outro cristal (P);  Cada uma dessas camadas recebe um nome em relação à sua função na operação do transistor; Figura 3 - Transistor da esquerda é chamado de NPN e o outro de PNP
  • 9.
    Transistor Bipolar 9  Característicasconstrutivas  Da mesma forma que nos diodos, são formadas barreiras de potencial nas junções das camadas P e N. Figura 4 – Barreiras de potencial nos transistores NPN e PNP
  • 10.
    Transistor Bipolar 10  Funcionamentocomo amplificador (NPN)  Polarizando diretamente a junção emissor-base Figura 5 – Polarização direta da junção emissor-base
  • 11.
    Transistor Bipolar 11  Funcionamentocomo amplificador (NPN)  Polarizando inversamente a junção base-coletor Figura 6 – Polarização reversa da junção base-coletor
  • 12.
    Transistor Bipolar 12  Funcionamentocomo amplificador (NPN)  Polarização completa, a corrente de coletor IC passa a ser controlada pela corrente de base IB. Figura 7 – Transistor controlando corrente
  • 13.
    Transistor Bipolar 13  Funcionamentocomo amplificador (cont.)  Um aumento na corrente de base IB provoca um aumento na corrente de coletor IC.  A corrente de base sendo bem menor que a corrente de coletor, uma pequena variação de IB provoca uma grande variação de IC. Isto significa que a variação de corrente de coletor é um reflexo amplificado da variação da corrente na base.
  • 14.
    Transistor Bipolar 14  Funcionamentocomo amplificador (cont.)  O fato do transistor possibilitar a amplificação de um sinal faz com que ele seja considerado um dispositivo ativo.  Este efeito amplificação, denominado ganho de corrente, pode ser expresso matematicamente pela relação entre a variação de corrente do coletor e a variação da corrente de base , isto é:
  • 15.
    Transistor Bipolar 15  Funcionamentocomo amplificador (cont.) Figura 8 – Efeito Amplificação no Transistor NPN
  • 16.
    Transistor Bipolar 16  Tensõese Correntes nos Transistores IE = IC + IB IE = IC + IB VCE = VBE + VCB VEC = VEB + VBC Figura 9 - Tensões e Correntes
  • 17.
    Transistor Bipolar 17  ConfiguraçõesBásicas  Os transistores podem ser utilizados em três configurações básicas: Base Comum (BC), Emissor comum (EC), e Coletor comum (CC). O termo comum significa que o terminal é comum a entrada e a saída do circuito. Figura 10 - Configurações Básicas
  • 18.
    Transistor Bipolar 18  ConfiguraçõesBásicas (cont.) Base Comum Ganho de tensão elevado Ganho de corrente menor que 1 Ganho de potência intermediário Impedância de entrada baixa Impedância de saída alta Coletor Comum Ganho de tensão menor que 1 Ganho de corrente elevado Ganho de potência intermediário Impedância de entrada alta Impedância de saída baixa Emissor Comum Ganho de tensão elevado Ganho de corrente elevado Ganho de potência elevado Impedância de entrada baixa Impedância de saída alta
  • 19.
    Transistor Bipolar 19  ConfiguraçõesBásicas (cont.)  A configuração Emissor-Comum é a mais utilizada em circuitos transistorizados.  Por isso, os diversos parâmetros dos transistores fornecidos pelos manuais técnicos têm como referência esta configuração.
  • 20.
    Transistor Bipolar 20  CurvaCaracterística - EC  Podemos trabalhar com a chamada curva característica de entrada. Para cada valor constante de VCE, varia-se a tensão de entrada VBE, obtendo-se uma corrente de entrada IB, resultando num gráfico conforme figura abaixo.  Observa-se que é possível controlar a corrente de base, variando-se a tensão entre a base e o emissor.
  • 21.
    Transistor Bipolar 21  CurvaCaracterística – EC Figura 11 - Curva Característica de Entrada EC
  • 22.
    Transistor Bipolar 22  CurvaCaracterística – EC  Para cada constante de corrente de entrada IB, variando-se a tensão de saída VCE, obtém- se uma corrente de saída IC, cujo gráfico tem o seguinte aspecto.
  • 23.
