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   Un semiconductor es un elemento que se
    comporta como un conductor o como aislante
    dependiendo de diversos factores, como por
    ejemplo el campo eléctrico o magnético, la
    presión, la radiación que le incide, o la
    temperatura del ambiente en el que se
    encuentre.
   Es un cristal de Silicio o Germanio cuando el
    cristal se encuentra a temperatura ambiente
    algunos electrones pueden absorber la energía
    necesaria para saltar a la banda de conducción
    dejando el correspondiente hueco en la banda de
    valencia (1). Las energías requeridas, a
    temperatura ambiente, son de 0,7 eV y 0,3 eV
    para el silicio y el germanio respectivamente.
   Obviamente el proceso inverso también se produce, de
    modo que los electrones pueden caer, desde el estado
    energético correspondiente a la banda de conducción, a
    un hueco en la banda de valencia liberando energía. A
    este fenómeno se le denomina recombinación. Sucede
    que, a una determinada temperatura, las velocidades de
    creación de pares e-h, y de recombinación se igualan, de
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Técnicas de diseño con semiconductores

  • 2. Un semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre.
  • 3. Es un cristal de Silicio o Germanio cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos electrones pueden absorber la energía necesaria para saltar a la banda de conducción dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia (1). Las energías requeridas, a temperatura ambiente, son de 0,7 eV y 0,3 eV para el silicio y el germanio respectivamente.
  • 4. Obviamente el proceso inverso también se produce, de modo que los electrones pueden caer, desde el estado energético correspondiente a la banda de conducción, a un hueco en la banda de valencia liberando energía. A este fenómeno se le denomina recombinación. Sucede que, a una determinada temperatura, las velocidades de creación de pares e-h, y de recombinación se igualan, de modo que la concentración global de electrones y huecos permanece invariable. Siendo "n" la concentración de electrones (cargas negativas) y "p" la concentración de huecos (cargas positivas), se cumple que: