O documento aborda os transistores de efeito de campo de junção (JFET), destacando suas características fundamentais, como serem unipolares, de alta impedância de entrada e baixa geração de ruído. A descrição inclui aspectos de polarização, operação linear e comparação com outros tipos de transistores, como o BJT. São apresentados gráficos e resumos sobre as condições de drenagem e variação de corrente em função de diferentes tensões aplicadas.

1. Aula 1 - Transistores de efeito de campo
Professor: Carlos Alberto De Francisco
Universidade Federal de São Carlos
1

2. Transistor de efeito de campo de junção (JFET)
2
Idéias básicas:
Fonte de corrente
controlada por corrente
Fonte de corrente
controlada por tensão

3. Transistor de efeito de campo de junção (JFET)
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Características:
• Transistor unipolar (apenas portadores
majoritários);
• Alta impedância de entrada (1-100 MW);
• Baixo ruído;
• Maior estabilidade térmica;
• Processo de fabricação mais simples;
• Permite maior integração.

4. Transistor de efeito de campo de junção (JFET)
4
Idéias básicas:
(Fonte)
(Porta)
(Dreno)
Fonte de corrente
controlada por tensão

5. Transistor de efeito de campo de junção (JFET)
5
Estrutura:
A região dopada tipo n possui elétrons
livres (portadores majoritários);
A região de depleção não possui
portadores livres, portanto, não permite
condução.

6. Transistor de efeito de campo de junção (JFET)
6
Polarização: VGS=0; VDS positivo:

7. Transistor de efeito de campo de junção (JFET)
7
Polarização: VGS=0; VDS positivo: Estrangulamento

8. Transistor de efeito de campo de junção (JFET)
8
Curva ID x VDS:
Nível de saturação
Aumento da resistência
devido ao estreitamento
do canal
Resistência do canal n
IDSS= é a corrente máxima
De dreno para um JFET
Sendo definida pela
condição VGS=0 e VDS>|VP|

9. Transistor de efeito de campo de junção (JFET)
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Polarização: VGS<0; VDS positivo
O valor de VGS que resulta em ID=0 mA é
definido por VGS=VP.
Do gráfico: IDSS=8 mA e VP=-4V

10. Transistor de efeito de campo de junção (JFET)
10
Operação linear

11. Transistor de efeito de campo de junção (JFET)
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0
2
4
6
8
10
-4 -3 -2 -1
VGS em volts
ID em mA
Curva de transferência
ID = IDSS 1-
VGS
VGS(off)
( )
2

12. Transistor de efeito de campo de junção (JFET)
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Levantamento da curva de transferência:

13. Transistor de efeito de campo de junção (JFET) tipo P
13

14. Transistor de efeito de campo de junção (JFET) tipo P
14
Região de
ruptura

15. Transistor de efeito de campo de junção (JFET)
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JFET canal n JFET canal p
Simbologia:

16. Transistor de efeito de campo de junção (JFET)
16
Resumo:
IDSS= é a corrente máxima
de dreno para um JFET
Sendo definida pela
condição VGS=0 e VDS>|VP|

17. Transistor de efeito de campo de junção (JFET)
17
Resumo:
Para tensões VGS= mais
negativas do que o valor de
estrangulamento, a corrente de
dreno é 0 A.

18. Transistor de efeito de campo de junção (JFET)
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Resumo:
Para todos os valores de VGS
entre 0 V e o valor de
estrangulamento, a corrente de
dreno varia entre IDSS e 0.

19. Transistor de efeito de campo de junção (JFET)
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Curva característica de transferência:
BJT JFET
Equação de Shockley

20. Transistor de efeito de campo de junção (JFET)
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Levantamento da curva de transferência: Exemplo

21. Transistor de efeito de campo de junção (JFET)
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Levantamento da curva de transferência: Método simplificado

22. Transistor de efeito de campo de junção (JFET)
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Exemplo:

23. Transistor de efeito de campo de junção (JFET)
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Potência dissipada:

24. Transistor de efeito de campo de junção (JFET)
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Comparação entre JFET e BJT: