1. Aula 1 - Transistores de efeito de campo
Professor: Carlos Alberto De Francisco
Universidade Federal de São Carlos
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2. Transistor de efeito de campo de junção (JFET)
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Idéias básicas:
Fonte de corrente
controlada por corrente
Fonte de corrente
controlada por tensão
3. Transistor de efeito de campo de junção (JFET)
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Características:
• Transistor unipolar (apenas portadores
majoritários);
• Alta impedância de entrada (1-100 MW);
• Baixo ruído;
• Maior estabilidade térmica;
• Processo de fabricação mais simples;
• Permite maior integração.
4. Transistor de efeito de campo de junção (JFET)
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Idéias básicas:
(Fonte)
(Porta)
(Dreno)
Fonte de corrente
controlada por tensão
5. Transistor de efeito de campo de junção (JFET)
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Estrutura:
A região dopada tipo n possui elétrons
livres (portadores majoritários);
A região de depleção não possui
portadores livres, portanto, não permite
condução.
6. Transistor de efeito de campo de junção (JFET)
6
Polarização: VGS=0; VDS positivo:
7. Transistor de efeito de campo de junção (JFET)
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Polarização: VGS=0; VDS positivo: Estrangulamento
8. Transistor de efeito de campo de junção (JFET)
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Curva ID x VDS:
Nível de saturação
Aumento da resistência
devido ao estreitamento
do canal
Resistência do canal n
IDSS= é a corrente máxima
De dreno para um JFET
Sendo definida pela
condição VGS=0 e VDS>|VP|
9. Transistor de efeito de campo de junção (JFET)
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Polarização: VGS<0; VDS positivo
O valor de VGS que resulta em ID=0 mA é
definido por VGS=VP.
Do gráfico: IDSS=8 mA e VP=-4V
11. Transistor de efeito de campo de junção (JFET)
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0
2
4
6
8
10
-4 -3 -2 -1
VGS em volts
ID em mA
Curva de transferência
ID = IDSS 1-
VGS
VGS(off)
( )
2
12. Transistor de efeito de campo de junção (JFET)
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Levantamento da curva de transferência:
15. Transistor de efeito de campo de junção (JFET)
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JFET canal n JFET canal p
Simbologia:
16. Transistor de efeito de campo de junção (JFET)
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Resumo:
IDSS= é a corrente máxima
de dreno para um JFET
Sendo definida pela
condição VGS=0 e VDS>|VP|
17. Transistor de efeito de campo de junção (JFET)
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Resumo:
Para tensões VGS= mais
negativas do que o valor de
estrangulamento, a corrente de
dreno é 0 A.
18. Transistor de efeito de campo de junção (JFET)
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Resumo:
Para todos os valores de VGS
entre 0 V e o valor de
estrangulamento, a corrente de
dreno varia entre IDSS e 0.
19. Transistor de efeito de campo de junção (JFET)
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Curva característica de transferência:
BJT JFET
Equação de Shockley
20. Transistor de efeito de campo de junção (JFET)
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Levantamento da curva de transferência: Exemplo
21. Transistor de efeito de campo de junção (JFET)
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Levantamento da curva de transferência: Método simplificado
