Orientadora: Prof ª. Drª. Daniela Martins F. de Oliveira
DQI/ Campus sede UEM
UNIVERSIDADE ESTADUAL DE MARINGÁ
Jéssica de Lara Andrade
PIBIC / Fundação Araucária / UEM
Química Licenciatura - 2009
 A Nanotecnologia trata da manipulação de materiais em escala
nanométrica, ou seja, a um bilionésimo de um metro (10-9 m).

 Semicondutor “tipo n”
 Estrutura Wurtzita
 Banda gap de 3,37 eV
 Interessantes propriedades
fotocondutoras, piezoelétricas e
luminescentes.
 Semicondutor “tipo p”
 Estrutura cúbica de face centrada
 Ampla energia de banda gap (3,6 -
4,0 eV)
 Interessantes propriedades
Magnéticas
Dopagem
 Sintetizar nanopartículas de óxidos metálicos puros e dopados de
ZnO e NiO em diferentes composições, utilizando um método de
síntese que utiliza precursores simples e água como solvente.
 Estudar as propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas destes
materiais por meio de diferentes técnicas de caracterização como:
 Espectroscopia na região do Infravermelho com Transformada de
Fourier (FTIR)
 Difratometria de raios-X (DRX)
 Microscopia Eletrônica de Transmissão (MET)
 Espectroscopia de Absorção Fotoacústica na região UV-Vis (PAS)
Figura 1 - Espectros de FTIR dos óxidos nanoestruturados puros e dopados, calcinados
em ar a 400 °C. a) Ni1-xZnxO e b) Zn1-xNixO.
O-H NO3
– , CO3
– Ni-O
Zn-O
Ni-O
Zn-O
NO3
– , CO3
–
O-H
4000 3500 3000 2500 2000 1500 1000 500
Ni0,90Zn0,10O
Ni0,95Zn0,05O
Ni0,97Zn0,03O
Absorbância
(u.a.)
Numero de onda (cm-1)
NiO
Ni0,99Zn0,01O
ZnO
a)
4000 3500 3000 2500 2000 1500 1000 500
Zn0,90Ni0,10O
Zn0,95Ni0,05O
Zn0,97Ni0,03O
Absorbância
(u.a.)
Numero de Onda (cm-1)
Zn0,99Ni0,01O
ZnO
NiO
b)
Figura 2- Difratogramas de Raios-X dos óxidos nanoestruturados puros (NiO e ZnO) e
dopados Ni1-xZnxO em diferentes concentrações, calcinados em ar a 400 °C.
* NiO
# ZnO
10 20 30 40 50 60 70 80
Ni0,90
Zn0,10
O
Ni0,95
Zn0,05
O
Ni0,97
Zn0,03
O
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
*
*
*
*
NiO
Ni0,99
Zn0,01
O
2 (graus)
Intensidade
(u.a.)
ZnO
*
Figura 3- Difratogramas de Raios-X dos óxidos nanoestruturados puros (NiO e ZnO) e
dopados Zn1-xNixO em diferentes concentrações, calcinados em ar a 400 °C.
10 20 30 40 50 60 70 80
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
**
*
*
*
Zn0,90Ni0,10O
Zn0,95
Ni0,05
O
Zn0,97
Ni0,03
O
Intensidade
(u.a.)
2 (graus)
ZnO
Zn0,99
Ni0,01
O
NiO
*
#
* NiO
# ZnO
 Tamanho dos cristalitos
Equação de Scherrer
Amostra Diâmetro em nm
Calcinado a 400°C Calcinado a 500 °C
ZnO 18 31
NiO 14 14
Ni0,99Zn0,01O 19 20
Ni0,97Zn0,03O 15 16
Ni0,95Zn0,05O 17 17
Ni0,90Zn0,10O 14 17
Zn0,99Ni0,01O 18 32
Zn0,97Ni0,03O 18 26
Zn0,95Ni0,05O 17 27
Zn0,90Ni0,10O 16 21
d= tamanho médio dos cristalitos;
0,9=constante esférica
λ =comprimento de onda de
emissão da lâmpada de cobre
utilizada,
B =diferença entre largura à meia
altura dos picos da amostra e do
padrão
ӨB =ângulo de Bragg
correspondente.
