TUYỂN TẬP 50 ĐỀ LUYỆN THI TUYỂN SINH LỚP 10 THPT MÔN TOÁN NĂM 2024 CÓ LỜI GIẢ...
250 bai tap_kt_dien_tu_0295
1. NGUYỄN THANH TRÀ - THÁI VĨNH HIỂN
250 BÀI TẬP
KVTHUỘTĐIỈN TỬ
NHÀ XUẤT BẢN GIÁO DỤC VIỆT NAM
2.
3. Chưởng 1
ĐIỐT
1.1. TÓM TẮT PHẦN LÝ THUYẾT
Hiệu ứng chỉnh lưu của điốt bán dẫn là tính dẫn điện không đối xứng.
Khi điốt được phân cực thuận, điện trở tiếp giáp thường rất bé. Khi điốt được
phân cực ngược điện trở tiếp giáp thưcmg rất lớn. Khi điện áp ngược đặt vào
đủ lớn điốt bị đánh thủng và mất đi tính chỉnh lưu của nó. Trên thực tế tồn
tại hai phưofng thức đánh thủng đối với điốt bán dẫn. Phưcíng thức thứ nhất
gọi là đánh thủng tạm thời (zener). Phương thức thứ hai gọi là đánh thủng về
nhiệt hay đánh thủng thác lũ. Người ta sử dụng phương thức đánh thủng tạm
thời để làm điốt ổn áp.
Phương trình cơ bản xác định dòng điện Idchảy qua điốt được viết nhưsau:
~^DS
enu.. (1-1)
ở đây: - = — , là thế nhiệt;
q
- k = 1,38.10"^^ — , hằng số Boltzman;
K
- q = 1,6.10 '’c, điện tích của electron;
- n = 1 đối vói Ge và n = 2 đối với Si;
- T nhiệt độ môi trường tính theo độ K.
Từ phương trình (1-1) người ta xây dựng được đặc tuyến Volt-Ampe
= f(Uj3) cho điốt và dùng nó đé iính toán các thông số có liên quan đối với
các mạch điện dùng điốt.
úhg dụng quan trọng của điốt là:
a) Chỉnh lưu dòng điện xoay chiều thành một chiều nhờ các sơ đồ cơ bản
sử dụng các loại điốt khác nhau (điốt có điều khiển và điốt không điều khiển).
4. b) Hạn chế biên độ điện áp ờ một giá trị ngưỡng cho trước.
c) Ổn định giá trị điện áp một chiều ở một ngưỡng xác lập Uz nhờ đánh
thủng tạm thời (zener).
Mô hình gần đúng để mô tả điốt trong các mạch điện được xem như:
a) Là một nguồn điện áp lý tưởng có nội trở bằng không khi điốt
chuyển từ trạng thái khoá sang mở tại mức điện áp U^K= Up.
b) Là một nguồn dòng lý tưởng có nội trở rất lớn khi điốt chuyển từ
trạng thái mở sang khoá tại mức điện áp = oV
c) ở chế độ xoay chiều khi tần số tín hiệu còn đủ thấp, điốt sẽ tưcmg đương
như một điện trở xoay chiều được xác định theo biểu thức (1-2) dưới đây:
( 1-2)
Còn khi' tần số tín hiệu đủ cao, cần chú ý tới giá trị điện dung ký sinh
của điốt Cd, nó được mắc song song với điện trở xoay chiều r^.
1.2. BÀJ TẬP CÓ LỜI GIẢI
Bài tập 1-1. Xác định giá trị thế nhiệt (U-r) của điốt bán dẫn trong điều
kiện nhiệt độ môi trường 20°c.
Bài giải
Từ biểu thức cơ bản dùng để xác định thế nhiệt
u ,= iĩ
q
Trong đó:
- k = 1,38.10'^^ — , hằng số Boltzman;
K
- q = 1 , 6 . điện tích của electron;
- T nhiệt độ môi trường tính theo độ K.
Tĩiay các đại lượng tưcíng ứng vào biểu thức ta có:
U, = ^ = ^ M . 2 5 . 2 7 , n V
^ q 1,6.10"'’
5. Bài tập 1-2. Xác định điện trở một chiều Rj3của điốt chỉnh lưu với đặc
tuyến V-A cho trên hình 1-1 tại các giá trị dòng điện và điện áp sau:
= 2mA
Uo = -10V.
Bài giải
a) Trên đặc tuyến V-A của điốt đã cho
tại Iß = 2mA ta có:
Ud= 0,5V nên:
K = — =
u.. 0,5
Id 2.10
-3
= 250Q
b) Tương tự tại Uq= -lOV
Ta có Id= l|iA nên;
10
R„
Hinh 1-1
= 10MQ.
tập 1-3. Xác định điện trở xoay chiều của điốt chỉnh lưu với đặc
tuyến V-A cho trên hình 1-2.
a) Với Id= 2mA
b) Với Id= 25mA.
Bài giải
a) Với Ij) = 2mA, kẻ tiếp tuyến tại điểm cắt với đặc tuyến V-A trên hình
1-2 'a sẽ có các giá trị Ij3và Up tương ứng để xác định AUß và AIp như sau:
ỉ„ = 4niA; U^ = 0,76V
ẩ In(mA)
Ip = OrnA; ưp = 0,65V
AIp = 4m A - OmA = 4m A
AUd = 0 ,7 6 V -0 ,6 5 V = 0,11V
Vậy:
" AI„ 4.10-’
30
25
20
10
AI.
AI, u (v;
---►
0 0,2 0,4 0,60,7 0,8 1,0
Hinh 1-2
6. b) Với Id = 25mA. Các bước tương tự như câu a) ta xác định được các
đại lượng tương ứng dưới đây:
Id= 30mA; ƯD= 0,8V
Id= 20mA; Ud= 0,78V
AIjj = 30 - 20 = lOmA
Aưd = 0,8 - 0,78 = 0,02V
V â y , = ^ =^ =2«.
AI„ 10.10''
04 ) Bài tập 1-4. Cho đặc tuyến V-A của một điốt như trên hình 1-2. Xác
định điện trở một chiều tại hai giá trị dòng điện.
a) Ij5= 2mA.
b) Iq = 25mA và so sánh chúng với giá trị điện trở xoay chiều trong bài
tập 1-3.
Bài giải
Từ đặc tuyến V-A trên hình 1-2 ta có các giá trị tưoìig ứng sau;
a) Id = 2mA; ƯD= 0,7V
Nên: R . = ^ = - ^ = 3 5 0 Q
AL 2.10
so với = 27,5Q.
b) Id = 25mA; ƯD = 0,79V
Nên: R ,= ^ = - ^ ^ = 3 1 ,6 2 Q
'* AL 25.10"'
so với = 2 Q.
Bài tập 1-5. Cho mạch điện dùng điốí như hình l-3a và đặc tuyến V-A
của điốt như trên hình l-3b.
a) Xác định toạ độ điểm công tác tĩnh Q[Ư£)o; liX)]-
b) Xác định giá ừị điện áp trên tải Ur.
Bài giải
a) Theo định luật Kirchoff về điện áp vòng ta có:
8
7. uD
R.
IkQ
u.
a)
Hình 1-3
E -u„-u, = 0 hay E = Uo + ư,
Đây chính là phưcrtig trìnhđườna tải mội chiều củci mạch diện dùng điỏì trên.
Dựng đường tải một chiều thông qua hai điểm cắl trên trục lung với
U|) = ov và trên trục hoành với Ip = 0.
Tại ưp = 0 ta có E = 0 + IpR,
Nên: ĨD=-
E lOV
R 10'o
= 10mA
Tại I|J= 0 la có lì = U|J + (OA).R,
Up = E| -lOV
Ịíi)■<’
Đường tải rnột chiều
(R_) được dựng như trên hình
1-4. Đường tải một chiều
(R_) cắt đặc tuyến (V-A) tại
đicm công tác tĩnh Qflix>
UdoIvới toạ độ tưcmg ứng:
I[)0 = 9,25m A
Upo = 0,78V
b) Điện áp rơi trên tải R, sẽ là:
9. Dựng đường tải một
chiều (R_) cho mạch
tương tự như trong câu a)
của bài tập 1-5 và được
biểu diễn trên hình 1-6.
Đường tải một chiều đặc
tuyến V-A tại Q với toạ
độ tưoíng ứng.
Ido= 9,25mA
U do = 0,7V. Hình 1-6
( 8 j Bài tập 1-8. Tính toán lặp lại cho bài tập 1-6 bằng cách tuyến tính hoá
đặc tuyến V-A cho trên hình l-3b và điốt loại Si.
Bài giải
Với việc tuyến tính
hoá đặc tuyến V-A của điốt
trên ta vẽ lại đặc tuyến đó
như trên hình 1-7.
Dựng đưòng tải một
chiều (R_) cho mạch tương
tự như trong câu a) của bài
tập 1-6 và được biểu diễn
trên hình 1-7.
Đường tải một chiều
(R_) cắt đặc tuyến V-A tại
Q. Với toạ độ tương ứng:
Ido~ 4,6rnA
= 0,7V.
Bài tập 1-9. Tính toán lặp lại cho bài tập 1-5 bằng cách lý tưởng hoá
đặc tuyến V-A cho trên hình l-3b và điốt loại Si.
Bài giải
Với việc lý tưcmg hoá đặc tuyến V-A của điốt, ta có nhánh thuận của
đặc tuyến trùng với trục tung (Ip), còn nhánh ngược trùng với trục hoành
(Ud) như trên hình 1-8.
Hình 1-7
11
10. Dựng dưòng lải một chicu
(R_) cho mạch tương tự như
Irong câu a) của bài lập 1-5.
Đường tải một chiều cắt
đặc tuyến V-A tại điểm Q với
toạ độ tưcyng ứng:
ỉno = iOmA
U,K, = OV.
Đường tải một chiều (R_)
được biểu diễn nhưtrên hình 1-8.
Bài tập 1-10. Cho mạch điện dùng điốt loại Si như hình i-9.
Xác định các giá trị điện áp và dòng điện Uq. U|(, I|y
Bài giải
Biết rằng để điốt loại Si làm việc
bình thường ngưỡng thông nằm trong
khoảng lừ 0.5V -r 1,25V. Chọn ngưỡng
ìàm việq cho điốt:
U„ = 0,7V; E = 8V.
Điện áp rơi trên điện irở tải R sẽ là:
U, = E-Up = 8-0,7 = 7,3V Hình 1-9
Dòng điện chảy qua điốt I|) = 1,;, (dòng
qua tái R) sẽ ỉà:
Id= Iu = -'= ^ = -^ ^ = 3.32mA
" ' R 2,2.10'
Bài tập 1-11. Cho mạch điện dùng điốt như hình 1-10. Xác định điện
áp ra trên tải ư„ và dòng điện Idqua các điốt Dị, Dj.
Bài giải
Chọn ngưỡng điện áp thông cho hai điốt D| và D, lương ứng.
=0,7V dối vớiđiốtSi
12
11. =0,3V đối với điốt Ge.
Điện áp ra trên tải sẽ là:
= 12-0,7-0,3= liv.
Dòng điện qua các điốt D|,
Ip Dj Si D, Ge
E
.
L +
12V u
5,6kQ
ra
và E sẽ là:
r r 11
Hình 1-10
R 5,6.10
l,96mA.
(^1^ Bài tập 1-12. Cho mạch điện dùng điốt như hình 1-11
Xác đinh các điên áp và dòng điên u„, Up , Ij3.
Bài giải
D,Si D.Si
•— ►— ¿1— ki—
12V
R-
5,6kQ
Hình 1-11
Id Uo,=OV I„=I,,=I,=0A=I,
—•—•
u.rn 12V D. D2
r :
5,6kfí
ĩT uR ra
Hình 1-12
Do D| được phân cực thuận, còn Dtđược phân cực nghịch, ta vẽ lại sơ đồ
tương đương của mạch với giả thiết cả hai điốt đều lý tưcmg như trênhình 1-12.
Khi đó; u„ = Id.R = Ir.R = OA.R = ov
Vì điốt D, ở trạng thái hở mạch nên điện áp rơi trên nó chính là điện áp
nguồn E:
U „,=E -I2V
Nếu theo định luật Kirchoff ta cũng sẽ có kết quả như trên.
E -U D, =0
u„ =E-U „,-U ^ = I2 -0 -0 = 1 2 V .D-, D, ra
• 13
12. + u , - DSi
E,=10VR 4,7kQ
(^1^ Bài tập 1-13. Cho mạch điện dùng điốt như hình 1-13
Xác định các dòng điện và điện áp I, U|, Ư2,
u
ư ,. 0’^^
1—VW^->—
+ L
R, 2,2kQ E,^IO V
R, I
E3=-5V
I +
R, u.
E ,Ậ : 5V
Hình 1-14Hình 1-13
Qiọn điện áp ứiông cho điốt D loại Si 0,7V tavẽ lại sơ đồ trên nhưhình 1-14.
Dòng điện I được tính:
, ^ E . E - U „ (1 0 .5 -0 ^ )
R,+R2 (4,7+2,2)10^
Điện áp U|, Ư2tương ứng trên R|, R, sẽ là:
u, =IR, =2,07.10'4,7.10^ =9,73V
Ư2 =IR2 =2,07.1012,2.10^ =4,55V
Điện áp ra sẽ là:
u„ = Ư2 - E, = 4,55 - 5 = -0,45V
Dấu trừ (-) trong kết quả biểu thị rằng cực tính của điện áp ra (U„) sẽ có
Bài giải
Chọn giá trị điện áp thông cho các điốt D ị, loại Si 0,7V. Sơ đồ 1-15
được vẽ lại như hình 1-16.
Dòng điện I được tính
R
I = H ^ = ^ = i ^ = 2 8 , 1 8 m A
R 0,33.10'
14
13. ra
Hình 1-15 Hình 1-16
Nếu chọn Dị và D, giống nhau ta có dòng qua chúng sẽ như nhau và
tính được;
I =I Q g
D, D, ^ ọ ’
Điện áp ra chính là điện áp thông rơi trên điốt D| và D,
U„ = 0,7V
Bài tập 1-15. Cho mạch điện dùng điốt như hình 1-17. Xác định dòng
điện I chảy qua mạch.
Bài giai
Dưới tác động của hai nguồn điện áp E| và Eị. D| được phân cực thuận,
còn Dọ được phân cực nghịch, ta vẽ ỉại sơ đồ tương đưong như hình 1-18
dưới đây:
Si
I R
E|=20V 2,2kQ
Si
— N— 1
D.
D,
------ ------- i
E,=4V
+
----- ►^ẠA—
R 2.2kn
E, -4:^0 V
-^E2=4V
Hình 1-17
Dòng điện I được tính:
Hình 1-18
R 2,2.10'
15
15. Hay
Do đó:
Ur =E-Uc^-Uọ^=20-0,7-0,7= 18,6V
,_ u 18,6
I=— — -^ = 3 ,3 2 m A
R, 5,6.10^
Theo định luật Kirchoff về dòng điện nút ta có;
=1^-I ,=3,32-0,212 = 3,108mA
Bài tập 1-18. Cho mạch điện dùng điốt như hình 1-22 (cổng lôgic OR
dương). Xác định điện áp và dòng điện ra trên tải I„, u„.
Bài giải
Vì D ị, Dj đều là điốt loại Si, nếu chọn ngưỡng thông cho chúng bằng
0,7V thì Dị sẽ luôn luôn thông còn Dj luôn luôn bị khoá. Mạch điện được vẽ
lại như hình 1-23.
(1) * - i
E.=10V
Si ưDI
(0)
E, ov
D,
Si
■S
D,
u
ra
+
E *:riov
1
t I'-
0.7V
-• *-
ura
ra
R ^ ik n
Hình 1-22
Điện áp ra sẽ là:
Hỉnh 1-23
U „ = E -U d,=10-0,7=9,3V
I =iÌ2-=_ẼiL=9 3mA.
R 1.10^
Bài tập 1-19. Cho mạch điện dùng điốt như hình 1-24 (cổng lôgic
AND dương). Xác định dòng điện ra (I„) và điện áp ra (U^) ưên tải R.
Bài giải *•
Chọn ngưỡng thông bằng 0,7V cho D| và D2, khi đó sơ đồ 1-24 được vẽ
lại như hình 1-25, tương ứng với thông, còn D, tắt.
