A conferência anual MNE2017 sobre Micro e Nanoengenharia reuniu cerca de 800 participantes de todo o mundo para discutir os desenvolvimentos mais recentes na investigação, fabrico e aplicações de micro e nano dispositivos. A ANEEB esteve presente e assistiu a apresentações sobre novas tecnologias de impressão a nano e microescala, caracterização de amostras de grafeno, e fabricação e propriedades de sensores à base de grafeno.

1. “Um dia em Nano”
2017/09/23 “Com. & Im.” e “For. e Ens.” 1/3
Sobre a MNE2017
A MNE2017 é uma conferência anual dedicada a Micro e Nanoengenharia. No
presente ano, este evento viu a sua 43º edição a ser organizada pelo INL (International
Nanotechnology Laboratory) em Braga de 18 a 22 de Setembro, tendo na sua
organização e participação nomes de excelência do futuro da investigação (Micro e
Nanolitografia até engenharia de processos de Micro e Nanofabricação) e dos avanços
tecnológicos materializados nas aplicações (MEMS, NEMS, micro óptica ou até µTAS,
BioMEMS, Lab-on-Chip).
Esta conferência juntou cerca de 800 participantes, entre os quais engenheiros e
cientistas de todo o mundo, para discutir os desenvolvimentos e tendências mais
recentes na investigação, fabrico e aplicações de micro e nano dispositivos. Contou
ainda com inúmeras empresas e Startups da área sendo uma excelente oportunidade
para conhecer esta área tecnológica e alargar a rede de contactos.
Figura 3 - Diagrama de Venn a demonstrar
zonas de sobreposição das aplicações de Lab-on-Chip,
µTAS, BioMEMS.
Figura 4 - ANEEB marca presença na
MNE2017 no INL.
A nossa presença na conferência
A ANEEB teve a oportunidade de poder presenciar algumas apresentações
fascinantes acerca destas tecnologias do futuro, onde participou nas seguintes sessões:
• Sessão 1I e 2H sobre Fabrication and Integration of Micro/Nano Structures,
Devices and Systems;
• Palestra principal sobre Tactile mechanics — a new avenue for nano-
engineering? dada pelo Professor Vicent Hayward;
Também tivemos a oportunidade de entrevistar o Professor Paulo Freitas que se
mostrou muito receptivo a esta iniciativa da ANEEB e aceitou o desafio.

2. “Um dia em Nano”
2017/09/23 “Com. & Im.” e “For. e Ens.” 2/3
Sessão 1I
Acerca das sessões, na sessão 1I sobre o tema Fabrication and Integration of
Micro/Nano Structures, Devices and Systems tivemos a oportunidade de ouvir dois
trabalhos: o primeiro, “Impressão escalável de elementos eletrónicos de nano e
microescala e sensores biocompatíveis”, teve como orador o professor Ahmed Busnaia,
Professor de William Lincoln Smith e Diretor do National Science Foundation’s
Nanoscale Science and Engineering Center (NSEC) for High-rate Nanomanufacturing e
do NSF Center for Nano and Microcontamination Control at Northeastern University,
Boston, MA. Reconhecido pelo seu trabalho em mitigação e remoção de defeitos de
nano e micro escala em fabricação de semicondutores. Esta palestra incidiu sobre uma
nova tecnologia de impressão de nano e microeletrónica. Esta tecnologia consegue
imprimir com um jato 1000 vezes menor do que um jato de tinta, é capaz de imprimir
1000 vezes mais rápido do que um jato de tinta e custa 10-100 vezes menos que a
fabricação convencional. Esta tecnologia é utilizada para a criação de biossensores para
monitorização de patógenos em tempo real, podendo estes ser impressos em estruturas
rígidas ou flexíveis. A apresentação também incluiu uma impressora robótica
totalmente automatizada. Na segunda parte da sessão 1I, ouvimos o Investigador Anita
Fuchsbauer, representante da PROFACTOR, a falar sobre “Impressão multimatriz de jato
de tinta multicamada”. Esta apresentação incidiu sobre o estudo da molhabilidade,
estratégias de cura e os métodos de pós-produção para impressão de dispositivos
multimateriais multicamadas. Deste modo, foi possível criar uma peça constituída por
camadas de camadas eletricamente condutoras e material isolante curável por UV,
tendo os termopares impressos a jato de tinta condutora e semicondutora em
substratos flexíveis. Isto permite a criação de circuitos complexos em camada.
Figura 5 - - Apresentação de Ahmed Busnaia.

3. “Um dia em Nano”
2017/09/23 “Com. & Im.” e “For. e Ens.” 3/3
Sessão 2H
O grafeno é uma das formas cristalinas do carbono puro e apesar das excelentes
propriedades (entre as quais o elevado módulo de elasticidade, elevada mobilidade
eletrônica e propriedades ópticas) a obtenção de amostras livres de defeitos e o seu
fabrico em grande escala são campos de intensa investigação atualmente. Assim, a
sessão 2H debruçou-se sobre Fabrication and Integration of Micro/Nano Structures,
Devices and Systems com foco na caracterização do grafeno e seu fabrico.
A primeira apresentação dada por Taharh Zelai, investigadora do
Nanoelectronics and Nanotechnology Group of the University of Southampton,
caracterizou amostras de grafeno parcialmente irradiadas por feixes de iões de He
através de um método TERS que exibiu melhor resolução espacial (197 nm) que a micro
espectroscopia de Raman (1444 nm). A segunda apresentação dado por Zhongwang
Wang, investigador do Japan Advances Institute of Science and Technology, tratou da
caracterização de defeitos no grafeno no seccionamento de amostras em forma de “H”
e sua validação teórica com base na mecânica quântica. O grupo foi capaz de determinar
as dimensões ideais do seccionamento (largura = 45 nm e altura = 75 nm) do grafeno
“etchado” de forma a que apenas um defeito fosse detectado no seccionamento e que
permitia a observação dos diamantes de Coulomb. Por fim, a terceira apresentação
coube a Sten Vollebregt, Professor Assistente do Department Laboratory of Electronic
Components, Technology and Materials of TUDelft, apresentou os primeiros resultados
de caracterização da resistência de contacto de amostras de grafeno monocamada e
multicamada à escala de wafer (bolacha) e diferentes tipos de metal tendo encontrado
valores com variações de 4 ordens de magnitude e cujos valores mínimos reproduzem
alguns estudos já realizados. Adicionalmente foram mostrados alguns tipos de sensores
já realizados com grafeno que incluem sensores de gás, de pressão e de efeito de Hall
onde se salienta o baixo consumo na ordem do miliWatt.
Figura 6 – Apresentações de Zhongwang Wang (esquerda) e Sten Vollebregt (direita).