Tipos de memoria usadas para sistemas informáticos

MEMORIAS USADAS ACTUALMENTE Y A FUTURO PARA SISTEMAS
INFORMÁTICOS.
Msc. Ing. Jairo E. Márquez D.
Este documento es una recopilación y adaptación de información según normas
GPL, donde se citan las fuentes de consulta para efectos de verificación y
reconocimiento de las mismas.
Introducción
La memoria de un computador o cualquier dispositivo que efectúe algún tipo de
cálculo que requiera almacenar temporal o permanentemente información, es un
elemento o pieza lógica y física fundamental; pues para el caso que nos ocupa, un
sistema computacional, implica el almacenamiento de información en un tiempo
determinado. La memoria está relacionada directamente con los procesadores de
un equipo de cómputo, pues su gestión de información se hace con estos, al igual
que con los diversos dispositivos de entrada y salida.
Actualmente los sistemas de memoria, se han diversificado y a futuro, gracias a la
nanotecnología, sus cambios serán radicales, pasando de un almacenamiento
molecular a uno de carácter atómico y cuántico. Existen diferentes formas de
almacenamiento, el analógico y el de estado sólido (como la RAM, que es la más
representativa), otras veces, se hace referencia a las formas de almacenamiento
masivo, tales como los discos ópticos de diversa longitud de onda (CD, DVD, con
sus diversas variantes, los Blue Ray), y tipos de almacenamiento magnético, como
son los discos duros y otros dispositivos más lentos que las memorias de estado
sólido, pero de naturaleza permanente.
Jerarquía de la memoria
La memoria de un computador está dividida jerárquicamente, cuyo fundamento
radica principalmente en el almacenamiento y el tiempo de lectura escritura,
sumado a la tecnología de acceso y lectura, tal como se muestra en las figuras de
la siguiente página.
En primera instancia están los registros, se caracteriza porque es una memoria
de alta velocidad y poca capacidad; el cual está integrado en el microprocesador
del equipo de cómputo, que guarda transitoriamente la información. Los registros
están de primero en la jerarquía de memoria, ya que estos son la manera más
rápida para almacenar datos en ele sistema. Los registros se miden bien sea por
el número de bits que almacenan; por ejemplo, un "registro de 8 bits" o por un
"registro de 32 bits".

Los registros generalmente se implementan en un banco de registros, es decir,
existe diversos tipos de registros, así:
1. Registros de datos: Se usan para guardar números enteros. Poco usado.
2. Registros de memoria: se usan para guardar exclusivamente direcciones de
memoria. Se emplean en arquitectura de computadores tipo Harvard.
3. Registros de propósito general: Permiten guardar datos como direcciones.
La mayoría de sistemas de cómputo actual los emplean.
4. Registros de coma flotante: se emplean para guardar datos en formato de
coma flotante. Los servidores de tipo general y los de altas prestaciones,
así como las supercomputadoras, basan su desempeño en este tipo de
registro.
5. Registros constantes: Se crean a partir de valores por hardware de sólo
lectura. No es modificable.
6. Registros de propósito específico: su función es guardar información
específica del estado del sistema tanto de hardware como del propio
sistema operativo nativo, al igual que verifica los punteros de pila o el
registro de estado de procesos.
En segundo lugar se encuentra la memoria primaria; la cual está conectada
directamente con los procesadores del equipo, por lo que el tiempo de ejecución
es extremadamente rápido. Cabe agregar que esta memoria tiene relación directa
con el sistema operativo, pues los registros, direcciones de memoria y memoria
virtual, al igual que los diversos algoritmos que se requieren para gestionar las
tareas o procesos que se cargan a la memoria son clave para un buen
funcionamiento del equipo.
Fuente. Estructura de Acceso Directo a Memoria (DMA) (M). Consultado el 11 de marzo de 2017,
https://chsos20122910022.wordpress.com/2012/08/30/estructura-de-acceso-directo-a-memoria-
dma-m/

Existen otras memorias que se ubican más internamente en el equipo, y son las
memorias caché. Se caracterizan por que son de muy alta velocidad entre 10 y
100 más rápidas que la memoria primaria. Estas memorias están relacionadas
directamente con los procesadores y buses que los interconectan según la
arquitectura de estos. Por ejemplo, Intel y AMD manejan arquitecturas de caché
diferentes, aunque trabajan con cachés de tipo L1, L2 y L3, sus velocidades
difieren un poco, al igual que en la forma de gestionar la información intra-
procesador e inter-procesadores.
Cabe aclarar que las memorias caché son mucho más rápidas, pero de mucho
menor capacidad para el almacenamiento de la información.
Como se aprecia en la siguiente figura, la tasa de velocidades es notoriamente
diferente según el tipo de memoria utilizado.
Fuente. https://chsos20122910022.wordpress.com/2012/08/30/estructura-de-acceso-directo-a-
memoria-dma-m/
La memoria secundaria requiere de unos conectores llamados buses, que
permiten el acceso y almacenamiento de la información, al igual que el flujo de
datos entre ésta y la memoria primaria. Esta información permanece en esta
memoria aun si el equipo se encuentra apagado. La memoria virtual hace uso de
esta memoria para ejecutar procesos en su tabla de paginación, máxime cuando
la RAM requiere de más recursos para cargar más procesos que exige el sistema
operativo.
La memoria secundaria dispone de mayor capacidad de almacenamiento, pero es
mucho más lenta que la memoria principal, cerca de 106
de veces. Es por ello que
la memoria virtual es mucho más lenta que la memoria principal, por lo que no es
raro presenciar la ralentización del sistema operativo.
La memoria terciaria, normalmente se clasifica en este contexto, a todos los
dispositivos que se conectan de manera externa al computador para almacenar
y/o acceder a la información desde el sistema operativo del computador. Ejemplo

de ello son: las memorias flash, los discos duros USB, discos ópticos, memorias
USB.
En esta misma línea se habla del almacenamiento en red, que ha venido
tomando fuerza desde hace algunos años, en pro del beneficio de subir
información y acceder a la misma a través de internet o una red informática en
general. Si vemos este servicio como cliente servidor, el almacenamiento es de
carácter terciario. Pero si lo vemos como servidor – cliente, el almacenamiento es
de carácter secundario.
La arquitectura cliente-servidor es un modelo de aplicación distribuida en el que las tareas se
reparten entre los proveedores de recursos o servicios, llamados servidores, y los demandantes,
llamados clientes. Tomado de: cliente servidor (8 de sep. De 2013), recuperado de:
https://es.wikipedia.org/wiki/Cliente-servidor.
Memoria Volátil, no volátil y dinámica
Las memorias también suelen ser clasificadas en función de su almacenamiento
en estado off –on en el que se encuentre el computador. Es decir.
- Volátil: esta memoria requiere de alimentación de energía eléctrica para
garantizar que la información se está almacenando. Normalmente se
emplea en la memoria primaria o RAM. Una vez que se interrumpe la
energía, la información se pierde.
- No volátil: es lo opuesto a la anterior, la información puede estar
resguardada con o sin fluido de energía eléctrica. Un ejemplo claro al
respecto, es la memoria ROM, presente en las memorias secundarias y
terciarias.

- Dinámica: es un tipo de memoria volátil que requiere que el sistema
refresque de manera periódica la información almacenada, bien sea para
leerla o reescribirla sin modificación alguna.
Memoria RAM
Iniciamos hablamos con la memoria RAM, cuyas siglas hacen referencia a
Random Access Memory, un tipo de memoria a la que se puede acceder de forma
aleatoria, es decir que se puede acceder a cualquier byte de la memoria sin pasar
por los bytes precedentes. Existen diferentes tipos de memoria, pero los tipos de
memoria RAM son los más comunes en las computadoras y otros dispositivos
electrónicos.
Tomado de https://techinsider.ro/stiri/microsoft/windows/windows-7-ram-maxim-per-versiune-64-bit/
Tipos de memoria RAM
− DRAM (Dynamic RAM)
− VRAM (Vídeo RAM)
− SRAM (Static RAM)
− FPM (Fast Page Mode)
− EDO (Extended Data Output)
− BEDO (Burst EDO)
− SDRAM (Synchronous DRAM)
− DDR SDRAM ó SDRAM II (Double Data Rate SDRAM)
− PB SRAM (Pipeline Burst SRAM)
− RAMBUS

− ENCAPSULADOS
− SIMM (Single In line Memory Module)
− DIMM (Dual In line Memory Module)
− DIP (Dual In line Package)
− Memoria Caché ó RAM Caché
− RAM Disk
Existen dos tipos de memoria RAM:
1. DRAM (Dynamic RAM), RAM dinámica
2. SRAM (Static RAM), RAM estática
La diferencia entre estos dos tipos de memoria RAM es que utilizan una tecnología
diferente para almacenar los datos.
La RAM dinámica necesita ser refrescada cientos de veces por segundo, mientras
que la RAM estática no necesita ser refrescada tan frecuentemente, lo que la hace
más rápida, pero también más cara que la RAM dinámica. Ambos tipos son
volátiles, lo que significa que pueden perder su contenido cuando se desconectan
de la alimentación.
La memoria RAM es sinónimo de memoria principal, es aquella memoria
disponible para programas.
La memoria ROM (Read Only Memory) es aquella memoria que se utiliza para
almacenar los programas que realizan las tareas de arranque del ordenador y de
diagnósticos.
Ambos tipos de memoria (RAM y ROM) permiten el acceso aleatorio, sin embargo,
la memoria RAM es una memoria de lectura y escritura, y la memoria ROM es una
memoria de solo lectura.
DRAM [1]
DRAM (Dynamic Random Access Memory) es un tipo de memoria dinámica de
acceso aleatorio que se usa principalmente en los módulos de memoria RAM y en
otros dispositivos, como memoria principal del sistema. Se denomina dinámica, ya
que para mantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo,
cada cierto período, en un ciclo de refresco. Su principal ventaja es la posibilidad
de construir memorias con una gran densidad de posiciones y que todavía
funcionen a una velocidad alta: en la actualidad se fabrican integrados con
millones de posiciones y velocidades de acceso medidos en millones de bit por
segundo. Es una memoria volátil, es decir cuando no hay alimentación eléctrica, la

memoria no guarda la información. Inventada a finales de los sesenta, es una de
las memorias más usadas en la actualidad.
Memoria DRAM estándar, desde el año 2011 aproximadamente, surge una nueva generación de
memoria DRAM para dispositivos móviles y Tablet, acelerando la transmisión de datos a
velocidades de 12,8 GBps.
La celda de memoria es la unidad básica de cualquier memoria, capaz de
almacenar un Bit en los sistemas digitales. La construcción de la celda define el
funcionamiento de la misma, en el caso de la DRAM moderna, consiste en un
transistor de efecto de campo y un condensador. El principio de funcionamiento
básico, es sencillo: una carga se almacena en el condensador significando un 1 y
sin carga un 0. El transistor funciona como un interruptor que conecta y
desconecta al condensador. Este mecanismo puede implementarse con
dispositivos discretos y de hecho muchas memorias anteriores a la época de los
semiconductores, se basaban en arreglos de celdas transistor-condensador.
Las celdas en cualquier sistema de memoria, se organizan en la forma de matrices
de dos dimensiones, a las cuales se accede por medio de las filas y las columnas.
En la DRAM estas estructuras contienen millones de celdas y se fabrican sobre la
superficie de la pastilla de silicio formando áreas que son visibles a simple vista.
En el ejemplo tenemos un arreglo de 4x4 celdas, en el cual las líneas horizontales
conectadas a las compuertas de los transistores son las llamadas filas y las líneas
verticales conectadas a los canales de los FET son las columnas.
Para acceder a una posición de memoria se necesita una dirección de 4 bits, pero
en las DRAM las direcciones están multiplexadas en tiempo, es decir se envían

por mitades. Las entradas marcadas como a0 y a1 son el bus de direcciones y por
el mismo entra la dirección de la fila y después la de la columna. Las direcciones
se diferencian por medio de señales de sincronización llamadas RAS (del inglés
Row Address Strobe) y CAS (Column Address Strobe) que indican la entrada
de cada parte de la dirección.
Los pasos principales para una lectura son:
Las columnas son precargadas a un voltaje igual a la mitad del voltaje de 1 lógico.
Esto es posible ya que las líneas se comportan como grandes condensadores,
dada su longitud tienen un valor más alto que la de los condensadores en las
celdas.
La memoria RAM, pertenece a la parte de lo que se llama el Hardware del dispositivo. Además se
las pueden encontrar en las computadoras, celulares, tablets, consolas de videojuegos, etc. Sus
partes constituyentes tal como indican las figuras están compuesta por chips de memoria.
Una fila es energizada por medio del decodificador de filas que recibe la dirección
y la señal de RAS. Esto hace que los transistores conectados a una fila conduzcan
y permitiendo la conexión eléctrica entre las líneas de columna y una fila de
condensadores. El efecto es el mismo que se produce al conectar dos
condensadores, uno cargado y otro de carga desconocida: se produce un balance
de que deja a los dos con un voltaje muy similar, compartiendo las cargas. El
resultado final depende del valor de carga en el condensador de la celda
conectada a cada columna. El cambio es pequeño, ya que la línea de columna es
un condensador más grande que el de la celda.

