1. Нанотехнологическое общество
России и развитие новых
технологий - НАНОТЕХНОЛОГИЯ
Проф. Виктор Александрович Быков,
Генеральный директор группы компаний «НТ-МДТ»
Президент НОР,
Москва, Зеленоград

2. Развитие
570млн.-230млн. От 67млн. -
палеозой кайнозой
3,5 млрд.-530 млн. 20 млн.-12млн.
Техническа
Архей - протерозой я
цивилизац
От 3,5млн.
ия
-10млрд.
-1млрд.
-100млн. -1млн. -100тыс.
-10млн. -10тыс. -1000 -100 -10 0 10 100
230 млн.-67млн.
мезозой
4,5млрд. лет

3. Вакуумная электроника - Радиолампы
10 см

4. ЭВМ «СТРЕЛА», 1953 год, 6200 ламп, 60 тыс.
полупроводниковых диодов, 2000 трехадресных команд
в сек., 150 кВт, 300 кв.м.

5. Первый транзистор
Шокли, Братейн, Бардин, 1947
13 мм

6. 1959 год, Старт полупроводниковой
микроэлектроники -первые
микросхемы

7. Нанотехнология &
История Сканирующая Зондовая Микроскопия
Второй этап развития НТ –
Прямая манипуляция атомами
При помощи СЗМ, СЗМ в науке
От кантилеверов к матричным
Микромеханическим механизмам
Нано Эра,
СЗМ в индустрии
Как основные
Метрологичекие
Прибоы. От
Сенсоров к
Терабитным ЗУ,
Мультимода и
Многозондовые
Устройства,
Нанороботы -> НТ
Первый этап развития НТ Конструкции&Методы Применения СЗМ

8. НАНОТЕХНОЛОГИЯ в электронике:
размеры менее 100 нм
65 нм
45 нм Продвижение
32 нм
Ширина 22 нм
16 нм
Затвора LG
11 нм
8 нм
Эволюция Революция
в КМОП в КМОП Экзотика
Классическая Классическая Квантовая
физика Физика с Механика
квантовыми
поправками

9. Transistor scaling
graphene
nanowires
New process modules S p a c e rs
A c tiv e A r e a
G a te F ie ld
Ge/IIIV
New materials
FinFET
New device concepts 16 and beyond
metal gate
HfO 2
high -k
25 nm
32-22-16
Non-planar
NiSi
NiSi
L=35nm
FUSI
devices
45-32
S iG e
strain
High-k, Metal Gate
USJ
Front End
silicide
90-65-45 time
>=130
ICPCNanonet-Beijing C. Strain, USJ 9
Claeys

10. Multi-gate Structures
22nm: The “Device” revolution
FinFET Device
NiSi
poly-Si
Fin
SOI FF
50 nm
Bulk FF
10
ICPCNanonet-Beijing 10
C. Claeys

11. Introduction of New Materials
NEW MATERIALS IN SILICON
TECHNOLOGY
11 Elements
15 Elements
Source: Terrence McManus, Intel >60 Elements
ICPCNanonet-Beijing 11
C. Claeys

12. Типовая микросхема CS50
• 0.1микрона КМОП
• 1.5 V
• 26 фотолитографий
• Al разводка, W затворы
• 6 слоев разводки
• W локальные
межсоединения
• Монокристаллическая
подложка
• CoSi2, with silicide block
• Shallow Trench Isolation
• Single Poly
• Прецизионные
резисторы

13. Основные аллотропные формы углерода
ГЦК-углерод (sp0) Фулерен (sp2)
Графен (sp2)
Карбин (sp1)
Нанотрубка (sp2)
Графит (sp2)
Алмаз (sp3)
Лаборатория анализа

14. UTD’s Nanotech Institute Approach:
Dry Self-Assembly
CNT Yarns and Sheets
Science
Vol. 306, 2004 and Vol. 309, 2005
Strong Macro Scale CNT material!

