Gele7319 microeletronica aula-02 fe ts

1. Microeletrônica Prof. Luciano Mendes Camillo professorcamillo@gmail.com https://sites.google.com/site/cefetmicroeletronica/

2. Transistores de Efeito Transistores de Efeito de Campo de Campo - - FET FET

3. Transistores de Efeito de Campo Transistores de Efeito de Campo - - FET FET

19. MOSFET

20. MOSFET MOSFET

21. MOSFET MOSFET

22. MOSFET MOSFET

23. MOSFET MOSFET

24. MOSFET MOSFET

25. Eletrônica III Eletrônica III MOSFET MOSFET

26. MOSFET MOSFET

27. MOSFET MOSFET

28. MOSFET MOSFET

29. MOSFET MOSFET

30. MOSFET MOSFET

35. Eq. 5.13

37. • Transistor nMOS N+ N+ P Porta Porta Dreno Dreno Fonte Fonte Substrato Substrato VDS=cte IDS VGS VTn1 V VDS IDS Região Triodo Região de Saturação VGS1 VGS2 VGS2>VGS1 (Tensão de Limiar) S D D G VDS VGS IDS

38. N+ N+ Silício policristalino (condutor) Óxido de porta (isolante) L L W W Fonte Dreno xox Porta VDS VGS P Substrato IDS

39. Equa Equaç ções de I ões de IDS DS=f(V =f(VGS GS, V , VDS DS) de 1 ) de 1a a Ordem Ordem • Região de Corte: VGS VTn ou VGS-VTn 0 IDS=0 • Região Triodo: 0< VDS  VGS-VTn            2 V V V V I 2 DS DS Tn GS n DS  • Região de Saturação: 0< VGS-VTn  VDS   2 V V I 2 Tn GS n DS    onde        L W xox ox n n    Fator de Ganho

40.        L W xox ox n n    Fator de ganho Fator de ganho Dependentes do Processo porta de óxido do Espessura x óxido do dade Permissivi elétrons dos Mobilidade ox ox n   Dependentes da Geometria (lay-out) W Largura de canal L Comprimento de canal

41. • Transistor pMOS -VDS=cte -IDS -VGS VTp-1 V -VDS -IDS Região Triodo Região de Saturação -VGS1 -VGS2 (Tensão de Limiar) P+ P+ N Porta Porta Dreno Dreno Fonte Fonte Substrato Substrato S D D G VDS VGS IDS

42. • Região de Corte: VGS VTp ou VGS-VTp  0 IDS=0 • Região Triodo: VGS-VTp  VDS < 0             2 V V V V I 2 DS DS Tp GS p DS  • Região de Saturação: VDS VGS-VTp < 0   2 V V I 2 Tp GS p DS    

43.        L W xox ox p p    Fator de ganho Fator de ganho lacunas das Mobilidade p  2 n p    Tensão de Limiar do Transistor canal P V VTp Tp - -1 V 1 V Normalmente simétrico com relação a VTn |VTp| = VTn Geometrias n n p p L W L W  Normalmente para compensar o fato de p< n e assim podemos ter p=  n

56. VGS > Vt VDS < VGS - Vt

57. VGS > Vt VDS > VGS - Vt

60. Transistor MOSFET F = A / V/s = F/V.s = A/(V/s V.s) = A/V2

61. Transistor MOSFET

62. Transistor MOSFET 1) 2) 3) 4) 2) 2)

63. Transistor MOSFET 1) 2) 3) 4) 2)

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