e dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni átomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida será igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conducción.

1. SEMICONDUCTORES
INTRÍNSECOS Y DOPADOS
CURSO: FÍSICA ELECTRÓNICA
PROF. : RODRÍGUEZ CAHUANA ROBERTO
PRESENTADO POR
FROILAN CARLOS CHILA
SOTO

2. SEMICONDUCTORES
• LOS SEMICONDOCTORES SON ELEMENTOS QUE TIENEN UNA CONDUCTIVIDAD
ELÉCTRICA INFERIOR A LA DE UN CONDUCTOR METÁLICO PERO SUPERIOR A LA DE
UN BUEN AISLANTE EL SEMICONDUCTOR MAS UTILIZADO ES EL SILICIO, QUE ES EL
ELEMENTO MAS ABUNDANTE EN LA NATURALEZA, DESPUÉS DEL OXIGENO OTROS
SEMICONDUCTORES SON EL GERMANIO Y SELENIO .
• LOS MATERIALES SEMICONDUCTORES, LAS BANDAS DE VALENCIA Y CONDUCCIÓN
ESTÁN PRÓXIMAS.
• UN SEMICONDUCTOR ES UN MATERIAL O COMPUESTO QUE TIENE PROPIEDADES
AISLANTES O CONDUCTORAS TAMBIÉN TENEMOS AL TELURURO DE PLOMO,
ARSENIURO DE GALIO Y EL SELENIURO DE ZINC

3. SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO
• UN SEMICONDUCTOR ES ”INTRÍNSECO” CUANDO SE ENCUENTRA EN ESTADO
PURO, O SEA, QUE NO CONTIENE NINGUNA IMPUREZA, NI ÁTOMOS DE OTRO
TIPO DENTRO DE SU ESTRUCTURA
• UN SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO TAMBIÉN HAY FLUJOS DE ELECTRONES Y
HUECOS, AUNQUE LA CORRIENTE TOTAL RESULTANTE SEA CERO

4. FLUJO ESTABLE DE ELECTRONES Y HUECOS
DENTRO DEL SEMICONDUCTOR
• CUANDO LO ELECTRONES LIBRES LLEGAN AL
EXTREMO DERECHO DEL CRISTAL, ENTRAN AL
CONDUCTOR EXTERNO (NORMALMENTE SUELE
SER HILO DE COBRE) Y CIRCULAN HACIA EL
TERMINAL POSITIVO DE LA BATERÍA. POR OTRO
LADO, LOS ELECTRONES LIBRES EN EL
TERMINAL NEGATIVO DE LA BATERÍA FLUIRÍAN
HACIA EL EXTREMO IZQUIERDO DEL CRISTAL. SE
PRODUCE UN FLUJO ESTABLE DE ELECTRONES
LIBRES Y HUECOS DENTRO DEL
SEMICONDUCTOR.

5. EN EL CASO DE LOS SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS EL
ESPACIO CORRESPONDIENTE A LA BANDA PROHIBIDA ES MUCHO
MÁS ESTRECHO EN COMPARACIÓN CON LOS MATERIALES
AISLANTES. LA ENERGÍA DE SALTO DE BANDA (EG) REQUERIDA POR
LOS ELECTRONES PARA SALTAR DE LA BANDA DE VALENCIA A LA
DE CONDUCCIÓN ES DE 1 EV APROXIMADAMENTE. EN LOS
SEMICONDUCTORES DE SILICIO (SI), LA ENERGÍA DE SALTO DE
BANDA REQUERIDA POR LOS ELECTRONES ES DE 1,21 EV,
MIENTRAS QUE EN LOS DE GERMANIO (GE) ES DE 0,785 EV.

