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Laser semicondutor
[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],Índice
[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],Contexto histórico
Conceitos de estado sólido Semicondutor : Um material que se comporta como condutor ou isolante dependendo da temperatura a que está sujeito. Apresentam energia de Gap muito pequena ( ~1eV). Banda de Valência:É  a última banda de energia ocupada por elétrons. Leva este nome pois é este orbital atômico que define a valência do elemento químico. Banda de condução:É  o próximo nível energético permitido, acima da banda de valência. Nesta região os elétrons são considerados  elétrons livres , podendo, portanto, se movimentar no material formando a corrente elétrica.
Dopagem :Adição de impurezas químicas elementares em elemento químico semicondutor puro  com a finalidade de dotá-los de propriedades de semicondução controlada específica. ,[object Object],[object Object],A dopagem pode :Afetar estrutura de bandas, introduzir estados permitidos na banda de condução, afetar a distribuição de Fermi e a condutividade do material.
Junções P-N Quando juntamos um material P com um N, geramos uma difusão entre essas regiões. O potencial da junção está relacionado a quantidade de cargas acumuladas através de: p= lacunas, n = Elétrons livres, N d += Átomos doadores ionizados N a -= Átomos aceitadores ionizados
Diferenças básicas entre lasers de semicondutor e lasers ópticos tradicionais: Semicondutores Lasers tradicionais ,[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]
Montagem de um laser semicondutor
Parâmetros laser ,[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]
Equações de taxa Onde:  n(x,y,z) é a densidade de elétrons; J(x,y,t) é a densidade injeção de corrente; E é a carga do elétron; S i  é o número de fótons no ith modo Φ i (x,y) é a função amplitude normalizada do fóton Г i é o fator de confinamento do fóton r st  e r sp  são as taxas de emissão estimulada e espontânea. R sp  é a taxa de emissão espontânea total; א   é a eficiência quântica interna Φ (E i ) é o número de modos por unidade de volume por unidade de energia.
Vertical Cavity Surface-Emitting Lasers (VCSEL) ,[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],Tipos de Laser de semicondutor
Vantagens dos VCSEL em relação aos lasers de diodo comuns: ,[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]
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Benefícios dos  QC Lasers ,[object Object],[object Object]
Quantum Dot Lasers ,[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]
Porque usar lasers semicondutores ,[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]
 
Problemas com o laser de semicondutor
 
 
Laser semicondutor
 
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  • 6. Junções P-N Quando juntamos um material P com um N, geramos uma difusão entre essas regiões. O potencial da junção está relacionado a quantidade de cargas acumuladas através de: p= lacunas, n = Elétrons livres, N d += Átomos doadores ionizados N a -= Átomos aceitadores ionizados
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Notas do Editor

  1. O mais importante e que não está escrito é o comprimento de coerência. O comprimento de coerência do laser de diodo é muito menor que o comprimento de coerência do laser de He-Ne.