15. Catalytic Thermal CVD
He
C2H2 Quartz Tube
furnace
Substrate Catalyst Conditions
Fe layer ~5 nm
He: 550 sccm
C２H２: 30 sccm
Temp.: 680˚C
Glass or Si
Atmospheric pressure

16. Sheet Fabrication from MWNT Forest
CNT Forest Sheet

17. Multi Walled Carbon Nanotubes:
High work function 5.3 eV, high s
Physics
~ 300 Simens
MWNT Cross-sectional view
SEM of oriented forests
MWNT: SWNT’s nested within each other.
Typically: 10-25nm,
intertube distance ~ 1.7nm
About 1/3 are conducting and only these
tubes contribute to electronic and thermal
properties. Most tubes are semi-metals

18. Free standing MWCNT sheet is strong to support a ladybug
July 2006 issue

19. NASA goal: 1000 W/kg of solar power
for space exploration
Make a transparent flexible lightweight photovoltaic cell by using a
Transparent carbon nanotube sheet on NASA thermal blanket.
Combined with other solar cells in a Tandem
Carbon nanotube sheet
To next devices
e.g. inorganic NASA developed Thermal blanket
Si or CIGS solar

20. 1971, First STM - “Topografer”
R. Young, J. Ward and F. Scire 1982, H. Rohrer и G. Binnig with first atomic resolution
design STM, Nobel Prize 1986

21. Сканирующая зондовая микроскопия
Твердотельным зондом «ощупывается» поверхность и
определяются характеристики при этом взаимодействии (ток,
притяжение или отталкивание, деформации, температура и т.п.)
Оптическая
Сканирующая туннельная
микроскопия (проводящие Атомно-силовая сканирующая
микроскопия
материалы) микроскопия ближнего поля

22. 1979 – 1990 г.г. – Пьезосканер – «Трипод»

23. Держатель зонда
Зонд
X2
Y1
0,5 ÷ 1мм
Y1
Y2 X1
Y2
Фланец для
крепления сканера
X1 Пьезокерамическая
трубка
Z

24. Пьезотрубка для сканера СЗМ

25. Туннельный микроскоп НТ-МДТ, 1992 - 1993

26. NanoEducator
NanoEducator
NanoEducator +
Учебный СЗМ
Soft Windows XP, Mac
OS
NanoEducator MFM
Оборудование для образовательного
процесса

27. Кантилевер НАНОЭДЬЮКАТОРА

28. Восстановление зонда
Универсальный зондовый датчик выполнен
восстанавливаемым – при износе или
повреждении кончика зонда,
изготавливаемого из вольфрамовой
проволоки, он может быть снова заострѐн
путѐм травления, для этого в комплект
комплекса входит устройство травления.
Такое решение резко уменьшает
эксплуатационные расходы. Для получения
острого зонда нужна только капля
слабощелочного раствора (мыльной воды) и
кусочек вольфрамовой проволоки.

29. Триподный сканер Наноэдьюкатора-1

30. Программное обеспечение/ программа обработки и анализа
изображений
Программа обработки и
анализа изображений
позволяет:
- представлять данные в 2D/3D с
различными вариантами
искусственной подсветки
- проводить статистическую
обработку
- использовать 5 видов
фильтрации, включая
градиентную, сглаживающую,
Фурье и пр.
- преобразование изображений,
включая планаризацию и
построение сечений

31. Нанолитография
Помимо получения изображения,
прибор позволяет проводить
модификацию поверхности, в
частности, силовую литографию –
формирование рисунка по
заданному растровому шаблону
путѐм «чеканки» остриѐм зонда.

32. Nanoeducator Next 13
Новые возможности:
- Атомарное разрешение в режимах СТМ/АСМ
- Высокочастотное сканирование (до 40 Гц на строку);
- Возможность работы с кантилеверами с реализацией
полномасштабного СЗМ;
- Современный дизайн

33. Наноэдьюкатор-2

34. 3D емкостные датчики нижнего трубчатого сканера

35. Nanoeducator 2 35
New design and properties
Powerful Digital Controller
STM&Resonant Type AFM Head + Laser Control
AFM Head and Optical Microscope
Atomic Resolutions in STM/AFM Modes
Metrological 3D 100x100x10 microns Scanner
As Windows and Mac OS SW

36. Nanoeducator 2 36
Test Structure 70×70 microns Human Erythrocytes 37×37 microns

37. Nanoeducator 2 37
Atomic stapes on High Oriented Pyrolytic Graphite
Imprinting on In Surfaces 70×70 microns
800×800 nm

38. Nanoeducator 2, СТМ мода, HOPG 38

39. Атомно-силовая микроскопия

40. Схема Майера и Амера

41. анирующий зондовый микроскоп НТ-МДТ, 1994 - 1995
Солвер-Р4

42. Христовер Гербер предложил работать
осцилирующим кантилевером, 1992, которую
президент Digital Instruments Dr. Vergil Ellings
назвал Теппинг модой
Амплитуда
1-20 нм

44. Cantilevers

45. NT-MDT поликремниевые кантилеверы

47. Ultra sharp AFM probe and DNA Images
SEM of Ultra
Sharp AFM Tip
High Resolution AFM Image of DNA poly(dG)–poly(dG)–poly(dC)
(Dmitry Klinov1, Benjamin Dwir1, Eli Kapon1, Natalia Borovok,
Tatiana Molotsky and Alexander Kotlyar - Nanotechnology 18 (2007)

48. Многофункциональные метрологические СЗМ
ИНТЕГРА-Аура
The Configuration The Configuration for
for the Vacuum Capacitance Microscopy,
Condition Spraiding resistance and
High Resolution
Measurements
Electrochemical Magnetic
measurements Properties
Configuration Measurements
Configuration
Liquid Cell Measurements
STM Measurements
Configuration Configuration

49. Метрологические измерения с емкостными датчиками регистрации
перемещений сканера и АТОМНОЕ РАЗРЕШЕНИЕ
Высокоориентированный графит
4x4 nm

50. МСМ: ИНТЕГРА Аура
30nm
Работа с внешним магнитным полем:
горизонтальное до +/- 0,2Т,
вертикальное до +/- 0,02 Т
Нагревание образца до 300 0С
с точностью поддержания температуры 0,05 0С

51. Measurements in variable external magnetic field
31Oe 82Oe 149Oe
281Oe 346Oe
205Oe
Domain structure of the inhomogeneous film of yttrium iron garnet
Технология «слепых» - глаза
НАНОМИРА

52. P9 – 2009 version of NT-MDT SPM controller,
Fast scanning: Smart scanning algorithm, 40 Hz
частота сканирования 15 Hz

53. ВНЕШНИЙ ВИД СЗМ
1 – вакуумная камера;
2 – шкаф электроники;
3 – турбомолекулярный
насос;
4 – виброизолирующий
стол;
5 – видеомикроскоп;
6 – форвакуумный
насос;
7 – система
охлаждения;
8 – термостат

54. High Vacuum Solver SPM System
H up to 0,2T
Vacuum up to 10-8
torr

55. MFM – HDD of low density
Phase contrast = 10 grad
Phase contrast = 1 grad
40 Mb HDD magnetization can be visualized in phase
imaging mode in air (left)
as well as in vacuum (5x10-7 Torr) at 113K (right).
Obviously, that quantitative
analysis at 113K can be performed much more accurately

56. Kelvin Probe Microscopy Imaging
Surface of non-doped GaAs was pre-charged by lithography treatment.
Kelvin Probe Microscopy Imaging mode in vacuum (5x10-7 Torr) at 113K
shows distinct line differences in surface potential

57. Электростатическая Силовая Микроскопия или Метод зонда
Кельвина
Схема измерения Зависимость, амплитуды
электрического колебаний зонда от постоянного
взаимодействия зонда с напряжения
образцом

58. Распределение потенциала на поверхности
графита

59. Проводящие зонды
Проводящие покрытия
для кремниевых зондов
серии “Golden”:
Проводящие
Au Pt W2C TiN
Сопротивление пленки,
2 10 25 100 mkOhm*cm
Толщина пленки – 20-30 нм
ПЭМ изображение иглы,
Типовой радиус кривизны – 35 нм покрытой Pt
(толщина покрытия 10 нм).