2- 250BTKTĐIỆNTỬ.A
17
16. •« ••
E - i r l O V
0 , 7 V
u
u
Ira
D2
R ^ Ikn
"ị^ElOV
Hình 1-25
Điện áp ra chính là điện áp thông cho điốt D2 và bằng Up . Vây ta có:
=0,7V.
Dòng điện qua tải R cũng chính là dòng qua D2và được tính:
E -U ,
ì= l£ l^ = 9 ,3 m A .
R 1.10'
Bài tập 1-20. Cho mạch chỉnh lưu dùng điốt như hình 1-26.
Vẽ dạng điện áp ra ưên tải R và xác định giá ưị điện áp ra một chiều
sau chỉnh lưu Ujc với điốt D lý tưởng.
uV 2
D
R 2kQ
Hình 1-26
Bài giải
b)
Với mạch điện cho trên hình 1-26 điốt D sẽ dẫn điện (thông) trong nửa
chu kỳ dương (+) của tín hiệu vào (từ Ơ4-T/2) còn trong nửa chu kỳ âm (-)
của tín hiệu vào (từ T/2^T) điốt D sẽ bị khoá hoàn toàn. Dạng của điện áp ra
trên tải được biểu diễn như trên hình l-27b, còn sơ đồ tương đưofng được
biểu diễn như hình l-27a.
18 2- 250BTKTĐIỆNTỬ - B
17. +
u
+
R S 2kQ
Ude
a) Hinh 1-27 b)
Dien áp ra mót chiéu tren tai diídc tính:
Ud, = 0,318U,„ = 0,318.20V = 6,36V
1-21. Cho mach chinh lim düng dió't nhuf trén hinh 1-28.
Ve dang dién áp ra trén tai R va tính giá tri dién áp ra mót chiéu
trén tái R vói dió't D thirc té'loai Si• •
Uv
D
R 2kQ
a) Hinh 1-28
Bái giái
Vói dió't D thuc (khdng 1;^ tucmg)
nói tróf cüa dió't khi phán cuc veri tiimg
nífa chu ky cüa tín hiéu váo sé có giá
trj xác láp. Khi dió't thóng nói trd cüa
D rát bé con khi D khoá sé tuofng úng
rát lón. Vi váy dang dién áp ra diroc
biéu dién nhir trén hinh 1-29.
Dién áp ra mót chiéu trén tái R
duoc tính: = -0,318(U,„ - U^)
= -0,318(20-0,7) = -6,14V
Hinh 1-29
19
18. Như vậy so với trường hợp D lý tưcmg trong bài 1-20 điện áp ra giảm
0,22V tương đưofng 3,5%.
( 2^ Bài tập 1-22. Tính toán lặp lại bài 1-20 và 1-21 với giá trị = 200V
và rút ra kết luận gì?
Bài giải
Đối với điốt D lý tưởng ta có:
u.,, = 0,318U^ = 0,318.200V = 63,6V
Đối với điốt D thực (không lý tưởng) ta có:
U,, = 0,318(U™,-Uo)
= 0,318 (200-0,7) = 63,38V
Kết luận: Khi điện áp vào có mức lớn = 200V).
Đối với trường hợp điốt thực, điện áp ra một chiều giảm 0,22V tương
đương 0,3459% ít hơn 10 lần so với kết quả trong bài 1-21 khi có mức
bé ( u l = 20V).
(^2^ Bài 1-23. Cho mạch chỉnh lưu hai nửa chu kỳ dừig điốt như trên hình 1-30
a) Vẽ dạng sóng sau chỉnh lưu trên tải R,.
b) Tính giá trị điện áp ra một chiều trên tải Uj,,.
c) Tính giá trị điện áp ngược đặt lên Dị và Dj.
Bài giải
a) Đây là mạch chỉnh lưu hai nửa chu kỳ dùng điốt. Để dễ dàng nhận
biết trạng thái làm việc của mạch ta vẽ lại sơ đồ tương đương khi các điốt
20
19. thông, khoá với từng 1/2 chu kỳ của tín hiệu vào. Ví dụ: với 1/2 chu kỳ
dương của tín hiệu vào (từ O-^T/2) sơ đồ tương đương được biểu diễn trên
hình 1-31.
+
a) b)
+
+
R. .> ư
> *'•' <2,2k<:ì :
<
2.2k ỉìi
c)
ÌRj2.2kO
t(s)
d) Hình 1-31
b) Giá irị điện áp một chiểu trên tải R( sẽ là:
=0,63U,„ =0,636^:
♦ U.,(V)
u..
5 __
0 T 7 t(s)
2
e)
= 0,636.5 = 3,18V
Dạng điện áp ra sau chỉnh lưu đầy đủ cả hai nửachu kỳ nhưtrên hình 1-3le).
c) Điện áp ngược đậl lên D|, D, đúng bằng điện áp ra cực đại u,,„„ trong
từng 1/2 chu kỳ hay bằng 1/2 trị cực đại cũa điện áp vào và bằng 5V.
(^2^ Bài tập 1-24. Cho mạch điện dùngđiốt nhưhình 1-32 (mạch hạn biên nối tiếp)
Vẽ dạng điện áp ra trên tải R:
21
20. Bài gỉải
t Ư,(V)
a) Hình 1-32 b)
5V
U R U
Giả thiết điốt D lý tưởng, dễ dàng nhận thấy D luôn luôn thông với 1/2
chu kỳ dương (+) của điện áp vào. Mạch điện tương đương lúc này được vẽ
như trên hình 1-33.
Điện áp ra sẽ là: = Uy + 5V và
điốt D sẽ thông cho đến thời điểm Uy
giảm xuống đến -5V ở nửa chu kỳ âm. Sau
khoảng thời gian đó điốt D sẽ ở trạng thái
phân cực ngược, dòng qua điốt và qua tải
R luôn bằng không, nên điện áp ra cũng sẽ
bằng không (tương ứng với mức điện áp
vào Uy < -5V. Khi U y > -5V cũng tưcnig
ứng trong khoảng nửa chu kỳ âm của tín hiệu vào, tức khi Uv > -5V điốt D
thông trở lại và quá trình sẽ lặp lại như phântích trên. .
Dạng điện áp ra được biểu diễn như trên hình 1-34:
Hinh 1-33
' UJV)
25
^=20V+5V=25V
5 // — 71-------- J
-5
2
Hình 1-34 b)
^2^ Bài tập 1-25. Cho mạch điện dùng điốt như hình 1-35. Vẽ dạng điện
áp ra trên tải R.
22
21. 20
-10
Uv(V)
■ H Ị ^
U=5V
u.
u
+
R u
t(s)
ra
a) Hinh 1-35
Bài giải
b)
Giả thiết điốt D lý tưởng.' Trong khoảng thời gian từ O-í-T/2 với
Uv = 20V điốt D thông hoàn toàn, sơ đồ điện tương đương được vẽ lại như
trên hình 1-36 và điện áp ra sẽ là:
U,=25V
ư„=OV
Hình 1-36
= Uv + u = 20 + 5 = 25V
Trong khoảng thời gian từ T/2 T T với
Uy = -lOV điốt D luôn luôn ở trạng thái khoá,
sơ đồ điện tưcfng đưcmg được vẽ lại như trên
hình 1-37 và điện áp ra trên tải R lúc đó sẽ là:
Hình 1-37
U^, = Ir.R = O.R = ov
Dạng điện áp ra trên tải R được biểu diễn
như trên hình 1-38.
Bài tập 1-26. Cho mạch điện dùng điốt
như hình 1-39 (mạch hạn biên song song).
Vẽ dạng điện áp ra trên tải R,.
'U„(V)
25
T
0
r
■ t(s)
2
Hình 1-38
23
22. Bài giải
Với giả thiết điốt D lý tưỏng, nó sẽ thông khi điện áp vào Uy ^ 4V,
nghĩa là toàn bộ 1/2 chu kỳ âm (-) của điện áp vào và một phần của 1/2 chu
kỳ {+) dương của điện áp vào vói Uv < 4V. Sơ đồ điện tương đương được vẽ
lại như trên hình 1-40 và ữong khoảng thời gian đó điện áp ra luôn luôn
bằng nguồn u = = 4V.
R
■vw
R
' • +
ỈJ-. ■t4V
+
Hình 1-40
Trong khoảng thời gian khi Uy > 4V,
điốt luôn luôn ở trạng thái khoá nên điện
áp ra trên tải sẽ lớn hơn 4V và bằng điện
áp vào. Sơ đồ điện tương đương được vẽ
lại như hình 1-41.
Dạng điện áp ra được biểu diễn như
ưên hình 1-42 dưới đây.
( 27^ Bài tập 1-27. Cho mạch điện dùng
điốt như hình 1-43. Vẽ dạng điện áp
ra khi dùng điốt D loại silic với
Ud = 0,7V.
vị
ura
4V
Hình 1-41
Hình 1-42
24
23. R
AÂAr
D i : Si
U.
U-Ì-4V
Ura
R
AA/V-
b)
Bài giải
Với điốt thực, ngưỡng thông cho trong đầu bài Uo = 0,7V mạch điện
được vẽ lại như hình 1-44.
TTieo định luật Kirchoff về điện áp
vòng ta có:
Uv + U d - U = 0
hay Uv = U - Uo = 4 - 0,7 = 3,3V
Với Uv > 3,3V điốt D luôn luôn ở trạng
thái khoá nên điện áp ra sẽ đúng bằng điện
áp vào (Uv).
ư.
U „ị'o,7V
Tĩ
u -iAv ™
Hình 1-44
Hình 1-45
Với điện áp vào Uv < 3,3V điốt ở
trạng thái thông hoàn toàn nên điện áp
ra sẽ !à:
U,, = 4 - 0,7 = 3,3V
Dạng điện áp ra được biểu diẻn
như hình 1-45.
/2^) tập 1-28. Cho mạch điện dùng
điốt zener như hình 1-46 và đặc
tuyến V-A của zener như trên hình 1-47.
a) Xác định các giá trị điện áp Ur,
u„ dòng điện Iz qua zener và công suất
tiêu tán trên zener Pz-
b) Lặp lại tính toán trong câu a, khi thay R, = 3kQ
25
24. R
AA/V-
Ikn
Ư^=16V U^=10V2
Pz„,a.=30mA
l,2kQ^'
Hình 1-46
Bài giải
a) Để thuận tiện cho việc
tính toán các thông số của
mạch ta vẽ lại sơ đồ tưong
đương như hình 1-48.
Từ hình 1-48 ta có:
u
R L
IkQ ^ 1^16V u"" l,2kQ^'
U = U, = ^
' R+R,
•R
Hình 1-48
16V.1,2.10’
- = 8,73V
1.10^+1,2.10
Điện áp ư = u, đặt lên zener bằng 8,73V luôn luôn nhỏ hơn ư y = lOV
nên zener luôn luôn ở trạng thái khoá và I7 = OA.
Điện áp sụt trên R sẽ là:
Ur=Uv-u, =16-8,73 =7,27V
Công suất tiêu tán trên zener là:
p^ = U2.Iz = U z.0 = 0W
b) Với R, = 3kQ.
Điện áp u trên sơ đồ hình 1-48 sẽ là:
U = - H ^ . R , = 4 5 ^ = , 2 V
R+R, ‘ 1.10’+3.10’
26
25. Vì điện áp đặt lên zener u = 12V > Ư2 = lOV nên zener sẽ được mở
thông. Sơ đồ mạch điện được vẽ lại như hình 1-49.
Điện áp trên tải R, chính
bằng điện áp Jj và bằng lOV I-------------- --------------*------------------- 1 +
= U. = U,.
16-10 = 6V
I, =^ = „ = 3,33mA
' R. 3kQ Hình 1-49
I,
u„ 6V
6mA
U^=50V
V R IkQ
. I, = 6 - 3,33 = 2,67mA
= Uz.Iz = 10V.2,67mA = 26,7mW
Thấp hơn trị cực đại cho phép = 30mW.
Bài tập 1-29. Cho mạch
ổn áp dùng zener như
hình 1-50.
a) Xác định khoảng giá
trị điện trở tải R, và dòng điện
qua tải R, sao cho điện áp ra
trên nó luôn luôn ổn định
U„ = Ư2 = 10V = U,. Hình 1-50
b) Xác định công suất tiêu tán cực đại trên zener.
Bài giải
a) Ta biết rằng zener bắt đầu thông khi điện áp ngược đặt lên nó u >U2-
(hình 1-47 hay 1-48). Khi đó điện trở tải cực tiểu R,^i„ được xác định;
- Iz.ax=32mA
R = - ^
u.,-u. 50-10
250Q
Chú ý: Khi dòng qua zener cực tiểu (lý thuyết thì = 0), dòng qua tải
tương ứng có giá trị cực đại Với điện ápổn định trên tải u, = U2thì
27
26. trong trường hợp đó giá trị R, được xác định chính là R,„j„ để điện áp ra trên
tải không đổi u, = = const.
Điện áp rơi trên điện trở hạn chế R sẽ là:
U r = U v - U z = 50- 10 = 40V
I _ U r_ 4 0 V _ ^
Và L = ^ = - ^ = 4 0 m A
" R IkO
Dòng điện cực tiểu trên tải sẽ là:
U = lR-I,n,ax = 40-32 = 8mA
Điện trở tải cực đại sẽ là:
R
u 10
T=1250fì=l,25kD
I.min 8-10(iY)in
Đồ thị biểu diễn vùng ổn áp của mạch vẽ trên hình 1-51.
f U,(V) t U,(V)
250n l,25kn R, 0
a) Hinh 1-51
b) Công suất tiêu tán cực đại trên zener sẽ là;
Pzmax = u , . = lOV . 32mA = 320mW
b)
z **Zmax.
030 ) Bài tập 1-30. Cho mạch điện dùng điốt ổn áp (zener) nhưtrên hình 1-52.
Xác định khoảng biến đổi của điện áp vào để điện áp ra trên tải luôn
luôn ổn định và bằng lOV = Uz-
Bài giải
Ta biết rằng với R, = const (cố định) điện áp thông cho zener bắt đầu từ
ư > Uz đặt lên zener.
Từ sơ đồ ta có;
' R+ R. '
28
27. U,R, + U,.R = UvR,
Nên
R.
R
Vmin
Thay các giá trị Uz, R, R,
ta xác định được được Uvminlà:
__j^a a .. _ Ì r L
220 ũ
Uy=? ƯJ,=20V í ^ R. <
-Jzmax=60rnA
Hình 1-52
U ,„ ,= 2 0 .ítH 5 l± ^ = 2 3 ,6 7 V
Dòng qua tải sẽ là
, , = i = i = ^ = , 6 . 6 7 m A
' R, R, 1200
Dòng điện cực đại qua R sẽ là:
Inmax“ ■^^Zmax~ 16,67 + 60
= 76,67mA
Điện áp vào cực đại sẽ là:
fư,(V )
20V .
Ư„(V)
23,67 36,87
Hình 1-53
Uvmax~ “ ^ •ỈR m a x Uz
= 220. 76,67.10-^ + 20 = 36,87V
Đồ thị biểu diễn vùng ổn ápcủa mạch được biểu diễn nhưtrênhình 1-53.
1.3. ĐỀ BÀI TẬP
Bài tập 1-31. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-54. Xác định
dòng điện I với điều kiện đặc tuyến V-A của điốt được tuyến tính hoá.
Si
12V
p. lỌỌ
ÃĂ/V—►
I
R,
a) b)
Hình 1-54
c)
29
28. (^3^ Bài tập 1-32. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-55. Xác định
giá trị dòng điện qua điốt Iu và điện áp ra trên tải R.
-5V
Si ura
2,2kQ
a) Hình 1-55 b)
^3^ Bài tập 1-33. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-56. Xác định
giá trị điện áp ra
20V Si Ge 2kn ura
E ^
lOV
R, Si
■'Wsr-ộị-f
l,2kQ u
R, 2kQ
a) Hình 1-56
R2^4,7kQ
b)
( 3^ Bài tập 1-34. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-57. Xác định
giá trị điện áp ra u,;, và dòng điện qua điốt Id-
D I,
I C )
iH -»
Si ư ra
R
lOmA
2,2kQ
R ,< l,2kn
a) Hình 1-57
R DA H a f k . D
•wv-----
20V 6,8kQ
b)
( ^ ) Bài tập 1-35. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-58. Xác định
giá trị các điện áp u „ |, u^2.