El cambio es medido y amplificado por una sección que contiene circuitos de
realimentación positiva: si el valor a medir es menor que la mitad del voltaje de 1
lógico, la salida será un 0, si es mayor, la salida se regenera a un 1. Funciona
como un redondeo.
La lectura se realiza en todas las posiciones de una fila de manera que al llegar la
segunda parte de la dirección, se decide cual es la celda deseada. Esto sucede
con la señal CAS. El dato es entregado al bus de datos por medio de la lineo D.O.
y las celdas involucradas en el proceso son reescritas, ya que la lectura de la
DRAM es destructiva.
La escritura en una posición de memoria tiene un proceso similar al de arriba, pero
en lugar de leer el valor, la línea de columna es llevada a un valor indicado por la
línea D.I. y el condensador es cargado o descargado. El flujo del dato es mostrado
con una línea gruesa en el gráfico.
A-RAM
A-RAM (Advanced-Random Access
Memory) es un tipo de memoria DRAM
basada en celdas de un solo transistor.
Esta tecnología ha sido inventada en la
Universidad de Granada (España) en
colaboración con el Centre National de la
Recherche Scientifique, CNRS (Francia).
La memoria A-RAM, a diferencia de las
memorias DRAM convencionales, no
necesita de ningún elemento extrínseco de almacenamiento de la información
(condensador de almacenamiento). Cada bit se almacena en un transistor
especialmente diseñado. A medida que la tecnología de circuitos semiconductores
evolucione hacia nodos por debajo de los 45nm [2], es de esperar que la
tecnología convencional de almacenamiento no-volátil DRAM encuentre muy
limitada su capacidad de escalado. Alternativamente se han propuesto nuevos
conceptos de memoria basados en los efectos de cuerpo flotante de los
transistores de silicio-sobre-aislante (Silicon-on-insulator). Estas memorias
conocidas como memorias de un solo transistor (1T-DRAM) incluyen a las
tecnologías A-RAM, TT-RAM y Z-RAM [3].
DDR SDRAM [4]
En informática, DDR (del inglés double data rate, en español «doble tasa de
transferencia de datos») es una tecnología que permite a ciertos módulos de

memoria RAM compuestos por memorias síncronas (SDRAM), disponibles en
encapsulado DIMM, la capacidad de transferir simultáneamente datos por dos
canales distintos en un mismo ciclo de reloj. Los módulos DDR soportan una
capacidad máxima de 1 GiB (1 073 741 824 bytes).
Módulo de memoria DDR. Tomado de: http://pcinformations.blogspot.com.co/
Fueron primero adoptadas de sistemas equipados con procesadores AMD Athlon.
Intel con su Pentium 4 en un principio utilizó únicamente memorias RAMBUS, más
costosas. Ante el avance en ventas y buen rendimiento de los sistemas AMD
basados en DDR SDRAM, Intel se vio obligado a cambiar su estrategia y utilizar
memoria DDR, lo que le permitió competir en precio. Son compatibles con los
procesadores de Intel Pentium 4 que disponen de un front-side bus de 64 bits de
datos y frecuencias de reloj internas que van desde los 200 a los 400 MHz.
Comparación gráfica entre memorias DDR, DDR2 y DDR3 para estaciones de trabajo.

Se utiliza la nomenclatura PC-XXXX, dónde se indica el ancho de banda del
módulo y pueden transferir un volumen de información de 8 bytes en cada ciclo de
reloj a las frecuencias descritas. Un ejemplo de cálculo para PC1600:
100 MHz x 2 datos por ciclo x 8 B = 1600 MB/s = 1 600 000 000 bytes por segundo
Muchas placas base permiten utilizar estas memorias en dos modos de trabajo
distintos:
Single memory channel: todos los módulos de memoria intercambian
información con el bus a través de un solo canal, para ello sólo es necesario
introducir todos los módulos DIMM en el mismo banco de slots.
Dual memory channel: se reparten los módulos de memoria entre los dos bancos
de ranuras diferenciados en la placa base, y pueden intercambiar datos con el bus
a través de dos canales simultáneos, uno para cada banco.
Comparación gráfica entre memorias DDR, DDR2 y DDR3 para computadoras portátiles.
DDR4 es una evolución sobre DDR3 que ofrece mayor rendimiento, mayor
densidad, mayor fiabilidad y otras novedades de arquitectura, tales como un

consumo inferior al de DDR3. Fue lanzada en el año 2014 en conjunto con los
chipsets y board compatibles. Para el año 2015, los teléfonos móviles ya
disponían de este tipo de memoria en su hardware.
Entre los inconvenientes conviene señalar la pérdida de compatibilidad con
estándares de memoria anteriores porque son distintas a nivel de pin, lo que
obliga a cambiar la placa base. Esto es un factor para cualquier implementación
de memorias RAM, no todas las actualizaciones van a funcionar o van a ser
compatibles con la board del equipo de cómputo.
DDR4 contra DDR3 – Características [5]
La norma DDR4 contempla frecuencias de trabajo un 30% superior a DDR3. Si
la frecuencia máxima de trabajo de éstas es de 2.133 MHz, en DDR4 se eleva a
3.200 MHz. Velocidades teóricas porque unas y otras pueden funcionar a mayores
frecuencias mediante overclocking e incluso ya hay oferta “de serie” en DDR4 con
kits hasta 3.600 MHz y en módulos simples a 4.266 MHz.
Con ello, el ratio de operaciones I/O capaces de realizar también es superior a
DDR3, hasta 4266 MT/s, en valores que han ido subiendo desde el original DDR.
La memoria DDR4 permite versiones de alimentación de 1,35, 1,2, 1,1 y 1,05
voltios. Inferior a los 1,5 – 1,35 voltios estándar de DDR3 lo que permite rebajar el
consumo y permite aumentar la frecuencia a menores voltajes, manteniendo la
estabilidad. Además, LPDDR4 para dispositivos móviles/portátiles ha diseñado
específicamente para permitir un funcionamiento eficiente de la potencia en una
amplia gama de frecuencias, para rebajar aún más el consumo final y mejorar la
autonomía.
Los módulos de memoria DDR4 SDRAM constante de 288 pines DIMM, con una
velocidad de datos por pin, que va de un mínimo de 1,6 GT/s hasta un máximo

estimado de 3,2 GT/s, esto hace que dispongan de un gran ancho de banda en
comparación con las versiones anteriores.
Fuente. Board diseñada bajo el esquema de memoria DDR4
https://www.techpowerup.com/forums/threads/corsair-releases-dominator-platinum-ddr4-3400mhz-
memory-kits.210965/
También destacado el límite máximo de la capacidad de memoria que podemos
instalar en una sola placa. Si DDR3 el máximo teórico es de 128 GB, con DDR4 se
puede instalar hasta 512 Gbytes gracias a la mejora de la densidad de 4 a 8
Gigabit. Esto solo está reservado a grandes estaciones de trabajo profesionales.
DDR4 permite a los dispositivos tener operaciones independientes de activación,
escritura, lectura o refresco de la información, y todas esas operaciones serán
autónomas según los grupos con bancos de memoria, algo que mejora -
teóricamente- la eficiencia y el rendimiento de este desarrollo.
DDR4 contra DDR3 – Rendimiento
DDR4 hizo su aparición en el despliegue de los microprocesadores Haswell-
E para equipos de sobremesa. A pesar de todas sus ventajas, pruebas
independientes de especialistas como Anantech en aplicaciones reales, revelaron
que la ventaja en rendimiento frente a DDR3 es apenas de unas décimas.
Memorias DDR4. Fuente: http://www.muycomputer.com/2016/05/18/memorias-ddr4-gskill

La llegada al mercado de los Intel Skylake, trajo otra plataforma con soporte a
DDR4. Nuevas pruebas revelaron algo más de diferencia sobre todo en algunas
aplicaciones profesionales. Pero fueron mínimas, no en todas las aplicaciones y
con un beneficio poco apreciable en el caso de ejecución de videojuegos cuando
se utilizó DDR4 o DDR3 en el mismo equipo.
DDR4 contra DDR3 – Precio
Como en toda nueva tecnología que emerge, el precio de módulos y kits DDR4 es
superior al de DDR3, en una media del 20-25% en módulos con frecuencias
moderadas a 2.100 – 2.400 MHz, pero el precio baja muy rápido.
Cabe recalcar que el mayor precio de las memorias DDR4 no es lo único que debe
preocupar al usuario sino la necesidad de adquirir una nueva placa base por la
incompatibilidad con las anteriores. Hay placas que ofrecen soporte para
ambas (especialmente en portátiles). Podría ser una solución para una parte de
usuarios que quieran actualizar conservando sus módulos DDR3 actuales.
En el año 2016 salió al mercado la memoria RAM DDR4 de 128 GB, que consta
de un conjunto de 8 módulos de 16 GB cada uno (8x16GB = 128GB) de la serie
Ripjaws V, unas memorias que funcionan con la velocidad de 3000MHz y un
voltaje de 1.35V y cuentan con una latencia de 14-14-14-34.
Tomado de. https://planetared.com/2016/01/gskill-muestra-sus-nuevas-memoria-ram-ddr4-de-128-gb/
Existe otra memoria cuya principal diferencia se encuentra en el aumento de la
frecuencia de reloj con la que trabaja, que el caso de nuevo kit de memorias
alcanza los 3200MHz, con una latencia CL14-14-14-34.

Una comparación de los conjuntos de chips de memoria RAM que se pueden
encontrar en los ordenadores de hoy en día, incluyendo SDR, DDR, DDR2 y
DDR3 módulos futuros:
Fuente.https://www.quora.com/What-is-the-difference-between-DDR-DDR2-DDR3-and-DDR4-RAM
DDR5
Es el nuevo estándar de memoria RAM que sustituye a la memoria DDR4. Primero
se emplea en servidores, y luego a los consumidores un el año 2018
aproximadamente. Los módulos DDR5 son alrededor de un 20% más eficiente y
permiten configuraciones del doble de capacidad que la DDR4, de los cuales ya
existen módulos de 128 GB.
Tomado de https://www.quora.com/What-is-the-difference-between-DDR-DDR2-DDR3-and-DDR4-RAM
La memoria DDR5 arregla algunas limitaciones de la memoria DDR4, en cuanto a
los requerimientos que tienen varios videojuegos de hoy y a futuro, en cuanto al
uso de la realidad virtual o pantallas 4K, que junto a la memoria GDDR de las
tarjetas gráficas, va a permitir procesar gran cantidad de información.
Un ejemplo de este tipo de memoria es la tarjeta de video Radeon Hd 6850 1 Gb
Gddr5. Sus características técnicas son:

- GPU 960 Stream Processors
- 40 nm
- 775 MHz Reloj del GPU
- Interfaz PCI-Express 2.1
- Memoria 256 bit Bus de Memoria
- GDDR5 Tipo de Memoria
- Tamaño 1 GB
- Soporte BIOS Legacy BIOS
- Pantallas Máxima 4 Salidas
- Salidas 1 x DVI-I
- 1 x DVI-D
- 1 x HDMI
1 x DisplayPort
- Resolución
- API OpenGL® 4.1
- DirectX® 11
- Shader Model 5.0
- Características Tecnología AMD CrossFire
- Tecnología AMD Eyefinity
- Tecnología AMD HD3D
- Enfriamiento Active Cooling
- Formato 2 ranuras ocupadas
- Consumo Energético
- Sistema Operativo
- Requerimientos del Sistema 500 Watt Fuente de Alimentación (Sugerido)
- 1024 MB mínimo de memoria
- 1 x Conector de Alimentación AUX de 6-pines
- 2 x Conector de Alimentación AUX de 6-pines se requiere para un sistema
CrossFireX?
- Un reproductor de CD-ROM or DVD-ROM para instarlar el software
- Se requiere una PC con una ranura PCI Express® X16 disponible en el
motherboard.
GDDR6
Este tipo de memoria para tarjetas gráficas está siendo desarrollado por Micron y
Samsung, y llegará al mercado en el 2018. Ofrece anchos de banda de 16 Gbps,

frente a los 10 de la GDDR5X actual. Además, van a consumir un 20% menos de
energía.
HBM3
Todavía no está disponible en el mercado la memoria HBM2 de AMD, que muy
probablemente estrenen las nuevas GPU Vega de AMD este año cuando sean
presentadas. La HBM3 no llegará hasta 2019 o 2020, y el primero en hacer uso de
estas memorias será AMD, en su arquitectura Navi. Este tipo de memoria ofrecerá
el doble de densidad de memoria en el mismo espacio con respecto a HBM2, y
además duplicará el ancho de banda, con lo que el consumo de energía se
reduce.
La propuesta de esta arquitectura a diferencia de la GDDR, es de tipo vertical tal
como se muestra en las figuras.
Fuente. http://www.pcworld.com/article/2922599/amd-talks-up-high-bandwidth-memory-that-will-power-its-
next-gpus-pokes-nvidia-too.html
SIPP: Es el acrónimo inglés de Single In-line Pin Package (Paquete de Pines en
Línea Simple).

Consiste en un circuito impreso (también llamado módulo) en el que se montan
varios chips de memoria RAM, con una disposición de pines correlativa (de ahí su
nombre). Tiene un total de 30 pines a lo largo del borde del circuito, que encajan
con las ranuras o bancos de conexión de memoria de la placa base del ordenador,
y proporciona 8 bits por módulo. Se usó en sistemas 80286 y fueron reemplazadas
por las SIMM, más fáciles de instalar y que proporcionan 8 o 32 bits por módulo
(según si son de 30 o de 72 contactos).
SIMM: (siglas de Single In-line Memory Module),
Es un formato para módulos de memoria RAM
que consisten en placas de circuito impreso sobre
las que se montan los integrados de memoria
DRAM. Estos módulos se insertan en zócalos
sobre la placa base. Los contactos en ambas
caras están interconectados, esta es la mayor
diferencia respecto de sus sucesores los DIMMs.
Fueron muy populares desde principios de los 80
hasta finales de los 90, el formato fue
estandarizado por JEDEC bajo el número JESD-
21C.
fig. SIMM de 30 pines y 72 pines (tercera y cuarta
desde arriba).
Su gran ventaja es que elimina casi la mitad de la
placa madre, convierte los conectores en
independientes del formato de chip de memoria
utilizado, y aporta más seguridad a la hora del
mantenimiento y las ampliaciones. Vienen además nominados en Bytes en lugar

de en bits como los chips de memoria. Las primeras placas requieren insertarlos a
presión, pero al poco se generaliza el formato actual de inserción por giro.
El factor de forma de memoria RAM utilizado en PC es una presentación de los
módulos de memoria que fue utilizado en los sistemas cuyos buses de datos eran
de 32 bits o menos. A partir del uso de buses de 64 bits han sido reemplazados
por los DIMM, que son el nuevo factor de forma estándar para los módulos de
memoria usados en ordenadores personales, en los que la capacidad de
almacenamiento ya se mide en gigabytes.
Un PC usa tanto memoria de nueve bits (ocho bits para datos y un bit para
chequeo, o control, de paridadad, en 9 chips de memoria RAM dinámica) como
memoria de ocho bits sin paridad.
DIMM: [6] (sigla en inglés de dual in-line memory module, traducido como «módulo
de memoria en línea doble»)
Son módulos de memoria RAM utilizados en las computadoras personales. Se
trata de un pequeño circuito impreso que contiene circuitos integrados de
memoria, y se conecta directamente en ranuras de la placa base. Los módulos
DIMM son reconocibles externamente por poseer sus contactos (o pines)
separados en ambos lados, a diferencia de los SIMM que poseen los contactos de
modo que los de un lado están unidos con los del otro.
Los módulos DIMM comenzaron a reemplazar a los SIMM como el tipo
predominante de memoria cuando los microprocesadores Intel Pentium tomaron
dominio del mercado.
Un DIMM puede comunicarse con la caché a 64 bits (y algunos a 72 bits), a
diferencia de los 32 bits de los SIMM.
El hecho de que los módulos en formato DIMM sean memorias de 64 bits, explica
por qué no necesitan emparejamiento. Los módulos DIMM poseen circuitos de
memoria en ambos lados de la placa de circuito impresa, y poseen a la vez, 84
contactos de cada lado, lo cual suma un total de 168 contactos. Además de ser de
mayores dimensiones que los módulos SIMM (130x25 mm), estos módulos
poseen una segunda muesca que evita confusiones.
Cabe observar que los conectores DIMM han sido mejorados para facilitar su
inserción, gracias a las palancas ubicadas a ambos lados de cada conector.
También existen módulos más pequeños, conocidos como SO DIMM (DIMM de
contorno pequeño), diseñados para computadoras portátiles. Los módulos SO

DIMM sólo cuentan con 144 contactos en el caso de las memorias de 64 bits, y
con 77 contactos en el caso de las memorias de 32 bits.
Especificación de los módulos DIMM
- DIMM de 168 contactos, SDR SDRAM (tipos: PC66, PC100, PC133...).
- DIMM de 184 contactos, DDR SDRAM (tipos: PC1600 (DDR-200), PC2100
(DDR-266), PC2400 (DDR-300), PC2700 (DDR-333), PC3000 (DDR-366),
PC3200 (DDR-400), PC3500 (DDR-433), PC3700 (DDR-466), PC4000
(DDR-500), PC4300 (DDR-533), PC4800 (DDR-600); hasta 1 GiB por
módulo).
- DIMM de 240 contactos, DDR2 SDRAM (tipos: PC2-3200 (DDR2-400),
PC2-3700 (DDR2-466), PC2-4200 (DDR2-533), PC2-4800 (DDR2-600),
PC2-5300 (DDR2-667), PC2-6400 (DDR2-800), PC2-8000 (DDR2-1000),
PC2-8500 (DDR2-1066), PC2-9200 (DDR2-1150) y PC2-9600 (DDR2-
1200); hasta 4 GiB por módulo).
- DIMM de 240 contactos, DDR3 SDRAM (tipos: PC3-6400 (DDR3-800),
PC3-8500 (DDR3-1066), PC3-10.600 (DDR3-1333), PC3-13.300 (DDR3-
1666), PC3-14.400 (DDR3-1800), PC3-16.000 (DDR3-2000); hasta 4 GiB
por módulo).
Módulos de memoria en formato DIMM (dos módulos SDRAM PC133). Fuente http://karla-
garcia0.webnode.es/news/arquitectura-de-computadores/
Corrección de errores
Los ECC DIMM son aquellos que tienen un mayor número de bits de datos, los
cuales son usados por los controladores del sistema de memoria para detectar y
corregir errores. Hay multitud de esquemas ECC, pero quizás el más común es el
Corrector de errores individuales-Detector de errores dobles (SECDED) que usa

un byte extra por cada palabra de 64 bits. Los módulos ECC están formados
normalmente por múltiplos de 9 chips y no de 8 como es lo más usual.
Organización
La mayoría de módulos DIMM se construyen usando "x4" (de 4) los chips de
memoria o "x8" (de 8) con 9 chips de memoria de chips por lado. "X4" o "x8" se
refieren a la anchura de datos de los chips DRAM en bits.
En el caso de los «DIMM x4», la anchura de datos por lado es de 36 bits, por lo
tanto, el controlador de memoria (que requiere 72 bits) para hacer frente a las
necesidades de ambas partes al mismo tiempo para leer y escribir los datos que
necesita. En este caso, el módulo de doble cara es único en la clasificación.
Para los «DIMM x8», cada lado es de 72 bits de ancho, por lo que el controlador
de memoria sólo se refiere a un lado a la vez (el módulo de dos caras es de doble
clasificación).
Filas de los módulos
Las filas no pueden ser accedidas simultáneamente como si compartieran el
mismo camino de datos. El diseño físico de los chips [DRAM] en un módulo DIMM
no hace referencia necesariamente al número de filas.
Las DIMM frecuentemente son referenciadas como de "un lado" o de "doble lado",
refiriéndose a la ubicación de los chips de memoria que están en uno o en ambos
lados del chip DIMM. Estos términos pueden causar confusión ya que no se
refieren necesariamente a cómo están organizados lógicamente los chips DIMM o
a qué formas hay de acceder a ellos.
Por ejemplo, en un chip DIMM de una fila que tiene 64 bits de datos de
entrada/salida, solo hay conjunto de chips [DRAM] que se activan para leer o
recibir una escritura en los 64 bits. En la mayoría de sistemas electrónicos, los
controladores de memoria son diseñados para acceder a todo el bus de datos del
módulo de memoria.
En un chip DIMM de 64 bits hecho con dos filas, debe haber dos conjuntos de
chips DRAM que puedan ser accedidos en tiempos diferentes. Sólo una de las
filas puede ser accedida en un instante de tiempo desde que los bits de datos de
los DRAM son enlazados para dos cargas en el DIMM.
Las filas son accedidas mediante señales «chip select» (CS). Por lo tanto para un
módulo de dos filas, las dos DRAM con los bits de datos entrelazados pueden ser
accedidas mediante una señal CS por DRAM.

RIMM [7]
Esta memoria conocida como Rambus Inline Memory Module (Módulo de Memoria
en Línea Rambus), designa a los módulos de memoria RAM que utilizan una
tecnología denominada RDRAM, desarrollada por Rambus Inc. a mediados de los
años 1990 con el fin de introducir un módulo de memoria con niveles de
rendimiento muy superiores a los módulos de memoria SDRAM de 100 MHz y 133
MHz disponibles en aquellos años.
Los módulos RIMM RDRAM cuentan con 184 pines y debido a sus altas
frecuencias de trabajo requieren de difusores de calor consistentes en una placa
metálica que recubre los chips del módulo. Se basan en un bus de datos de 16
bits y están disponibles en velocidades de 300MHz (PC-600), 356 Mhz (PC-700),
400 MHz (PC-800) y 533 Mhz (PC-1066) que por su pobre bus de 16 bits tenía un
rendimiento 4 veces menor que la DDR. La RIMM de 533MHz tiene un
rendimiento similar al de un módulo DDR133, a pesar de que sus latencias son 10
veces peores que la DDR.
Módulo de memoria Rambus.
Inicialmente los módulos RIMM fueron introducidos para su uso en servidores
basados en Intel Pentium 4. Rambus no manufactura módulos RIMM si no que
tiene un sistema de licencias para que estos sean manufacturados por terceros
siendo Samsung el principal fabricante de éstos.
A pesar de tener la tecnología RDRAM niveles de rendimiento muy superiores a la
tecnología SDRAM y las primeras generaciones de DDR RAM, debido al alto costo
de esta tecnología no tuvo gran aceptación en el mercado de PC. Su momento
álgido tuvo lugar durante el periodo de introducción del Pentium 4 para el cual se
diseñaron las primeras placas base, pero Intel ante la necesidad de lanzar equipos
más económicos decidió lanzar placas base con soporte para SDRAM y más
adelante para DDR RAM desplazando esta última tecnología a los módulos RIMM
del mercado que ya no ofrecían ninguna ventaja.

DDR2: [8] es un tipo de memoria RAM. Forma parte de la familia SDRAM de
tecnologías de memoria de acceso aleatorio, que es una de las muchas
implementaciones de la DRAM.
Módulo DDR2 de 1 GB con disipador
Los módulos DDR2 son capaces de trabajar con 4 bits por ciclo, es decir 2 de ida
y 2 de vuelta en un mismo ciclo mejorando sustancialmente el ancho de banda
potencial bajo la misma frecuencia de una DDR SDRAM tradicional (si una DDR a
200 MHz reales entregaba 400 MHz nominales, la DDR2 por esos mismos 200
MHz reales entrega 800 MHz nominales). Este sistema funciona debido a que
dentro de las memorias hay un pequeño buffer que es el que guarda la
información para luego transmitirla fuera del módulo de memoria. En el caso de la
DDR convencional este buffer trabajaba tomando los 2 bits para transmitirlos en 1
sólo ciclo, lo que aumenta la frecuencia final. En las DDR2, el buffer almacena 4
bits para luego enviarlos, lo que a su vez redobla la frecuencia nominal sin
necesidad de aumentar la frecuencia real de los módulos de memoria.
Las memorias DDR2 tienen mayores latencias que las conseguidas con las DDR
convencionales, cosa que perjudicaba su rendimiento. Reducir la latencia en las
DDR2 no es fácil. El mismo hecho de que el buffer de la memoria DDR2 pueda
almacenar 4 bits para luego enviarlos es el causante de la mayor latencia, debido
a que se necesita mayor tiempo de "escucha" por parte del buffer y mayor tiempo
de trabajo por parte de los módulos de memoria, para recopilar esos 4 bits antes
de poder enviar la información.
Características
Las memorias DDR2 son una mejora de las memorias DDR (Double Data Rate),
que permiten que los búferes de entrada/salida trabajen al doble de la frecuencia
del núcleo, permitiendo que durante cada ciclo de reloj se realicen cuatro
transferencias.