60. Ultra-low current measurements
Investigations of highly resistive materials, such as thin dielectric layers on
semiconductors, DLC and piezo- films, conductive polymers, etc.
AFM (AU020NTF): Adjustment unit for low current measurements in
Spreading Resistance mode. Current range: -/+100pA. Noise is 30fA in
100Hz bandwidth.
Topography and
current pictures
obtained on
TiSi2 film grains
of conducting
phase. Voltage
applied is
0.02V.

61. Компенсация паразитной емкости
Сигнал на выходе контроллера: U = C(V) + const, где const это паразитная емкость
системы (~ 100 aF).
Значения U1 = C(V1) + const и U2 = C(V2) + const можно определить в каждой точке
сканируемой поверхности и далее скомпенсировать с помощью программного
обеспечения. Таким образом, будет получена величина dC/dV.
А также появится возможность построить кривые C-V и dC/dV-V.

62. Определение различных типов проводимости
Point N C(V) vs V dC/dV vs V
1
2
dC/dV 3

63. Atomic Force Acoustic Microscopy (AFAM)
Contrast imaging of the local hardness distribution on
soft and even HARD samples
Topography Phase imaging Force modulation
MPa
1200 Stripes of low and high density
polyethylene with different
elasticity. Scan size 47x47 um.
800
Stripes are excellently
contrasted in AFAM but hardly
400 visible in other methods
AFAM amplitude Young modulus

64. Atomic Force Acoustic Microscopy (AFAM)
Ferroelectric stripe domains on PZT (AFAM)
Topography and Atomic Force Acoustic Microscopy(AFAM) images of PZT. Stripe
ferroelectric domain structure are clearly visible on AFAM image due to the difference
in local Young's moduli of domains of different polarization.
Sample courtesy of Prof. Walter Arnold, Fraunhofer Institute for Nondestructive
Testing, Saarbruecken, Germany.

65. Измерение сил адгезии, 2-х компонентная ЛБ-пленка
Топография Адгезия

66. 21 год был дан старт ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ НАНОТЕХНОЛОГИИ,
Дон Эйглер стал первым человеком в истории Земли, кто при
помощи СТМ двигал атомы и наблюдал это!

67. Dr. Don Eigler, 1989

68. СЗМ литография
Maoz, R., Frydman, E., Cohen, S., Sagiv, J. - J.
Adv. Mater. 2000, 12, 725 – 731.
Нанотранзистор, размер изображения
800×800 nm
Д.В. Щеглов, З.В.Квон, А.И. Торопов,
А.В.Латышев, ИФП СО РАН

69. СЗМ литография
Локальное анодное окисление, TiO2 на Ti Токовая литография, 512*512
точек, оксид Ti на Ti, сканеры с
емкостными датчиками на
системе ИНТЕГРА

70. ИНТЕГРА Томо: 3D-томография
АСМ модуль сканирует
поверхность для
Модуль
получения изображения
силового контраста ультрамикротом
высокого разрешения удаляет тонкий
слой, готовя
поверхность к
следующему АСМ
сканированию
По нескольким двухмерным АСМ
изображениям реконструируется
3D модель

71. Трехмерная реконструкция
Поперечный срез трехмерной сети
углеродных нанотрубок в
полимерном
матриксе.
Слева отображение фазы, 2 х 2 мкм
Справа отображение сопротивления
растекания, 2 х 2 мкм
Трехмерная реконструкция
распределения проводящих
углеродных нанотрубок в
полимерном матриксе, сделанная
из серии двухмерных изображений
(отображение растекания).
2 х 2 х 0,3 мкм.
Для построения модели
использовано 22 изображения,
расстояние между слоями - 12 нм.