200 300 400 500 600 700 800
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
Sinal
Fotoacustico
(u.a.)
Comprimento de onda (nm)
ZnO 500°C
ZnO 400°C
Zn0,99
Ni0,01
O
Zn0,97
Ni0,03
O
Zn0,95
Ni0,05
O
Zn0,90
Ni0,10
O
Figura 3 - Espectros de absorção fotoacústica na região do UV-Vis do ZnO puro e dopados
Zn1-xNixO calcinados em ar a 400°C.
 Calculo de Energia de Banda gap
Relação de Tauc
αhν = A (hν – Eg )n
α= sinal fotoacústico
A= constante
h=constante de Planck;
ν= frequência do fóton,
Eg =banda gap óptica;
n= ½ ( semicondutor
direto).
Amostra Energia de Banda Gap (eV)
ZnO 3,02
NiO 3,61
Ni0,99Zn0,01O 2,95
Ni0,97Zn0,03O 3,00
Ni0,95Zn0,05O 2,52
Ni0,90Zn0,10O 3,43
ZnO# 3,16
Zn0,99Ni0,01O 3,05
Zn0,97Ni0,03O 3,05
Zn0,95Ni0,05O 3,12
Zn0,90Ni0,10O 3,11
# Oxido de Zinco (ZnO) calcinado a 500ºC
 Valores
de Eg
 TEM
NiO Ni0,95Zn0,05O
Zn0,95Ni0,05O
ZnO
 Foi possível sintetizar nanopartículas de óxidos puros e dopados (DRX
e FTIR).
 Os difratogramas de raios-X revelaram a pureza e a estrutura cristalina
dos óxidos.
 Os espectros de PAS mostraram que as propriedade ópticas dos
óxidos mudam com a dopagem.
 As energias de banda gap dos óxidos, em geral, diminuíram com a
dopagem, melhorando suas propriedades elétricas.
Apresentacao EAIC - Jéssica.pptx

Apresentacao EAIC - Jéssica.pptx

  • 1.
    Orientadora: Prof ª.Drª. Daniela Martins F. de Oliveira DQI/ Campus sede UEM UNIVERSIDADE ESTADUAL DE MARINGÁ Jéssica de Lara Andrade PIBIC / Fundação Araucária / UEM Química Licenciatura - 2009
  • 2.
     A Nanotecnologiatrata da manipulação de materiais em escala nanométrica, ou seja, a um bilionésimo de um metro (10-9 m).
  • 3.
  • 5.
     Semicondutor “tipon”  Estrutura Wurtzita  Banda gap de 3,37 eV  Interessantes propriedades fotocondutoras, piezoelétricas e luminescentes.  Semicondutor “tipo p”  Estrutura cúbica de face centrada  Ampla energia de banda gap (3,6 - 4,0 eV)  Interessantes propriedades Magnéticas Dopagem
  • 6.
     Sintetizar nanopartículasde óxidos metálicos puros e dopados de ZnO e NiO em diferentes composições, utilizando um método de síntese que utiliza precursores simples e água como solvente.  Estudar as propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas destes materiais por meio de diferentes técnicas de caracterização como:  Espectroscopia na região do Infravermelho com Transformada de Fourier (FTIR)  Difratometria de raios-X (DRX)  Microscopia Eletrônica de Transmissão (MET)  Espectroscopia de Absorção Fotoacústica na região UV-Vis (PAS)
  • 8.
    Figura 1 -Espectros de FTIR dos óxidos nanoestruturados puros e dopados, calcinados em ar a 400 °C. a) Ni1-xZnxO e b) Zn1-xNixO. O-H NO3 – , CO3 – Ni-O Zn-O Ni-O Zn-O NO3 – , CO3 – O-H 4000 3500 3000 2500 2000 1500 1000 500 Ni0,90Zn0,10O Ni0,95Zn0,05O Ni0,97Zn0,03O Absorbância (u.a.) Numero de onda (cm-1) NiO Ni0,99Zn0,01O ZnO a) 4000 3500 3000 2500 2000 1500 1000 500 Zn0,90Ni0,10O Zn0,95Ni0,05O Zn0,97Ni0,03O Absorbância (u.a.) Numero de Onda (cm-1) Zn0,99Ni0,01O ZnO NiO b)
  • 9.
