Master's degree presentation - Electrical doping of PECVD a-SiC:H films

ALESSANDRO RICARDO DE OLIVEIRA ,[object Object],[object Object],[object Object]

Introdução ,[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]

Antecedentes ,[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]

Objetivos do trabalho ,[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]

Técnicas Experimentais ,[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]

Resultados e Discussão ,[object Object],Tipo de Amostra Fluxo de SiH 4 (sccm) [CH 4 ] % Fluxo de H 2 (sccm) Potência r.f. (Watts) Tempo de Deposição (Horas) Espessura (Å) ± 10% Gap Óptico (eV) ± 5% C3680 3,6 80 - 20 2:00 5400 2,4 C3690H 3,6 90 200 100 2:30 6180 3,1

Resultados e Discussão ,[object Object],[object Object],[object Object]

Amostras Dopadas por I/I: Simulações ,[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]

[object Object],[object Object],Simulações

Etapas de processos - Implantação

Dopagem por I/I de Boro ,[object Object],[object Object],[object Object],Concentração Energia (keV) Dose (átomos/cm 2 ) Amostra B20 10 D 1 = 4,98 10 14 C= 1.10 20 átomos/cm 3 30 D 2 = 9,96 10 14 65 D 3 = 1,49 10 15

Dopagem por I/I de Boro ,[object Object]

Dopagem por I/I de Boro Tipo de Amostra Gap Óptico (eV ± 5%) Energia de Ativação (eV ± 5%) C3680 2,20 0,24 C3690H 2,40 0,15

Tratamento térmico pós-implantação ,[object Object],[object Object],[object Object],Concentração Energia (keV) Doses (átomos/cm 2 ) Amostra N21 C= 1.10 21 átomos/cm 3 10 D 1 - 3,06 10 15 30 D 2 - 5,28 10 15 63 D 3 - 8,98 10 15 100 D 4 - 1,27 10 16 Concentração Energia (keV) Doses (átomos/cm 2 ) Amostra P21 C= 1.10 21 átomos/cm 3 15 D 1 = 2,18 10 15 40 D 2 = 4,69 10 15 75 D 3 = 8,13 10 15 130 D 4 = 1,50 10 16

Tratamento térmico pós-implantação ,[object Object]

Dopagem por I/I de Nitrogênio Amostra Concentração Energias (keV) Doses (átomos/cm 2 ) N21 C = 10 21 átomos/cm 3 10 D 1 = 3,06 10 15 30 D 2 = 5,28 10 15 63 D 3 = 8,98 10 15 100 D 4 = 1,27 10 16 N20 C = 10 20 átomos/cm 3 10 D 1 = 3,06 10 14 30 D 2 = 5,28 10 14 63 D 3 = 8,98 10 14 100 D 4 = 1,27 10 15 N19 C = 10 19 átomos/cm 3 10 D 1 = 3,06 10 13 30 D 2 = 5,28 10 13 63 D 3 = 8,98 10 13 100 D 4 = 1,27 10 14 N18 C = 10 18 átomos/cm 3 10 D 1 = 3,06 10 12 30 D 2 = 5,28 10 12 63 D 3 = 8,98 10 12 100 D 4 = 1,27 10 13

Dopagem por I/I de Nitrogênio ,[object Object],[object Object]

Dopagem por I/I de Nitrogênio ,[object Object]

Dopagem por I/I de Fósforo Amostra Concentração Energias (keV) Doses (átomos/cm 2 ) P21 C = 10 21 átomos/cm 3 15 D 1 = 2,18 10 15 40 D 2 = 4,69 10 15 75 D 3 = 8,13 10 15 130 D 4 = 1,50 10 16 P20 C = 10 20 átomos/cm 3 15 D 1 = 2,18 10 14 40 D 2 = 4,69 10 14 75 D 3 = 8,13 10 14 130 D 4 = 1,50 10 15 P19 C = 10 19 átomos/cm 3 15 D 1 = 2,18 10 13 40 D 2 = 4,69 10 13 75 D 3 = 8,13 10 13 130 D 4 = 1,50 10 14 P18 C = 10 18 átomos/cm 3 15 D 1 = 2,18 10 12 40 D 2 = 4,69 10 12 75 D 3 = 8,13 10 12 130 D 4 = 1,50 10 13

Dopagem por I/I de Fósforo ,[object Object],[object Object]

Dopagem por Difusão Térmica de Al ,[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]

Dopagem por Difusão Térmica de Al

Dopagem por Difusão Térmica de Al ,[object Object],[object Object],[object Object],Amostras Tipo C3680 – DIFUSÃO AL 550 ºC e 750 ºC por 2 Horas Amostra Tipo C3690H - DIFUSÃO AL 550 ºC e 750 ºC por 2 Horas 550 ºC – 2 Hs 550 ºC – 2 Hs 750 ºC 2 Hs 750 ºC 2Hs

Dopagem por Difusão Térmica de Al ,[object Object],Tipo de Amostra Gap Óptico (eV ± 5%) Energia de Ativação (eV ± 5%) C3680 2,20 0,37 C3690H 2,40 0,24

Dopagem por Difusão Térmica de Al ,[object Object],C3680 C3690H

Conclusões ,[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]

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