72. Ntegra Life 72
Automatic SPM + Highest Powers Optical Microscope

73. NTEGRA LIFE
Neural cells (in air)
left: optical image
right: AFM image
Scan size 50×50 μm
Mode: semicontact
Human hair (in air)
left: optical image
right: AFM image
Scan size 50×100 μm
Mode: contact

74. Ntegra Life 74
Bacterium of Escherichia coli (in liquid);
область сканирования 4.5×4.5 мкм.
Рельеф образца (слева) и фазовый контраст
(справа)

75. SPM + Optical Microscopy
Fluorescent images (a, b) and AFM topography (c) of
an E. coli cluster imaged in air, on a poly-L-lysine
coated surface. An overlay of complementary
fluorescence and AFM images (d)
Images courtesy of Dr. L. Gurevich, Dr. P. Fojan,
J. S. Møller, L. H. Klausen, N. P. H. Knudsen,
Aalborg University, Denmark
NTEGRA Life

76. Scanning Thermal Microscopy (SThM)
SThM is an advanced SPM mode intended for
simultaneous obtaining nanoscale thermal and
topography images.
NT-MDT’s SThM kit is able to visualize
temperature and thermal conductivity
distribution at the sample surface. The SThM
system hardware includes electronic controller,
software, and probes.
SThM probe
Topography Thermal conductivity K
Kit with SThM probes Scan size: 6 × 6 um [V/(m*K)]
Area size: 6 × 6 um

78. Классическая наноиндентация:
воспроизводимость и симметрия
Множественные уколы демонстрируют высокую
воспроизводимость кривых (~1%) и дают Измерения соответствуют
разброс ~5% при вычислении модуля Юнга. стандарту ISO 14577
Материал Твердость, Модуль Юнга,
ГПа ГПа
победит 16 790
диоксид 4,8 45 Разброс 1,5%
кремния 100
нм при 100 измерениях
поверхность 4,4 58
жесткого
диска 100 Гб

79. Nanointendation
Indentation of the metallic material Topography of aluminium alloy D16 after
surface. Imagine option is necessary for indentation. The same probe is used for
studying the pile-ups surrounding the topography scanning and following
residual imprint indentation of the chosen areas
Conductivity map of the golden film on Elastic modulus map of the polycrystalline
the silicon substrate SIC

84. NTEGRA Spectra: SPM + Optical confocal microscope /
Spectroscopy options: Raman, Luminescence

85. - NTEGRA-SPECTRA – Optical Schema

86. Модуль боковой подсветки
ТЕРС конфигурация
безапертурной головки
Реализация оптимальной ТЕРС
конфигурации для непрозрачных
образцов: разработка
дополнительной оптической
системы для засветки образца и
кантиливера сбоку (при этом, сбор
Рамановского сигнала идет сверху –
как в текущей конфигурации)

87. Микроскопия комбинационного рассеяния
сверхвысокого разрешения
а) схематическое представление TERS-спектроскопии
б) зонд находится вблизи от пучка углеродных нанотрубок , при этом
сигнал комбинационного рассеяния от них увеличивается на порядок
в) изображение пучка углеродных нанотрубок, полученное с помощью КР
микроскопии
г) изображение того же пучка с применением TERS. Эффект локального
усиления поля позволяет улучшить пространственное разрешение КР
микроскопии, по крайней мере, в 4 раза
Данные получены в лаборатории Prof. Dr. G. de With , TUE, Голландия,
коллективом авторов Dr. S.Kharintsev, Dr. G. Hoffmann, Dr. J. Loos, a также П.Дорожкиным, НТ-МДТ

88. Image courtesy: Jacon Jao, Renato Zenobi ETH Zurich, Switzerland; G.
Hoffman, J. Loos, TUE, Eindhoven; and Pavel Dorozhkin, NT-MDT Russia
TERS with Silver coated cantilevers
Scan size: 2x3 micron
AFM image of carbon TERS image of the
nanotube bundle same bundle

89. SPM + Raman = TERS
e) “Nano-Raman” (TERS) image of carbon nanotubes with corresponding line cross-
section f) showing 14 nm spatial resolution.
For more information see: Chan K.L., Kazarian S.G., “Finding a needle in a chemical
haystack: tip-enhanced Raman scattering for studying carbon nanotubes mixtures”,
Nanotechnology 21, 445704 (2010).