    Transistor Bipolar 23  CurvaCaracterística – EC Figura 12 -Curva Característica de Saída EC
  • 24.
    Transistor Bipolar 24  Funcionamentocomo chave  A utilização do transistor nos seus estados de SATURAÇÃO e CORTE, isto é, de modo que ele ligue conduzindo totalmente a corrente entre emissor e o coletor, ou desligue sem conduzir corrente alguma é conhecido como operação como chave.  No exemplo a seguir, ao se ligar a chave S1, fazendo circular uma corrente pela base do transistor, ele satura e acende a lâmpada.
  • 25.
    Transistor Bipolar 25  Funcionamentocomo chave  O resistor ligado a base é calculado, de forma que, a corrente multiplicada pelo ganho dê um valor maior do que o necessário o circuito do coletor, no caso, a lâmpada. Figura 13 – Exemplo de utilização como chave
  • 26.
    Transistor Bipolar 26  Funcionamentocomo chave Figura 14 – Analogia de um transistor com uma chave
  • 27.
    Transistor Bipolar 27  Pontode Operação (Quiescente)  Os transistores são utilizados como elementos de amplificação de corrente e tensão, ou como elementos de controle ON-OFF. Tanto para estas como para outras aplicações, o transistor deve estar polarizado corretamente.  Polarizar um transistor é fixá-lo num ponto de operação em corrente contínua, dentro de suas curvas características.
  • 28.
    Transistor Bipolar 28  Pontode Operação (Quiescente)  Também chamado de polarização DC, este ponto de operação (ou quiescente) pode estar localizado nas regiões de corte, saturação ou ativa da curva característica de saída.  Os pontos QA (região ativa), QB (região de saturação) e QC (região de corte) da figura a seguir caracterizam as três regiões citadas.
  • 29.
    Transistor Bipolar 29  Pontode Operação (Quiescente) Figura 15 – Pontos Quiescentes de um Transistor
  • 30.
    Transistor Bipolar 30  Retade carga  É o lugar geométrico de todos os pontos de operação possíveis para uma determinada polarização. Figura 16 – Reta de Carga de um Transistor
  • 31.
    Transistor Bipolar 31  Circuitode Polarização em Emissor Comum  Nesta configuração, a junção BE é polarizada diretamente e a junção BC reversamente. Para isso, utilizam-se duas baterias e dois resistores para limitar as correntes e fixar o ponto de operação. E B C IB IC VCC VBB RB RC IE
  • 32.
    Transistor Bipolar 32  Circuitode Polarização em Emissor Comum  Malha de entrada: RB.IB + VBE = VBB então,  Malha de saída: RC .IC +VCE =VCC então, E B C IB IC VCC VBB RB RC IE R V V I B BB BE B   R V V I C CC CE C  
  • 33.
    Transistor Bipolar 33  Circuitode polarização EC com corrente de base constante  Para eliminar a fonte de alimentação da base VBB, pode-se utilizar somente a fonte VCC.  Para garantir as tensões corretas para o funcionamento do transistor RB deve ser maior que RC . E B C IB IC VCC RB RC IE
  • 34.
    Transistor Bipolar 34  Circuitode polarização EC com corrente de base constante E B C IB IC VCC RB RC IE R V V I B CC BE B   R V V I C CC CE C  
  • 35.
    Transistor Bipolar 35  Circuitode Polarização EC com corrente de emissor constante.  Neste circuito de polarização é inserido um resistor RE entre o emissor e a fonte de alimentação  A idéia é compensar possíveis variações de ganho devido a mudanças de temperatura. E B C IB IC VCC RB RC IE RE
  • 36.
    Transistor Bipolar 36  Circuitode Polarização EC com corrente de emissor constante  Adota-se VRE = VCC / 10 E B C IB IC VCC RB RC IE RE R V V R I I B CC BE E E B    . R V V R I I C CC CE E E C    .
  • 37.
    Bibliografia 37  MARQUES, AngeloEduardo B.; CHOUERI JÚNIOR, Salomão; CRUZ, Eduardo Cesar Alves. Dispositivos semicondutores: diodos e transistores. 11. ed. São Paulo: Érica, 2007.
  • 38.
    Fim 38 O B RI G A D O <gustavo.lima@ifrn.edu.br>