Operan tanto en el flanco alto del reloj como en el bajo, en los puntos de 0 voltios
y 1,8 voltios, lo que reduce el consumo de energía en aproximadamente el 50 por
ciento del consumo de las DDR, que trabajaban a 0 voltios y a 2,5.
Terminación de señal de memoria dentro del chip de la memoria ("Terminación
integrada" u ODT) para evitar errores de transmisión de señal reflejada.
Estándares
Módulos
Para usar en PC, las DDR2 SDRAM son suministradas en tarjetas de
memoria DIMM con 240 pines y una localización con una sola ranura. Las tarjetas
DIMM son identificadas por su máxima capacidad de transferencia, llamado ancho
de banda.
Nota: DDR2-xxx indica la velocidad de reloj efectiva, mientras que PC2-xxxx indica
el ancho de banda teórico (aunque suele estar redondeado). El ancho de banda se
calcula multiplicando la velocidad de reloj efectiva por ocho, ya que la DDR2
(como la DDR) es una memoria de 64 bits, hay 8 bits en un byte, y 64 es 8 por 8 y
por último por 2 (doble tasa de transferencia), esto se empezó a usar para mostrar
la velocidad de transferencia frente a las memorias "Rambus" que eran más
rápidas en sus ciclos de reloj operación, pero solo eran de 16 bits
Algunos fabricantes etiquetan sus memorias DDR2-667 como PC2-5400 en vez de
PC2-5300. Al menos un fabricante ha reportado que esto refleja pruebas
satisfactorias a una velocidad más rápida que la normal.
Variante GDDR2
El primer producto comercial en afirmar que usaba tecnología GDDR2 fue la
tarjeta gráfica nVIDIA GeForce FX 5800. Sin embargo, es importante aclarar que
la memoria "DDR2" usada en las tarjetas gráficas (llamada oficialmente GDDR2)
no es DDR2, sino un punto intermedio entre las DDR y DDR2. De hecho, no
incluye el (importantísimo) doble ratio del reloj de entrada/salida, y tiene serios
problemas de sobrecalentamiento debido a los voltajes nominales de la DDR. ATI

Technologies (ahora AMD) posteriormente ha desarrollado aún más el formato
GDDR, hasta el GDDR3, que es más parecido a las especificaciones de la DDR2,
aunque con varios añadidos específicos para tarjetas gráficas.
Tras la introducción de la GDDR2 con la serie FX 5800, las series 5900 y 5950
volvieron a usar DDR, pero la 5700 Ultra usaba GDDR2 con una velocidad de 450
MHz (en comparación con los 400 MHz de la 5800 o los 500 MHz de la 5800
Ultra).
La Radeon 9800 Pro de ATI con 256 MiB de memoria (no la versión de 128 MiB)
usaba también GDDR2, porque esta memoria necesita menos pines que la DDR.
La memoria de la Radeon 9800 Pro de 256 MiB sólo va 20 MHz más rápida que la
versión de 128 MiB, principalmente para contrarrestar el impacto de rendimiento
causado por su mayor latencia y su mayor número de chips. La siguiente tarjeta, la
Radeon 9800 XT, volvió a usar DDR, y posteriormente ATI comenzó a utilizar
GDDR3 en su línea de tarjetas Radeon X800 hasta la mayoría de la serie Radeon
HD 4000.
Actualmente, las tarjetas de nueva generación usan el formato GDDR5; por parte
de ATi, las tarjetas de alto rendimiento, algunas series HD4000 (solo la hd4870,
hd4890 y la hd4770), las gamas medio-altas de las series HD5000 y HD6000,
utilizan GDDR5. Por parte de Nvidia, las tarjeta gráficas de gama alta de las series
400 y 500.
Integración
DDR2 se introdujo a dos velocidades iniciales: 200 MHz (llamada PC2-3200) y 266
MHz (PC2-4200). Ambas tienen un menor rendimiento que sus equivalentes en
DDR, ya que su mayor latencia hace que los tiempos totales de acceso sean hasta
dos veces mayores. Sin embargo, la DDR no ha sido oficialmente introducida a
velocidades por encima de los 266 MHz. Existen DDR-533 e incluso DDR-600,
pero la JEDEC ha afirmado que no se estandarizarán. Estos módulos son,
principalmente, optimizaciones de los fabricantes, que utilizan mucha más energía
que los módulos con un reloj más lento, y que no ofrecen un mayor rendimiento.
Actualmente, Intel soporta DDR2 en sus chipsets 9xx. AMD incluye soporte DDR2
en procesadores de la plataforma AM2 introducidos en el 2006.
Los DIMM DDR2 tienen 240 pines, mientras que los de DDR tienen 184 y los de
SDR 168.
DDR3: [9] es un tipo de memoria RAM. Forma parte de la familia SDRAM de
tecnologías de memoria de acceso aleatorio, que es una de las muchas
implementaciones de la SDRAM.

El principal beneficio de instalar DDR3 es la habilidad de poder hacer
transferencias de datos más rápido, y con esto permite obtener velocidades de
transferencia y velocidades de bus más altas que las versiones DDR2 anteriores.
Sin embargo, no hay una reducción en la latencia1
, la cual es proporcionalmente
más alta. Además la DDR3 permite usar integrados de 512 MiB a 8 GiB, siendo
posible fabricar módulos de hasta 16 GiB. También proporciona significativas
mejoras en el rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo que lleva consigo una
disminución global de consumo eléctrico.
Se prevé que la tecnología DDR3 puede ser dos veces más rápida que la DDR2 y
el alto ancho de banda que promete ofrecer DDR3 es la mejor opción para la
combinación de un sistema con procesadores dual-core, quad-core y hexaCore (2,
4 y 6 núcleos por microprocesador). Las tensiones más bajas del DDR3 (1,5 V
frente 1,8 V de DDR2) ofrecen una solución térmica y energética más eficientes.
Estos son los estándares de memoria DDR3 actualmente en el mercado:
GDDR3: La memoria GDDR3, con un nombre similar pero con una tecnología
completamente distinta, ha sido usada durante varios años en tarjetas gráficas de
gama alta como las series GeForce 6x00 ó ATI Radeon X800 Pro, y es la utilizada
como memoria principal de la Xbox 360. A veces es incorrectamente citada como
"DDR3".
1
Recuerde que la latencia en las memorias RAM hace referencia a los retardos producidos en el acceso a los
diferentes componentes de esta. Estos retardos influyen en el tiempo de acceso a la memoria por parte de la
CPU, el cual se mide en nanosegundos.

DDR4 SDRAM: [10] es una abreviatura de double data rate type four synchronous
dynamic random-access memory es un tipo de memoria de acceso aleatorio
(Memoria RAM) de la familia de las DRAM usadas ya desde principios de 1970 y
sucesora de la DDR3 SDRAM, no es compatible con versiones anteriores por
diferencias en los voltajes, interfaz física y otros factores, tienen un gran ancho de
banda en comparación con sus versiones anteriores, su lanzamiento fue en el año
2012.
Sus principales ventajas en comparación con DDR2 y DDR3 son una tasa más
alta de frecuencias de reloj y de transferencias de datos (2133 a 4266 MT/s en
comparación con DDR3 de 800M a 2.133MT/s. La tensión es también menor a sus
antecesoras (1,2 a 1,05 para DDR4 y 1,5 a 1,2 para DDR33) DDR4 también
apunta un cambio en la topología descartando los enfoques de doble y triple canal,
cada controlador de memoria está conectado a un módulo único.
VRAM [11]
Memoria gráfica de acceso aleatorio (Video Random Access Memory) es un tipo
de memoria RAM que utiliza el controlador gráfico para poder manejar toda la
información visual que le manda la CPU del sistema. La principal característica de

esta clase de memoria es que es accesible de forma simultánea por dos
dispositivos. De esta manera, es posible que la CPU grabe información en ella,
mientras se leen los datos que serán visualizados en el monitor en cada momento.
Por esta razón también se clasifica como Dual-Ported.
En un principio (procesadores de 8 bits) se llamaba así a la memoria sólo
accesible directamente por el procesador gráfico, debiendo la CPU cargar los
datos a través de él. Podía darse el caso de equipos con más memoria VRAM que
RAM (como algunos modelos japoneses de MSX2, que contaban con 64 KiB de
RAM y 128 KiB de VRAM).
¿Qué elementos influyen en el uso de memoria VRAM? La respuesta se resume
en los siguientes puntos:
1. La resolución que se vaya a utilizar: Actualmente los juegos se
renderizan con una profundidad de color de 32 bits por píxel, lo que se
traduce si se juega a 1080p un sólo fotograma ocupa 8,3 MB, resultado de
multiplicar 32 x 1.920 x 1.080. Si se sube la resolución a 4K la cifra
aumenta a 33,2 MB por fotograma.
2. Antialiasing: El suavizado de bordes también influye en la cantidad de
memoria de vídeo utilizada, ya que se necesita una mayor cantidad de
píxeles para cubrir y disimular los dientes de sierra y ello aumenta, por
tanto, el consumo de VRAM.
Esto quiere decir, en esencia, que se debe considerar una mayor cantidad de
memoria de vídeo si se va a jugar en altas resoluciones y a utilizar suavizado de
bordes. También se debe tener en cuenta que actualmente el desarrollo de los

juegos tiende a un mayor uso de memoria de vídeo y que, por tanto, la
misma juega un papel muy importante.
En las tarjetas gráficas actuales de gama alta, como las GTX 980-970 y Radeon
R9 290X-290, se cuenta con 4 GB de VRAM, que es un requisito indispensable,
ya que con estas soluciones gráficas se utiliza alta resolución y niveles de calidad
ultra que consumen una gran cantidad de memoria de vídeo. No es recomendable
la compra de estas tarjetas gráficas si se va a jugar a resoluciones inferiores a los
2K o 1080p en algunos títulos concretos.
En síntesis, esta memoria se encarga exclusivamente de almacenar datos
referentes a gráficos, mientras una aplicación gráfica los solicite, esto permite que
la memoria principal RAM, se mantenga disponible para otros procesos. Aunque
hay que tener en cuenta que mientras la V-RAM no sea solicitada, esta se utilizara
como RAM por la computadora.
Tipos
SAM (serial access memory): el módulo SAM (usualmente en la forma de un
registro linear) no es cambiado por los cálculos y contiene los datos que van a ser
utilizados por el RAMDAC. Esto lo convierte en memoria secuencial, que al
contrario de la RAM de datos sólo puede ser evaluada sucesivamente (de un
modo similar a una casete). La SAM puede seleccionarse mucho más
rápidamente que la RAM, pues en principio no necesita cálculos de
direccionamiento.
WRAM (Window RAM): es un tipo de VRAM equipada con líneas separadas de
lectura y escritura, que ofrece sin embargo tiempos rápidos de acceso y es barata
de producir. Por ejemplo, las tarjetas gráficas Matrox MGA Millennium y la Number
Nine Revólution 3D "Ticket to Ride" usan WRAM.
SGRAM (Synchronous Graphics RAM): es una tecnología relacionada con la
SDRAM single-ported. Accesos simultáneos de lectura y escritura no son posibles.
Ofrece extensas funciones gráficas (por ejemplo lecturas y escrituras bloque a
bloque) y altas frecuencias de reloj.
MDRAM (Multi-bank DRAM): está desarrollado como bancos de memoria
independientes, que están conectados a un bus común. Con esa estructura es
posible un alto grado de paralelismo. La tarjeta gráfica Hércules Dynamite 128
(GPU: TSENG ET6000) tiene 4 MB MDRAM.
CDRAM (Cache DRAM): es una mezcla de memoria estática (SRAM) y memoria
dinámica (DRAM). Similar a la caché de los modernos procesadores, en la