6. CONDUCCIÓN INTRÍNSECA
• C, SI, GE
• GRUPO IV DE LA TABLA PERIÓDICA
• 1S2
• 2S2 2P2
• 3S2 3P2 3D10
• 4S2 4P2
• FALTAN 4 ELECTRONES EN LA ÚLTIMA
CAPA
Si
Si Si
Si
0ºK

7. Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si Si
Si
0ºK
300ºK
+
Electrón
Hueco

8. EJEMPLO
• EL SILICIO EN SU MODELO
BIDIMENSIONAL, VEMOS COMO CADA
ÁTOMO DE SILICIO SE RODEA DE SUS 4
VECINOS PRÓXIMOS CON LO QUE
COMPARTE SUS ELECTRONES DE
VALENCIA.
•
A 0ºK TODOS LOS ELECTRONES HACEN
SU PAPEL DE ENLACE Y TIENEN
ENERGÍAS CORRESPONDIENTES A LA
BANDA DE VALENCIA. ESTA BANDA
ESTARÁ COMPLETA, MIENTRAS QUE LA DE
CONDUCCIÓN PERMANECERÁ VACÍA. ES
CUANDO HABLAMOS DE QUE EL
CONDUCTOR ES UN AISLANTE PERFECTO.

9. SEMICONDUCTORES
DOPADOS• EN LA PRODUCCIÓN DE SEMICONDUCTORES, SE DENOMINA DOPAJE AL PROCESO
INTENCIONAL DE AGREGAR IMPUREZAS EN UN SEMICONDUCTOR EXTREMADAMENTE
PURO (TAMBIÉN REFERIDO COMO INTRÍNSECO) CON EL FIN DE CAMBIAR SUS
PROPIEDADES ELÉCTRICAS. LAS IMPUREZAS UTILIZADAS DEPENDEN DEL TIPO DE
SEMICONDUCTORES A DOPAR. A LOS SEMICONDUCTORES CON DOPAJES LIGEROS Y
MODERADOS SE LOS CONOCE COMO EXTRÍNSECOS. UN SEMICONDUCTOR
ALTAMENTE DOPADO, QUE ACTÚA MÁS COMO UN CONDUCTOR QUE COMO UN
SEMICONDUCTOR, ES LLAMADO DEGENERADO.
• TÉCNICAS DE DOPADO:
– DIFUSIÓN DE IMPUREZAS – IMPLANTACIÓN IÓNICA

10. LOS SEMICONDUCTORES
DOPADOS
• EL DOPAJE CONSISTE EN SUSTITUIR
ALGUNOS ÁTOMOS DE SILICIO POR
ÁTOMOS DE OTROS ELEMENTOS. A
ESTOS ÚLTIMOS SE LES CONOCE
CON EL NOMBRE DE IMPUREZAS.
DEPENDIENDO DEL TIPO DE
IMPUREZA CON EL QUE SE DOPE AL
SEMICONDUCTOR PURO O
INTRÍNSECO APARECEN DOS
CLASES DE SEMICONDUCTORES.
SEMICONDUCTOR TIPO P
• SEMICONDUCTOR TIPO N

11. FUENTES DE INFORMACION
• HTTPS://DOCS.GOOGLE.COM/VIEWER?A=V&Q=CACHE:FETR8RK0P0KJ:WWW.UV.ES/CANDID/DOCEN
CIA/ED_TEMA-
02.PDF+SEMICONDUCTORES+INTRINSECOS&HL=ES&GL=PA&PID=BL&SRCID=ADGEESJHMYE4JEFW
QKU0PWY3XRJOXU6LV1GI2AF3XLOIZM7X0JX65Z9OSOE40KQVJA6D8C-
C1UBAZYRPU08OM_QSOKLK3JMWKZUMI1K4B17KX_ODUPZE81LSUEAFC3V_0JQWABYJEMUS&SIG=A
HIETBTEVTUF6FZP0URVINAOLKXU-R8V7W
• HTTP://WWW.SC.EHU.ES/SBWEB/ELECTRONICA/ELEC_BASICA/TEMA2/PAGINAS/
PAGINA4.HTM
• HTTP://WWW.ASIFUNCIONA.COM/FISICA/KE_SEMICONDUCTOR/KE_SEMICONDU
CTOR_4.HTM