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1.執行大綱
2.公司宗旨及目標
1. 我們的目標

2. 我們的宗旨

3. 市場概況及機會
1. 半導體產業環境

2. 台積電八吋廠全球半導體佔有率

3. 全球前三大專業晶圓代工廠市占比率

4. 產品製程技術

4.競爭優勢分析
1. 世界半導體貿易統計組織預期

2. 水平專業分工的經營模式逐漸取代垂直整合

3. 需求面的強勁成長, 晶圓生產技術的世代交

  替
5.公司策略及計畫
1. 保有舊客戶,開發新客戶

2. 降低成本

3. 提高市佔效

6.擴廠計劃
1. 地點評估

2. 投資申請

3. 工作說明

4. 任務分配

5. 台南科學工業園區第三期標準廠房簡介資料

6. 費用評估

7.人力資源規劃
1. 各單位人員數

2.人員要求

3.招募員工

4.任務分配
8.核心技術能力
1. 由能帶看半導體

2. 半導體中提供導電的載子

3. p-type & n-type

4. 半導體晶片的製作

5. 雙極性接面電晶體

7. BJT的偏壓

8. BJT 的放大原理

9. MOS

10. MOSFET

11. p-n 接面的特性
12. 偏壓下的 p-n 接面特性


9.財務規劃及資金運用
1. 人員教育訓練費

2. 廠房投資計畫費用

3. 機械成本

4. 設計監造及環境監測費用
5. 行政業務費用

6. 消防設備工程

7. 工程費用

8. 雜項支出
9. 總成本


10.管理團隊及股權結構
1. 管理團隊
2. 股權結構


11.營運風險分析
12.參考資料
13.結論
迷惘中的台灣、希望中的台灣


  自從 1960 年代初期台灣整體經濟快速成長,每年經濟成長率都以

7﹪攀升,但到 1980 年之後,隨著生活水準提高和勞工成本不斷攀升,

使得傳統產業都難敵中國和東南亞國家的低價競爭,使得國內的傳統產

業漸漸往外移,尤其外移至中國大陸。就直接投資的金額來說,據中央

銀行的統計 1990 年至 2002 年為 668 億美元,佔台灣對外直接投資金

額六成以上,這也導致台灣產業產生空洞化及失業率日益提升,根據行

政院主計處統計 2002 年台灣的廣義失業率已達 7.46%,失業人數達

76.5 萬人 都創歷史新高 2001 年經濟成長率更是首度出現負成長
       ,      。                   (-2.2

﹪)的現象,雖然 2002 年有小幅度(3.5﹪)的回升,但仍難脫經濟低迷

的陰霾。一份展望 2003 年的民調發現,台灣人民對未來感到悲觀的比

率達到 49.9%,超過樂觀比率,達到歷年最高。對失業與貧窮的擔憂,

成為人們悲觀的源頭之一。不禁納悶台灣的未來該何去何從?台灣是否

還有賺錢的商機?