CDRAM los datos frecuentemente usados se almacenan en la rápida SRAM, lo
que incrementa el rendimiento.
3D RAM: es un desarrollo de Mitsubishi consistente en módulos de memoria que
además integran una Unidad aritmético lógica. Esto permite que algunas
operaciones gráficas (por ejemplo test de Z-Buffer) puedan ejecutarse
directamente en la memoria gráfica. Se puede encontrar este tipo de memoria en
los UltraSparc de Sun Microsystems.
GDDR-SDRAM (Graphics Double Data Rate SDRAM): es una memoria gráfica
basada en DDR SDRAM, que se caracteriza por sus tiempos optimizados de
acceso y las altas frecuencias de reloj, es el tipo más común de memoria gráfica a
día de hoy.
RAM extendida: En la actualidad, es frecuente ver equipos PC con la tarjeta
gráfica incorporada en placa base o en el propio procesador, que en lugar de
disponer de un banco propio de memoria, se les asigna parte de los bancos de
memoria de la RAM de procesador. Suelen ser equipos orientados a tareas
ofimáticas o servidores, donde la rapidez de los gráficos no es algo crucial, como
en las estaciones CAD o los equipos para videojuegos. No obstante, pueden
presentar velocidades mayores que las de la anterior generación de tarjetas
gráficas.
RAMDAC [12]
Esta memoria denominada como Random Access Memory Digital-to-Analog
Converter (RAMDAC o convertidor digital-analógico de RAM), es la encargada de
transformar las señales digitales con las que trabaja el computador en una salida
analógica que pueda ser interpretada por el monitor, tal como se ilustra en la
siguiente figura.
Fuente. http://www.karbosguide.com/hardware/module7b1.htm
Está compuesto de tres DACs rápidos con una pequeña SRAM usada en
adaptadores gráficos para almacenar la paleta de colores y generar una señal

analógica (generalmente una amplitud de voltaje) para posteriormente mostrarla
en un monitor a color.
El número de color lógico de la memoria de pantalla es puesto en las direcciones
de entrada de la SRAM para seleccionar un valor de la paleta que aparece en la
salida de la SRAM. Este valor se descompone en tres valores separados que
corresponden a los tres componentes (rojo, verde, y azul) del color físico deseado.
Cada componente del valor alimenta a un DAC separado, cuya salida analógica va
al monitor, y en última instancia a uno de sus tres cañones de electrones (o sus
equivalentes en las pantallas sin tubo de rayos catódicos).
Memoria RAMDAC. Fuente http://www.datuopinion.com/ramdac
La longitud de una palabra en el DAC oscila generalmente en un rango de 6 a 10
bits. La longitud de la palabra de la SRAM es tres veces el de la palabra del DAC.
La SRAM actúa como una tabla de búsqueda de color (Color LookUp Table o
CLUT en inglés). Tiene generalmente 256 entradas (lo que nos da una dirección
de 8 bits). Si la palabra del DAC es también de 8 bits, tenemos 256 x 24 bits de la
SRAM lo que nos permite seleccionar entre 256 a 16777216 colores posibles para
la pantalla. El contenido de la SRAM puede cambiar mientras que la pantalla no
está activa (durante los tiempos de blanqueo de la pantalla).
La SRAM puede usualmente ser puenteada y cargar los DACs directamente con
los datos de pantalla, para los modos de color verdadero. De hecho éste es el
modo habitual de operar del RAMDAC desde mediados de los 90, por lo que la
paleta programable se conserva como una prestación heredada para asegurar la
compatibilidad con el viejo software. En la mayoría de tarjetas gráficas modernas,

puede programarse el RAMDAC con altas frecuencias de reloj en modos de color
verdadero, durante los cuales no se usa la SRAM.
En los modernos PC, los RAMDAC VGA están integrados en el chip de vídeo, que
a su vez puede ir montado en tarjetas de ampliación o directamente en la placa
madre del PC, como chip independiente o formando parte del chipset de la placa
(como ocurre con numerosos chipsets de Intel o NVIDIA), incluso de la propia
CPU (un chip de Cyrix). El propósito original del RAMDAC, proporcionar unos
modos gráficos basados en CLUT, se utiliza raramente hoy en día, habiendo sido
sustituido por los modos true color. A medida que ganan popularidad y
prestaciones las pantallas TFT, LCD y otras tecnologías de pantallas digitales,
más obsoleta se vuelve la parte DAC de los RAMDAC.
SRAM [13]
Static Random Access Memory (SRAM), o Memoria Estática de Acceso Aleatorio
es un tipo de memoria basada en semiconductores que a diferencia de la memoria
DRAM, es capaz de mantener los datos, mientras esté alimentada, sin necesidad
de circuito de refresco. Sin embargo, sí son memorias volátiles, es decir que
pierden la información si se les interrumpe la alimentación eléctrica.
No debe ser confundida con la SDRAM (Syncronous DRAM).
Estas memorias son de Acceso Aleatorio, lo que significa que las posiciones en la
memoria pueden ser escritas o leídas en cualquier orden, independientemente de
cual fuera la última posición de memoria accedida. Cada bit en una SRAM se
almacena en cuatro transistores, que forman un biestable. Este circuito biestable

tiene dos estados estables, utilizados para almacenar (representar) un 0 o un 1.
Se utilizan otros dos transistores adicionales para controlar el acceso al biestable
durante las operaciones de lectura y escritura. Una SRAM típica utilizará seis
MOSFET para almacenar cada bit. Adicionalmente, se puede encontrar otros tipos
de SRAM, que utilizan ocho, diez, o más transistores por bit.1 2 3 Esto es utilizado
para implementar más de un puerto de lectura o escritura en determinados tipos
de memoria de video.
Un menor número de transistores por celda, hará posible reducir el tamaño de
esta, reduciendo el coste por bit en la fabricación, al poder implementar más
celdas en una misma oblea de silicio.
Es posible fabricar celdas que utilicen menos de seis transistores, pero en los
casos de tres transistores4 5 o uno solo se estaría hablando de memoria DRAM,
no SRAM.
El acceso a la celda es controlado por un bus de control (WL en la figura), que
controla los dos transistores de acceso M5 y M6, quienes controlan si la celda
debe ser conectada a los buses BL y BL. Ambos son utilizados para transmitir
datos tanto para las operaciones de lectura como las de escritura, y aunque no es
estrictamente necesario disponer de ambos buses, se suelen implementar para
mejorar los márgenes de ruido.
A diferencia de la DRAM, en la cual la señal de la línea de salida se conecta a un
capacitador, y este es el que hace oscilar la señal durante las operaciones de
lectura, en las celdas SRAM son los propios biestables los que hacen oscilar dicha
señal, mientras que la estructura simétrica permite detectar pequeñas variaciones
de voltaje con mayor precisión. Otra ventaja de las memorias SRAM frente a
DRAM, es que aceptan recibir todos los bits de dirección al mismo tiempo.
El tamaño de una memoria SRAM con m líneas de dirección, y n líneas de datos
es 2m palabras, o 2m × n bits.
Modos de operación de una SRAM
Una memoria SRAM tiene tres estados distintos de operación: standby, en el cual
el circuito está en reposo, reading o en fase de lectura, durante el cual los datos
son leídos desde la memoria, y writing o en fase de escritura, durante el cual se
actualizan los datos almacenados en la memoria.
Reposo: Si bus de control (WL) no está activado, los transistores de acceso M5 y
M6 desconectan la celda de los buses de datos. Los dos biestables formados por
M1 – M4 mantendrán los datos almacenados, en tanto dure la alimentación
eléctrica.

Lectura: Se asume que el contenido de la memoria es 1, y está almacenado en Q.
El ciclo de lectura comienza cargando los buses de datos con el 1 lógico, y luego
activa WL y los transistores de control. A continuación, los valores almacenados
en Q y Q se transfieren a los buses de datos, dejando BL en su valor previo, y
ajustando BL a través de M1 y M5 al 0 lógico. En el caso que el dato contenido en
la memoria fuera 0, se produce el efecto contrario: BL será ajustado a 1 y BL a 0.
Escritura: El ciclo de escritura se inicia aplicando el valor a escribir en el bus de
datos. Si se trata de escribir un 0, se ajusta BL a 1 y BL a 0, mientras que para un
1, basta con invertir los valores de los buses. Una vez hecho esto, se activa el bus
WL, y el dato queda almacenado.
Aplicaciones y usos
La memoria SRAM es más cara, pero más rápida y con un menor consumo
(especialmente en reposo) que la memoria DRAM. Es utilizada, por tanto, cuando
es necesario disponer de un menor tiempo de acceso, o un consumo reducido, o
ambos. Debido a su compleja estructura interna, es menos densa que DRAM, y
por lo tanto no es utilizada cuando es necesaria una alta capacidad de datos,
como por ejemplo en la memoria principal de los computadores personales.
Frecuencia de reloj y potencia: El consumo eléctrico de una SRAM varía
dependiendo de la frecuencia con la cual se accede a la misma: puede llegar a
tener un consumo similar a DRAM cuando es usada en alta frecuencia, y algunos

circuitos integrados pueden consumir varios vatios durante su funcionamiento. Por
otra parte, las SRAM utilizadas con frecuencia baja, tienen un consumo bastante
menor, del orden de micro-vatios.
Usos de las SRAM
Como producto de propósito general:
Con interfaces asíncronas como chips 32Kx8 de 28 pines (nombrados XXC256), y
productos similares que ofrecen transferencias de hasta 16Mbit por chip.
Con interfaces síncronas, principalmente como caches y otras aplicaciones que
requieran transferencias rápidas, de hasta 18Mbit por chip.
Integrados en chip:
- Como memoria RAM o de cache en micro-controladores.
- Como cache primaria en microcontroladores, como por ejemplo la familia
x86.
- Para almacenar los registros de microprocesadores.
- En circuitos integrados.
- En FPGAs y CPLDs.
Usos integrados en productos
Las SRAM se utilizan en sistemas científicos e industriales, electrónica del
automóvil, y similares. También se pueden encontrar en prácticamente todos los
productos de uso cotidiano que implementen una interfaz electrónica de usuario.
También se puede encontrar memorias SRAM en los computadores personales,
estaciones de trabajo, routers y la gran mayoría de periféricos.
Uso de aficionados
Los que trabajan en electrónica prefieren las memorias
SRAM, debido a su sencilla interfaz, ya que es mucho
más fácil trabajar con SRAM que con la DRAM, al no
existir ciclos de refresco, y poder acceder directamente a
los buses de dirección y de datos en lugar de tener que
utilizar multiplexores. Además, las SRAM solo necesitan
tres buses de control: Chip Enable (CE), Write Enable
(WE), y Output Enable (OE). En el caso de las SRAM
síncronas, se tiene además la señal de reloj (CLK).

Tipos de SRAM
SRAM no volátiles: Las memorias SRAM no volátiles (NVRAM) presentan el
funcionamiento típico de las RAM, pero con la característica distintiva de que los
datos almacenados en ellas son preservados aun cuando se interrumpe la
alimentación eléctrica. Se utilizan en situaciones donde se requiere conservar la
información almacenada sin necesidad de alimentación alguna, normalmente
donde se desea evitar el uso de baterías (o bien no es posible).
SRAM asíncrona: Las SRAM asíncronas están disponibles en tamaños desde 4Kb
hasta 32Mb.7 Con un tiempo reducido de acceso, son adecuadas para el uso en
equipos de comunicaciones, como switches, routers, teléfonos IP, tarjetas DSLAM,
y en electrónica de automoción.
Por tipo de transistor: Transistor Bipolar de Unión o BJT (de tipo TTL o ECL) —
muy rápidos, pero con un consumo muy alto.
MOSFET (de tipo CMOS) — consumo reducido, los más utilizados actualmente.
Por función:
Asíncronas — independientes de la frecuencia de reloj.
Síncronas — todas las operaciones son controladas por el reloj del sistema.
Memoria FRAM [14]
La memoria FRAM (RAM Ferroeléctrica) es una
memoria de estado sólido, similar a la memoria
RAM, pero que tiene un funcionamiento más
parecido a las antiguas memorias de ferrita.
Esta memoria, en lugar de preservar la carga de un
microscópico condensador, contiene dentro
moléculas que preservan la información por medio
de un efecto ferroeléctrico.
Características
- Tiempo de acceso corto: debido a su funcionamiento, tienen velocidades
(del orden de la centena de nanosegundos) que las habilitan para trabajar
como memoria principal con la mayoría de los microprocesadores.

