O documento resume as características e operação do MOSFET tipo depleção. Ele possui um canal previamente formado e pode operar nos modos de depleção ou enriquecimento. No modo depleção, o MOSFET se comporta de forma similar ao JFET, com a corrente de draino ID igual à corrente de saturação IDSS quando a tensão gate-source VGS é zero e menor que IDSS quando VGS é negativa. No modo enriquecimento, ID é maior que IDSS quando VGS é positiva.

1. Prof. Dr. Aparecido Nicolett
PUC-SP
Aula 04
MOSFET Tipo Depleção
(pág. 187 a 190)

2. Slide 1 MOSFETs
• Os MOSFETs possuem características similares ao JFETs, com algumas vantagens
adicionais que os tornam muito úteis.
• Existem 2 tipos:
Depleção
Enriquecimento
{Canal N
Canal P
{Canal N
Canal P

3. Slide 2 MOSFET Tipo Depleção
Características:
•4 terminais;
•Alta impedância de
entrada;
•Canal previamente
formado.

4. Slide 3 Operação Básica e Curvas Características

5. Slide 4
VGS positivo!
VGS negativos!
• O MOSFET tipo Depleção pode operar nos dois modos: depleção ou enriquecimento.

6. Slide 5
•A aplicação de uma tensão negativa
na porta afasta os elétrons do canal,
fazendo com que este fique com uma
concentração baixa de elétrons.
•O canal deixa de existir não pelo
processo de região de depleção, mas
sim pelo processo de recombinação
de elétrons e lacunas do substrato.
•Para o MOSFET tipo depleção, vale a
equação de Shockley.

7. Modo Depleção
As características são similares ao JFET.
Quando VGS = 0V, ID = IDSS
Quando VGS < 0V, ID < IDSS
A fórmula de Shockely ainda pode ser aplicada:
Slide 6 MOSFET tipo Depleção no Modo Depleção
2
P
GS
DSSD )
V
V
(1II −= [5.3]

8. Modo Enriquecimento
Quando VGS > 0V, ID > IDSS
A fórmula de Shockely ainda pode ser aplicada:
Slide 7 MOSFET tipo Depleção no Modo Enriquecimento
2
P
GS
DSSD )
V
V
(1II −= [5.3]

9. Slide 8 MOSFET Tipo Depleção Canal P
• Simular ao de canal N, com os sinais de tensão e corrente invertidos.

10. Slide 9 Símbolos

11. Slide 10 Folha de Dados

12. Slide 11
Exemplo 5.3: Esboce a curva de transferência para o MOSFET tipo depleção de canal
N com IDSS = 10 mA e Vp = -4 V.