1. Instituto Federal de
Educação, Ciência e
Tecnologia
Seminário Arquitetura de Computadores

2. Tipos Atuais de Memória
Principal
Alan Belisário
Rafael Carpinetti
Wagner Almeida

3. Memória de Acesso Aleatório
Magneto Resistiva - MRAM

4. Características
 Utiliza magnetização para seu
funcionamento;
 Magnetismo é aplicado no chip;
 Capaz de ler dados em nanosegundos;

5. Funcionamento
 O material magnético contido na memória,
sabe se determinado bit vale 1 ou 0
conforme sua polarização. Ímãs com pólos
opostos se atraem, e com polaridades
diferentes se repelem. O tratamento dos
dados funciona de maneira parecida, sendo
possível identificar e gravar dados a partir
dessa pequena diferença que ocorre na
magnetização.

6. Problemas
 Magnetização é uma técnica de difícil
controle, por isso dados são afetados com
muita facilidade;
 Técnica antiga, data de 1990, mas até
agora o maior módulo desenvolvido é de
capacidade de 32 MB.

7. MRAM

8. Memória de Acesso Aleatório
com Mudança de Fase -
PCRAM

9. Características
 Apesar de ser antiga, dispõe de muita
tecnologia eletrônica;
 Funcionamento a base de calor;
 Capaz de obter ciclos de escrita e leitura
ultra rápidos.

10. Funcionamento
 Para gravar dados, ela esquenta o material
da qual é feita, permitindo que o chip possa
interpretar a área gravada como bits de
valor 1 ou 0. É composta por uma espécie
de vidro, o qual pode ser modificado entre
a forma cristalina e amorfa.

11. Problemas
 Não possui protótipo de alta capacidade,
maior protótipo desenvolvido até hoje é de
apenas 512 MB;
 O calor utilizado para gravar os dados
requisita de uma quantidade de energia
maior e não possibilita um nível aceitável
de qualidade.

12. PCRAM

13. Memória de Acesso Aleatório
Resistiva - RRAM

14. Características
 Utiliza pouca energia;
 Assemelha-se com a PCRAM;
 Atinge velocidades altíssimas.

15. Funcionamento
 Assemelha-se muito as memórias PCRAM,
porém nela a gravação dos dados é feita
através de uma mudança no material
cristalino, o qual tem sua composição
alterada conforme reações eletroquímicas.

16. Problemas
 Ao reduzir-se o tamanho a escala nano,
fica difícil estabilizar as reações químicas;
 Ainda não há informações sobre um
protótipo 100% funcional em escala nano e
com grande capacidade de dados.

17. Racetrack

18. Características
 Padrão novo desenvolvido pela IBM;
 Também utiliza magnetização para
manipular dados;
 Utilização de nanofios magnéticos.

19. Funcionamento
 A memória Racetrack deve utilizar nanofios
magnéticos, que são movidos sobre os
dispositivos que permitem a leitura e
gravação. A nova tecnologia deve ganhar
espaço em mercado graças a sua alta
estabilidade, baixo consumo de energia,
velocidade elevada e capacidade imensa
de armazenamento.

20. Problemas
 O modo de funcionamento da Racetrack
depende muito de alta precisão na
utilização da energia elétrica.
 A memória Racetrack deve ser um
dispositivo de acesso 3D, ainda que até
agora os protótipos não tenham saído do
bidimensional.

21. Memória de Acesso Aleatório
de Taxa Dupla de
Transferência – DDR4

22. Características
 Evolução natural da memória DDR3;
 DDR4 opera a 3200 MHz;
 Funciona com 1.2 Volts;
 A confiabilidade da DDR4 também é
considerada maior, já que há mais
ferramentas de depuração e diagnóstico
para prevenir erros de dados;
 Capacidade de transferência de dados de
2.667 Mb/s;

23. Características
 Consumo energético 30% menor em
relação a DDR3.

24. Limitações
 Prevista implantação no início apenas para
servidores (segundo semestre 2014);
 Será necessário fazer o upgrade de placa-
mãe e processador para poder utilizar a
nova tecnologia.

25. DDR 4

26. Conclusão

27.  Muito conceito, mas nem tantos
avanços;
 Alguns modelos como MRAM e
RRAM são memórias que armazenam
dados mesmo sem energia;
 Altos custos de desenvolvimento e
pesquisa.