Num mundo ondea energia e a eletricidade são
essenciais para muitos aspectos de nossas vidas, a falta
de recursos pode causar estragos significativos.
3.
A IMPORTÂNCIA DAUPS EM AMBIENTES CRÍTICOS
Garante o funcionamento contínuo de sistemas que
não podem sofrer interrupções elétricas
Continuidade operacional
Proteção de equipamentos sensíveis
Prevenção de perda de dados
Garantia de segurança
Redução de prejuízos financeiros
Quando se tratade manter nossos dispositivos eletrônicos funcionando de
maneira ininterrupta, o nobreak desempenha um papel fundamental.
Nobreak é a contração de “no break” (em inglês), que se traduz como “sem
interrupções” ou “ininterrupto”.
É isso que esse dispositivo faz: protege e mantém em funcionamento aparelhos
eletroeletrônicos em situações de oscilação ou ausência da rede elétrica.
MAS AFINAL, O QUE
SIGNIFICA NOBREAK?
E QUAL ADIFERENÇA ENTRE ESTABILIZADOR,
GERADOR E NOBREAK?
8.
ONDE USAMOS ONOBREAK?
•Hospitais: equipamentos médicos vitais continuem
funcionando, independentemente de problemas na rede
elétrica;
•Empresas e escritórios: eles usam nobreaks para
manter computadores e servidores operacionais, protegendo-
os contra perdas de dados, por exemplo, e outros fatores
sensíveis que envolvem sua tecnologia;
9.
ONDE USAMOS ONOBREAK?
•Residências: recentemente, seu uso nas casas se tornou cada
vez mais comum, especialmente para proteger dispositivos
como computadores (no homeoffice, por exemplo) e sistemas de
entretenimento em casa, como os PCs Gamers;
•Supermercados: ou em qualquer estabelecimento que necessite
de constância no fornecimento de energia elétrica, seja para o
armazenamento de alimentos ou qualquer outra demanda de
energia constante relacionada ao comércio.
10.
SEMICONDUTORES
Os elementos consideradosótimos bons
condutores possuem 1 ou 2 elétrons de
valência (i.e. prata, ouro e cobre), por outro
lado os isolantes possuem mais que 4
elétrons de valência.
Os semicondutores possuem propriedades
elétricas entre as dos condutores e dos
isolantes com 4 elétrons de valência
11.
SEMICONDUTORES
Os semicondutores maiscomuns e mais utilizados
são o silício (Si) e o germânio (Ge).
Eles são elementos tetravalentes, possuindo quatro
elétrons na camada de valência.
Figura - Representação Plana dos Semicondutores
12.
SEMICONDUTORES
Cada átomo compartilha4 elétrons com os
vizinhos, de modo a haver 8 elétrons em torno
de cada núcleo
Figura – Compartilhamento de elétrons
13.
• Se umcristal de silício for dopado com átomos
pentavalente (arsênio, antimônio ou fósforo),
também chamados de impurezas doadora, será
produzido um semicondutor do tipo N (negativo)
pelo excesso de um elétron nessa estrutura.
Figura 6 – Semicondutor tipo N
SEMICONDUTORES TIPO N e P
SEMICONDUTORES TIPO NE
P
• Assim, o número de elétrons livres é maior que o
número de lacunas. Neste semicondutor os elétrons
livres são portadores majoritários e as lacunas são
portadores minoritários.
Figura - Semicondutor Tipo N
- - - + - -
- - - - - -
- + - - - -
- - - - - -
- - - + - -
- - - - - -
- - + - - -
16.
Se um cristalde silício for dopado com átomos
trivalente (alumínio, boro ou gálio), também
chamados de impurezas aceitadora, será produzido
um semicondutor do tipo P (positivo) pelo falta de
um elétron nessa estrutura.
Figura– Semicondutor tipo P
SEMICONDUTORES TIPO P
DIODO SEMICONDUTOR
• JunçãoPN
• A união de dois cristais (P e N) provoca uma
recombinação de elétrons e lacunas na região da
junção, formando uma barreira de potencial.
Figura – Barreira de Potencial
- + + + +
+ + + + +
+ + + - +
+ + + + +
+ - + + +
+ + + + +
+ + + - +
- - - + - -
- - - - - -
- + - - - -
- - - - - -
- - - + - -
- - - - - -
- - + - - -
P N
íons negativos íons positivos
Barreira
19.
DIODO SEMICONDUTOR
• JunçãoPN
• Cada lado do diodo recebe um nome: O lado P
chama-se de anodo (A) e o lado N chama-se de
catodo (K).
Figura 10 – Imagem e símbolos do Diodo
K
K
A
A
P N
20.
• Polarização diretada junção PN
• Consiste em colocarmos o terminal positivo da
bateria no elemento P da junção PN e o
terminal negativo da bateria ao lado N.
Figura– Junção PN polarizada diretamente
DIODO SEMICONDUTOR
21.
DIODO SEMICONDUTOR
• Polarizaçãoinversa da junção PN
• Consiste em colocarmos o terminal positivo da
bateria no elemento N junção PN e o terminal
negativo da bateria no lado P.
Figura – Junção PN polarizada inversamente
22.
DIODO SEMICONDUTOR
• CurvaCaracterística do Diodo
• Na polarização direta
Figura 12 – Diodo polarizado diretamente e sua curva característica
Figura– Diodo polarizado diretamente e sua
curva característica
23.
DIODO SEMICONDUTOR
• CurvaCaracterística do Diodo
• Na polarização inversa
Figura– Diodo polarizado inversamente e sua curva característica
24.
Teste de Diodoscom
Multímetro Digital
•Coloque a chave seletora na posição
com o símbolo do diodo e meça o
componente nos dois sentidos.
•Num sentido o visor deve indicar um
valor de resistência e no outro ficar
apenas no número "1". Veja a seguir:
25.
Teste de Diodoscom
Multímetro Digital
• Teste de Diodos com Multímetro Digital
Figura 18 – Diodo como chave, fonte e resistência
Fonte: http://www.burgoseletronica.net