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Transistor Bipolar
Características Físicas
Transistor Bipolar Características Físicas
SENAI “Antônio Ermírio de Moraes”
Alunos: Daniel Moraes
Daniel Rosa
Josué Andrade
Natali Fernanda
Professor: Daniel Ortiz
Eletrônica Analógica
Transistor Bipolar Breve Histórico
• O TBJ foi desenvolvido em 1947 pelos Laboratórios Bell
Telephone, buscavam componente equivalente às
válvulas eletrônicas até então existentes. A definição de
transistor vem do inglês TRANsfer reSISTOR ou resistor
de transferência.
Válvula Eletrônica
Transistor
Transistor Bipolar Aplicações Comuns
• A descoberta do transistor revolucionou a eletrônica.
Depois de seu surgimento o desenvolvimento da área se
tornou cada vez mais rápido. Mesmo com o aparecimento
dos circuitos integrados e dos microprocessadores utiliza-
se ainda em muitas finalidades.
Chave de controle
Amplificador
de tensão
Transistor Bipolar Características Físicas
Encapsulamento
• O encapsulamento ou invólucro pode ser construído de
um material não poroso como metal, vidro, plástico,
cerâmica ou epóxi. Atualmente a indústria vem
padronizando o metal, o plástico e o epóxi na fabricação
de encapsulamentos.
Invólucro
Invólucro
Transistor Bipolar Características Físicas
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Emissor
Coletor
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Transistor Bipolar Composição
• É composto por cristais semicondutores com substâncias
dopantes que alteram suas características elétricas, esses
cristais seguem uma sequência. Por exemplo, o tipo NPN
consiste em duas regiões N separadas por uma região P.
Transistores Bipolar Tipos
• PNP • NPN
Boro ou Gálio
dopagem tipo P
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Transistor Bipolar Simbologia
PNP
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Transistor Bipolar SMD
• Possuem diversos encapsulamentos, em alguns casos
podemos encontrar transistores com quatro terminais, o
quarto terminal pode ser ligado internamente a carcaça
do componente para fazer a blindagem contra
interferências eletromagnéticas, ou pode ser mais um
terminal coletor (C), possuindo apenas um coletor e
disponibilizando dois terminais. Quarto terminal
• Segue mesmo princípio de
funcionamento e composição
do componente na versão
PTH
Transistor Bipolar SMD Padrões
• Devido ao tamanho reduzido, os transistores e
componentes SMD de modo geral assumiram outros
padrões de códigos de identificação. Essas informações
podem ser encontradas em catálogos de fabricantes ou
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Mosfet Composição
• Mosfet ou Transistor de Efeito de Campo de Óxido de
Metal Semicondutor. O MOSFET é um dispositivo de 4
terminais, Dreno (Drain), Fonte (Source), Porta (Gate),
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corrente pela tensão
aplicada no Gate.
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Canal N Canal P
• Há dois tipos de Mosfet: canal N e canal P, se
diferenciam basicamente pela polarização.
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• Mosfet
I. Portadores de cargas majoritárias
II. Não armazena cargas
III. Excitado por tensão
IV. Impedância de entrada
puramente capacitiva, não exige
corrente CC
V. Corrente de Drift (processo
rápido).
• Transistor Bipolar
I. Portadores de cargas minoritárias
II. Armazena carga entre base e
coletor
III. Excitado por corrente
IV. Baixa impedância, exige corrente
CC
V. Corrente de difusão (processo
lento).
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Transistor Bipolar Características Físicas
SENAI “Antônio Ermírio de Moraes”
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  • 2. Transistor Bipolar Características Físicas SENAI “Antônio Ermírio de Moraes” Alunos: Daniel Moraes Daniel Rosa Josué Andrade Natali Fernanda Professor: Daniel Ortiz Eletrônica Analógica
  • 3. Transistor Bipolar Breve Histórico • O TBJ foi desenvolvido em 1947 pelos Laboratórios Bell Telephone, buscavam componente equivalente às válvulas eletrônicas até então existentes. A definição de transistor vem do inglês TRANsfer reSISTOR ou resistor de transferência. Válvula Eletrônica Transistor
  • 4. Transistor Bipolar Aplicações Comuns • A descoberta do transistor revolucionou a eletrônica. Depois de seu surgimento o desenvolvimento da área se tornou cada vez mais rápido. Mesmo com o aparecimento dos circuitos integrados e dos microprocessadores utiliza- se ainda em muitas finalidades. Chave de controle Amplificador de tensão
  • 5. Transistor Bipolar Características Físicas Encapsulamento • O encapsulamento ou invólucro pode ser construído de um material não poroso como metal, vidro, plástico, cerâmica ou epóxi. Atualmente a indústria vem padronizando o metal, o plástico e o epóxi na fabricação de encapsulamentos. Invólucro Invólucro
  • 6. Transistor Bipolar Características Físicas Funções Encapsulamento Proteger Identificar Componente Dissipar calor
  • 7. Transistor Bipolar Identificando Terminais Emissor Coletor Base
  • 8. Transistor Bipolar Composição • É composto por cristais semicondutores com substâncias dopantes que alteram suas características elétricas, esses cristais seguem uma sequência. Por exemplo, o tipo NPN consiste em duas regiões N separadas por uma região P.
  • 9. Transistores Bipolar Tipos • PNP • NPN Boro ou Gálio dopagem tipo P Fósforo ou Arsênico dopagem tipo N
  • 11. Transistor Bipolar SMD • Possuem diversos encapsulamentos, em alguns casos podemos encontrar transistores com quatro terminais, o quarto terminal pode ser ligado internamente a carcaça do componente para fazer a blindagem contra interferências eletromagnéticas, ou pode ser mais um terminal coletor (C), possuindo apenas um coletor e disponibilizando dois terminais. Quarto terminal • Segue mesmo princípio de funcionamento e composição do componente na versão PTH
  • 12. Transistor Bipolar SMD Padrões • Devido ao tamanho reduzido, os transistores e componentes SMD de modo geral assumiram outros padrões de códigos de identificação. Essas informações podem ser encontradas em catálogos de fabricantes ou no Datasheet. Catálogo
  • 13. Mosfet Composição • Mosfet ou Transistor de Efeito de Campo de Óxido de Metal Semicondutor. O MOSFET é um dispositivo de 4 terminais, Dreno (Drain), Fonte (Source), Porta (Gate), Substrato (Body).
  • 14. Vídeo Explicativo Transistor Mosfet • Se controla a corrente pela tensão aplicada no Gate.
  • 15. Mosfet Tipo e Simbologia Canal N Canal P • Há dois tipos de Mosfet: canal N e canal P, se diferenciam basicamente pela polarização.
  • 16. Transistor Bipolar e Mosfet Comparação • Mosfet I. Portadores de cargas majoritárias II. Não armazena cargas III. Excitado por tensão IV. Impedância de entrada puramente capacitiva, não exige corrente CC V. Corrente de Drift (processo rápido). • Transistor Bipolar I. Portadores de cargas minoritárias II. Armazena carga entre base e coletor III. Excitado por corrente IV. Baixa impedância, exige corrente CC V. Corrente de difusão (processo lento).
  • 18. Vídeo Explicativo Transistor Junção Bipolar
  • 19. Transistor Bipolar Características Físicas SENAI “Antônio Ermírio de Moraes” Alunos: Daniel Moraes Daniel Rosa Josué Andrade Natali Fernanda Professor: Daniel Ortiz Eletrônica Analógica