    Figura 2- Difratogramasde Raios-X dos óxidos nanoestruturados puros (NiO e ZnO) e dopados Ni1-xZnxO em diferentes concentrações, calcinados em ar a 400 °C. * NiO # ZnO 10 20 30 40 50 60 70 80 Ni0,90 Zn0,10 O Ni0,95 Zn0,05 O Ni0,97 Zn0,03 O # # # # # # # # # # # * * * * NiO Ni0,99 Zn0,01 O 2 (graus) Intensidade (u.a.) ZnO *
  • 10.
    Figura 3- Difratogramasde Raios-X dos óxidos nanoestruturados puros (NiO e ZnO) e dopados Zn1-xNixO em diferentes concentrações, calcinados em ar a 400 °C. 10 20 30 40 50 60 70 80 # # # # # # # # # # ** * * * Zn0,90Ni0,10O Zn0,95 Ni0,05 O Zn0,97 Ni0,03 O Intensidade (u.a.) 2 (graus) ZnO Zn0,99 Ni0,01 O NiO * # * NiO # ZnO
  • 11.
     Tamanho doscristalitos Equação de Scherrer Amostra Diâmetro em nm Calcinado a 400°C Calcinado a 500 °C ZnO 18 31 NiO 14 14 Ni0,99Zn0,01O 19 20 Ni0,97Zn0,03O 15 16 Ni0,95Zn0,05O 17 17 Ni0,90Zn0,10O 14 17 Zn0,99Ni0,01O 18 32 Zn0,97Ni0,03O 18 26 Zn0,95Ni0,05O 17 27 Zn0,90Ni0,10O 16 21 d= tamanho médio dos cristalitos; 0,9=constante esférica λ =comprimento de onda de emissão da lâmpada de cobre utilizada, B =diferença entre largura à meia altura dos picos da amostra e do padrão ӨB =ângulo de Bragg correspondente.
  • 12.
    200 300 400500 600 700 800 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 Sinal Fotoacustico (u.a.) Comprimento de onda (nm) ZnO 500°C ZnO 400°C Zn0,99 Ni0,01 O Zn0,97 Ni0,03 O Zn0,95 Ni0,05 O Zn0,90 Ni0,10 O Figura 3 - Espectros de absorção fotoacústica na região do UV-Vis do ZnO puro e dopados Zn1-xNixO calcinados em ar a 400°C.
  • 13.
     Calculo deEnergia de Banda gap Relação de Tauc αhν = A (hν – Eg )n α= sinal fotoacústico A= constante h=constante de Planck; ν= frequência do fóton, Eg =banda gap óptica; n= ½ ( semicondutor direto).
  • 14.
    Amostra Energia deBanda Gap (eV) ZnO 3,02 NiO 3,61 Ni0,99Zn0,01O 2,95 Ni0,97Zn0,03O 3,00 Ni0,95Zn0,05O 2,52 Ni0,90Zn0,10O 3,43 ZnO# 3,16 Zn0,99Ni0,01O 3,05 Zn0,97Ni0,03O 3,05 Zn0,95Ni0,05O 3,12 Zn0,90Ni0,10O 3,11 # Oxido de Zinco (ZnO) calcinado a 500ºC  Valores de Eg
  • 15.
  • 16.
     Foi possívelsintetizar nanopartículas de óxidos puros e dopados (DRX e FTIR).  Os difratogramas de raios-X revelaram a pureza e a estrutura cristalina dos óxidos.  Os espectros de PAS mostraram que as propriedade ópticas dos óxidos mudam com a dopagem.  As energias de banda gap dos óxidos, em geral, diminuíram com a dopagem, melhorando suas propriedades elétricas.