- Lectura destructiva: como todas las memorias ferroeléctricas, la lectura es
destructiva. Esto no representa un problema, ya que el chip se encarga de
reescribir los datos luego de una lectura.
- No volátiles: su funcionamiento hace prescindibles los refrescos y la
alimentación para la retención de datos.
- Encapsulados: se consiguen hoy en día tanto en variedades para trabajo en
paralelo (para conectar a un bus de datos) como en serie (como memoria
de apoyo).
Memoria de solo lectura [15]
La memoria de sólo lectura, conocida también como ROM (acrónimo en inglés de
read-only memory), es un medio de almacenamiento utilizado en ordenadores y
dispositivos electrónicos, que permite sólo la lectura de la información y no su
escritura, independientemente de la presencia o no de una fuente de energía.
Los datos almacenados en la ROM no se pueden modificar, o al menos no de
manera rápida o fácil. Se utiliza principalmente para contener el firmware
(programa que está estrechamente ligado a hardware específico, y es poco
probable que requiera actualizaciones frecuentes) u otro contenido vital para el
funcionamiento del dispositivo, como los programas que ponen en marcha el
ordenador y realizan los diagnósticos.
En su sentido más estricto, se refiere sólo a máscara ROM -en inglés, MROM- (el
más antiguo tipo de estado sólido ROM), que se fabrica con los datos
almacenados de forma permanente y, por lo tanto, su contenido no puede ser
modificado de ninguna forma. Sin embargo, las ROM más modernas, como
EPROM y Flash EEPROM, efectivamente se pueden borrar y volver a programar

varias veces, aun siendo descritos como "memoria de sólo lectura" (ROM). La
razón de que se las continúe llamando así es que el proceso de reprogramación
en general es poco frecuente, relativamente lento y, a menudo, no se permite la
escritura en lugares aleatorios de la memoria. A pesar de la simplicidad de la
ROM, los dispositivos reprogramables son más flexibles y económicos, por lo cual
las antiguas máscaras ROM no se suelen encontrar en hardware producido a
partir de 2007.
Como la ROM no puede ser modificada (al menos en la antigua versión de
máscara), solo resulta apropiada para almacenar datos que no necesiten ser
modificados durante la vida de este dispositivo. Con este fin, la ROM se ha
utilizado en muchos ordenadores para guardar tablas de consulta, utilizadas para
la evaluación de funciones matemáticas y lógicas. Esto era especialmente
eficiente cuando la unidad central de procesamiento era lenta y la ROM era barata
en comparación con la RAM. De hecho, una razón de que todavía se utilice la
memoria ROM para almacenar datos es la velocidad, ya que los discos siguen
siendo más lentos. Y lo que es aún más importante, no se puede leer un programa
que es necesario para ejecutar un disco desde el propio disco. Por lo tanto, la
BIOS, o el sistema de arranque oportuno del PC normalmente se encuentran en
una memoria ROM.
Fuente: http://www.fastweb.it/web-e-digital/che-cos-e-e-a-cosa-serve-la-memoria-rom/
No obstante, el uso de la ROM para almacenar grandes cantidades de datos ha
ido desapareciendo casi completamente en los ordenadores de propósito general,
mientras que la memoria Flash ha ido ocupando este puesto.
Velocidad
- Velocidad de lectura: Aunque la relación relativa entre las velocidades de
las memorias RAM y ROM ha ido variando con el tiempo, desde el año

2007 la RAM es más rápida para la lectura que la mayoría de las ROM,
razón por la cual el contenido ROM se suele traspasar normalmente a la
memoria RAM, desde donde es leída cuando se utiliza.
- Velocidad de escritura: Para los tipos de ROM que puedan ser modificados
eléctricamente, la velocidad de escritura siempre es mucho más lenta que
la velocidad de lectura, pudiendo requerir voltaje excepcionalmente alto,
movimiento de jumpers para habilitar el modo de escritura, y comandos
especiales de desbloqueo. Las memorias Flash NAND logran la más alta
velocidad de escritura entre todos los tipos de memoria ROM
reprogramable, escribiendo grandes bloques de celdas de memoria
simultáneamente, y llegando a 15 MB/s. La RAM Tiene una capacidad
Máxima de 128 MB UCV.
Memoria flash [16]
Esta memoria es derivada de la memoria EEPROM, y permite la lecto-escritura de
múltiples posiciones de memoria en la misma operación. Gracias a ello, la
tecnología flash, siempre mediante impulsos eléctricos, permite velocidades de
funcionamiento muy superiores frente a la tecnología EEPROM primigenia, que
sólo permitía actuar sobre una única celda de memoria en cada operación de
programación. Se trata de la tecnología empleada en los dispositivos pendrive.
Este tipo de memoria ofrece características como gran resistencia a los golpes,
bajo consumo y por completo silenciosas, ya que no contiene ni actuadores
mecánicos ni partes móviles. Su pequeño tamaño también es un factor
determinante a la hora de escoger para un dispositivo portátil, así como su
ligereza y versatilidad para todos los usos hacia los que está orientado.

Sin embargo, todos los tipos de memoria flash sólo permiten un número limitado
de escrituras y borrados, generalmente entre 10.000 y un millón, dependiendo de
la celda, de la precisión del proceso de fabricación y del voltaje necesario para su
borrado.
Este tipo de memoria está fabricado con puertas lógicas NOR y NAND para
almacenar los 0s ó 1s correspondientes. Actualmente hay una gran división entre
los fabricantes de un tipo u otro, especialmente a la hora de elegir un sistema de
archivos para estas memorias. Sin embargo se comienzan a desarrollar memorias
basadas en ORNAND.
Los sistemas de archivos para estas memorias están en pleno desarrollo aunque
ya en funcionamiento como por ejemplo JFFS originalmente para NOR,
evolucionado a JFFS2 para soportar además NAND o YAFFS, ya en su segunda
versión, para NAND. Sin embargo, en la práctica se emplea un sistema de
archivos FAT por compatibilidad, sobre todo en las tarjetas de memoria extraíble.
Otra característica ha sido la resistencia térmica de algunos encapsulados de
tarjetas de memoria orientadas a las cámaras digitales de gama alta. Esto
permite funcionar en condiciones extremas de temperatura como desiertos o
glaciares ya que el rango de temperaturas soportado abarca desde los -25 °C
hasta los 85 °C.
Las aplicaciones más habituales son:
El llavero USB que, además del almacenamiento, suelen incluir otros servicios
como radio FM, grabación de voz y, sobre todo como reproductores portátil de
MP3 y otros formatos de audio.
Las PC Card
Las tarjetas de memoria flash que son el sustituto del carrete en la fotografía
digital, ya que en las mismas se almacenan las fotos.

Existen varios estándares de encapsulados promocionados y fabricados por la
mayoría de las multinacionales dedicadas a la producción de hardware.
Funcionalidades
Flash, como tipo de EEPROM que es, contiene una matriz de celdas con un
transistor evolucionado con dos puertas en cada intersección. Tradicionalmente
sólo almacenan un bit de información. Las nuevas memorias flash, llamadas
también dispositivos de celdas multi-nivel, pueden almacenar más de un bit por
celda variando el número de electrones que almacenan.
Estas memorias están basadas en el transistor FAMOS (Floating Gate Avalanche-
Injection Metal Oxide Semiconductor) que es, esencialmente, un transistor NMOS
con un conductor (basado en un óxido metálico) adicional localizado o entre la
puerta de control (CG – Control Gate) y los terminales fuente/drenador contenidos
en otra puerta (FG – Floating Gate) o alrededor de la FG conteniendo los
electrones que almacenan la información.
Memoria flash de tipo NOR:
En las memorias flash de tipo NOR, cuando los
electrones se encuentran en FG, modifican
(prácticamente anulan) el campo eléctrico que
generaría CG en caso de estar activo. De esta
forma, dependiendo de si la celda está a 1 ó a 0,
el campo eléctrico de la celda existe o no.
Entonces, cuando se lee la celda poniendo un
determinado voltaje en CG, la corriente eléctrica
fluye o no en función del voltaje almacenado en
la celda. La presencia/ausencia de corriente se
detecta e interpreta como un 1 ó un 0, reproduciendo así el dato almacenado. En
los dispositivos de celda multi-nivel, se detecta la intensidad de la corriente para
controlar el número de electrones almacenados en FG e interpretarlos
adecuadamente.
Para programar una celda de tipo NOR (asignar un valor determinado) se permite
el paso de la corriente desde el terminal fuente al terminal sumidero, entonces se
coloca en CG un voltaje alto para absorber los electrones y retenerlos en el campo
eléctrico que genera. Este proceso se llama hot-electrón injection. Para borrar
(poner a “1”, el estado natural del transistor) el contenido de una celda, expulsar
estos electrones, se emplea la técnica de Fowler-Nordheim tunnelling, un proceso
de tunelado mecánico – cuántico (leer sobre el efecto túnel cuántico). Esto es,
aplicar un voltaje inverso bastante alto al empleado para atraer a los electrones,

convirtiendo al transistor en una pistola de electrones que permite, abrir el terminal
sumidero, para que los electrones abandonen el mismo. Este proceso es el que
provoca el deterioro de las celdas, al aplicar sobre un conductor tan delgado un
voltaje tan alto.
Es necesario destacar que las memorias flash están subdivididas en bloques (en
ocasiones llamados sectores) y por lo tanto, para el borrado, se limpian bloques
enteros para agilizar el proceso, ya que es la parte más lenta del proceso. Por esta
razón, las memorias flash son mucho más rápidas que las EEPROM
convencionales, ya que borran byte a byte. No obstante, para reescribir un dato es
necesario limpiar el bloque primero para después reescribir su contenido.
Memorias flash de tipo NAND: Las
memorias flash basadas en puertas lógicas
NAND funcionan de forma ligeramente
diferente: usan un túnel de inyección para la
escritura y para el borrado un túnel de
‘soltado’. Las memorias basadas en NAND
tienen, además de la evidente base en otro
tipo de puertas, un coste bastante inferior,
unas diez veces de más resistencia a las
operaciones pero sólo permiten acceso
secuencial (más orientado a dispositivos de almacenamiento masivo), frente a las
memorias flash basadas en NOR que permiten lectura de acceso aleatorio. Sin
embargo, han sido las NAND las que han permitido la expansión de este tipo de
memoria, ya que el mecanismo de borrado es más sencillo (aunque también se
borre por bloques) lo que ha proporcionado una base más rentable para la
creación de dispositivos de tipo tarjeta de memoria. Las populares memorias USB
o también llamadas Pendrives, utilizan memorias flash de tipo NAND.
Comparación de memorias flash basadas en NOR y NAND
Para comparar estos tipos de memoria se consideran los diferentes aspectos de
las memorias tradicionalmente valorados.
• La densidad de almacenamiento de los chips es actualmente bastante
mayor en las memorias NAND.
• El coste de NOR es mucho mayor.
• El acceso NOR es aleatorio para lectura y orientado a bloques para su
modificación.

• En la escritura de NOR podemos llegar a modificar un solo bit. Esto
destaca con la limitada reprogramación de las NAND que deben
modificar bloques o palabras completas.
• La velocidad de lectura es muy superior en NOR (50-100 ns) frente a
NAND (10 µs de la búsqueda de la página + 50 ns por byte).
• La velocidad de escritura para NOR es de 5 µs por byte frente a 200 µs
por página en NAND.
• La velocidad de borrado para NOR es de 1 ms por bloque de 64 KB
frente a los 2 ms por bloque de 16 KB en NAND.
• La fiabilidad de los dispositivos basados en NOR es realmente muy alta,
es relativamente inmune a la corrupción de datos y tampoco tiene
bloques erróneos frente a la escasa fiabilidad de los sistemas NAND
que requieren corrección de datos y existe la posibilidad de que queden
bloques marcados como erróneos e inservibles.
En resumen, los sistemas basados en NAND son más baratos y rápidos pero
carecen de una fiabilidad que los haga eficientes, lo que demuestra la necesidad
imperiosa de un buen sistema de archivos. Dependiendo de qué sea lo que se
busque, merecerá la pena decantarse por uno u otro tipo.
Tarjetero flash
Un tarjetero flash es un periférico que lee o escribe en memoria flash.
Actualmente, los instalados en ordenadores (incluidos en una placa o mediante
puerto USB), marcos digitales, lectores de DVD y otros dispositivos, suelen leer
varios tipos de tarjetas.
Memoria flash 3D. Su creador Toshiba, se apoyan en la tecnología BiCS, de la compañía, y
permite almacenar dos bits de datos en cada transistor, con lo que cada chip puede alcanzar
una capacidad de almacenamiento de hasta 16 GB. Tomado de
http://computerhoy.com/noticias/hardware/toshiba-presenta-memoria-flash-3d-mas-densa-del-
mercado-26245

