Gele7319 microeletronica aula-02 fe ts

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Microeletrônica Prof. Luciano MendesCamillo professorcamillo@gmail.com https://sites.google.com/site/cefetmicroeletronica/

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Transistores de Efeito Transistoresde Efeito de Campo de Campo - - FET FET

3.
Transistores de Efeitode Campo Transistores de Efeito de Campo - - FET FET

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MOSFET

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MOSFET MOSFET

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MOSFET MOSFET

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MOSFET MOSFET

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MOSFET MOSFET

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MOSFET MOSFET

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Eletrônica III Eletrônica III MOSFET MOSFET

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MOSFET MOSFET

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MOSFET MOSFET

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MOSFET MOSFET

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MOSFET MOSFET

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MOSFET MOSFET

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Eq. 5.13

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• Transistor nMOS N+N+ P Porta Porta Dreno Dreno Fonte Fonte Substrato Substrato VDS=cte IDS VGS VTn1 V VDS IDS Região Triodo Região de Saturação VGS1 VGS2 VGS2>VGS1 (Tensão de Limiar) S D D G VDS VGS IDS

38.
N+ N+ Silício policristalino (condutor)Óxido de porta (isolante) L L W W Fonte Dreno xox Porta VDS VGS P Substrato IDS

39.
Equa Equaç ções de I õesde IDS DS=f(V =f(VGS GS, V , VDS DS) de 1 ) de 1a a Ordem Ordem • Região de Corte: VGS VTn ou VGS-VTn 0 IDS=0 • Região Triodo: 0< VDS  VGS-VTn            2 V V V V I 2 DS DS Tn GS n DS  • Região de Saturação: 0< VGS-VTn  VDS   2 V V I 2 Tn GS n DS    onde        L W xox ox n n    Fator de Ganho

40.
       L W xox ox n n    Fator de ganho Fatorde ganho Dependentes do Processo porta de óxido do Espessura x óxido do dade Permissivi elétrons dos Mobilidade ox ox n   Dependentes da Geometria (lay-out) W Largura de canal L Comprimento de canal

41.
• Transistor pMOS -VDS=cte -IDS -VGS VTp-1V -VDS -IDS Região Triodo Região de Saturação -VGS1 -VGS2 (Tensão de Limiar) P+ P+ N Porta Porta Dreno Dreno Fonte Fonte Substrato Substrato S D D G VDS VGS IDS

42.
• Região deCorte: VGS VTp ou VGS-VTp  0 IDS=0 • Região Triodo: VGS-VTp  VDS < 0             2 V V V V I 2 DS DS Tp GS p DS  • Região de Saturação: VDS VGS-VTp < 0   2 V V I 2 Tp GS p DS    

43.
       L W xox ox p p    Fator de ganho Fatorde ganho lacunas das Mobilidade p  2 n p    Tensão de Limiar do Transistor canal P V VTp Tp - -1 V 1 V Normalmente simétrico com relação a VTn |VTp| = VTn Geometrias n n p p L W L W  Normalmente para compensar o fato de p< n e assim podemos ter p=  n

56.
VGS > Vt VDS< VGS - Vt

57.
VGS > Vt VDS> VGS - Vt

60.
Transistor MOSFET F =A / V/s = F/V.s = A/(V/s V.s) = A/V2

61.
Transistor MOSFET

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Transistor MOSFET 1) 2) 3) 4) 2) 2)

63.
Transistor MOSFET 1) 2) 3) 4) 2)

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