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CARLOS A. QUISPE COILA.
Un JFET de canal N se fabrica difundiendo una región de tipo P en un canal de tipo N, tal y
como se muestra en la Figura 1. A ambos lados del canal se conectan los terminales de
fuente (S, Source) y drenaje (D, Drain). El tercer terminal se denomina puerta (G, Gate).
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  • 2. Un JFET de canal N se fabrica difundiendo una región de tipo P en un canal de tipo N, tal y como se muestra en la Figura 1. A ambos lados del canal se conectan los terminales de fuente (S, Source) y drenaje (D, Drain). El tercer terminal se denomina puerta (G, Gate). Los símbolos de este tipo de dispositivos son: Figura 2: Símbolos de los transistores JFET
  • 3.
  • 4.
  • 5.
  • 7.
  • 8.
  • 10.
  • 11.
  • 12.
  • 13. Los fototransistores combinan en un mismo dispositivo la detección de luz y la ganancia. Su construcción es similar a la de los transistores convencionales, excepto que la superficie superior se expone a la luz a través de una ventana o lente como se muestra en la Figura FOTOTRANSISTOR.