4. RAM
Se compone de
circuitos integrados
soldados sobre un
circuito impreso
independiente,
Se clasifican en dos
categorías: Ram
estática, Ram
dinámica
En dispositivos como
las consolas de
videojuegos, la RAM
va soldada
directamente sobre la
placa principal.
Cargan las
instrucciones del
procesador y otras
unidades de computo.
5. La Kingston
MARKVISION
OTRAS MENOS RECONOCIDAS:
QUIOMONDA
KRETON
ELIXIR
NEC
BUFALO
VDATA
TREND
6. RAM
Usada por primera vez en el año
de 1942 y 1952.
En 1969 fueron lanzadas una de
las primeras memorias por intel
Fue la memoria de núcleo
magnético-
En los años 80 se hicieron una
mejoras.
FPM-RAM (Fast Page Mode RAM).
EDO-RAM (Extended Data Output
RAM)
BEDO-RAM (Burst Extended Data
Output RAM)
7. FPM-RAM (Fast Page
Mode RAM)
EDO-RAM (Extended
Data Output RAM)
BEDO-RAM (Burst
Extended Data Output
RAM)
Usado en
procesadores como el
Intel 486,3
Lanzada en 1995 y
con tiempos de
accesos de 40 o 30 ns
Fue presentada en
1997.
Se implantó un modo
direccionamiento en
el que el controlador
de memoria envía una
sola dirección y recibe
a cambio esa y varias
consecutivas
Fue una mejora de su
antecesora FPM-RAM
Nunca salió al
mercado, dado que
Intel y otros
fabricantes se
decidieron por
esquemas de
memoria sincrónicos
Se fabricaban con
tiempos de acceso de
70 ó 60 ns
Usaba generadores
internos de
direcciones
fueron muy populares
en sistemas basados
en el 486 y los primeros
Pentium
Fue la evolución de la
EDO RAM y
competidora de la
SDRAM.
8. Este tipo de
memoria conocida
como SRAM, se
compone de celdas
conformadas por
plip-flops
construidos
generalmente con
transistores.
9. Memoria
síncrona
Fue utilizada
en los
Pentium II y
en los
Pentium III
tiempos de
acceso de
entre 25 y 10
ns
Se presentan
en módulos
DIMM de 168
contactos.
Se utiliza
en pentium
II y III
10.
11.
12.
13.
14. Las memorias DDR 2
son una mejora de
las memorias DDR
(Double Data Rate)
permiten que los
búferes de
entrada/salida
trabajen al doble
de la frecuencia del
núcleo
Se presentan en
módulos DIMM de
240 contactos.
15.
16.
17.
18. Mejora en
Niveles de
bajo voltaje
Los módulos DIMM
DDR 3 tienen 240 pines.
Las memorias
DDR 3 son una
mejora de las
memorias DDR
2
debido a una
ubicación
diferente de la
muesca
los DIMMs son
físicamente
incompatibles
19.
20.
21.
22. Los módulos de
memoria RAM son
tarjetas de circuito
impreso que tienen
soldados
integrados de
memoria DRAM
por una o ambas
caras.
23. los módulos
poseen un
integrado que
permiten la
identificación de
los mismos ante el
computador por
medio del
protocolo de
comunicación
SPD.
24. Formato usado en
computadores
antiguos. Tenían un
bus de datos de 16
ó 32 bits.
25. Usado en
computadores de
escritorio. Se
caracterizan por
tener un bus de
datos de 64 bits.
27. Los sistemas con memoria
registrada permiten conectar
más módulos de memoria y de
una capacidad más alta, sin
que haya perturbaciones en las
señales del controlador de
memoria, permitiendo el
manejo de grandes cantidades
de memoria RAM.
28. Tienen celdas de memorias
no volátiles, es decir que la
información se conversan sin
energía
Se utiliza para almacenar la
información permanente y
tiene una velocidad de
15/MB
29. La información no se puede alterar
Y programa en el momento de
fabricacion.
El proceso de fabricación es
muy caro, pero se hacen
económicas.
Son ideales para almacenar
sistemas operativos, caracteres
y tablas de conversión.
30. Desarrollada a
fines de la
década del 70.
No se puede
borrar o
almacenar otra
información
No se programa
en la
fabricación
Para almacenar
información
comprimen
miles de fusibles.
31. Dispones de
un panel de
vidrio que
deja entrar
rayos ultra-
violeta
Se reconstituyen los
fusibles quemados
utilizados para
almacenar
información.
Son memorias
prom que se
pueden
eliminar.
34. Es derivada de la
memoria EEPROM permite
la lectura y escritura de
múltiples posiciones de la
memoria
Su velocidad es muy
superior a la de la
memoria EEPROM.
sólo permiten un número
limitado de escrituras y
borrados, generalmente
entre 10.000 y un millón
sólo permiten un número
limitado de escrituras y
borrados, generalmente
entre 10.000 y un millón
MEMORIAS
FLASH
35.
36. En las memorias flash de tipo
NOR, cuando los electrones se
encuentran en FG (Floating
Gate), modifican
(prácticamente anulan) el
campo eléctrico que generaría
CG (control Gate) en caso de
estar activo. De esta forma,
dependiendo de si la celda
está a 1 ó a 0, el campo
eléctrico de la celda existe o
no. Entonces, cuando se lee la
celda poniendo un
determinado voltaje en CG,
37. Las memorias flash
basadas en puertas
lógicas NAND
funcionan de forma
ligeramente
diferente: usan un
túnel de inyección
para la escritura y
para el borrado un
túnel de ‘soltado’.
38. Un caché es un sistema
especial de
almacenamiento de alta
velocidad. Puede ser
tanto un área reservada
de la memoria principal
como un dispositivo de
almacenamiento de alta
velocidad independiente.
39. frecuentemente usados en las computadoras
personales: memoria caché y caché de disco.
Una memoria cache, llamada también a veces
almacenamiento caché o RAM caché, es una
parte de memoria RAM estática de alta velocidad
(SRAM) más que la lenta y barata RAM dinámica
(DRAM) usada como memoria principal. La
memoria cache es efectiva dado que los
programas acceden una y otra vez a los mismos
datos o instrucciones. Guardando esta
información en SRAM, la computadora evita
acceder a la lenta DRAM.