30
29. E ' .R
• - ---- 1»... v w —
+ 12V Si 4 71^
U., R.
lOV Ge Si
02$ -Ge
a) Hình 1-58
l,2kn
R,
b)
:3,3kQ
Bàl tập 1-36. Cho mạch điên dùng điốt như trên hình 1-59. Xác định
giá trị điện áp ra u„ và dòng điện qua điốt Id.
+20V
15V
Si
D.
ư.
Si ± D, D^Ỷ Si
U.
Si
a) Hình 1-59
R > 2,2kn
E2I -5V
b)
Bài tập 1-37. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-60. Xác định
giá trị điện áp ra và dòng điện I.
EỊiov
'' I
E, T16V
D, ị Si
U.
D |Ặ Si
D, i Si Si
I '
U.
R IkD
12V
a) Hinh 1-60 b)
^^3^ Bài tập 1-38. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-61. Xác định
các giá trị điện áp và dòng điện I.
31
30. u
r - A ^
Ikd Ỷ 0,47kQ
E T 20V D2?®®
raỉ
I
Hình 1-61
Bài tập 1-39. Oio mạch điện dùng điốt như trên hình 1-62. Xác định
giá trị điện áp ra và dòng điện qua điốt Iq.
04 0 ) Bài tập 1-40. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-63. (Cổng OR
lôgic âm). Xác định giá trị điện áp ra u,a.
Si
04 1 ) Bài tập 1-41. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-64. (Cổng
AND lôgic âm). Xác định giá trị điện áp ra u„.
32
31. Si
------ l i - .
ov Si
-S-
R
Ưra
^2,2kQ
HInh 1-64
(^4^ Bài tập 1-42. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-65. Xác định
giá trị điện áp ra
lOV
Si
-KJ-
Si Ụ
lOV
Hình 1-65
( 4^ Bài tập 1-43. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-66. Xác định
giá trị điện áp ra u„.
Si
04 4 ) Bài tập 1-44. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-67. Vẽ dạng
điện áp ra trên tải R, và dòng điện Ir.
3- 250BTKTĐIỆNTỬ - A 33
32. ‘ U^(V) R
- A A A
10 Ikn
0
-10 2 y
-
a) Hình 1-67
+
b)
(^4^ Bài tập 1-45. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-68.
a) Xác định điện áp ra một chiều trên tải.
b) Xác định giá trị điện áp ngược đặt lên các điốt.
a)
dc
046 ) Bài tập 1-46. Qio mạch điện dùng điốt như trên hình 1-69.
a) Vẽ dạng điện áp ra trên tải.
b) Xác định giá trị điện áp ra một chiều Ujj..
‘ U^(V)
100
Uv
0 T / t t(s)
-100 2 y -
a) Hinh 1-69 b)
34 3- 250BTKTĐỊỆNTỬ.B
33. (^4^ Bài tập 1-47. Cho mạch điện dùng điốt như ừên hình 1-70. Vẽ dạng điện
áp ra trên tải Rị và xác định giá trị điện áp một chiều trên tải R,(U<fc).
‘ U^(V)
170
0 t V ỵ-p t(s)
-170 2 v y -
R,2,2kn
2,2kQ
a) Hình 1-70 b)
( 4^ Bài tập 1-48. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-71. Vẽ dạng
điện áp trên tải.
D R1 I
—w v
Uy Si 2,2kfì
a)
Uv Si 5V ư ra
b)
Hình 1-71
c)
^^4^ Bài tập 1-49. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-72
a) Xác định các giá trị Uị, I„ và Ir với Rị = 180Q.
b) Lặp lại tính toán như câu a) vói R, = 470Q.
c) Xác định khoảng biến đổi R( sao cho mạch vẫn luôn luôn ở trạng
thái ổn áp u, = Uj.
35
34. ' r.
+ 220 n
20V
U=10V í í R . |
•—
Pzrnax=400mW
+
u.
Hình 1-72
( 5^ Bài tập 1-50. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-73. Xác
định khoảng biến đổi của điện áp vào để điện áp ra trên tải luôn ổn
định U, = U, = 8V.
R
•--------- ^A^------------- -
91Q P ^ „ = u ,
U =8V i
Pz.ax=400mW_
í
ro,22ko
Hình 1-73
Bài tập 1-51. Cho mạch điện dùng điốt như trên hình 1-74. Xác định
giá trị điện áp ra một chiều trên tải với trị hiệu dụng điện áp xoay
chiều trên thứ cấp của biến áp bằng 120V = Ui (rms).
Hình 1-74
Bài tập 1-52. Cho mạch điện như hình 1-75.
Biết u„= lOV
R„ = 20kQ
36
36. Bài tập 1-55. Đề và sơ đồ lặp lại bài 1-77.
- Xác định điện áp trên Rj.
- Xác định dòng qua điốt Zener Dj.
- Xác định công suất tiêu tán trên D^.
Bài tập 1-56. Cho mạch điện như hình 1-78.
Nếu biết điện áp một chiều là 12V, điện áp trên LED là 2V, dòng qua
LED là 20mA.
a) Hãy xác định điện trở hạn chế Rị.
b) Nếu mắc song song 10 LED thay cho một LED trong sơ đồ. Hãy xác
định điện t r ở c ầ n thiết.
+> Ị
Îư
Hlnh 1-78
38
37. Chưong 2
TRANSISTOR LƯỠNG cực VÀ TRANSISTOR TRƯỜNG
2.1. TÓM TẮT PHẦN LÝ THUYẾT
Transistor lưftig cực (BJT) gồm ba lớp bán dẫn p và N ghép xen kẽ nhau;
tuỳ thuộc vào các tiếp giáp P-N mà hình thành hai loại transistor: P-N-P
(transistor thuận) và N-P-N (transistor ngược) như ký hiệu trong hình 2-1.
+ c
I
B
c
ỉ.
B -
t
Transistor riguợc Transistor thuận
a) N-P-N b) P-N-P
Hình 2-1. Ký hiệu hai loại transistor N-P-N và P-N-P
Chiều của dòng điện một chiều chạy qua transistor được chỉ tronghình
vẽ trùng với chiều mũi tên quy ước cực emitơ.
Để làm việc ở chế độ khuếch đại, điện áp nguồn E được cấp cho cựcE-
c tuỳ thuộc vào loại transistor được chỉ trong hình 2-1. Điện áp phân cực cho
tiếp giáp B-E phải luôn là phân cực thuận, tức là đối với transistor N-P-N cực
haza phải dương so vói cực emitơ, ngược lại, đối với transistor thuận P-N-P
cực B phải âm hơn so với cực E.
Trong cả hai loại transistor, các dòng điện đều có thể coi như tập trung
tại một nút
Ie+ Ic + Ib= 0 hay Ie= Ic + Ibvà Ig « Ig, ic
39
38. Có ba cách mắc sơ đồ cơ bản của transistor là emitơ chung (EC) bazơ
chung (BC) và colecto chung (CC) căn cứ vào cực nào được lấy làm điểm
chung cho cả đầu vào và đầu ra.
Trong các sổ tra cứu và thuyết minh thường cho các thông số và đặc
tuyến theo sơ đồ mắc EC hay BC.
Đối với sơ đồ mắc BC dòng điện vào là Ig, dòng điện ra là Ic, hệ số
khuếch đại dòng điện tĩnh a được xác định:
a = Ì £ = _ k _ < i
h I c + I b
thực tế hệ số a vào khoảng (0,9 ^ 0,99).
Đối với chế độ xoay chiều, khi điểm làm việc thay đổi trên đặc tuyến
ra, hê số khuếch đai dòng xoay chiều a = trong đó A I e là biến thiên
dòng điện emitơ còn AIc là biến thiên dòng colectơ.
- Sơ đồ mắc emitơ chung (EC): dòng điện vào là dòng Ig, dòng điện ra
là dông Ic- Hệ số khuếch đại dòng điện tĩnh được xác định;
tuỳ thuộc vào loại transistor p có giá trị từ vài chục đến hàng trăm lần. Ic và
Iblà giá trị dòng điện tại điểm làm việc tĩnh.
ở chế đô xoay chiều hê số p đươc xác đinh p = .
AIb
Nếu biết hệ số khuếch đại a có thể xác định được hệ số p và ngược lại:
a = ^ v à p = “
p + 1 " 1 - a
Ngoài ra còn các tham số khác như điện trở vào, điện trở ra, hỗ dẫn...
Các tham số của trahsistor cũng có thể xác định gần đúng bằng phương pháp
đồ thị dựa vào đặc tuyến của transistor.
40
39. AI, Ib,
Điện tri ra R„ = rcB= ^
AI,
Để transistor lưỡng cực làm việc bình thường ngoài điện áp cung cấp E cho
cực E và c cần một điện áp phân cực một chiều đặt vào Bazơ-Emitơ gọi là thiên
áp. Điện áp này dùng để thiết lập chế độ một chiều và điểm làm việc tĩnh.
Thiên áp ban đầu UggQsẽ quyết định dòng điện tĩnh, độ khuếch đại,
độ méo.
uB£o«(0,24-0,6)Vđối vói transistorGe
UggQ»(0,54-1,0)Vđối vớitransistorSi.
Có ba cách tạo thiên áp cho transistor.
- Tạo thiên áp bằng dòng bazơ (hình 2.2a)
TTiiên áp UggQ được xác định
Suy ra điện trở R| cần thiết
E -U -^BEO
BO
Trong đó: E là điện áp nguồn;
Ug£Q là thiên áp cần tạo ra;
IgQ là dòng bazơ xác định theo UggQ trên đặc tuyến vào của transistor.
a) Hình 2-2. Tạo thiên áp dio transistor lưỡng cực b)
41
40. - Tạo thiên áp bằng phương pháp phân áp (hình 2-2b)
Thiên áp UggQ = Ip.Ra- Suy ra
D _ ^BEO
trong đó Ip- dòng phân áp I
R| +R2
Ipđược chọn bằng (4 ^ 10)Igo
Nếu cho trước ưggo xác định được Igo trênđặc tuyến vào của transistor.
Điện trở R| xác định từ biểu thức:
^BO “ E - Ip.R2 = E - UggQ
E -U
Suy ra R, BEO
ĩ p + l B O
Trong trưòmg hợp có điện trở mắc ở emitơ thì trong các công thức trên
phải tính đến sụt áp một chiều trên điện trở đó.
- Chế độ một chiều và đường tải một chiều.
Xác định điểm làm việc tĩnh 0; khi cung cấp cho bazơ thiên áp ban đầu
Ubeo. thì sẽ thiết lập dòng tĩnh và điện áp một chiều Ư^EO• Toạ độ của
điểm làm việc tĩnh o (Ico’UcEo)- Điểm o cũng chính là giao điểm của
đường tải một chiều với đưòng đặc tuyến ứng vói dòng Igo (hình 2-3).
a) b)
Hình 2-3. Đặc tuyến vào (a) và đặc tuyến ra (b)
42
41. - Đường tải một chiều là sự phụ thuộc dòng Ic vào điện áp ứng với
điện trở tải một*chiều và được xác định theo biểu thức;
u „ = E - Ic.R=
£
Cách dựng: Cho = 0 -> I,, = — , xác đinh đươc điểm B.
Cho = 0 ^ u„ = UcE = E, xác định được điểm A.
Nối điểm A với B được đường tải một chiều.
- Đường tải xoay chiều R_, cũng được xây dựng trên đặc tuyến ra nhưng
đối với điện trở tải xoay chiều, tức là khi có tín hiệu vào, đó eũng là đường
thẳng và đi qua điểm làm việc tĩnh o.
Cách dựng: Từ điểm U^gQ trên trục hoành, cộng thêm một điện áp bằng
I(,qR_ , được điểm A'. Kẻ đường thẳng qua hai điểm o và A', được đường tải
xoay chiều.
E
Cũng có thể xác định dòng !(, = — được điểm B' trên trục tung, kẻ
đường qua B' và o cũng nhận được đường tải xoay chiều.
Trong các bài tập áp dụng, có thể sử dụng một trong hai cách trên, tuỳ
từng trường hợp cụ thể.
- Transistor trường (FET) là loại transistor được chế tạo dựa vào hiệu
ứng trường, đó là điều khiển độ dẫn điện của bán dẫn loại N hay p, nhờ một
điện trường bên ngoài.
Có hai loại FET - đó là J-FET (điều khiển bằng tiếp xúc P-N) và
MOSPET là loại FET có cực cửa cách ly bằng lớp ôxit. Hình 2-4 là ký hiệu
JFET kênh N và kênh p.
G
D D
a) J-FET kênh N b) J-FET kênh p
Hình 2-4. J-FET kênh N và kênh p
43
42. s -làcực nguồn
D - cực máng
G - cực cửa.
Vì phân cực cho cực cửa của J-FET luôn là phân cực ngược nên điện trở
vào rất lớn và dòng điện ly = Iq = 0; Iß = Ij.
Dòng Iịj được điều khiển bằng điện áp đặt vào cực cửa Uqs và được xác
định bằng biểu thức:
uOSK
trong đó U gs là điện áp bất kỳ đặt vào G-S;
Ugsklà điện áp khoá ứng với dòng Iq= 0.
Quan hệ giữa Ijj và Uqs được diễn tả bằng đặc tuyến truyền đạt còn quan
hệ Iq = f(ƯDs) với các trị số Uqs khác nhau được gọi là họ đặc tuyến ra. Đây
là hai đặc tuyên đặc trimg cho FET, căn cứ vào đó, có thể xác định gần đúng
các thông số của FET-
b)
Hình 2-5. Đặc tuyến truyền đạt (a) và đặc tuyến ra (b) của J-FET kênh N
Hỗ dẫn của FET: g„ = hay mS (milisimen) chi’ rõ khi điên
AUqs V
áp đặt vào cực cửa thay đổi IV thì dòng Iß thay đổi bao nhiêu mA.
MOSFET gồm hai loại: MOSFET kênh đặt sẵn và MOSFET kênh
cảm ứng.
- MOSFET kênh đặt sẵn; kênh dẫn điện loại N hay p hình thành ngay từ
khi chế tạo. Đặc tuyến truyền đạt và đặc tuyện ra chỉ dẫn trong hình 2-6a, b.
44
43. b)
Hình 2-6. Đặc tuyến truyền đạt (a) và đặc tuyến ra (b) của MOSFET kênh N đặt sẵn
Căn cứ vào đặc tuyến truyền đạt và đặc tuyến ra có thể xác định gần
đúng các thông số của MOSFET.
- MOSFET kênh cảm ứng: chỉ khi đặt vào cực cửa điện áp ngoài (kênh
N là điện áp dương), thì kênh dẫn điện mới hình thành và mói có dòng điện
chạy qua (hình 2-7).
Phân cực cho FET.
Có hai phương pháp phân cực (tạo thiên áp) phổ biến cho FET: tạo thiên
áp tự cấp và dùng phân áp.
b)
Hình 2-7. Đặc tuyến truyền đạt (a) và đặc tuyến ra (b) của MOSFET kênh cảm úhg N
Phưcmg pháp tự cấp sử dụng ngay dòng ĩj) chạy qua Rs tạo sụt áp và dẫn
qua điện trở Rq đặt vào cực cửa G (hình 2-8a).
45
44. Vì 1(3=0; Ip=Ijnên Urs=Id-Rs=Uqs;cực(+) đặtvàocựcs vàcực(-)
đặtvàocựcG.
Rị - gọi là điện trở tạo thiên áp.
Rq- là điện trở dẫn thiên áp; Ro có trị số lớn hàng chục hoặc trăm kQ.
R , = - ^
Hình 2-8. Tạo thiên áp cho J-FET
Hình 2-8b là sơ đổ tạo thiên áp bằng phương pháp phân áp.
Điện áp trên cực cửa ƯQđược xác định
ƯG=— ~— Ra
R.+Ra
Uo là điện áp cực G so với đất.
U gs = U o - U 3 = ư g - I oR s
Mạch phân áp cho MOSFET kênh N đặt sẵn cũng tương tự như hình 2-
8b. Riêng đối với MOSFET kênh cảm ứng, việc tạo thiên áp có khác với J-
FET, nó được tạo thiên áp giống như vói transistor lưỡng cực N-P-N: có thể
dùng phương pháp hồi tiếp từ cực D về cực G hay dùng phưcmg pháp phân
áp (hình 2-9a, b).
Trongsơđồ 2-9aƯDS = U gs (vì dòng l o = 0, quaRokhông có dòng chạy qua)
UdS“ E - Iq-Rq
Suy ra Uq5= E - Iq.R0.
Trong sơ đồ 2-9b, điện áp cực cửa so với đất.
46
45. +E
RD
u i-
a) Hình 2-9. Tạo thiên áp cho MOSFET kênh cảm ứng N b)
U g =
R| +R2
•R
^GS ~ ^D'^s ~
E
R, + R2
Điện áp Uds = E = = E - Id(Rs + Rd)
2.2. PHẦN BÀI TẬP CÓ LỜI GIẢI
( 5^ Bài tập 2-1. Một transistor N-P-N mắc theo sơ đồ BC có dòng điện L
= Ig = 50mA; dòng điện Ic = 45mA.
a) Xác định hệ số khuếch đại dòng một chiều a.
b) Nếu mắc transistor theo sơ đồ emitơ chung (EC), hãy tính hệ số p.
Bài giải
a) Hệ số khuếch đại dòng một chiều a
I 49
a = -^ = — = 0,98
Ie 50
b) Hệ số p tính theo a
ẹ>= — = ............= 49
1 -a 1-0,98
(^5^ Bàl tập 2-2. Một transistor có dòng tĩnh emitơ Ig = l,602mA; dòng
tĩnh bazơ Ig = 0,016mA; bỏ qua dòng điện ngược.
47
46. a) Xác định dòng tĩnh colectơ Ic-
b) Tính hệ số khuếch đại p, a.
Bài giải
Tính dòng tĩnh colectơ Ic
= Ig - Ig = r,602 - 0,016 = l,586mA
Hê số khuếch đai a = — = ^ = — — = 0,99
Ie Ie 1,602
Hệ số khuếch đại p
lẹ _ Iẹ- I b _ 1,602-0,016
I, IB 0^016
Cũng có thể xác định p theo công thức:
a 0,99
99,125
1 -a 1-0,99
= 99
59) Bài tập 2-3. Biết đặc tuyến vào và đặc tuyến ra của transistor mắc theo
sơ đồ emitơ chung EC như hình 2-10.
Bằng phương pháp đồ thị hãy xác định:
a) Hệ số khuếch đại p tại điểm làm việc A.
b) Điện trở vào = ĨBE-
c) Hệ số khuếch đại a nếu mắc theo sơ đồ bazơ chung BC.
d) Nếu tín hiệu vào Igthay đổi, xác định hệ số khuếch đại dòng xoay chiều.
-ụm A )
40
Ig=0,4iĩiA
Ig=03mA
i . .
l3=0,2mA
ĩp=0,lmA
0,2 0,4 0,50,6 0,8 Ugg(V) ưce(V)
a) b)
Hình 2-10. Đặc tuyến vào (a) và ra (b) của transistor
48
47. Bài giải
a) Hệ số khuếch đại tĩnh tại điểm A.
p = Ị ^ = “ : l ° Ị = 100
BO 0,2.10
-3
1..^ 0,70-0,5 0,65 ^
b) Điên trở vào Rv = r,^= ---- SS- = — — — , = — = 3,25kQ
AL (0,3-0,1)10-' 0,2.10“'
_BE _
B
c) Nếu mắc theo sơ đồ bazơ chung BC hệ số khuếch đại tĩnh a được
xác định
a = i = ^ = 0,989
1+ p 100+ 1
d) Khi dòng điện vào Ig thay đổi từ 0,1 đến 0,3mA, tìm biến thiên dòng
Ic tương ứng trên đặc tuyếh ra, tính được hệ số khuếch đại p xoay chiều.
/
6 _ Aĩc _ (2 8 ,5 -9 ,8 )1 0 -^
A L (0 ,3 -0 ,1 )1 0 '
= 93,5
(^6^ Bài 2-4. Cho mạch khuếch đại dùng
transistor như hình 2-11
Biết; Rc = 5kQ
p = 5 0
điện trở vào Ry = ĩgE= IkO
điện áp vào Uy = UgE= 0,1V
a) Xác định dòng điện vào và dòng điện ra.
b)Tmhhệ số khuếchđạiđiện ápcủatransistor.
Bài giải
a) Dòng điện vào
0,1
Hình 2-11
= 10"" =0,lm A
Dòng điện ra:
I^^= I^= pỈ3 = 50.0,1 =5mA
4- 250BTKTĐIỆNTỬ - A
49
48. Điện áp ra:
U , = = Ic-Rc = 5.10^5.10^ = 25V
b) Hệ số khuếch đại điện áp
. 0,1
Bài tập 2-5. Đặc tuyến vào và ra của transistor có dạng như hình 2-12.
a) Hãy xác định hỗ dẫn của transistor tại điểm làm việc o.
b) Nếu biết điện áp ƯBE thay đổi 0,2mV, điện trở Rc = 4kQ. Hãy xác
định điện áp ra.
c) Tính hệ sô' khuếch đại điện áp.
1^=4,2
7 0,8 U„,(V)
Ic(mA)
50^iA
40|J.A
U=3,Q. 30^A
20|aA
I„=10HA
U c e ( V )
a) Hình 2-12. Đặc tuyến vào (a) và đặc tuyến ra (b) của transistor b)
Bài giải
a) Hỗ dẫn của transistor được xác định bằng phương pháp đồ thị
s = _éíc_
AUbb ’ V
s =A 2 Í L - =<iÌ2M )EĨ , Í I Ẹ Ĩ =,2Í^ hay12ms
- u „ , 0,7-0,60,1 V
b) Nếu AUgg = 0,2V thì dòng Ic biến thiên
AIc = AUBg.s = 0,2.12 = 2,4mA
Điện áp ra u„ = AIc-Rc = 2,4.10 4 .10' = 9,6V
50 4- 250BTKTĐ1ỆNTỬ - B
49. c) Hệ số khuếch đại điện áp
K „ = H ^ = M = 48
“ u, 0,2
(^6^ Bài tập 2-6. Transistor lưỡng cực có đặc tuyến vào và ra mắc theo sơ
đồ EC như hình 2-13. Căn cứ vào đặc tuyến hãy xác định gần đúng các
thông sô' sau:
a) Điện trở vào tĩnh tại điểm o.
b) Điện trở vào động.
c) Hệ số khuếch đại dòng điện một chiều p.
d) Hệ số khuếch đại dòng xoay chiều.
250
200
50
BE(V)
- I b(^A )
40
‘ ỈẶm A)
250fxA
/
30
25,
200nA
ISOuA
ỹ f ! !
...
15. , L . _ _ iüQ üA .
---------► 5 ’
/ I«=50jiA
lò U^V)
a) b)
Hình 2-13. Đặc tuyến vào (a) và ra (b) của transistor luỡng cực
Bài giải
a) Điện trở vào tĩnh
R = r , =4kQ
'' Igo 150.10-®
b) Điện trở vào động Rvd
o _ - U be, _ 0 ,6 8 -0 ,5 2
^ V đ “ a t ^ T T
AI B Ib, - I b. (200- 100)10
= l,6k Q
c) Hệ số khuếch đại dòng một chiều p
51
50. ~6
I» I50.10-*
d) Hệ số khuếch đại dòng xoay chiều p_
AI3
AIb= I3 -Ib_ =(200-100)10-^ = 100.10
Tìm AIc tương ứng trên đặc tuyến ra
I„ =30mA; = 15mA
AIc = (30-15).10l
(200-100)10-"
(6 ^ Bài tập 2-7. Oio mạch điện như
hình 2-14. Nếu biết dòng Ico =
5mA; hệ số p = 100; 5V;
thiên áp Ubeo= 0,6V; E = lOV.
a) Vẽ các dòng điện một chiều chạy
trong mạch.
b) Tính điện trở Re
c) Điện áp Uc so với đất.
Bài giải
a) Dòng điện một chiều chạy trong mạch như chỉ đẫn trong hình 2-14.
Ie = Ic + Ib
b) Điện trở tạo thiên áp R| được xác định.
Hình 2-14
R,
E - U ^ E -U ^ o 10-0,6 9,4
Ibo ^co ^ ^q-3 5.10 *
p 100
188ka
c) Tính điện trở R,
52
51. I „ I „ 5.10-’
d) Điện áp Uc so vái điểm mass chính là điện áp UçgQ
U c= U ,,o = 5V
@ Bài tập 2-8. Cho mạch điện như hình 2-14. Nếu biết R, = 220k0;
Rc = 2kQ; ß = 50; ưggQ= 0,5V. Hãy xác định các thông số tĩnh:
dòng Ig, Ic, Ie, điện áp Uceo •
Bài giải
a) Xác định dòng Igo
R, 220.10' 220.10'
b) Dòng Ico = ßlß = 50.34, lụK = 1,7mA
c) Dòng 1^0= Ico + I b o = 1>7 + 0,0342 = 1,7342mA.
d) Điện áp U^go
UeEo=E-Ico.Rc=10-l,7.10"'.2.10^=6,6V
Bàl tập 2-9. Mạch điện như bài 2-7 nhưng mắc thêm điện trở Re ở
emitơ và biết sụt áp trênđiện trở này là IV.
a) Xác định trị sô' R|, Rc, Re-
b) Xác định điện áp Uc Uß so với điểm mass của máy.
Bài giải
a) Xác định Re
U re = I eo- R e = 1 V
_ IV IV 1
Suy ra Rb = — = — = ^ ------- = 198Q
Iro + — 5.10'^+ ~ 10-^
“ ß 100
- Điện trở R
53
52. R _ _ E - ^ beo -U r, _ 10 -0 ,6 -1
' I bo I bo 5.10-^
168kQ
- Điện trở Rc
^CO‘^C “ ^ ^CEO ^R,
800Q
V. V.V.V/ IVJ.-
Suyra: R, = =
leo 5 .10-^
b)Điện áp Uc = E- IcoRc=10-5.10“l800 = 6V
ha y U c = U ,,/+ U ,^ =5 + l = 6V
Điện áp Ub = Uggo + ƯR = 0,6 + 1,0 = 1,6V
(e ^ Bài tập 2-10. Cho mạch điện
như hình 2-15. Biết R, = 300kQ;
Rh = 2,7kQ; p = 100; Ư3,o =
0,5V;E= 12V.
a) Xác định các tham số tĩnh.
b) Nếu mắc R, = 2,7kQ hãy tính
điện trở tải xoay chiều.
Bài giải
a) Trước hết xác 'định dòng tĩnh
bazơ I„„
R
+E
R. R.
Hình 2-15
■BO^'1 ' '-'BEO ' ^EO^'E BEO
(ở đ â y I e o = I co + I b o = I b o + P I b o = 0 + P)Ibo)
E -U „ .. 12-0,5
Suyra l30 =
BEO _
R, +(1 + P)Re 300.10"+(1 + 100).2,7.10^
= 20ụA
- Dòng tĩnh 1^0 = lOOIgo = 100.20^iA = 2mA
- Dòng tĩnh 1^0 = Ic» + Ibo = 2 + 0,02 = 2,020mA.
- Điện áp trên cực E,cực c và B so với điểm mass:
ra
54
53. Ue = Ieo-Re = 2,02.10-^2,7.10" = 5,45V
Điện áp Uc = E = 12V
Điện áp Ub= Ue+ = 5.45 + 0,5 = 5,95V
b) Nếu mắc R, = 2,7kQ thì điện trở tải xoay chiều ở mạch emitơ.
R = R //R = A ì = A Z : ^ = l , 3 5 k Q
^ ' Re+R, 2,7 + 2,7
Bài tập 2-11. Cho mạch khuếch đại dùng ữansistor lưỡng cực như
hình 2-16a. Biết E = lOV; Rc = 5kQ; Re = 0,2Rõ R, = 85kO;
R , = 15kQ; =4 V ; Ico « c ; p = 50-
a) Hãy xác định các tham số tĩnh của transistor.
b) Điểm làm việc tĩnh ovà dựng đưòng tải một chiều.
a)
a) Có thể coi
Suy ra:
Hình 2-16
Bài giải
^EO~ ^<X)
E -U CEO
Ico =
■c ' *'E
10-4
(5 + l).10-
= 10-^A = lmA
b)
55
54. - Dòng tĩnh bazơ IgQ:
- Thiên áp
Ur£0 —Ip-R^ ~ ^RE ~ -----------Rt ~^E0'^EBEO p 2 RE 2 EO E
10-M0^=0,5V
(15+ 85). 10^
b) Toạ độ điểm làm việc tĩnh O: = lmA;UcE0 = 4V . t)ể dựng đường
tải một chiều cần xác định một điểm nữa. Từ biểu thức phương trình đưòng
tải một chiều.
U„= E -Ic .R c
Cho Ic = 0 u„ = E = lOV (điểm A trên trục hoành) nối qua điểm A
Bài giải
- Điện trở tải xoay chiều R_.
R. = R^//R,= Ì ^ = ^ = 2,5kQ
Rc+R. 5+ 5
- Để đựng đường tải xoay chiều R_ cần xác định một điểm trên trục
hoành hay, trên trục tung rồi nối với điểm làm việc tĩnh o. Từ điểm
cộng thêm một đoạn ứng với điện áp bằng IcqR- •
IcoR_= 1012,5.10^ = 2,5V
ta được điểm A' trên trục hoành (hình 2-16b).
Nối điểm A' với điểm ovà kéo dài sẽ được đường tải xoay chiểu. Cũng
có thể dựng đường tải xoay chiều bằng cách xác định điểm B' trên trục tung
E 10
ứng với dòng I „ = ——= — ——r = 4mA, rồi nối điểm B’và o.
& ^ R_ 2,5.10'
56
55. (m ) Bài tập 2-13. Cho mạch điện như hình 2-16a. Nếu E = lOV; ƯCEO= 4V ;
Rg = 0,1Rc‘, Ico=20mA; Ug£Q=0,7V, từ đặc tuyến vào của
transistor ứng với UggQ = 0,7V , tìm được IgQ =0,2mA .
a) Xác định trị số các điện trở Rc, Re, Ri, R-> để đảm bảo được các
thông số trên.
b) Xây dựng đường tải một chiều.
Bài giải
a)Xác định trị số các điện trở
Từ biểu thức:
E = ^CEO ^EO^E * ^CEO
(ở đây có thể coi I^Q« IgQ để đơn giản cho việc tính toán).
Suy ra + R. =-- - ggg = = 300Q
^ lœ 20.10“^
Re 0,1Rc = l,lRc ~ 3000
M = 272,70
1,1
Rg = 0 ,lR c = 27,2Q .
- Điện trở Rj được xác định theo biểu thức:
~ '^BEO
Suy ra
(ở đây chọn dòng phân áp Ip= 5 Ißo)
R 0.7 + 20.10-.27,27..^
^ 5.1„ 5.0,2.10-’
- Điện trở R| được xác định từ biểu thức:• I ♦ •
Ri(Ip+ I^q) = E - IpR2 = E - UggQ-^IgQRg
" u r a r E - U „ o - I ^ R , _ 10 - 0,7 - 0,5 4 5 _ ,
5 l" + I „ 6.0,2.10-
57
56. b) Để xây dựng đường tải một chiều, ngoài điểm làm việc tĩnh ođãbiết
0(20mA, 4V) cần xác định một điểm nữa.
Từ phương trình UcE = E - Ic(Rc + Re)
nếu cho UcE = 0 thì
E 10
= 0,0333A = 33,3mA
Rị. + Rg 300
ta được điểm B trên trục tung, nối B với ovà kéo dài sẽ được đường tải một
chiều (hình 2-17).
Hình 2-17
070) Bài tập 2-14. Biết đặc tuyến truyền đạt và đặc tuyến ra của một J-FET
kênh N như hình 2-18.
a) Xác định trên đồ thị dòng bãơ hoà Ij5ss^ và điện áp khoá Uqsk-
b) Tính dòng Iq ứng với các giá trị Uos = OV; Uos = -2V; Uos = -4V và
U g s = -6V.
Bài giải
Từ đặc tuyến truyền đạt Id = f ( Ư G s ) hình 2-18a, dòng bão hoà Ipss ứng
với U q s = ov,Ij5ss = 15mA.
Điện áp khoá U gsk ứng với Iq = 0, trên đồ thị xác định được Uqsk = -8V.
b) Dòng Ij3phụ thuộc vào điện áp ƯQSvà được xác định bởi biểu thức;
58
57. a) b)
Hình 2-18. Đặc tuyến truyền đạt (a) và đặc tuyến ra (b) của J-FET kênh N
Id = Idss(1 - ^ ) '
UGSK
Ugs = 0 ^ Id = Idss = 15mA
Uos = -2V-^ = 15 (1 - = 8,437mA.