90. Graphene flake #1 - point spectroscopy
633 nm laser
Confocal Raman
map (2D band
center of mass
position). 1-, 2-,
3-, and 4- layered
flakes can be
3 layers?
easily
distinguished by
position of 2D
peak when using
a color palette
scale.

91. The Product Line of NT-MDT Companies
Group
NANOFAB-100
NANOLABs
Scanning probe microscopes
Accessories
Minilab for Education in NANO

93. Устройство НАНОФАБ 100:
технология ФИП – рост 3-х мерных наноструктур
Width : 2,5mm

94. Устройство НАНОФАБ 100:
технология ФИП
Газо-фазное осаждение,
стимулированное ионными и
электронными пучками
Осаждение W(CO)6 при
давлении ~ 3*10-4 тор
C. Burkhardt et al., NMI Reutlingen, Germany

95. NanoFab: Cluster type equipment
with nanometer precision wafer repositional
system
Technology and analytic in one system
Technological
or analytical Single Cluster
modules
Multicluster system

97. NANOFAB 100:
Transport module and ultrapresision stages

98. South
Federal
University
Taganrog,
Russia
NanoFab 100

100. NANOFAB-100, Kurchatov Institute, Russian National
Nanotechnology Laboratory (September 2009 г.)

101. NANOFAB 25, 2009,
St. Petersburg Polytechnical University

102. СЗМ платформы Нанофаб
1 – камера сканирующего зондового микроскопа; 2 – камера загрузки зондов;
3 – стол активной виброзащиты; 4 – откачной пост.

103. Камера СЗМ
1 – вакуумная камера; 2 – система регистрации отклонений кантилевера; 3 – лазер

104. Сверхвысокий вакуум,
Низкая температура (5К),
Добротность кантилевера - 50000

105. SPM + Synchrotron
• Crystal lattice
characterization
• Thin film heterostructure
• Small-dose doping and
impurity

106. R&D Stations on Synchrotron Zelenograd

107. Nanofab Work Station on SY Zelenograd

108. Технологические возможности НТК
Локальное осаждение
Анализ поверхности Нанесение слоев Травление слоев и травление ФИП,
ФЕП, СЗМ
Зондовая, ионная, 1) Осаждение W, Mg, Pt, C, Ni
электронная микроскопии Плазмохимическое
ОЖЕ, ВИМС, ЭСХА 2) Травление фтором
+ СИ -> ФЭС, EXAFS, SAS
1) Очистка 3) Формирование рисунка в
маскирующем слое
Рост УНТ и
Лазерная Плазмохими- Магнетронное Нанесение
графеновых 2) Утонение
абляция ческое напыление резиста Формирование островков
слоев
катализатора для роста УНТ
3) Травление через маску (Ni, Fe, Co)
V2O5, ZnO,
SiO2, Si3N4, Металлов 1) Для ионной 5) Формирование
4) Удаление резиста
ItBaCuO,
polySi литографии наноразмерных объемных
Pb(TiZr)O3, структур
Формирование слоев фото-
стимулированным
2) Для
Al2O3, CeO,
осаждением в т.ч. электронной
Y2O3, AlN, MgO
жертвенных слоев литографии Безмасковое экспонирование
(GexSi1-xO2)+((GeySi1-y)3N4) С возможностями создания
3) Для оптической
безмасковой Наноструктур на пластинах
литографии Диаметром до 200 мм
минимально возможный
элемент – 65 нм (вместе с НПО
«ПЛАТАН»)

109. СВЧ электроника на основе квазидвумерных материалов

110. Транзисторы на основе графена
Рис. Интегрированный комплементарный графеновый инвертор.
(а) схематическое изображение инвертора. Три электрода нанесены
на монослой графена. Часть графенового листа между двумя левыми
электродами (окрашена красным) электрически отжигалась для
получения полевого транзистора n-типа. Другая часть листа графена
представляет собой транзистор p-типа. (b) Измеренные переходные
характеристики сформированного комплементарного графенового
инвертора. Вставка: СЭМ-изображение сформированного инвертора
и разводки.

