transistor bjt

1. BJT

2. IDEAS PREVIAS
Bulbo mas utilizado entre 1904 y 1947.
Fleming 1904- Lee De Forest 1906.
1947: Walter H Brattain y Joseph Bardeen
Industrias Bell Telephone Laboratories.
William Shockley (1987)
John Bardeen (1991)
Dos premios Nobel
Walter Brattain (1987)

3. VENTAJAS
Mas pequeño y ligero
No requerimiento de calentamiento
No disipación de calor.
Resistente.
Consume menos potencia.
Voltajes de operación más bajos.
Dispositivos de tres o mas terminales.

4. NPN PNP

5. PARAMETROS

6. PARAMETROS

8. CONSTRUCCION
Transistor de Unión Bipolar- Bipolar Junction
Transistor.
El Transistor es un dispositivo de 3 patillas: base (B),
colector (C) y emisor (E).
Base (B):ligeramente dopada
Colector (C): muy poco dopada.
Emisor (E): fuertemente dopada.
Diferentes espesores

9. CONSTRUCCION

10. IDEAS PREVIAS

11. IDEAS PREVIAS

13. ZONA ACTIVA
Activa: Esta región de operación se considera de corriente
constante, se cumple aproximadamente la relación : Ic = hFE . Ib
(En la cual hFE es la ganancia de corriente continua y depende de
la construcción del transistor.)
Aunque en la practica Ic varía levemente para diferentes valores de
Vce, para esta región se puede pensar que: la corriente Ic es una
versión amplificada de la corriente Ib.

14. ZONA DE CORTE
Corte: Cuando Ib es muy pequeña o nula, implicará además Ic = 0.
Lo que equivale a decir que no hay conducción entre colector y emisor.
En esta región se puede pensar que: entre colector y emisor, el transistor
trabaja “como una llave abierta”.

15. ZONA DE SATURACION
Saturación: Si Vce es demasiado pequeño, Ic ya no es proporcional a Ib, es
decir, aunque Ib aumente, Ic no sigue ese crecimiento Ic < hFE . Ib
La tensión Vce permanece prácticamente constante en un valor llamado Vsat,
para esta región se puede pensar que: entre colector y emisor, el transistor
trabaja “como una llave cerrada”.

16. REGIONES DE OPERACION

17. BASE COMUN
IE = IC + IB

18. BASE COMUN

19. COLECTOR COMUN

20. EMISOR COMUN

21. EMISOR COMUN

22. LIMITES DE OPERACION

23. PRUEBA DEL TRANSISTOR