-“0
U gs = -4V ^ lo = 15 = 3,75mA.
—o
Ucs = -6V ^ Id = 15(1-— )' = 0,9375mA.
( 7 1^ Bài tập 2-15. Cho mạch điện dùng
J-FET kênh N như hình 2-19. Đặc
tuyến của J-FET nhưbài 2-14.
Biết E = 15V; điểm làm việc tĩnh
được chọn ứng với Rd = IkQ.
a) Xác định trị số Rị.
b) Xác định thiên áp Uqsq.
c) Điện áp trên cực máng Up.
Bài giải
a) Điện trở Rs được xác định theo
biểu thức:
U
R - - U q d k - 8V
^ 21™ 2.15.10-^
= 266Q
+E
H h -p -H iỊ
Hình 2-19
ra
59
58. b) Thiên áp = RJn = 266.7,5.10'" « 2VGSO S-^D
(ởđây I t ,= % = ^ = 7,5mA)
• 2 2
c) Điện áp Uq
U d = E - I d.Rd = 15 -7 ,5 .1 0 ^ 1 0 ^ = 7,5V
Bài tập 2-16. Cho mạch tạo thiên áp
cho J-FET kênh N bằng phương pháp
phân áp như hình 2-20. Biết: E = 15V;
R, = 600kQ; R, = 150kQ; Rß =
l,5kQ; Rs = IkQ; 5mA.
a) Xác định Uas-
b) Dòng cực máng Ip.
c) Điện áp trên cực máng Up.
Bài giải
a)
GS
R| +Rj (600 + 150)10
E
Hình 2-20. Mạch tạo thiên áp
cho J-FET
5.10"10' = -2 V
,R,=
15
150 = 3VĐiện áp trên cực cửa U f - •_
R ,+R , " 600 + 150
Điện áp trên cực nguồn Us = ƯQ- U qs = 3 - (-2) = 5V.
hay Us = Is.Rs = Id-Rs = 5.I0 M 0’ = 5V
b) Xác định lại dòng cực máng Ip
I. =L=^ =^ =5.10-'A=5mA
^ Rs 10'
c) Điện áp trên cực máng Up
Ud = E-Id.Rd= 15-5.10M,5.10^ = 7,5V
Điện áp U ds = Uo - U s = 7,5 - 5 = 2,5V.
( t ỉ ) Bài tập 2-17. Cho mạch điện dùng MOSFET kênh đặt sẵn như hình
2-21 a và đặc tuyến truyền đạt như hình 2-21b. Biết: E = 12V;
Ro = 200kQ; u 3 , 5 V .
a) Hãy xác định trị số điện trở R| để tạo thiên áp yêu cầu U qsq= -2V.
b) Xác định dòng 1,30•
60
59. a) b)
a) ưGSO
Hình 2-21. Mạch điện (a) và đặc tuyến truyền đạt (b)
Bài giải
= - U30 = -2 + 3,5 = 1,5V
Vì dòng lo = 0 nên có thể viết
Suy ra
R .=
R. =
R, +Rq
•R.
U
RG
G
12 200
Thay số: R, — 200 = 1400k0 = 1,4MQ
' 1,5
b) Dòng 1^0 = 5mA ứng với ƯQ5Q= -2V (xác định trên đồ thị 2-2 Ib).
( 7^ Bài tập 2-18. Như bài 2-17. Nếu chọn điểm làm việc ứng với
U qsq = -2 V , dòng IpQ= 5mA; điện trở Rjj = l,2kQ.
a) Hãy xác định điện áp Uq.
b) Tính điện trở Rs.
c) Khi điện áp vào thay đổi trong khoảng -2V ± 0,5V, hãy xác định biên
độ điện áp ra và hệ số khuếch đại Kụ.
Bài giải
a) Điện áp Ud = E- IdqRo = 12 - 5.10M,2.10^ = 6V.
b) Điện trở Rg.
61
60. 3,5
Ido 5.10-^
= 7 0 0 0
c) Khi điện áp vào Uqs thay đổi trong phạm vi -2V ± 0,5V, xác định
trên đồ thị 2-2Ib dòng Id thay đổi từ 2,5mA đến 6,25mA, như vậy biến thiên
dòng Id từ đỉnh - đỉnh
AIó = 6,25 - 2,5 = 3,75mA
Điện áp ra (đỉnh - đỉnh) sẽ biến thiên
u„ = AId-Rd= 3,75.10-M,2.10^ = 4,5V
Hệ số khuếch đại điện áp
1
tập 2-19. MộtMC^PETkốihđặtsẵncóđạctuyái ttuyàiđạtnhưHình2-22.
a) Căn cứ vào đặc tuyến xác định hỗ đẫn tại vùng nghèo ƯGS = -2V và
tại vùng giàu ƯQS= +3V.
b) Cho nhận xét.
iD(mA)'
15
vùng giàu/ ị M
10
7,5
5
vùng nghèo
i l í ỉ '
-4 -3 -2 -1 1 2 3 4 Uqs(V)
Hình 2-22
Bài giải
a) Tại vùng nghèo, theo đổ thị
U g s = -2V ->Id= l,2mA
Ugs = -IV Id = 2,5mA
AUos=lV
AIp = 2,5mA - l,2mA = l,3mA
62
61. Hỗ dẫn g„ = -" -° - = l,3^^^hay l,3mS (milisimen)
AUqs V
Tại vùng giàu Uos = +3V -> Id = lOmA
Ugs = +4V Id= 15mA
Alß 15-10 _mA, _ „
Hỗ dẫn g„ = — = ——— = 5—— hay5mS
AUGS 4 -3
b) Nhận xét:
ở vùng giàu hỗ dẫn của MOSFET lớn hơn vùng nghèo.
Bài tập 2-20. Cho mạch điện dùng
J FET kênh N như hình 2-23. Biết
Ro = 1,5MQ; Rs = 300Q; Rß =
2,2kQ; R, = 15kQ; E = 15V.
a) Xác địnhđiệnttởtảixoaychiầi R_.
b) Hỗ dẫn động tại Uqs = -2V.
c) Tính hệ số khuếch đại Ky.
d) Tính điện áp ra n.ếu
Uv = 0,5V.
Bàỉ giải
a) Điện trở tải xoay chiều R_
b) Hỗ dẫn tại gốc:
ê m o
GSK
HỖ dẫn tại điểm Ucs = -2V.
U
ê m ê mo 1 GS
UGSK .
= 5mS 1
-2
-6
= 3,33
lĩìA
c) Tính hệ số khuếch đại
K„ = g„R_ = 3,33.10-'. 1,92.10' = 6,393.
63
62. d) Xác định điện áp ra
Uos = OV; U gs = +2,0V; Uos = -2,0V.
Bài giải
- Khi Uq5= 0 —>Ij) = Idss “ 15mA.
-Khi
Ucs = +2V ^ I^ = I^s3 1
u
- Khi Uqs = -2V -> In = 15.10
GSK
-3
= 15.10-3
-6
= 26,66mA
-6
= 6,6mA.
Bài tập 2-22. Một MOSFET kênh N cảm ứng có đặc tuyến truyền đạt
và mạch điện như hình 2-24.
a) Hãy xác định bằng phương pháp đồ thị hỗ dẫn g„ tại điểm làm việc
0(8V, 7,5mA).
b) Tính trị số Rq.
c) Tính điện áp ra nếu điện áp vào biến thiên IV.
.+15V
a) Hinh 2-24 b)
64
63. Bài giải
a) Xác định hỗ dẫn g„.
gm = . ?:.^ ,2 ,5 i^ h a y 2 ,5 m s
AUGS 8V -7V
b) Điện trở Ro
= - — £ p i . = J 5 _ 8 _ ^ chọn Rß =.lkQ
I, -3
DO 7,5.10
(ởđâyUos = UGs = 8VvìIc = 0).
c) Xác định U,, nếu Uv = 1V.
u„ = Ki^.Uv = g„.Ro.Uv = 2,5.ỉơ^. Ì0M,0 = 2,5V
( t^ Bài tập 2-23. Cho mạch điện
dùng J-FET kênh N như hình
2-25. Biết;
E = 12V; Rg = IMQ;
ưc5q = 1,2V . Điện áp trên Rs,
Urs = 0,2E = 2,4V. HỖ dẫn
g„ = 5 . Điện trở cực máng
nguồn r¿^= 200kQ.
= 0,Ir,^= 0,1,200kQ = 20kn.
a) Tính điện trở Rị.
b) Tính hệ số khuếch đại Ky.
Bài giải
a) Tính R,
R.
Suy ra R. =
E.R,
^RS
R| +Rq
E
= 10'
12
1
vUks-U oso
= 9MQ.
-1
b) Hệ số khuếch đại Ku.
Ku = êm- Rd= 5.10 ^20.10^ = 100.
5- 250BTKTĐÍỆNTỬ-A 65
64.
65. Chương 3
CÁC MẠCH KHUẾCH ĐẠI TÍN HIỆU BÉ
3.1. TÓM TẮT PHẦN LÝ THUYẾT
Để phân tích và tính toán các thông số kỹ thuật đối với bộ khuếch đại
điện tử dùng transistor làm việc ở chế độ tín hiệu bé thưòng dựa vào các loại
sơ đồ tưcmg đương.
Transistor thường được biểu diễn bằng hai loại sơ đồ tương đương:
- Loại thứ nhất gọi là sơ đồ tương đưcmg vật lý hay sơ đồ tưofng đưcfng
hình T và cũng có tên gọi là sơ đồ tương đương (The ĩg transistor model).
- Loại thứ hai được gọi là sơ đồ tương đưong tham sô' bao gồm các tham
số trở kháng, điện dẫn hoặc hỗn hợp.
Cả hai loại sơ đồ tương đương của transistor có thể coi là không phụ
thuộc vào tần số đến một phạm vi khá cao:
- Đối với các loại transistor lưỡng cực (BJT) khi tần số tín hiệu
f,< (0 ,l-f 0,5)f,.
- Đối với các loại transistor hiệu ứng trường (FET) khi tần số tín hiệu
f,< (10^ 150)MHz.
ở phạm vi tần số cao hơn những số liệu trên, khi sử dụng các loại sơ đổ
tương đưofng phải được lựa chọn một cách thích hợp và không được bỏ qua
ảnh hưởng của các tụ ký sinh (Cj(;s) bản thân transistor đến sự truyền đạt tín
hiệu qua nó.
Với mỗi kiểu mắc đối với transistor có ba họ đặc tuyến Volt-Ampe
quan trọng: họ đặc tuyến vào, họ đặc tuyến ra và họ đặc tuyến truyền đạt.
Có thể xây dựng đường tải một chiều (R.) và đường tải xoay chiều (R_)
trên các họ đặc tuyến cơ bản của transistor và xác định các tham số một
chiều cũng như xoay chiều của tầng khuếch đại điện tử.
6 6 5-250BTKTĐIẸNTỬ.B
66. Các thông số kỹ thuật cơ bản đối với tầng khuếch đại điện tử dùng
transistor bao gồm; trở kháng vào (Ry), trỏ kháng ra (R^a), các hệ số khuếch
đại điện áp ( K u ) dòng điện (K ị) , công suất (K p ).
Hệ số khuếch đại nhiều tầng ghép liên tiếp bằng tích các hệ số thành phần.
3.2. BÀI TẬP CÓ LỜI GIẢI
( 8^ Bài tập 3-1. Cho tầng khuếch đại dùng BJT như trên hình 3-1.
a) Xác định r^.
b) Xác định trở kháng vào của tầng Ry.
c) Xác định trở kháng ra của tầng (với fo = oo)
d) Xác định hệ số khuếch đại điện áp Ku (với ĨQ= oo)
e) Xác định hệ số khuếch đại dòng điện K ¡ (với ĨQ= ũo)
E .J2VCO
II— u
Cj 10|iF
p=100
r„=50kQ
Hình 3-1
Bài giải
Chọn transistor T loại Si và thiên áp Uggo =0,7V
a) Dòng tĩnh IgQ sẽ là:
12V-0,7V ,
Ibo = — = 24,04^iA
Rg 470kQ
Dòng tĩnh IgQ sẽ là:
1,0 =(1 + P)l30 =(l + 100)24,04.10-'A = 2,428mA
Điện trở r, được xác định:
67
67. 1^0 2,428.10-'
b) Trở kháng vào được tính:
Ry —Rb // TvT
trong đó Tvt - trở kháng vào của transistor
fy^= pr,= 100.10,71 = l,071kQ
Ry = 470//1,071 = l,069kQ.
c) Trở kháng ra của tầng được tính:
R„ = Rc // ĨQ= Rc // °0 = Rc = 3kQ.
d) Hệ số khuếch đại điện áp của tầng:
r, 10,71
e) Vì Rg > lOrvT= lOp.r, (470k0 > 10,71k0)
nên Kị« p =100
Bài tập 3-2. Tính toán lặp lại cho bài tập trên*hình 3-1 với ĨQ= 50kQ.
Bài giải
Ta nhận thấy các thông số trong hai câu a, b sẽ không có gì thay đổi nên;
a) r,= 10,710
b) Rv= l,071ka
c) Trở kháng ra của tầng được tính:
= Re// ro= 3 // 50 = 2,83kũ.
d) Hệ số khuếch đại điện áp của tẩng.
-264,24
r. 10,71
e) Hệ số khuếch đại dòng điện Kj
Y- _ P-Re-rp : 100.470.50 ^3
‘ (ro+R^XRg + r^^) (50+ 3)(470 + 1,071) ’
Có thể tính K: theo biểu thức khác:
68
68. K , = - K > = 2 H É Í 3 1 )W 9 =94,16
3
Bài tập 3-3. Cho tầng khuếch đại dùng transistor lưỡng cực (BJT) như
trên hình 3-2. Hãy xác định:
R
n , lO^iF
^3 6,8kQ
+E^22V
56kn
^1
ĩT R
R,
u
c'lOjiF
X - p=90
R
>8,2kfì n <
ra
r C3 20|XF
l,5kQ
1
Hình 3-2
a)r,
b) Rv
c) R,, (với fo= 00)
d) Ku (với To= co)
e) Ki (với To= 00)
Bài giải
Chọn transistor T loại Si vói thiên áp Uggo = 0,7V
a) Ta có:
U = -M e e .. ^ 2.22 ^ 2,81V
® R ,+R 2 56+8,2
Ue= Ub- U3eo= 2.81-0,7 = 2,11V
Ig = - ^ = _ _ = l,41mA .
Kết quả là;
l,5kQ
r, = — = 18,44Q
Ĩe 1.41
69
69. b) Ta có: Rp = R, // Rj = 56kQ // 8,2kQ = 7,15kQ
Và Rv = Rp// ĨVT= Rp// p.r, = 7,15kQ // 90.18,44n
Rv = 7,15kQ// l,66kQ = l,35kQ.
c) R„ = Rc // fo = Rc // co = Rc = 6,8kO.
d)K = - - ^ = - ^ = -368,76
r. 18,44
e ) K ^ = ^ = ^ = 4 | L Ị L = 73,04.
R, + r„ R,+p.r. 7,15+1,66
Bài tập 3-4. Tính toán lặp lại cho bài tập trên hình 3-2. với To= 50kQ.
Bài giải
Với hai câu a, b sẽ hoàn toàn tương tự trong bài 3-3 nghĩa là:
a)r,= 18,44Q
b) Rv= ỉ,35kQ.
c) R„ = Rc // ro= R, // ro= 6,8kQ // 50kQ = 5,98 kQ.
d)K = - ^ = - ^ = -324,3
r, 18,44
_________P '^ p '^0_______ __ P-Rp-Fp_______
(ĩq+R(,)(Rp H-ry^-) (ĩq+R3 XRP+Pr^)
90.7,15.50
(50+6,8X7,15 + 1,66)
Bài tập 3-5. Cho tầng khuếch đại dùng transistor như trên hình 3-3
Hãy xác định:
a)re
b)R v
C)R„
d)
e) K ị với mạch không có tụ Q .