111. Транзисторы на основе графена
Результаты:
Созданы «top-gated» транзисторы.
Частота увеличивается с уменьшением
длины канала. Максимальная измеренная
частота – 26ГГц при длине канала 150нм.
Вывод: если производить графен с высокой
подвижностью носителей заряда(20000см2/Вс ),
то при длине затвора 50нм могут быть достигнуты
частоты порядка 10 ТГЦ.
IBM T.J. Watson Research Center, New York

112. Транзисторы на основе графена
1. Кремниевая подложка (>10кОм см),
Графен получен способом механического
расщепления
2. Сток, исток: 1нм Ti – адгезионный слой,
50нм Pd – электроды
3. Подзатворный диэлектрик Al2O3(10нм) осажден
при 250 0С посредством ALD.
4. Осажден слой Pd/Au толщиной10нм/50 нм
(b) Расстояние между электродами сток-исток 500нм
Длина затвора – 360нм
Ширина затвора, включая оба канала – 40мкм.
IBM T.J. Watson Research Center, New York

113. Транзисторы на основе графена
Параметры:
- Ток в открытом состоянии
при напряжении на стоке
- Частота среза
при длине затвора
- Частота
была получена при Полевой транзистор на основе эпитаксиально
выращенных графеновых материалов
Частотные характеристики будут улучшены
при уменьшении длины затвора до 100нм HRL Laboratories в рамках программы CERA
(Carbon Electronics for RF Application)
Преимущества конструкции:
- предельно допустимый ток,
- термическая проводимость,
- малый управляющий потенциал.

114. Перенос графена на другие
подложки после получения
Samsung, Korea

115. Рост из SiC

116. Графеновый
транзистор, с граничной
частотой 100 ГГц
Phaedon Avouris, Yu-Ming Lin и
коллеги в IBM's TJ Watson
Research Center в Нью-Йорке
начали изготовление полевых
транзисторов (FET), нагревая
подложку карбида кремния
(SiC) для создания
поверхностного слоя атомов
углерода в виде графена.
Параллельные электроды
истока и стока были затем
осаждены на него, оставляя
116
каналы открытого графена
между ними.

118. Дмитрий Струков, Константин Лихарев, 2005 г.

119. Перспективы применения мемристоров
Области применения электрически
реконфигурируемых БИС на
мемристорах
2-ой слой
наноразводки
Коммутационный
слой Нейроподобные аналогово-
1-ый слой цифровые
наноразводки самоорганизующиеся сети и
БИС КМОП БМК интеллектуальные
вычислительные структуры,
Элементы созданные на основе
многоуровневой многоуровневой
логики мемристорной логики могут
быть эффективно
применены в авиационных
Реконфигуриру комплексах А-100, а также в
емая изделиях типа 411, 1К133,
вентильная
матрица Спинар-1ДМ, БПЛА «Типчак»
119
и в других перспективных
образцах ВВСТ.

120. Схемотехнические
решения и
вольтамперные
характеристики
мемристоров

123. Характеристики мемристоров становятся повторяемыми, когда площадь
элементов становится менее 100х100 нм и если технологический процесс
формирования мемристоров проходит в сухой бескислородной атмосфере
123

125. 125

126. Мемристоры + кремниевые БМК -> Нейроподобные сис

127. NEURO-ELECTRONICS
ARTIFICIAL SYNAPSE = functional interface allowing
bi-directional communication between a neuron and an
integrated circuit = neurons-on-chip
ICPCNanonet-Beijing 127
C. Claeys

129. NEURO-ELECTRONICS
ARTIFICIAL SYNAPSE = functional interface allowing
bi-directional communication between a neuron and an
integrated circuit = neurons-on-chip
ICPCNanonet-Beijing 129
C. Claeys