Sistemas de archivos para memorias flash
Diseñar un sistema de archivos eficiente para las memorias flash se ha convertido
en una carrera vertiginosa y compleja, ya que, aunque ambos (NOR y NAND) son
tipos de memoria flash, tienen características muy diferentes entre sí a la hora de
acceder a esos datos. Esto es porque un sistema de ficheros que trabaje con
memorias de tipo NOR incorpora varios mecanismos innecesarios para NAND y, a
su vez, NAND requiere mecanismos adicionales, innecesarios para gestionar la
memoria de tipo NOR.
Las memorias Flash o SSD (solid state disck o en estado sólido), que se están imponiendo a los
discos duros tradicionales tienen un problema. Las celdas en las que se almacenan los datos van
degradándose con el tiempo y esto depende de una acción muy concreta: la escritura y el borrado
de información. Los ingenieros de Macronix han creado un método para aumentar el número de
ciclos que puede soportar una memoria flash de 10.000 a 100 millones. Era de dominio público que
el calor incrementaba la longevidad de las celdas, pero había que tener el chip a 250 grados
durante cuatro horas.
Físicamente era imposible que sobreviviera una memoria flash a esa prueba de temperatura. La
solución de Macronix consiste en que los chips se calienten a sí mismos y lo hagan únicamente
sobre determinadas áreas. Los dispositivos tendrán un nuevo diseño para acoplar unos
calentadores en el interior, que actuarán para alargar la vida útil del almacenamiento. Fuente:
http://www.abc.es/tecnologia/20121203/abci-memoria-flash-macronix-201212031257.html
Cada uno de estos procesos es un ciclo y las memorias flash pueden soportar
hasta 10.000 de ciclos. En este punto se deterioran y no pueden almacenar
información. Por tanto, a medida que se borren datos y se vuelvan a rellenar las
celdas con otros nuevos menos capacidad de almacenamiento se conservará.
Un ejemplo podría ser un recolector de basura. Esta herramienta está
condicionada por el rendimiento de las funciones de borrado que, en el caso de
NOR es muy lento y, además, un recolector de basura NOR requiere una
complejidad relativa bastante alta y limita las opciones de diseño del sistema de

archivos. Comparándolo con los sistemas NAND, que borran mucho más
rápidamente, estas limitaciones no tienen sentido.
Otra de las grandes diferencias entre estos sistemas es el uso de bloques
erróneos que pueden existir en NAND pero no tienen sentido en los sistemas NOR
que garantizan la integridad. El tamaño que deben manejar unos y otros sistemas
también difiere sensiblemente y por lo tanto es otro factor a tener en cuenta. Se
deberá diseñar estos sistemas en función de la orientación que se le quiera dar al
sistema.
Los dos sistemas de ficheros que se disputan el liderazgo para la organización
interna de las memorias flash son JFFS (Journaling Flash File System) y YAFFS
(Yet Another Flash File System), ExFAT es la opción de Microsoft.
Antecedentes de la memoria flash
Las memorias han evolucionado mucho desde los comienzos del mundo de la
computación. Conviene recordar los tipos de memorias de semiconductores
empleadas como memoria principal y unas ligeras pinceladas sobre cada una de
ellas para enmarcar las memorias flash dentro de su contexto.
Organizando estos tipos de memoria conviene destacar tres categorías si las
clasificamos en función de las operaciones que podemos realizar sobre ellas, es
decir, memorias de sólo lectura, memorias de sobre todo lectura y memorias de
lectura/escritura.
Memorias de sólo lectura.
ROM: (Read Only Memory): Se usan principalmente en microprogramación de
sistemas. Los fabricantes las suelen emplear cuando producen componentes
de forma masiva.
PROM: (Programmable Read Only Memory): El proceso de escritura es
electrónico. Se puede grabar posteriormente a la fabricación del chip, a
diferencia de las anteriores que se graba durante la fabricación. Permite una
única grabación y es más cara que la ROM.
Memorias de sobre todo lectura.
EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory): Se puede escribir
varias veces de forma eléctrica, sin embargo, el borrado de los contenidos es
completo y a través de la exposición a rayos ultravioletas (de esto que suelen
tener una pequeña ‘ventanita’ en el chip).

EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory): Se puede
borrar selectivamente byte a byte con corriente eléctrica. Es más cara que la
EPROM.
Memoria flash: Está basada en las memorias EEPROM pero permite el
borrado bloque a bloque y es más barata y densa.
Memorias de Lectura/Escritura (RAM)
DRAM (Dynamic Random Access Memory): Los datos se almacenan como en
la carga de un condensador. Tiende a descargarse y, por lo tanto, es necesario
un proceso de refresco periódico. Son más simples y baratas que las SRAM.
SRAM (Static Random Access Memory): Los datos se almacenan formando
biestables, por lo que no requiere refresco. Igual que DRAM es volátil. Son más
rápidas que las DRAM y más caras.
El futuro del mundo de la memoria flash es bastante alentador, ya que se tiende a
la ubicuidad de las computadoras y electrodomésticos inteligentes e integrados y,
por ello, la demanda de memorias pequeñas, baratas y flexibles seguirá en alza
hasta que aparezcan nuevos sistemas que lo superen tanto en características
como en coste. En apariencia, esto no parecía muy factible ni siquiera a medio
plazo ya que la miniaturización y densidad de las memorias flash estaba todavía
lejos de alcanzar niveles preocupantes desde el punto de vista físico. Pero con la
aparición del MEMRISTOR (contracción de las palabras "memoria" y "resistor") el
futuro de las memorias flash comienza a opacarse.
Un memristor, es un nuevo dispositivo de circuito electrónico. Aunque la resistencia a la memoria
es fundamental para toda la materia, tales dispositivos no son prácticos, excepto cuando se
fabrican a escala nanométrica. (Cortesía: S. Williams)
El desarrollo de las memorias flash es, en comparación con otros tipos de
memoria es sorprendentemente rápido, tanto en capacidad como en velocidad y

prestaciones. Sin embargo, los estándares de comunicación de estas memorias,
de especial forma en la comunicación con los PC son notablemente inferiores, lo
que puede retrasar los avances conseguidos.
Memristor flexible
El memristor es un componente eléctrico pasivo de dos terminales no-lineales, que
relaciona la vinculación de la carga eléctrica con un flujo magnético. La operación
de los dispositivos tipo RRAM está conectada con el concepto de memristor, en la
que hipotéticamente se opera de la siguiente manera: la resistencia eléctrica del
memristor no es constante sino que depende de la historia de la corriente que ha
fluido previamente a través del dispositivo; es decir, la resistencia actual depende
de la cantidad de carga eléctrica que ha fluido, y en qué dirección, a través de él
en el pasado. [17] El dispositivo recuerda su historia, la llamada propiedad de no-
volatilidad. [18] Cuando el suministro de energía eléctrica es desconectado, el
memristor recuerda su resistencia más reciente, hasta que vuelva a ser
encendido. [19] [20]
En la actualidad, los memristores están destinados a aplicaciones en memorias
nanoelectrónicas, lógica computacional y para arquitecturas computacionales
neuromórficas/neuromemristivas. [21] Esto implica que se espera que para el 2018
salgan al mercado los primeros dispositivos memristores que le hagan
competencia de las memorias DRAM y flash, entre otros.
Aunque los Memristores aún están en una fase de I&D, la memoria flash seguirá
especializándose, aprovechando las características propias en cuanto a diseño y
construcción para funciones concretas. Supongamos una Arquitectura Harvard
para un pequeño dispositivo parecido a una extinta PDA; la memoria de
instrucciones estaría compuesta por una memoria de tipo ORNAND (empleando la
tecnología MirrorBit de segunda generación) dedicada a los programas del

sistema, esto ofrece velocidades sostenidas de hasta 150 MB/s de lectura en
modo ráfaga con un costo energético ínfimo, que implementa una seguridad por
hardware realmente avanzada; para la memoria de datos se puede emplear
sistemas basados en puertas NAND de alta capacidad a un precio realmente
asequible. Sólo queda reducir el consumo de los procesadores para PC actuales y
se dispondrá de un sistema de muy reducidas dimensiones con altas prestaciones
que hoy en día sería la envidia de la mayoría de los ordenadores de sobremesa.
Cualquier dispositivo con datos críticos empleará las
tecnologías basadas en NOR u ORNAND si se tiene
en cuenta que un fallo puede hacer inservible un
terminal de telefonía móvil o un sistema médico por
llegar a un caso extremo. Sin embargo, la electrónica
de consumo personal seguirá apostando por las
memorias basadas en NAND por su reducido costo y
gran capacidad, como los reproductores portátiles de
MP3, reproductores de DVD portátiles. La reducción
del voltaje empleado (actualmente en 1,8 V la más reducida), además, de un
menor consumo, permite alargar la vida útil de estos dispositivos. Con todo, los
nuevos retos serán los problemas que sufren hoy en día los procesadores por su
miniaturización y altas frecuencias de reloj de los microprocesadores.
Los sistemas de ficheros para memorias flash, con proyectos disponibles mediante
CVS (Concurrent Version System) y código abierto permiten un desarrollo
realmente rápido, como es el caso de YAFFS2, que, incluso, se ha conseguido
varios patrocinadores y hay empresas realmente interesadas en un proyecto de
esta envergadura. La integración con sistemas inalámbricos permitirá unas
condiciones propicias para una mayor integración y ubicuidad de los dispositivos
digitales.
En la actualidad TDK está fabricando discos duros estándar con memorias flash
NAND que van de 128 GB a 500 GB, con un tamaño similar al de un disco duro de
2,5 pulgadas, similares a los discos duros de los portátiles con una velocidad de
33,3 Mb/s en adelante. El problema de este disco duro es que, al contrario de los
discos duros convencionales, tiene un número limitado de accesos. Samsung y
Kingston también han desarrollado memorias NAND que superan los 500 GB, tal
como se expone más abajo en este mismo apartado.
Por ejemplo, Apple presentó en el 2010 una versión de la computadora portátil
MacBook Air, cuyo disco en aquel entonces de estado sólido era de 256 Gb,
actualmente (2017) se puede conseguir actualmente con un disco de 500 GB

MacBook Air. Tomado de: http://www.ispazio.net/abbiamo-rilevato-che-utilizzi-adblocker
Una de las características más resaltantes de este equipo es que no tiene disco
duro con partes móviles, sino una memoria flash, lo que la hace una máquina más
rápida, ligera y más delgada. Esta es característica puntual de los equipos
portátiles que tienen SSD tal como se observa en la siguiente figura:
En la actualidad diferentes marcas de equipos portátiles ya se venden con
memoria de estado sólido o flash que ya superaron el Terabyte acercándose al
Petabyte. El problema actual son los altos costos de esta tecnología.
Un ejemplo del desarrollo de las SSD, lo dio Samsung en el 2016, en la que sacó
al mercado memorias SSD de 16TB, con la posterior disminución en los precios
para las unidades de 250 y 500 GB. El nuevo avance en cuanto a disminución de
tamaño y peso, lo representa la memoria PM971-NVMe de Samsung, que logra
almacenar hasta 512GB de memoria flash NAND, un controlador y memoria RAM
en un sólo chip BGA que cuenta con dimensiones de 20x16x1.5 mm y un peso de
1 g, que puede ser montada directamente en placas para portátiles o tablets.
Las velocidades de esta memoria llega hasta los 1.5 Gbps en lectura y de 900
Mbps en escritura, que triplica el rendimiento de una unidad SSD SATA común.

Chasis abierto de un disco duro tradicional (izquierda). Aspecto de un dispositivo SSD indicado
especialmente para computadoras portátiles (derecha). Tomado de:
https://es.wikipedia.org/wiki/Unidad_de_estado_s%C3%B3lido
Para el año 2017 y 2018, la memoria se producirá con chips de 20 nm NAND, con
la incorporación de 4 GB de RAM LPDDR4 que actúa como memoria caché.
En términos de tamaño, la diferencia de esta tecnología con las anteriores es
abismal, tal como se ilustra en la siguiente figura:
Tomado de: https://www.xataka.com/componentes/la-nueva-memoria-ssd-de-512gb-de-samsung-
se-encoge-y-ahora-solo-pesa-1-gramo
En el mercado existen otras opciones de discos SSD de 10 y 13 TB, por lo que se
establece que la escalabilidad tecnológica va a proseguir, esto siempre y cuando
el costo vaya disminuyendo. Por ejemplo, el coste del modelo de 13 TB es de
cerca a los 19.000 dólares en el 2016, es decir, por GB se paga 1,46 dólares.