70
70. R.
470k
U,
+E,, 20V
2,2k Q
J—
c, 10^F
CIOịìP
K M 20
r =40ka
0,56kQ lỐụF
Hình 3-3
Bài giải
Chọn transistor T loại s¡ với Uggo = 0,7V
a) Điện trở được tính như sau;
J ^ 20-0,7
= — f -------- - = 35,89|aA
R„+(1 + Ị3)R. 470.10’ + 121.0,56.10'
I eo =(P + l)lB0=121.35,89^A = 4,34mA.
í
và r =
_ Uj _ 26
EO 4,34
= 5,990.
b) Rv = RJ / rvTmà ĨVT= P(re + Re) = 120(5,99 + 560) = 67,92kQ.
Rv = 470kQ//67,92kQ.
c)R„ = R c //ro - Rc = 2,2kQ.
r,„ 67,92‘VT
R
e) Kị= -K ^ ,^ = -(-3,89)^?4^ = 104,92.
R 2,2
(^8^ Bài tập 3-6. Tính toán lặp lại cho bài tập trên hình 3-3 khi có tụ Q
Bài giải
Với câu a việc tính toán hoàn toàn tuofng tự trong bài 3-5, nghĩa là:
a) r, = 5,99Q
71
71. b) Vì điện ứở Re sẽ bị ngắn mạch đối với thành phần xoay chiều của tín
hiệu qua tụ Q nên:
Ry = Rg // mà = p.ĩg
nên: Rv = Rb // p.ĩe = 470kQ // 120.599Q
= 4 7 0 k Q / / 718,8Q = 717J0Q .
c) R„ = Rc = 2,2kQ.
d) K„ = = - ^ 4 4 ^ = -367,28
e)K,=
PRB _
Vr
5,99
120.470.10^
470.10^+718,8
= 119,82.
Bài tập 3-7. Cho tầng khuếch đại dùng transistor như trên hình 3-4
(tầng lặp emitơ). Hãy xác định:
a)r,
b) Rv
c) R .
d)K ,
e) Ki
Bài giải
Chọn transistor T loại Si với UggQ= 0,7V
a) Điện tì-ở được tính:
72
72. Ti,: 2 0 A 2 ^
“ RB + ( l + ß)Rg 220kQ + 101.3,3kO
= (1 + ß)ig^ = 101.20,42^A = 2,062mA
nên: r = = - — -■= 12,610
' Ieo 2,062
b ) R v = R b / / rvT = R b / / ß-re + (1 + P ) R e
= 220kQ // 100.12,610 + 101.3,3kü
= 2 2 0 k n // 334,56kQ = 132,72kfì.
c) R,, = Re// r, = 3,3kQ // 12,61Q = 12,56Q = r,.
= = 0,996
Uv r^+Rß 3,3.10^ + 12,61
e,K ,= - ^ = - - J 5 ^ = - 3 9 , 6 7 .
R^+Tyj 220 + 334,56
hoặc có thể xác định theo biểu thức khác:
Ki = -K„ ^ = -0,996 = -40,06
' ’ 3,3kQ
( 8^ Bài tập 3-8. Tính toán lặp lại như bài 3-7 với ĨQ= 25kQ, xem hình 3-4.
Bài giải
a) Việc tính toán đối với T(. giống như trong bài 3-7 nên: = 12,61Q.
b) Vì To« coQ hay To< lORß nên Tvt được tính như sau:
r„ = ß.r. + ^ I00.12.6in+ »295,7kfì
l+ ñ e i + 3,3k£ỉ
ĨQ 25kQ
và R v = R b / / Tvt = 2 2 0 k 0 / / 295,7kQ = 12 6 ,15kfì.
c)R„ = RE//re=12,56Q.
(1 + ß ) ^ (100+ 1)
d) ^ = --------- 1 M I = 0,996.
1 + —^ l + n i
ro 25
73
73. e) K¡= - K ^ ^ = -0,996
Bài tập 3-9. Cho
tầng khuếch đại
dùng transistor mắc
BC như trên hình
3-5. Hãy xác định:
a)r,
b)Rv
C)R„
d) K,
e) Ki
126,15kQ
3,3kQ
= -38,07.
10^F 11 ' ^
MkQ
"Eee
V l J
K Ỉ
c,
t—1^— •
t,- lO^iF
^5 kQ ư
fEcc
a = 0,98;ro= IMQ
Hình 3-5
Bài giải
Chọn transistor T loại Si với UggQ = 0,7V
nên r ,= Ì ỉi = ^ = 20Q.
IkQ
EO
b) Trở kháng vào khi mắc BC sẽ là:
Rv = Re/ / Te= IkQ/ / 20Q = 19,61Q.
c) R,, = Re// ro= Rc // IMQ = Rg = 5kQ.
K - _ 5.10^d) K, = 250
20
e) Ki= ii- = - ^ = - ^ = - a = -0,98 = - l
L, L, L
0 Bài tập 3-10. Qio tầng khuếch đại dùng transistor như trên hình 3-6. Hãy
xác định:
a)r.
74
74. b) Rv
c) R„
d) K ,
e) K¡
Bài giải
Chọn transistor loại Si
v ớ ì U 3,o = 0 , 7 V .
a) Từ:
+ E „ 9 V
I,
R ,1 8 0 k Q
c, lO^iF
R.,
2,7kQ
QIO^F
U
R
p=200
r„=ooQ
ra
Hình 3-6
9V -0,7V
^BO~ — — = ------ ----------------- = 1l,53|.iA
Rg+ịỉRc 180kQ + 200.2,7kQ
Lo = (1+ P)Ibo = (1+ 200)11,53|aA = 2,32mA
và
EO
b)
2,32
p Rb
11,21
1 , 2,7
= 560,5Q
2 0 0 1 8 0
c) R,, = Rc // ro// Rb với ĩo > lORc thì
R„ = Rc // Rbvà với Rg » Rc ta có;
K = Rc-
ở đây ta tính được;
R „ = R c // R b = 2 , 7 k Q // 1 8 0 k Q = 2 , 6 6 k Q .
d) Ky = = -240,86
e) K.=
PR,
11,21
200.180
= 50.
0
Rg+pRc 180 + 200.2,7
90 ) Bài tập 3-11. Cho tầng khuếch đại dùng transistor như trên hình 3-7. Hãy
xác định:
a) Rv
b) R„
75
75. c)
d) K;
Bài giải
a) Trở kháng vào của tầng
được xác định theo biểu thức:♦ •
Rv = R B / / h „ e = 330kQ//
l,175kQ= l,171kQ.
b) Trở kháng ra của tầng
được xác định theo biểu thức:
• +E
ura
h,,= 120
h,^=l,!75krì
h22e=20jiAA^
Hình 3-7
R .=
1
'22e
7/R^ = r„//R^= 50kQ // 2,7kQ = 2,56kQ =: R,
ở đây:
'22e 20
V
= 50kQ
c) Hệ số khuếch đại điện áp của tầng sẽ là:
K „, . J ! L Z ^ , -262,34
‘lie
1,171
d) Hệ số khuếch đại dòng điện sẽ là;
K ,=Ị*-=I>j,.=12 0 .
Bài tập 3-12. Cho
tầng khuếch đại dùng
transistor trường như
trên hình 3-8. Hãy
xác định:
a)gm
b)r,
c) Ry
20V
2kn 5R,
D
G
Rv c,
ư.
Ì 2 V
U.
Up=-8V
ưgso=-2V
Ij^=5,625mA
gd=40fiS
Hình 3-8
76
76. d) R .
e)K ,
Bài giải
a) Từ phương trình Shockley đối với transistor trường loại J-FET ta có:
Sm„
2ĩ_
U
2.10mA
8V
ê m B m „
UGS„ _
= 2,5mS
-2
b) ''d= — =
U
) = 2,5mS(l— ^) = l,88mS
-8
_Ị^
ểd
1
= 25kQ
40.10"*
c) Ry = R(3/ / T yj = Rq / / co — R-G— I M O
d) R„ = Ro // Td= 2kQ // 25kQ = 1,85kO
e) Ku = -gl(Ro // r j = -l,88mS.l,85kO = -3,48.
(^92^ Bài tập 3-13. Cho tầng
khuếch đại lặp dùng J-FET
như trên hình 3-9 và biết
thêm: ư o so = -2,86V;
Up = -4V; =4,56mA;
Idss = 16mA; = 25|^s.
Hãy xác định:
a)gm
b)r,
c) Rv
d) R™
0,05^F
n ....-..-
i
'Edd^V
• if ----^
Uv ,
aOSMF
K
^ Iivm
> R,<> ^2
2,2kQ 3
ra
Hình 3-9
Bài giải
21
a) g =
' Om« -ỊJ
2.16mA
4V
= 8mS
ểtn êmo^^ = 8mS(l — = 2,28raS
U -4
77
77. b) 1;,= — =
1
= 40kQ
gd 25^iS
c) R v = R o // Tvt = Rg // 00 = R g = I M Q
d) R„ = r, // R, // — = 40kQ // 2,2kQ //
1
gm 2,28mS
= 362,520
@ Bài tập 3-14. Cho tầng
khuếch đại dùng D-MOSPET
(MOSPET loại nghèo) như
ừên hình 3-10 và cho biết
thêm: Uoso=0,35V;
Iqo = 7,6mA; Idss = 6mA;
ủp = -3V; g, = ỈOịiS. Hãy
xác định;
a)gm
b)r,
c) Vẽ sơ đồ tưcfng đương của tầng
d ) R v
e) R .
f)Ku.
Hình 3-10
Bài giải
a ) g „ „ = ^ = - ^ ^ = 4mS
3V
u,
g . = g . o a - ^ ) = 4(l
ư
0,35
-3
) = 4,046mS
b)fd= — = . - ^ = 100kO.
gd
c) Sơ đồ tưofng đương của tầng được vẽ như trên hình 3-11 dưới đây.
d) Rv = R, // R, // rvT= R, // R2//
= Rj // R, = lOMQ // 1lOMQ = 9,17MQ.
78
78. e) R„ = r, // Rd = (100 // l,8)kQ = 1,77kQ
f) Ku = -g„.RD = -4,046mS.l,8 = -7,28.
G D
Uv 1
llO M fi
RẬ
lOMQ
»------ m
^ c D
Sm^GS lOOkQ
D ^
l,8kn "
s
Hinh 3-11
( 9^ Bài tập 3-15. Qio mạch khu&h đại dùng transistor E-MOSFET như trên
hình 3-12.
R
+Edd12V
2kQ
R.^IOMO
U, c,
R,
1^F
Rra
Hình 3-12
Hãy xác định:
a) gm
b)r,
c) Ry
d) R.,
e) Ku-
Bài giải
i; =6mA
u;=8V
Ut=3V
gd= 20ịiS
(0,24.10-'AA^')
k = 0,24.10'’AA^-
Ucso = 6,4V
Itx) = 2,75mA
a) g,„ = 2k(U.so-UT) = 2.0,24.10"^(6,4-3) = l,63mS.
b) r,. = — =
1
gd 20|aS
= 50kQ
79
79. R c+r,//R p _ 10Mfì + 50kQ//2kQ
~ 1+ L (Í.//R d) ~ l + l,63mS(50kQ//2kQ)
Nếu không tính đến ảnh hưởng của thì:
= 2,42MQ
;g______ 10
= 2,53MQ
l + g„R^ 1+ 1,63.2
d) R,, = Rc // r, HRd = lOMQ // 50kQ // 2kQ = 1,92kQ.
Khi r^i > lORp thì trở kháng ra có thể được tính:
R„ = R o//R o = RD = 2kQ
e) Ku = -g^.Ro = -1,63mS.2 = -3,26.
Khi bỏ qua ảnh hưởng của với r<j> lORp.
Khi tính đến r¿thì:
Ku = -g„,(Rc // ra// Rd) = -1,6ms( 1OMQ // 50kQ // 2kQ) = -3,21.
( 9^ Bài tập 3-16. Qìo tầng
khuếch đại dùng J-FETnhư
UoD 30V
trên hình 3-13. Hãy xác
định điện trở tải một chiều
Rp của tầng vód hệ số
khuếch đại điện áp Ku = 10.
Bài giải
Với Rs = Oíì trên sơ đồ
hình 3-13 của đầu bài ta có
u Q5 = ov và điều đó có nghĩa là:
R
II T
Rg > lOMn Ip55= 1OlĩlA
Up = -4V
g, = 20tiS
Hình 3-13
Ku = -gn,Rn. = -gm„ Rra = -gmCRo// r<i) = -gm„ (Rd // Td)
Từ đó ta tính được:»
2I0SS _ 2.10mA
-gm„ = = 5mS
Up
và ta có; Ky = -10 = -SmSíRp // r^)
10
4V
nên; Rp // =
5mS
= 2kQ
80
80. Mặt khác ta có:
1 1
rd= — =
g. 20.10-^
Khi đó: Rd // r, = Rd // 50kQ = 2kQ
= 50kfì
RoSOkQ
R^+SOkQ
RoSOkQ = 2(Rd + 50)kQ
Vậy Rj) = 2,08kQ và chọn điện trở Rß theo tiêu chuẩn sẽ là Rjj = 2kQ.
(% ) Bài tập 3-17. Cho mạch khuếch đại dùng J-FET như trên hình 3-14.
Hãy xác định điện trở Rj) và Rs với Ku = 8 và Uqs_ = —Up = -I V . Biết
thêm: Idss = lOmA; Up = -4V; gj = 20|J,S.
^DSS*” ỉômA
U p = - 4 V
Ga= 20^lS
Hình 3-14
Bài giải
T- ' _ 2Idss _ 2.10mATa có; - = 5mS
U,
và g„ = g „ „ ( l- ^ ^ ) = 5 m s (l-^ ) = 3,75mS
mặt khác: Ku = -g„(RD // r<j)
-8 = -3,75mS(Ro// r,)
6- 250BTKTĐÍỆNTỬ. A 81
81. nên
Rd// ra= Rd // — = Ri, / / - ^ = Rd //50kQ = 2,13kQ
gd 20|aS
Từ đó ta xác định được Ro = 2,2kQ (đúng theo tiêu chuẩn).
Để xác định điện trở Rs có thể xuất phát từ biểu thức;
'^GSO“ ~^DO^S
^DO—^Dss(^
uGSO 2 _
Up
ý =lOmA
-4
= 5,625mA
Vậy Rs = ^ = 177,80
IDO
5,625.10
Chọn theo bảng điện trở tiêu chuẩn Rs = 180Q.
{^9^ Bài tập 3-18. Qio tầng khuếch đại dùng J-FET như trên hình 3-14 (xem
số liệu bài tập 3-17). Hãy xác định giá trị R|5, Rs khi không có tụ Q.
Bài giải
Khi không có tụ Cs trên mạch, các đại lượng tính toán cho chế độ một
chiều của tầng không có gì thay đổi nghĩa là: ƯQSO= -I V ; Ij3ò = 5,625iĩiA;
Rs = 180fì! (như trong bài 3-17).
Biểu thức tính hệ số khuếch đại điện áp Kjj sẽ là:
— §m^D
" l + Sn,Rs
8 =
- 3,75mS.Rj3
l + 3,75.10"^180
_ 3,75mS.Rp
1+0,675
từ đó tính được Rqsẽ là:
13 4
R ^ = - — —- = 3,573kQ
° 3,75mS
Chọn điện trở Rp theo tiêu chuẩn là Rp = 3,6kQ.
82 6- 250BTKTĐIỆNTL
82. (^98^ Bài tập 3-19. Cho bộ khuếch đại điện tửnhư trên hình 3-15. Hãy xác định
K^; Ry; Rn.; u^; u ’ với U gso=-1,9V ; Ioo=2,8mA và R, = lOkQ.
Ipss= lOmA; Up = -4V; Tị và T2 cùng loại và có cùng các tham số.
ra
Hình 3-15
Bài giải
êm o
_ _ 2.10mA
ê m S m o ^ ^
U
u 4V
= 5mS
Up
) = 5mS 1
-1>9
4 J
= 2,6mS
Ku. =Ku, = = -ê„Ri =-g„Rs =-2,6mS.2,4kQ=
Hệ số khuếch đại Ku sẽ là:
K ,=K ,,.K ^,^=(-6,2)(-6,2) = 38,4
Điện áp ra sẽ là:
u„ = Ky.Uv = 38,4. lOmV = 384mV
Trở kháng vào của bộ khuếch đại là:
Ry = Rg = R2 3,3MQ
Trở kháng ra của bộ khuếch đại là;
- 6,2
83
83. R , = R5 = = 2,4kD.
Khi mắc tải R, = lOkQ, điện áp ra trên tải sẽ là:
u, =— —u =—i^384mV =310mV
‘ R„+R, ” 2,4+10
( 9^ Bài tập 3-20. Cho bộ khuếch đại điện tử dùng BJT như trên hình 3-16
với Ub = 4,7V; Ue = 4V; Uc = i1V; Ie = 4mA. Hãy xác định: K^; u„;
Rv; rI và u,khimắc tảiR, =1OkO.