131. Nanoeducator 2 131

132. Nanoeducator 2, АСМ Головка 132

133. SOLVER platform
SOLVER NEXT
the latest development
Proteins deposited on
mica measured in buffer
solution
Scan size: 320 х 320 nm
R&D100 AWARD
Winner 2009
SPM SOLVER platform offers more than 40
MFM image of HDD
surface
measuring methods, which can be carried out in air
Scan size: 12 х 12 um as well as in controlled atmospheres and liquids.
• Two measuring heads (STM, AFM)
• Fully automated
• Ergonomic design
Latex balls, Phase
contrast
• Mac OS® and Windows® compatible
Scan size: 2×2 um SPM

134. NTEGRA SPECTRA: Multimode SPM + Confocal microscopy +
Scanning 3D Raman and Luminescence Spectroscopy +TERS

135. NTEGRA Spectra
Beta-
carotine
distribution
Bright field image
in algal cells
50x50 µm
Confocal laser
(Rayleigh) 50x50 µm
AFM topography map • Atomic Force Microscopy ( > 30 modes
50x50 µm
)
• Confocal Raman / Fluorescence /
Rayleigh Imaging and Spectroscopy
• SNOM / NSOM
• TERS, TEFS, TERFS and scattering
Confocal fluorescence
Confocal Raman mapmap
SNOM (s-SNOM)
25x25 µm 25x25 µm

138. Отдел продаж,
Руководитель С.Пушко
НТ-МДТ, Маркетинг
и продажи,
Руководитель А.Б.Шу
Разработки и сервис,
Руководитель Ан.Быков
Быков Александр,
исп. Директор группы НТ-МДТ
НТ-МДТ &
НТИ
Службы
обеспечения
НТИ, производство
Руководитель Котов В.В.
НТ-МДТ & НТИ
Зеленоград

139. Офисы группы NT-MDT
NT-MDT Europe
NT-MDT
Eindhoven, NL NT-MDT Head Office,
Shanghai
Moscow, Russia
Shanghai, China
Distributors
Sales Representatives
NT-MDT America NT-MDT S&L
Santa Clara, USA Limerick, Ireland

140. World Wide Distribution Net (46 countries)
Coherent Scientific Pty. K-Tek Nanotechnology Axess Tech S.a.r.l.,
Ltd., Австралия LLC, США Франция
S.E.C.
Scientific
Equipment
Co. LTD.,
Quantum Design Израиль
Surface GmbH,
JapanIkebukuro,
Германия
Japan

141. NanoEducator Labs in Russia
169 Education Labs in
Russian Universities
463 units

142. NanoEducators labs Out of Russia

143. Рынок продукции NT-MDT
Поставки в 59 стран мира

144. По итогам 2010 года компания занимает 2-е место в мире
по объему рынка и первое по темпам роста

145. About the Company
• 20 years on the SPM market
• Over 3000 installations
in 59 countries
• 350 experts in HQ offices
• 46 Distributors worldwide
During the 20th century, Zelenograd became
the cradle of Russian microelectronics,
“Silicon Valley” of Russia.

146. NT-MDT Collaboration Projects
NNI Nederlands Nano Initiatief
•Bionano interactions for biosensing
Prof. G.J.L. Wuite Physics of complex systems Vrije Universiteit Amsterdam
•Nanomolecular machines in cellular force-generation
Prof. dr. Marileen Dogterom (AMOLF)
FP7 Nanoimaging Tools for Organic Electronics
Nano-Imaging tools for organic electronics: towards integration of Scanning
Probe Microscopy, Raman Spectroscopy and Ellipsometry

147. Russian Nanotechnology Society
• Start in 2008;
• Situation for the Today: 1100 members
(professors and Dr.Sci. 334, Ph.D. 335);
• RNS include: 22 divisions (Industrial
comity, Student and Yang Scientist
division and 17 division for the numbers
of the directions;
• Subdivisions in 69 regions of Russia;
• Web Address: http://ntsr.info

148. Partners of NSR

152. USA- Russia: Informal Education at the Internet
Nano Education http://www.asdn.net

153. Nanotechnology Global Net
And We are VERY Interested in Cooperation

154. Thank you!