台灣仍然有無限商機


  台灣傳統製造業面臨升級及轉型壓力 使得根留台灣的傳統製造業
                  ,

無不朝向更高附加價值、更專業的方向轉型,像電子業、紡織業、電器

業、汽車業等傳統行業,卻不乏一些企業在逆勢的經營環境中扭轉乾
坤,轉型後反而表現得越來越出色。在服務業方面,歷經 1980 年代高

度成長的輝煌時期後,逐漸也面臨市場飽和、競爭激烈的窘境,連鎖加

盟不再有無限發展的空間,據台灣連鎖暨加盟協會的調查資料,2000

年台灣連鎖業的成長率只有 13%,與以往每年至少 20%以上的成長率

有明顯的趨緩現象,甚至有些的加盟行業還呈現負成長的現象,像是網

路咖啡店、500cc 飲料外帶店、泡沫紅茶店、洗衣店..等。是台灣的服

務業已沒有發展的空間了嗎?倒不盡然,從 2002 年主計處的統計來

看,台灣服務業占整體產出(國內生產毛額 GDP)比率為 66﹪,相較

於美國(71﹪)、日本(68﹪)、德國(69﹪)、新加坡(67﹪)低,顯

然服務業將成為未來的主流且市場潛力待開發,不過目前服務業與製造

業一樣也需要轉型升級和掌握新趨勢。


  在景氣持續低迷、失業率高居不下、產業大舉外移大陸及 SARS

的衝擊之下,許多人對台灣的未來產生悲觀的心態,在一片失望的浪潮

中,甚至有人覺得台灣已經沒有什麼希望可言,但卻有些人用不同的眼

光來看待,認為台灣還是處處充滿商機,只要懂得掌握市場新趨勢,一

樣可以賺錢搶搶滾 讓錢追著您跑 如何才能發掘商機 掌握市場趨勢?
        ,      。        、

隨著社會結構的變化、所得水準的提高、消費力的轉變、生活型態的變

化、消費觀念的轉變、飲食的觀念….等,這些巨大的轉變都會產生龐
大的商機,用以往的眼光、舊有的心態,是看不到新趨勢的,必須用全

新的眼光與心態才能發現這些商機。


因此我們決定依循台積電的發展模式,以加盟的方式,發展進行擴廠。
我們的宗旨:




             誠信 ( Integrity )

               創新 ( Innovation )

               專業 ( Professionalism )

               品質優先 ( Top Quality )

               堅持 ( Insist )

               世界觀 ( Globalization )




我們的目標:
 1. 專注於真空核心技術:
  結合國內外技術團隊共同組成,本公司將秉持精、準原則,以求新、求變的精神,開發
  高階製程機台,以後段製程機台為出發點,建立量產型自動化大型技術,並逐步提升到
  前段至製程機台。


 2. 服務社會,創新產品:本公司將以服務社會的精神,以增進人類生活品質為目的,藉由
  不斷的研究創新,以新的技術、新的產品,結合新製程技術要求,生產出更便利的高科
  技產品,貢獻台灣經濟。
一. 半導體產業環境:


                 設計工具         設備


                 系統工業



                 光罩製作                             支援服務
CAD
CAE         IC 設計          IC 製造   IC 封裝    導線架   系統:


                                                  運輸
                                    IC 測試
                       晶      化
                       圓      學
                              品                   海關


                                                  園區


                                                  其他




      1. 上游 IC 設計:


           本身無晶圓廠,以設計、開發 IC 產品為主要業務,多數業者以自有品牌行


      銷,如我國威盛、矽統、揚智、凌陽等公




      2.   中游 IC 製造:


           *整合元件大廠: 日立、現代、三星、英代耳、摩托羅拉、意法等
*晶圓代工:台積電、聯電、特許、中蕊、宏力等




3. 下游封裝測試: 日月光、矽晶、南茂等




二. 台積電八吋廠全球半導體佔有率:




三 . 全 球 前 三 大 專 業 晶 圓 代 工 廠 ( Foundry) 市 佔 比 率 :
四. 產品製程技術:

  若從製程使用的角度來看 三大晶圓代工業者在製程技術上的差異仍是明顯
             :


存在的,0.25μm 以下製程依舊是 TSMC 的主力,因此台積電透過產出較多數目

的 IC 產品,進而取得較佳的成本優勢。UMC 與 Chartered 仍在技術上持續地追


趕,Chartered 雖然先前過度集中通訊用 IC 製程受到通訊產業低迷而重創,但


其所累積的 RF IC 製程能力及與各通訊設備業者的合作關係,將是該公司在通


訊用 IC 取得一定利基市場的發展基礎 UMC 也持續投入在深次微米與新產品製
                   。


程的開發工作。
一. 世界半導體貿易統計組織(WSTS)預期:

  全球半導體景氣於 2001 年第四季觸底後,半導體市場需求可望逐步復甦,


帶動 2002 年全球半導體市場規模小幅成長 2.6%,達 1,412.76 億美元,並預估


2003 及 2004 年市場規模年成長率將達 2 位數。
二. 水平專業分工的經營模式逐漸取代垂直整合:


  綜觀全球半導體過去十年的發展,水平專業分工的經營模式逐漸取代垂直整


合模式,各種專業廠商的出現,如無晶圓廠的設計公司,專業晶圓代工公司,專


業光罩製造廠、測試廠與封裝,在整個半導體產業中扮演愈來愈重要的地位,台

積首開專業晶圓代工之先 並在促成全球半導體產業走向解構的過程中起催化作
           ,


用。據 Dataquest 統計,民國 88 年全球半導體市場上的產出約有 13﹪來自專業

晶圓代工與整合性廠商的代工,5 年後將超過 20﹪。
三. 需求面的強勁成長, 晶圓生產技術的世代交替(8 吋到 12 吋):