Cabe destacar que la unidad SSD de 15,36TB es otra alternativa comercial con el
nuevo diseño de chips 3D V-NAND de Samsung, esta está disponible en
capacidades de 480 y 960 GB, 1,92, 3,84 y 7,68 TB, siendo ésta última la que
también llega con este lanzamiento a un precio cercano a los 6000 dólares.
Crossbar Memory
Es una tecnología que logra velocidades de transferencia compatibles con las
DRAM, pero en menor tiempo y con altas densidades de flujo de información. El
nombre de Crossbar hace referencia a la empresa que la está desarrollando,
donde trabaja su creador Wei Lu.
Los primeros chips con memoria de alta densidad se ubican en el rango de los 16
GB en tan solo 144 mm2
. Su construcción se basa en el uso de estructuras a
nanoescala con dos capas de electrodos, que permiten almacenar información en
las uniones hechas de silicio.
Imagen de la estructura física de la memoria crossbar. Tomado de
https://www.xataka.com/componentes/crossbar-memory-40-veces-mas-densa-que-las-memorias-
actuales
Esta tecnología es una de las alternativas a futuro en cuanto a su longevidad, en
comparación a las memorias basadas en arquitecturas 3D. Tanto las memorias
3D, las Crossbar y las de tipo Memristor son las opciones para la siguiente
década, donde la nanotecnología juega un papel fundamental en ello.
RaceTrack [22]
IBM está investigando y diseñando un dispositivo, aún en fase experimental,
denominado RaceTrack. Al igual que los SSD, son memorias no volátiles basadas
en nanohilos compuestos por níquel, hierro y vórtices que separan entre sí los

datos almacenados, lo que permite velocidades hasta cien mil veces superiores a
los discos duros tradicionales, según apunta la propia IBM.
Chip de memoria prototipo de IBM. Supera a cualquier sistema de memoria actual en cuanto a
velocidad, capacidad y durabilidad. Fuente de la imagen. http://www.bbc.com/news/technology-
16047098
En la siguiente imagen se muestra un comparativo de los tipos de memoria
existentes, en desarrollo y a futuro.
Tomado de: https://www.sec.gov/Archives/edgar/data/51143/000110465913015897/a13-
6155_28k.htm
Memoria Holográfica [23]
Antes de hablar de la memoria holografía, toca hablar del holograma, que es
básicamente una técnica óptica, que consiste en registrar la imagen de un objeto
mediante la intersección de dos haces de rayo láser, que se aplican sobre el
objeto, de forma ortogonal hasta cubrir sus dimensiones tridimensionales. Las

interferencias producidas se plasman de manera redundante sobre la superficie y
en el interior de un soporte o volumen (generalmente fotopolímeros o cristal).2
La holografía forma parte del común de muchos videojuegos disponibles en el mercado. En la que
cada vez se acerca la tecnología a recrear imágenes de alta calidad
La memoria holográfica o almacenamiento de datos holográficos es una nueva y
potente tecnología dentro del área del almacenamiento de datos de gran
capacidad actualmente dominada por el convencional almacenamiento de datos
ópticos y magnéticos, estos dispositivos se basan en bits individuales que son
almacenados magnéticamente o a través de cambios ópticos en la superficie del
soporte de grabación. La memoria holográfica supera estas limitaciones grabando
la información a lo largo de todo el soporte y es capaz de almacenar múltiples
imágenes en la misma zona usando luz y ángulos diferentes.
Adicionalmente, mientras que los soportes que almacenan datos ópticos y
magnéticos graban un bit de información en una vez de forma lineal, los
holográficos son capaces de grabar y leer millones de bits en paralelo, que
permiten tasas de transferencia de datos superiores a los alcanzados a través de
medios ópticos de almacenamiento.
La memoria holográfica captura la información usando un patrón de inferencia
óptica con un denso material óptico fotosensitivo. La luz de un sólo láser se divide
en dos haces de luz, uno de referencia y otro de señal; para su almacenamiento
se usa un modulador de luz espacial codificando la señal de los datos. A causa del
cruce entre ambos haces, se forma un patrón de inferencia óptica, generando un
cambio químico o físico en el soporte fotosensitivo; los datos obtenidos son
representados en un patrón óptico de píxeles oscuros y luminosos.
2
NA.

El almacenamiento de datos en tres dimensiones podrá guardar información en un espacio más
pequeño, y ofrecer tiempos de transmisión de datos mucho más rápidos. Veremos a continuación
cómo será la memoria holográfica en los próximos años y lo que costará crear una versión para
ordenador de este sistema de almacenamiento de alta densidad. Figura tomada de
http://www.ordenadores-y-portatiles.com/memoria-holografica.html
Ajustando el ángulo del haz de referencia, longitud de ondas, o posición media,
una multitud de hologramas (teóricamente, varios miles) pueden ser almacenados
en un único soporte. Las limitaciones teóricas de la densidad de almacenamiento
en este medio son aproximadamente de decenas de Terabits (1 Tb = 1024
Gigabits/Gb, 1024 Megabits/Mb = 1 Gigabyte/GB) por centímetro cúbico. En 2006,
InPhase se anunció una capacidad de almacenamiento de alrededor de 500
Gb/in2
[24], que en la actualidad se ha triplicado aproximadamente esta capacidad.
Los datos almacenados son leídos a través de la reproducción del mismo haz de
referencia usado para crear el holograma. La luz del haz de referencia es
enfocada en el material fotosensitivo, iluminando el patrón de inferencia apropiado,
se produce una difracción de luz en el patrón de inferencia, proyectándolo sobre el
lector. El lector es capaz de leer los datos en paralelo, alrededor de un millón de
bits a la vez. Se pueden acceder a los archivos de un disco holográfico en menos
de 200 milisegundos. [25]
La memoria holográfica puede proporcionar a las empresas un potente método
para archivar información en formatos no regrabables o de una sola escritura
impidiendo así que la información sea sobreescrita o borrada.
A continuación un cuadro comparativo que presenta, a modo de resumen, las
diferencias entre los distintos sistemas de almacenamiento. Sólo la memoria
temporal o memoria RAM es más rápida en cuanto a tiempo de acceso (160
Mb/seg.) y tiene mayor tasa de transferencia que los dispositivos holográficos,
pero carece de la capacidad para almacenar permanentemente. [26]

Los fabricantes creen que dicha tecnología puede proporcionar un
almacenamiento de datos seguros durante 50 años, por encima de muchos
soportes actuales. Por el contrario la tecnología de los lectores de datos
evoluciona rápidamente pudiendo alargar la duración del soporte 50 años más.
[27]
“La holografía todavía tiene que resolver algunas cuestiones pendientes. Se está
investigando cómo conseguir un equilibrio entre la funcionalidad del rayo de
referencia y su tamaño, demasiado grande aún si se piensa desde un punto de
vista comercial.
El otro punto débil son los materiales de grabación. Existen dificultades para
conseguir cristales y fotopolímeros de gran tamaño y/o espesor. En el caso de los
cristales se exige que ese tamaño vaya acompañado de una buena calidad óptica
[Boyles, 2000].
Otras desventajas que tienen los actuales productos de almacenamiento
holográfico son:
El precio
• Alto costo comercial, que lo hace todavía no competitivo.
• Es una nueva herramienta que sustituiría a las anteriores sin posibilidad de
compatibilidad.
• Su capacidad de almacenamiento y reproducción sin pérdida de calidad
vendrán dadas por el tipo de material. Debe no ser volátil para que el
holograma perdure.
• El material utilizado debe ser económicamente competitivo (carestía del
producto).

La regrabación
• No es posible actualizar datos sin regrabar todo el holograma. La técnica
holográfica no permite modificar sólo una parte del holograma dada su
característica de redundancia. No hay que olvidar que todo lo registrado en el
soporte tiene intensidad, ángulo y forma de grabación, no se puede regrabar
por partes. Este inconveniente se está solventando con los hologramas
multiplexados. No obstante, se sigue trabajando en la obtención de grabadoras
y reproductores holográficos que tengan un tamaño y un precio competitivos en
el mercado.
• Por su novedad, todavía no hay normas que regulen los soportes de
grabación holográficos ni que permitan el intercambio entre instrumentos de
grabación.
La capacidad de almacenar datos en cualquier formato, estático y en movimiento,
abre para los hologramas numerosas aplicaciones relacionadas con el mundo de
la documentación. Como documentos capaces de albergar información, la
holografía es especialmente útil para determinadas temáticas. Un ejemplo de esto
es la NTT (Nippon Telephone & Telegraph) que desarrolló una tecnología
holográfica para grabar 30 horas de imágenes en movimiento en un soporte de
cristal del tamaño de una uña [Enteleky, 2003]. Y también el trabajo realizado por
el MIT Media Lab Spatial Imaging Group, que trabaja con el holovideo (video
electro–holográfico) en tiempo real.

Entre otros aspectos este equipo trabaja, desde 1990, programas para mejorar el
holovideo y la compresión holográfica de banda ancha para transmitir a través de
red [Lucente, 1998]. En medicina, antropología y arquitectura, la holografía se
utiliza tanto para el diseño como para la muestra de maquetas [Orazem, 1992].
Otras posibles aplicaciones de los sistemas holográficos de almacenamiento de
datos serían las comunicaciones de satélite, el reconocimiento de transmisiones
aéreas, las bibliotecas digitales de alta velocidad, el almacenamiento masivo para
vehículos tácticos y el procesamiento de imágenes para propósitos médicos,
militares y/o de video.
Prototipos de sistemas holográficos de información
Los esfuerzos llevados a cabo, desde los comienzos hasta el presente, nos
muestran la evolución tecnológica y el interés que existe por almacenar
holográficamente la información.
Durante la década de los 70 se tuvo una orientación documental más definida
(sustitución de microformas por hologramas, almacenamiento de documentación
cartográfica, etc.). A partir de los años 80 importa más el formato de la información
(imagen, sonido, etc.). El objetivo es almacenar holográficamente todo tipo de
información. Ya en los 90, la holografía se utilizó para todo tipo de sistemas de
seguridad y autentificación.
• La biblioteca holográfica. Considerada como la biblioteca del futuro, este
proyecto de la década de los 70 tuvo lugar en Tianjin Microform Technique
Corporation, y constaba de un ordenador y un scanner pequeño para fichas. El
scanner mostraría, imprimiría y enviaría información bibliográfica de la ficha a
través del ordenador. El problema era el costo. Era necesario desarrollar
técnicas para obtener fichas, a gran escala y más baratas, y también un lector
de libros informático.
• Prototipo HRMR (Human Read/Machine Read) [Maugh, 1979 en Nelson].
Propuesto en la empresaHarris–Intertype Corp., de Melbourne. Se trata de un
subsistema del sistema de memoria masiva de microfilm que combina el
almacenamiento holográfico de datos digitales y de imágenes en el mismo
medio. Estas características, junto con la capacidad y densidad de
almacenamiento, permitían guardar y recuperar información cartográfica
[Nelson, Vander Lugt y Zech, 1974].
• Sistema de recuperación de información holográfico. Esta experiencia
soviética tuvo lugar a finales de los años 70 y demostró que se reducía el
tiempo de búsqueda y que era asequible para el usuario. Las descripciones

que elaboraba el VINITI mensualmente se almacenaban holográficamente. La
búsqueda se realizaba a través de matrices holográficas, de manera similar a
como se hacían las fichas perforadas, y se grababan en microhologramas.
Estas matrices enlazaban con los datos de localización de los documentos
incluidos en el fichero inverso.
Holografia en el aire.Tomado de: http://www.nferias.com/servicios-audiovisuales/alqtecnology-
iris-produccion-s-a/
• Almacenamiento holográfico para el reconocimiento óptico de huellas
digitales. Se está llevando a cabo en el National Institute of Standards and
Technology (NIST). Las huellas digitales se graban mediante un SLM (Spatial
Light Modulator) y se transforman mediante el método Fourier en hologramas
tridimensionales. Posteriormente, y a través de una red neuronal, se
diferencian las huellas con un proceso de coincidencia muy minucioso.
Todos estos experimentos utilizaban en mayor o menor medida la holografía.
Pero realmente no se puede hablar de un almacenamiento holográfico sino
hasta la década de los 90.
• Sistema digital total de Stanford (1994). Se trata del primer sistema
completamente automatizado de almacenamiento holográfico de datos,
concretamente de imágenes, con banda sonora. Se demostró que podían
usarse componentes electrónicos y ópticos del mercado, y se aplicó una nueva
técnica de codificación que procesaba las señales digitales de manera que se
reducía el "ruido" y aumentaba la capacidad de almacenamiento [Heanue en
Orlov 2000].

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