R
10)iF
h -
Uv c,
15kQ
25^iV R < 4 J Ị^
:R,2,2ka *^5
q 10nF
P=20Ó
R7 > 2,2kO
• +E,,20V
4,7kn
1
C ,1 0 |iF
p=200
^6
20mF
Hình 3-16
Bài giải
Trước tiên ta xác định điện trở Tg
26mV 26= ^ = 6,5Q
Hệ số khuếch đại đỉện áp tầng 1:
r. _ R_Rc(//R4//R5//P-r.)
*^u, ~ “
Te Te
2,2kQ//(15kQ//4,7kQ//200.6,5Q
ở đây
6,5Q
R,, =R 3//(R ,//R ,//p.rJ
=-102,3
84
84. Hệ số khuếch đại sẽ là:
. = _ ^ = _ ^ = _ ^ = _ 2 : ^ ._ 3 3 8 ,4 6
6,5
Ku = Ku, = (-102,3){-338,46) = 34624
u„ = Kij.Uv = 34624.25^iV = 0,866V
Trở kháng vào của bộ khuếch đại là:
Rv = R, // R, // pr, = 4,7kQ // 15kQ // 200.6,50 = 953.6Q
Trở kháng ra:
—Rc ” ^6 ~ 2,2kQ.
Khi mắc R, = lOkQ điện áp ra trên tải sẽ là:
u = — ^ — U = — 1 ^ 0 .8 6 6 V = 0.71V
> 2 ,4 k n ^3
0,05^F
4,7kQ 4 = .
1 '5 100fxF
Hình 3-17
Bài giải
Hệ số khuếch đại của tầng thứ nhất:
85
85. Ku. = //Rv,) = -2,6mS(2,4kQ//953,6D) = -1,77
Hệ số khuếch đại K„ sẽ là:
K^^=K„K„ =(-l,77)(-338,46) = 599,1
Điện áp ra u„ = K^.Uv = 599,l.lm V = 0,6V
Trở kháng vào Rv = Rq = 3,3MQ
Trở kháng ra R,, = Rc = 2,2kQ = R5.
(10^ Bài tập 3-22. Cho tầng khuếch đại cascode như trên hình 3-18. Hãy
xác định Ku của tầng với = 4,9V ; U3 = 10,8V ;
!(, = Ic = 3,8mA = 1^ = Ig; P| = p2 = 200; Tị = T2= T (giống nhau).
p, = p, = 200
T, = T, = T
(giống nhau)
Hình 3-18
Bài giải
26mV 26
3,8
= 6,8Q
86
86. Vậy K„=K., .K„ = -265.'Ü
(1 ^ Bài tập 3-23. Cho tầng khuếch đại dùng transistor Darlington như ưên
hình 3-19. Hãy xác định hệ số khuếch đại dòng điện K|.
Bài giải
Ta có thể vẽ lại sơ đồ tương
đương mạch điện như trên hình
3-20 dưói đây:
_ Pd^b
8000.3,3.10®
3,3.10^+8000.390
= 4112
Hình 3-20
(1 ^ Bài tập 3-24. Oio tầng
khuếch đại dùng transistor Darlington như trên hình 3-21. Hãy xác
định Rv; R„; K|; Ku với = 3kQ.
87
87. Bài giải
Ry = Rg // (r^ + p,p2.Rc) = 2MQ // (3kQ + 140.180.75Q) = 974kQ.
K;=p.p2
R 9 1a6
= 140.180(-— t) = 3,7.10^
Rg +Rv 2.10"+974.10^
R =-!h_ = i i ^ = 0,12Q
™ p,p2 140.180
và K„ = - J M ^ = _ 1 Ị ^ 1 * ^ = 0,9984,
p,p2Rc+r„ 140.180.75+3000
( í ^ Bài tập 3-25. Cho mạch điện dùng J-FET
như trên hình 3-22 (mạch tạo nguồn dòng).
Hãy xác định dòng Idvà u„ khi:
a)RD=l,2kQ.
b) Rd= 3,3kQ.
Vód Idss = 4mA và Up = -3,5V.
Bài giải
Từmạch điện đãcho khi Uqs =ov.
Ij3= I0SS— 4mA.
a) ư„ = Edd - IdRd = 18V - 4mA.l,2kQ = 13,2V.
Edd18V
R,
u_
Hỉnh 3-22
88
88. b) u ,, = Edo - IdR d = 18- 4.3,3 = 4,8V.
Bài tập 3-26. Cho mạch điện dùng BJT
như trên hình 3-23 (mạch tạo nguồn
dòng). Hãy xác địnhdòngđiệnI.
Bài giải
Chọn transistor loại Si với Ugg= 0,7V.
R,
Ta có: ưg =
R, 4-R2
5,1
(5,1 + 5,1)
(_20) = -10V
S.lkQ-
+E^ -20VcC
Hình 3-23
Ue= U 3 -U bh= -10-0,7 = -10,7V
I = I , = l ^ = d Ọ ìZ z m = 4,65mA.
^ R. 2
(1^ Bài tập 3-27. Cho nguồn dòng
dùng transistor và zener như trên
hình 3-24. Hãy xác định dòng
điện I với u , = 6,2V.
2.2kn'
Bài giải
Chọn transistor loại Si với
l,8kQ
+E„. -18V
Ube= 0,7V.
Ta có:
Hinh 3-24
R 1,8
(1^ Bài tập 3-28. Cho mạch điện đùng transistor như trên hình 3-25 (mạch
gưomg dòng). Hãy xác định dòng điện I.
89
89. Bài giải
Chọn transistor T| và T2cùng loại Si.
E - ư
Tacó: 1= 1
(12-0,7)
1,1
R
= 10,27mA.
108) Bài tập 3-29. Cho tầng khuếch đại vi
sai dùng BJT như trên hình 3-26. Hãy
xác định điện áp ra u„. Với= 20kQ; Pi = P2= ^5.
Bài giải
Chọn transistor T| và T, loại
Si với Ube= 0,7V.
Ta có:
E. -U
h =
BE
R
9 -0 ,7
j = 193^iA
= 96,5nA.
43.10
Dòng colectỏ;
lẹ 193|aA
^ 2 2
Từ đó ta có Uc được tính:
Uc = Ecc - lẹRc = 9 - 96,5.10■^47.10' = 4,5V.
Điện trở được tính;
1-3
Hình 3-26
96,5.10
Hệ số khuếch đại điện áp Ku sẽ là;
K „ = ^ = í ^ = 87,4
2r^ 2.269
90
90. u„ = Ku-Uv = 2.10187,4 = 1,I75V.
(1^ Bài tập 3-30. Hãy xác định hệ số khuếch đại tín hiệu đồng pha của
tầng khuếch đại vi sai dùng transistor trên hình 3-26.
Bài giải
Từ biểu thức cơ bản tính toán cho hộ số khuếch đạitín hiệu đồng pha
đối với tầng vi sai ta xác định được Kc như dưới đây:
K PRc , 75.47
^ Uv r^+2(p + l)Rg 20 + (l + 75)2.43 ’
(1^ Bài tập 3-31. Hãy xác định Kc của tầng vi sai cho ừên hình3-27 dưới đây:
Vậy u„ sẽ là:
T, &Tọ
p, = p2= 75
^VTl “ “ ^VT IcCầ
Ta
p3 = 75
r„3= Re = 200kíì
Bài giải
Transistor Tj kết hợp với các linh kiện mắc trên mạch tạo thành một
nguồn dòng nhằm nâng cao trở kháng một chiều. Rg và vì thế khi thay các
giá trị vào biểu thức tính Kc ta được:
K, = -------= 24,7.10-'
^ ry^+2(l + p)RE 11+ 2.76.200
91
91. 3.3. ĐỀ BÀI TẬP«
0 Bài tập 3-32. Cho tầng khuếch đại dùng BJT mắc EC như trên hình 3
28. Hãy xác định Rv; R„; Ku’, Kj
a) với ĨQ= 40kQ
b) với Tq= 20kQ.
:60
Hinh 3-28
(1 ^ Bài tập 3-33. Cho mạch điện dùng transistor như trên hình 3-29. Hãy
xác định E c c sao cho Ku = -200.
( í ^ Bài tập 3-34. Cho tầng khuếch đại đùng transistor như trên hình 3-30.
Hãy xác định r^; Ry; R„; K^; K| với:
a) Tq= 50kQ
b) ro = 25kQ.
92
92. +E^16V
R| :3,9kn
I , I I - - - *u,
q I^ F
ra
P=100
Hinh 3-30
(1 ^ Bài tập 3-35, Cho tầng khuếch đại dùng BJT như trên hình 3-31. Hãy
?CâCcỉĩĩỉỉ) Ku; K,
+Ecc20V
—Hí
p=80
r.=40kQ
Hình 3-31
Bài tập 3-36. Cho mạch điện dùng transistor như trên hình 3-32. Hãy
xác định R v ; R„; K^; K, và u,, khi Uy = ImV.
93
93. ( l ^ Bài tập 3-37. Cho tầng khuếch đại dùng BJT như trên hình 3-33. Hãy
xác định Ib; Ic; r^; Rv’, K^; Kị.
(1^ Bài tập 3-38. Cho mạch khuếch đại dùng BJT như trên hình 3-34. Hãy
xác định r^; Rv’, Rraỉ K|.
T+6V Ị-IOV a =0,998
R ^6,8kQ R„ ^ 4,7kn
ưv Iv /
^l----*u
R
ra
Hình 3-34
94
94. (ÍĨb) Bài tập 3-39. Cho mạch khuếch đại đùng BJT như trên hình 3-35. Hãy
^ xác đmh Ku; K,.
+8V
ra
-5V
Hình 3-35
Bài tập 3-40. Cho tầng khuếch đại dùng BJT như trên.hình 3-36. Hãy
xác định r,; Rv; R,,; K„; K;.
t E.. 12V
R. 220kíí
ư,
-II-
R,3.9kQ
ị l . p=120
R,
r„=40kíì
Hinh3-36
Bài tập 3-41. Cho tầng khuếch đại dùng BJT như trên hình 3-37. Với
r, = loõ; p = 200; =-160; Kị = 19; To= ã)kn. Hãy xác định Rỏ K Ecc.
R.
u.
-lí-
— VSAr
<
u.
Hình 3-37
95
95. (121^ Bài tập 3-42. Cho tầng khuếch đại dùng BJT như trên hình 3-38 với
h,|^ = 180; hị, = 2,75kQ; h22^= 25|ẲS. Hãy xác định Rv; Ky; K|; ĩg.
D i 1^3
i > 68kQ > 2,2kfì
^+Ecc 18V
Hình 3-38
Bài tập 3-43. Qio tầng khu&h
đại dùng BJTnhưtì-ênhình 3-39
vói h2| =-0,992;
h„ =9,45Q; h,, = 1 ^ ^ .•íh ’ ’ 22,, Y
Hãy xác định Rv; R„; K^; K^;
a; p; r^; Tq.
Bài tập 3-44. Cho tầng
y-
R
H l -
10ÍiF V /
R ^l,2kQ
T 4V
lO^iP
2,7kQ ^
12V
R.
Hình 3-39
khuếch đại dùng J-FET như trên hình 3-40. Hãy xác định Rv; R„; Kjj
với Idss- lOmA; Up = -4V; = 40kQ.
Edd18V
Rol.SkQ
Hình 3-40
96
96. ( í ^ Bài tập 3>45. Cho tầng khuếch đại dùng J-FET như trên hình 3-41
Hãy xác định Ry; R„; Ku với = 3000|iS và gd = 50|aS.
( í ^ Bài tập 3-46. Hãy xác định Rv; R„; Ku của tầng khuech đại dùng J-
FET như trên hình 3-41 (xem bài 3-45) khi ngắt tụ Cj ra khỏi mạch.
( l ^ Bài tập 3-47. Cho tầng khuếch đại dùng J-FET như trên hình 3-42. Hãy
xác định Rv; Rn,; u„ với Uy = 20mV; loss = 12mA; Up= -3V; T¿= lOOkQ.
ra
Bài tập 3-48. Hãy xác định Rv; R„; u„ của tầng khuếch đại dùng J
FET như trên hình 3-42 (xem bài' 3-47) khi ngắt tụ C3 ra khỏi mạch.
@ Bài tập 3-49. Tính toán lặp lại cho bài 3-47 khi thay r., = 20kQ.
(1^ Bài tập 3-50. Tính toán lặp lại cho bài 3-48 khi thay = 20kQ.
7. 250BTKTĐIỆNTỬ.A
97
97. ^3^ Bài tập 3-51. Cho tầng khuếch đại mắc GC dùng J-FET như trên hình 3-43.
^ Hãy xac địnhRv, R„; u^; vói Uv = 0,lmV; Icss= 8mA; Up= -2,8V; = 40ka.
ra
®
Hinh 3-43
Bài tập 3-52. Cho tầng khuếch đại dùng DMOSPET như ừên hình 3-44.
Hãy xác định biết gj = 20pS; Uy = 2mV; I^ss = 8mA; Up = -3V.
41— *u
Hh
RG>10Mfì
Hỉnh 3-44
(132) Bài tập 3-53. Ơ IO tầngkhu&h đại dùng D-MOSFETnhưtrên Kình3-45. Hãy
xác địnhRv, R„; Ky. Biết = 6ỒkQ; Icss= 12mA; ưp= -3,5V; Edd= 22V.
Eoo 22V
^ o ịi.sk n
u.
'ưni
Rq!
lOMQ' R
100 Ị.
Hình 3-45
98 7-250BTKTĐIỆNTỬ-B
98. (1 ^ Bài tập 3-54. Tính toán lặp lại cho bài tập nhưhình 3-45 với = 25kQ.
(1 ^ Bài tập 3-55. Cho tầng khuếch đại dùng D-MOSPET như trên hình 3-46.
Hãy xác định với Uv = 4mV; gj = 35|0,S; g„ = 6000|J,S.
Eoo_________t ‘'DD
[ n91NKÌ > 3 <6,8kn
c 1
u."— li-------'B ’
R2> I
15MQ f Rs > i
3.3kn> T ^
Hình 3-46
Bài tập 3-56. Tính toán lặp lại như bài tập 3-54 trên hình 3-46 với
g, = 50ụS; = 3000^8.
( l ^ Bài tập 3-57. Cho tầng khuếch đại dùng E-MOSPET như trên hình 3-47.
Hãy xác định Rv; R„; Ku với k = 0,3.10 ^ Ut= 3V; Td= lOOkQ.
Epo 16V
Rd L
Rp 10MÍ2 <2,2kíì
r-MAr— í -------ịị
U v -
u
Hình 3-47
( í ^ Bài tập 3.58. Tính toán lặp lại cho bài 3-57 (xem hình 3-47) với
k = 0,2.10'^ và so sánh các kết quả.
Bài tập 3-59. Hãy xác định với tầng khuếch đại dùng E-MOSFET
cho trên hình 3-48. Với Uv = 20mV; Uj = 3,5V; k = 0,3.10 ^ gd= 30^iS.
99
99. . E^d 20V
R,
R„ 22MD
r-AAAr-
QkQ
-------i H
¿2
ra
Hinh 3-48
(íãặ Bài tập 3-60. Hãy xác định u„của tầng khuếch đại dùng E-MOSPET
cho trên hình 3-48. Biết: Uv = 4mV; Ut = 4V; 1^^^^ = i; = 4m A;
- U , 3 _ = U ; s = 7 V ; g , = 2 0 ^ i s .
Bài tập 3-61. Oio tẩng khuếch đại dùng E-MOSPET như trên hình 3-49.
Hãy xác định u„ với U v = 0,8mV; = 40kQ; ƯT= 3V; k = 0,4.10
Bài tập 3-62. Cho mạch khuếch đại dùng JFET như trên hình 3-50.
Hãy xác định Rjj với: Iqss = 8mA; U p = -2,5V; gd = 25fiS; Ku = 8.
