1) RB deve ser igual a 1kΩ para manter βforçado≤β/2. 2) Com βF=200 e área da junção base coletor 50 vezes maior, βR será igual a 10000. VCEsat será igual a 0,3V para IB=1mA. 3) Com os valores dados, VOL=0V, VOH=3V, VIL=0,5V, VIH=1,5V, NML=0,3V e NMH=2,7V.

1. Exercícios – Transistor Bipolar
1 – Calcule o valor de RB para o circuito da figura abaixo, com o transistor operando com
VCE=0,2V, VBE=0,7V e βforçado=3. Qual é o maior valor que RB pode assumir para
βforçado≤β/2? (Sugestão ver cap. 4.12 do livro Microelectronic Circuits(Sedra)).
VCC
1k
RB
Q1
2 – Para um transistor bipolar com βF=200 e área da junção base coletor 50 vezes maior
que a área da junção base emissor, determine o valor de βR. Calcule o valor de VCEsat para o
transistor operando na região de saturação, sabendo que para IB=1mA, IC=0. (Sugestão ver
cap. 4.13 do livro Microelectronic Circuits(Sedra)).
3 – O inversor RTL da figura abaixo utiliza VCC=3V, RB=450Ω e RC=640Ω. Para um
transistor com VBE=0,7V na saturação (com o transistor começando a conduzir com 0,5V),
VCEsat=0,3V e β=30, encontre os valores de VOL, VOH, VIL, VIH, NML e NMH. (Sugestão ver
cap. 4.14 do livro Microelectronic Circuits(Sedra)).
VCC
RC
RB
Vi Q1
4 – No circuito abaixo, ts (tempo necessário para remover os portadores minoritários da
base durante o desligamento do transistor), é medido para vários valores de C: Para C=0,
ts=80ns e para C=8pF, ts=30ns. a)Determine o valor de β do transistor se VCEsat=0,2V e
VBE=0,7V. b)Qual valor de C faz com que ts=0?