100
100. ra
Bài tập 3-63. Cho tầng khuếch
đại dùng JFET như trên hình 3-
51. Hãy xác định Rß và Rs- Với
Ku = lữ,
Icœ= 12mA; Up= -3V; = 40kQ.
Bài tập 3-64. Cho bộ
khuếch đại gổm hai tầng
như trên hình 3-52. Hãy
xác định điện áp ra u„. Với
I dss = 8mA; ưp = -4,5V.
ra
101
101. Bài tập 3-65. Cho bộ khuếch đại gồm hai tầng như trên hình 3-53. Hãy
xác định hệ số khuếch đại K„. VỚI Ißss = 6mA, Up = -3V, ß = 150.
( í ^ Bài tập 3-66. Hãy xác định Rv và R„ của bộ khuếch đại cho ứên hình 3-53.
( l ^ Bài tập 3-67. Cho tầng khuếch đại Cascode như trên hình 3-54. Hãy
xác định hệ số khuếch đại K„ và điện áp ra u„. Với Uy = lOmV,
ß, = ß, = ß = 200
102
102. ( l ^ Bài tập 3-68. Cho tầng khuếch đại Darlington như trên hình 3-55. Hãy
xác định K„.
( í ^ Bài tập 3-69. Cho tầng khuếch đại Darlington như trên hình 3-56. Hãy
xác định điện áp ra ư„. Với Pi = 160; P2= 200.
ra
(1^ Bài tập 3-70. Cho mạch điện đùng JFET như
trên hình 3-57. Hãy xác định dòng điện I với
Ioss = 6mA;Up = -3V.
R
2kà
i
Hình 3-57
103
103. Bài tập 3-71. Hãy xác định dòng điện I cho mạch điện trên hình 3-58
với p = 100.
4,3kư
R,
ị-
<T
ìl,8kQ
+E.. -18Vee
Hình 3-58
104
104. Chương 4
MẠCH KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤTm w
4.1. TÓM TẮT PHẦN LÝ THUYẾT
Nhiệm vụ của tầng khuếch đại công suất là đưa ra tằi một công suất đủ
lớn theo yêu cầu, có thể từ vài chục mW đến hàng trăm hay hàng ngàn w .
Hệ số khuếch đại công suất đóng vai trò quan trọng, còn hệ số khuếch đại
điện áp chỉ là thứ yếu.
- Tầng công suất có thể làm việc ở các chế độ khác nhau; chế độ A, AB,
B hay chế độ c, nhưng để khuếch đại các tín hiệu điều hòa thường sử dụng
hơn cả là chế độ A và AB (hay còn gọi là chế độ B|).
- Đây là tầng khuếch đại tín hiệu lớn nên buộc phải làm việc ở đoạn
cong của đặc tuyến transistor nên sẽ gây méo phi tuyến.
- Tầng công suất có thể mắc theo sơ đồ đofn hay sơ đồ đẩy kéo, có thể
dùng nguồn cấp điện đơn cực hay nguồn đối xứng có điểm giữa trung hòa.
- Hiệu suất của tầng công suất quyết định hiệu suất của máy khuếch
đại; việc nâng cao hiệu suất ngoài ý nghĩa tiết kiệm năng lượng còn làm
giảm công suất tiêu tán trên vỏ transistor dưới dạng nhiệt.
- Các tầng khuếch đại công
suất được phân ra: tầng đcfn, tầng
đẩy kéo, tầng có biến áp ra, tầng
không biến áp ra...
* Tầng côìig suất mắc đơn tải
điện trỏ (hình 4-1)
Hình 4-1. Tầng công suất mắc đơn tải điện trỏ
Để khuếch đại các dao động điều hòa tầng chỉ làm việc ỏ chế độ A,
trong đó transistor làm việc trong cả hai nửa chu kỳ tín hiệu.
105
105. Công suất ra p = = Is2^ = -Hsm-
" 2 2 2R„
Trong đó U,„ = U c B „ = |v à I„ = I„
p_., = H - k = i Ễ . = i l , E
ramax 2 2 2 ^ ° 4 *
Công suất tiêu thụ từ nguồn
Po = Ico E
Hiệu suất cực đại khi p„ -> p,ramax
n=i ỉ= -|.100% =25%
4 I „ E
Thực tế hiệu suất còn thấp hơn.
Điện trở tải xoay chiều tối ưu được xác định:
■^Ct.ư
h . 2K
ưu điểm: tín hiệu ít bị méo
Nhược điểm: công suất ra nhỏ, hiệu suất thấp.
* Tầngcôngsuấtmắcđơncóbiếnápra(hình4-2)
Biến áp ra có chức năng ngăn một chiều, dẫn tín hiệu xoay chiều ra tải
Rị đồng thcri phối hợp trở kháng.
Điều kiện phối hợp trở kháng
Rra = R( = R(
_ wTrong đó n = hệ số biến áp;
W2
R„ - điện ừở ra của tầng khuếch đại;
R, - điện trở tải;
R, - điện trở tải quy về sơ cấp biến áp.
Từ đó suy ra n =
i
R.
R.
106
106. Nếu biến áp ra là lý tưỏng thì điện trở tải xoay chiều ở mạch ra
u_ U
I Ira- co
a) Hinh 4-2. Tầng công suất mắc đớn, có biến áp ra
- Công suất ra cực đại
2 2 ■ “
b)
ramax
- Công suất tiêu thụ từ nguồn:
Po = U,„.I^ = I,„E
- Hiệu suất cực đại:• • •
=
1 E.I
Po 2 E.I
^100% = 50%
Trong thực tế biến áp luôn có tổn hao và tồn tại điện áp dư Udunên hiệu
suất còn nhỏ hơn.
Khi làm việc với tải tối ưu biên độ điện áp cực đại Uca™, bằng 2E YÌ tải
mang tính điện kháng nên xuất hiện sức điện động cảm ứng trong cuộn sơ
cấp biến áp.
* Tầng công suất m ắc theo sơ đồ đẩy kéo có biến áp ra (hình 4-3)
BAị là biến áp đảo pha;
BAị là biến áp ra.
Tầng có thể làm việc ở chế độ A hay chế độ B nhưng thường là chế độ
AB với dòng tĩnh I,.o«(10 100) ^A.
107
107. ỉ«.
r
uy
L
r"TT~V i
:u -v ịv -^ ^
+E
B T,
AI
Ba2
a)
Hình 4-3. Sơ đồ công suất (a) và đặc tuyến ra (b)
Điện trởtải của mỗi transistor (1/2 cuộn sơ cấp là W| vòng) được xác định,
w,
w.
R’, = n'.R, Suy ra n =
R
n = -^
R
- Công suất ra cực đại một nhánh
p _ il r ; _ I.. UcB. ■_I.nE
ni max 2 2 2
Dòng điện trung bình trong một chu kỳ của một nhánh (1 transistor)
1 I...
I ĩ n
Dòng tiêu thụ từ nguồn E (cả hai nhánh); = 2.—
n
- Công suất tiêu thụ từ nguồn E:
Po= I„.E =-I,„E
n
Hiệu suất cực đại của tầng
p ĩ F.
Imax
71
= -100%=78,5%
4
108
108. Thực tế biến áp có tổn hao và ưcEm< E nên hiệu suất thấp hơn.
Công suất tiêu tán trên colectơ của một transistor dưới dạng nhiệt.
P _ p I I
2
Suy ra p = -^ P wO,4Pcmax _2 r;iniax
n
Kết luận:
- ở chế độ B hay AB khi Uy = 0 tầng không tiêu thụ năng lượng.
- Ngắn mạch tải và hở mạch tải khi có tín hiệu vào đều rất nguy hiểm
cho transistor.
* Tầỉìg công suất đẩy kéo mắc nối tiếp không hiển áp ra (hình 4-4)
1
R,
R. ịị
c,
• 11 1
Ȓ
• I I '
u.
JL R.: ; R,
Hình 4-4
Để mắc tải trực tiếp không qua biến áp phải dùng nguồn đối xứng ±E có
điểm giữa trung hoà, các cực + và -E không được nối với vỏ máy. Transistor
T|, Tt là hai nhánh của tầng công suất, dùng hai transistor khác loại dẫn
điện, đều mắc theo sơ đồ tải emitơ nên không khuếch đại được điện áp. Tầng
T, là tầng kích công suất và khuếch đại điện áp, tải xoay chiều là Rj; D| và
D, làm nhiệm vụ tạo thiên áp và ổn định nhiệt cho T| và T,.
Tầng thường làm việc ở chế độ AB. Các tính toán của tầng này giống
như đã xét ở trên.
* Tầng công suất mắc theo sơ đồ đẩy kéo íỉùng tụ phán cách c¡>
Trong trường hợp không có nguồn đối xứng mà chỉ có nguồn đơn cực,
muốn mắc tải trực tiếp, không qua biến áp thì phải dùng tụ phân cách Cp
mắc nối tiếp với tải.
Tụ Cp có hai chức năng: ngàn thành phần dòng một chiều qua R, và làm
nguồn thứ cấp cho T2khi T| tắt. Tụ Cp sẽ phóng, nạp qua T|, T-, và R,.
109
109. Tầng Tj và các linh kiện hợp thành giống nhưsơ đồ dùng nguồn đối xứng.
4.2. PHẨN BÀI TẬP CÓ LỜI GIÀI
(1^ Bài tập 4-1. Cho mạch khuếch đại công suất như hình 4-5a
Biết: E=12V
Rc = 20Q
R, = 2kQ
Ube = 0,5V; p = 50
Dòng điện vào có biên độ Iv = I b = 5mA.
a) Xác định điểm làm việc tĩnh 0 và
đường tải một chiều, xoay chiều.
b) Xác định dòng Icứng với ly = 5mA.
Bài giải
a) Dòng tĩnh Ibođược xác định
12-0,5
Hình 4-5a
= 5,75mA
ị I,(mA)
Ạ ^R=R~
1287,5
....V Ỵ
/V/ ..... x,„ ^6,25 U„(V)
Hình 4-5b
E-Ue,o _____
R, 2.10'
Dòng tĩnh colectơ
Icx) = PIbo= 50.5,75 = 287,5mA
- Điện ap U(^ = 12-IqqRc =
12- 287,5. lOMO = 12 - 5,75 = 6,25V
Điểm làm việc tĩnh o có toạ độ
o(6.25V;287,5mA).
- Để vẽ đường tải một chiều và xoay G hiều (ở đây = R_ = Rc) cẫn xác
định thêm một điểm nữa ngoài điểm o. Biết phương trình đường tải
U,, = E-IcRc
Cho Ic = 0 u„ = UcE = E = 12V. Nối điểm o với điểm 12V trên trục
hoành ta được đường tải một chiều.
Trong trường hợp này vì R = R. nên đường tải một chiều và xoay chiều
trùng với nhau.
110
110. b) Khi dòng điện vào Ig biến thiên 5mA thì dòng điện ra sẽ biến thiên
a) Hiệu suất của tầng.
b) Công suất tiêu tán trên colectơ của transistor.
Bài giải
a) Để xác định hiệu suất, cần xác định công suất ratải và công suất tiêu thụ.
_ ("250
- Công suất ra p = ^ R = .20 = 0,625W
2 2
- Công suất tiêu thụ từ nguồn
Po = E.I,„ = 12.287,5.10' = 3,45W
Hiệu suất TỊ= ^ ^ 1 0 0 % = 18,1%
' 3,45
b) Công suất tiêu tán trên colectơ transistor
Pc = Po - Pra = 3,45 - 0,625 = 2,825W
(Q ) Bài tập 4-3. Đề lặp lại bài 4-1.
Nếu giảm biên độ dòng tín hiệu vào còn 3mA
Hãy xác định:
a) Công suất ra.
b) Hiêu suất của tầng.
c) Công suất tiêu tán trên colectơ.
d) Cho nhận xét.
Bài giải
a)Xác định công suất ra
- Dòng điện ra = Ig.p = 3.50 = 150mA
Í15010"^y
- Công suất ra = -^ R . = ^ ^ 20 = 0,225W
111
111. - Công suất tiêu thụ, không đổi
P„= L,,n= 12. 287,5.10 ' = 3,45w
b) líiệu suàì của tầnạ
p . . 0 225
n = 100% = - - - 100% - 6,52%
K 3,45
c) Công suâì tiêu tán trên colectơ P(.
= p„ - = 3,45 - 0,225 = 3,225W
d) Nhận xét:
- Còns suất tiêu thụ từ nguồn là cố định, không phụ thuộcvào mức lín
hiệu vào, vl tầng làm việc ở chế độ A.
- Biên độ tín hiệu vào giảm thì hiệu suất giảm và công suất tiêu tán P(~
tãng lên.
(1 ^ Bài tập 4-4. Cho mạch khuếch đại công suất có biến áp ra như hình 4-2.
Biết dòng điện tĩnh l|i„ = 3iĩiA; ß = 20; H= 12V; Un|,,) = 0.6V, biên độ
dòntỉ diện vào ỉ|j,„ “ 4mA.
Sụt áp trên R,v : ƯR,.; = 1V; R, = 8Q; n = = 4 .
a) Xác định điện trở R| và R,.
b) Xác định diêm làrn việc tĩnh, đường tải một chiều và xoaychiểu.
c) Xác dinh dòng í^„, và điện áp u^,„.
Bài giải
a)Xác định trị số điện trở R| và R,
- u,„ = u,,; + U,„,o = 1.0 + 0,6 = 1,6V
U,, - I,.R, R, - = % - V- son
' l, 4I„„ 4.5.10'
- U |^ | = ( I ị, + I ịịq ) R ị = E - U ị^2
l, + I„, 51., 5.5.10 ‘
1 2
112. b) Xác định điểm làm việc tĩnh
Nếu coi biến áp là lý tưởng thì Ư C E O = E = 12V
Ico “ ßlßo —20.50 = lOOmA
Toạ độ điểm làm việc tĩnh o (12V; lOOmA)
Điện trở tải quy về sơ cấp biến áp
R’, = n-R, = 4l8 = 128n
Từ điểm trên trục hoành có điện áp Uc£0 = 12V công thêm một đoạn
điện áp bằng = 100.10'll28 á = 12,8 V, được điểm B kẻ đường thẳng
qua B và o ta được đường tải xoay chiễu.
Từ đồ thị xác định, ứng với dòng Ißn, biến thiên ±4mA.
U c e . « = 22V
U c E . i n = U a . = 3 V
Icmax= 180 mA
Icmin = 2,0 tĩìA.
Biên độ dòng cực đại I
180-2
= 89mA
Biên độ điện áp ra cực đại
I
U
CEmax ^CEmìn 2 2 -3
= 9,5V
8- 250BTKTĐIỆNTỪ-A 113
113. ( í ^ Bàì tập 4-5. Đề lặp lại bài 4-4
a) Xác định công suất ra tải.
b) Xác định công suất tiêu thụ.
c) Xác định hiệu suất của tầng.
d) Công suất tiêu tán trên transistor.
Bàỉ giải
a) Điện áp hiệu dụng trên cuộn sơ cấp biến áp:
TI I —ĩ 79 —'ĩ
I = - ĩ ^ = = 6,74V
72 2yÍ2 i S
- Giá trị hiệu đụng điện áp bên thứcấp biến áp tức là trên tải R,:
U ,= U ™ Ị = Ì A 7 4 = 1.685V
- Công suất ra tải:
p „ = ^ = ílì^ = 0 ,3 5 5 W
” R. 8
b) Công suất tiêu thụ từ nguồn:
Po = E.I,„ = 12V.100.10' = 1,2W
c) Hiệu suất của tầng:
p ___ 0 355
T1= -^100% = = 29,58%
Po 1 ,2 ’
d) Công suất tiêu tán ữên vỏ transistor Pc
Pc = Po- Pra= 1,2 - 0,355 = 0,845W
Bài tập 4-6. Đề lặp lại bài 4-4. Nhưng giảm điện trò tải xuống còn
40. Hãy xác định công suất ra, hiệu suất và công suất tiêu tán Pc-
Bài giải
a) Nếu Rị = 4Q, thì R’, = n^.R, = 4^.4 = 64Q, toạ độ điểm B trên trục
hoành bây giờ là 12V + 100.10164 = 18,4V. Từ đồ thị (hình 4-6) ứng với
Ib„ = ±4mA so với Igo ta xác định được
8 -250BTKTOIỆNTỬ - B