  相對於 Dataquest 的估計,台積有更樂觀的預期,民國 97 年代工部分將超


過全球半導體產出的 30﹪,主要來自於需求面的強勁成長;一方面無晶圓廠的設


計公司每年以 20-25﹪複合成長率成長(高於全球半導體市場 10-15﹪的年複合成


長率)
  ;另一方面由於晶圓生產技術的世代交替(8 吋到 12 吋)造成新一代晶圓


廠需巨額投資,多數整合元件廠擴充意願與能力不足,將改採委託代工廠生產,

如此將造成晶圓代工廠的更加發展。
一、保有舊客戶,開發新客戶:

  在仍有舊客戶的訂單之下,開發新客戶,目標客戶族群為以下三種:




1、 IC設計公司:


  本身無晶圓廠,以設計、開發 IC 產品為主要業務,多數業者以自有品牌行


銷,如我國威盛、矽統、揚智、凌陽等公司及外國 Cirrus logic、Altera、Xiinx、


S3 等公司。




2、整合元件製造公司:
本身擁有晶圓廠,以設計、生產、銷售自有品牌 IC 為主要業務,如我國華


邦、茂矽、旺宏、世界先進等及外國 IBM、NEC、Samsung、STMicroelectronics


等公司,IDM 產值佔全球半導體產值九成以上,若其釋出部份產品訂單,未來晶


圓代工業將有大幅成長。




3、系統廠商(System Company):


  包括資訊電子產品(個人電腦、通訊系統、各種附加卡等)生產廠家、有線


及無線通訊產品生產廠家、一般消費性點子產品(電視、錄放影機、電動玩具等)


生產廠家,其使用之 IC 或自行設計或委托 IC 設計公司代為設計、開發,在交由


晶圓代工廠生產。




二. 降低成本:

  十二吋晶圓技術在生產成本上具有相當大的優勢,十二吋晶圓廠可以提供直


徑 300mm 的晶圓,體積將比過去 200mm 大 240%,成本可以節省 50%,十二


吋晶圓的面積是八吋晶圓面積的 2.25 倍,若是使用相同的製程技術(如 0.13 微


米),在良率相同的情況下,十二吋晶圓可產出的晶粒數量約是八吋晶圓的 2.5


倍。未來十二吋晶圓技術的發展將與先進製程技術互相結合,達到最佳化的狀


態,來生產功能更強、更具競爭力的產品。


三、提高市佔效:
經由此企劃案(晶圓廠)的設立完成後,預估產量將提高 20%,市場佔有率將


由 25%提升至 50%。
一. 地點評估:

項目      新竹科學園區           台南科學園區


開發地區面積 新竹科學工業園區位於台灣西北 台南科學工業園區共開發有


        部的新竹地區,地跨新竹縣、市,一、二期基地及路竹基地,面


        已開發面積共計 605 公頃   積合計約有 1600 公頃


供排水能力   供水系統充足。          園區需水可由阿公店水苦、曾


                         文水庫、烏山頭水庫、南化水


                         庫、白河水庫等提供,供水系


                         統充足。


供電能力    優良               優良


        電力方面可協調台灣電力公司配 電力方面可協調台灣電力公司


        設電力幹管及變電站供電      配設電力幹管及變電站供電。


進出口海關   基隆港              高雄港


        台中港
運 裝船港口     往北到基隆港、往南至台中港分 至高雄港、高雄市區及高雄小


輸          別需約兩小時車程。        港國際機場約 60 分鐘。藉由高


條                           速公路、縱貫鐵路及機場,對


件                           外交通十分便利。


    鐵路車站   台灣西部的縱貫線鐵路為主,    高速鐵路的通過


           新竹是北部大站之一


    機場     桃園中正國際機場車程約 50 分 至台南機場約 40 分鐘,


           鐘,


    幹線公路   公路交通以中山高速公路為主, 中山高速公路


           距台北首府 70 公里      台南系統環線(國道八號


           亦可經由北部第二高速公路自台 台一號省道使用者


           北經竹東直達新竹科學工業園區


收 土地使用出 土地租金為每坪每年新台幣 408 土地租金為每坪每年新台幣


費 讓        元。               408 元。


條 廠房租賃費 目前標準廠房租金為每坪每月新 目前標準廠房租金為每坪每月


件          台幣 412 元,        新台幣 412 元,




    建築造價   15 萬/坪           10 萬/坪


    企業所得稅 普通                普通
工資水平   高              普通


電費     基本電費 100 元/戶   基本電費 90 元/戶


       流動電費 2.3 元/度   流動電費 2.2 元/度


水費     8 元/度          8 元/度


其他費用   5,000 元/月      4,500 元/月
租稅優惠        1. 園區事業進口自用機器設 廠商可向經濟部工業局申請認


                備、原料、燃料、物料及 定為新興重要策略性產業後,再


                半製品免徵進口稅捐,且 向園區申請五(五)年免稅或個


                無須辦理免徵、擔保、記 人投資抵減(五年)等租稅優惠,


                帳及押稅手續。       依經濟部「促進產業升級條例」,


            2. 園區事業以產品或勞務外 屬「新興重要策略性產業」都


                銷者,其營業稅稅率為    能享受,「科學工業」係屬「新


                零。            興重要策略性產業」。


            3. 園區事業可依促進產業升


                級條例之「新興重要策略 R&D 補助及獎助


                性產業屬於製造業及技術    創新研發補助,補助額最高


                服務業部分獎勵辦法」申 500 萬元
                         ,

                請適用五年免稅或個人投

                資抵減等租稅優惠。




       水電   位置       運輸   未來潛力 優惠政策 費用   總和


竹科     4    4        4    3   4      4   23
南科   5     4   5   4   4     5   27




  由以上資料與分析,我們最後決定在台南科學園區設廠




二. 投資申請:
三. 工作說明:

 1. 與行政院國家科學委員會工程處 生物處或科學工業園區管理局或台工業園
                  、


 區開發籌備處等單位聯繫。




 2. 與以上任一單位初步洽談投資項目後,填具初步評估表送審,審核時間約


     需二週。




 3. 初步評估表審核通過後,開始辦理正式申請手續,需附營運計畫書及污染治


 計畫書、建築計畫書、用水、用電用氣、瓦斯計畫書。營運計畫書內容包括 計


 畫要點、營運目標、產品技術、市場分析、競爭狀況、行銷策略、生產製造、


 污染防治經營團隊、財務計畫、風險分析、經濟效益。




4.   經園區指導委員會核准入區,台南科學工業園區開發籌備處三組申請租用標


準廠房或租用地自建廠房。以新竹科學工業園區為例,目前標準廠房租金為每坪


每月新台幣 412 元,土地租金為每坪每年新台幣 408 元。


      考慮相關成本與時間,租用現有場房


5. 定約簽訂租借廠房與土地企約,以十年為一期




6. 廠房從租借到可供使用需花費 3 個月左右
四. 任務分配:

  負責人(單位)                 任務(時間)

張乖乖(企劃專員)    與行政院國家科學委員會工程處、生物處或科學工業園區

             管理局或台南科學工業園區開發籌備處等單位聯繫,洽談投

                  資項目後,填具初步評估表送審(兩星期)

王小明(企劃經理) 由各部門尋求相關人才,組一工作團隊撰寫營運計畫書


             及污染防治計畫書、建築計畫書、


             用水、用電用氣、瓦斯計畫書。(一個月)



張乖乖(企劃專員)         申請租用標準廠房與資金調度。(兩星期)

楊過(財務部經理)



五.台南科學工業園區第三期標準廠房簡介資料:
                       1. 共區分為三棟;每棟為五層樓;每層樓
  四個單位;共計六十個單位。
2. 租金                            (單位:新台幣)
  類     別     面積(平方公尺)          租金(每月)(未含稅)
             797〜851
  一樓每單位                       120 元/平方公尺
            (室內面積約 455~483)
             820〜835
  二樓每單位                       113 元/平方公尺
            (室內面積約 483~492)
             820〜835
  三樓每單位                       111 元/平方公尺
            (室內面積約 483~492)
             820〜835
  四樓每單位                       108 元/平方公尺
            (室內面積約 483~492)
             820〜835
  五樓每單位                       103 元/平方公尺
            (室內面積約 483~492)
3. 裝置:洗手間、茶水間、消防系統、可裝載 1,150 公斤(17 人)之客用電梯及
         可裝載 2,000 公斤之貨用電梯。
4. 電頻:60Hz。
5. 電壓:三相四線,220/380V,T.R 30KVA 110/190V。
6. 供水:
   1、管徑 1 1 〞。
           2
    2、每一棟頂樓皆設置 2 個 18m3 水箱供 20 個單位使用。
    3、4、5 樓用戶均加設 1HP×2 變頻加壓泵。
7. 樓高:450 ㎝。
8. 電力負載重:
   1、線徑 200m㎡×4,E-50m㎡,4〞Φ。
   2、總開關 NFB,3P,200AT/225AF。
   3、負載容量視各用戶申請為基準。
9. 空調系統:
   * 雙溫式製冰主機 400RT×3。
   * 吸收式製冰主機 400RT×1。
   * 儲冰總容量 4800 TON-HORS。
10. 活載重:視各樓層不同,由 0.3 t/㎡~2.0 t/㎡
11. 排水:事業廢水由承租機構自行處理至符合納管標準後,排入地下室污水存
槽,再統一納入園區污水幹管。


六.費用評估 :
     項目                         價錢

 土地與廠房租金        820 元/坪(年)土地約 1000 坪,總金額 820,000 元/年

    水電費                      600,000 元/月

     其他                      100,000 元/月
一. 各單位人員數:

廠長,副廠長       2     (人)


會計部門         30    (人)


製造部門         300   (人)


研發部門         30    (人)


總和           362   (人)
二. 人員要求:

部門   職務類別(人數)     條件


廠    廠長(1)        1. 熟悉工廠所有事務


長    副廠長(1)       2. 年資五年以上


                  3. 績效良好


                  4. 英文能力好


                  5. 溝通管理能力良好


會    經理(1)        1. 具會計師執照


計    副理(1)        2. 曾任職主管職位


部


門:


     其他會計人員(28)   1. 會計有關科系畢業


                  2. 工作經驗 2 年以上


                  3. 個性誠實,細心
製     製造工程師(45)      1.大學以上,理工相關科系畢業


造     製程整合工程師(45)    2.成績良好


部     設備工程師(30)      3.具經驗佳


門     產品工程師(15)


      品管工程師(15)




      技術員(150)       1.體格良好,155cm,45~75kg


                     2.專科或高職畢業


研     研發工程師(15)      1. 具創造力


發     IC 設計工程師(15)   2. 提出從前相關創作


部


門




三. 招募員工:

1. 招募過程: 羅致吸引→應徵者→篩選→訓練→評估




2. 招募策略:


    * 網站: 在台積電私人網站張貼尋人啟示,範例如**頁
* 報紙: 在中國時報,聯合報等報紙張貼,版面約 15*20cm


  * 人力資源公司: 宏儒企管顧問、北台人才智庫公司


  * 招募活動:



  ◎ 徵才博覽會:定期參與一些特定學校舉辦的徵才活動,不僅可以幫助台積


吸引優秀的同學,也可與這學校建立良好的互動關係。



   校園拜訪:一月至五月


   求才博覽會:三月至四月

   徵才觀摩會:五月



  ◎ 實習機會:藉由提供實習機會給一些研究方向和台積相近之大學和研究


所,進而和學校建立良好的合作關係,以發掘與培養優秀人才。


  ◎ 軍中徵才:主動積極招募即將退伍的軍中精英,加入台積公元兩千年的快

速成長的行列。



   時間:一月至四月


   地點:台北、台中、高雄、花蓮和金門



  ◎ 公司參訪:我們有計劃地為特定的同學安排參訪台積,並由資深經理人員


接待及主持座談會 將有助於具潛力的專才能進一步地了解在台積的環境與實際
        。


工作的情形。
◎ 直接員工招募 台積在新竹及台南等鄰近地區針對直接人員舉辦大型的招
          :


募活動。



    苗栗


    中壢

    桃園



**徵選人員需比所需要的員工多出一倍,並且保持有一定預備人員,以防止工廠的


作業,因人員流動而造成不必要的麻煩與停擺



3. 篩選與面試:


◎ 第一階段:


 履歷表篩選:員工基本資料需符合上敘要求


◎ 第二階段:

 筆試:要求一定相關基本常識


◎ 第三階段:


 面試:


* 重要事項:應徵者之年齡、學、經歷、婚姻、家庭狀況等情形


* 約談時要觀察應徵者之儀表、禮貌、性向、身材、體力、耐性、健康狀況以


及面部表情等,用這些項目來判斷他是否為所要僱用的人選


* 觀察他的才智、個性、脾氣、態度、表達能力等,並視其是否具有適應團體
工作之能力


◎ 第四階段: 錄取:符合以上條件者錄取並做下敘動作


* 公怖名單在網上與公司看板


* 寄信與電話通知上班與訓練說明會時間與地點




4. 員工訓練: 舉辦 3 天訓練說明會




  第一天、 供給新進作業員資料:


* 帶領新進員工熟悉周圍環境,並介紹與其一起工作者吃個飯彼此認識


* 解釋所將擔任職務之性質及重要性,並舉例說明職務之升遷機會


* 須強調新進作業員對工具及裝備等所應承擔之職責,並避免他一開始就對這

些職責不甚明瞭


* 定期開會教導他有關公司之法規,不要只告訴他所想到的部份規章,而要告


訴他公司所訂定全部與他有相關之法規




  第二天、 新進作業員應該怎樣分配工作


* 研究分析每一件工作之性質;分配工作時選派適當人選擔任要務


* 要知道從事工作所須具備之能力及知識
* 對於應徵者應研究其智商,了牽其脾氣及個性,同時須仔細觀查其健康情況、


工作經驗及其所曾受過之各種訓練




  第三天、 驗收成果


* 確查他是否了解公司之行政規章;使他熟悉工作環境,同時教導並訓練他正


確的工作方法


◎ 介紹新進作業員與部屬認識,同時偵察他的個性是否能適應別人


◎ 委託一位可信賴者來指導新進作業員從事正確之工作


◎ 仔細考慮新進作業員加入工作行列後,對團體內之其他人員有無影響,同時要


客觀地指派他合理的工作


◎ 對新進作業員之教導方法必定要與公司所應用的一致 作業員一開始上班即須
                         ;


立刻照顧他,不要使他覺得困窘,並認為替你工作將是一件撼事




四. 任務分配:

負責人(部門)           任務


張無忌(會計部門)         在台積電網站以及報紙張貼尋人啟事,


                  說明即將招募會計事務人才


郭晉(會計部門)          設計出一套口試題目,可鑑別應徵者會

                  計能力之強弱
韋小寶(研發部門)   向人力資源公司申請招聘研發工程師


陳家洛(研發部門)   設計一套課程來啟發新進員工之發明能


            力


狄雲(製造部門)    到各學校舉辦校園徵才博覽會,期盼募


            得高科技人才


胡斐(製造部門)    帶領大學生到台積電上實習課,藉此發


            掘人才
由能帶看半導體


首先我們須由固體材料的能帶圖談起,任何一個固體材料都有它自己的能帶結構,


能帶結構不同,則顯示出來的材料特性也就不相同
圖中分別表示的是絕緣體,半導體,導體的能帶圖,其中:



(1)絕緣體的導電帶和價帶間有很大的能隙存在,在這個能隙電子是不可以存在的.


絕緣體材料, 導電帶上沒有電子,而價戴上被電子填的滿滿的,因此外加電場時,


電子根本不能移動,價電帶和導電帶間的帶溝又相當大,使得價電帶上的電子無法


跑到導電帶上,所以絕緣體沒有導電電子可以提供為電流.(2)半導體材料, 其能隙


大約只有 1eV 左右,低溫時,電子都在價電帶上,導電帶沒有電子,因此半導體的特


性就好像絕緣體﹔當溫度升高,電子受到熱作用會從價電帶跳到導電帶上而提供導


電,不過受熱作用而跳到導帶的電子並不是很多.(3)導體則很明顯可看出價帶和


導帶彼此部分重疊,造成導帶部分填滿,故自由電子可以任意在其中移動,使其具

備了導電性.




至於有哪些是半導體材料呢?大家最熟悉的是矽,因為它是目前工業最主要的半


導體材料,除此之外,週期表上二價到六價元素間的組合也可以成為半導體材料,


我們稱之為化合物半導體.譬如屬於二元化合物半導體的 GaAs,InP 是發光二極


體的好材料﹔屬於三元化合物半導體的 CuInSe2 是太陽能電池材料,HgCdTe 是紅

外線偵測器的材料.
半導體中提供導電的載子


                            矽是第四族元素,


                            也就是晶體內每個


                            原子有四個價電


                            子,他們分別與鄰


                            近的四個原子的價


                            電子形成電子對﹔


                            這些電子對鍵結並


                            不是非常堅固,打


                            斷矽的共價鍵只需

                            要 1.1eV,因此只要


                            電子有足夠的能


                            量,它就會脫離束


                            縛而成為自由電子



電子脫離束縛以後, 在原位置上就留下一個空穴,附近的電子可以移動到這個空


穴上,而留下新的空穴,這種現象就好像原來的空穴移動到新的位置,空穴像自由
電子一樣在運動,我們就把它當作一個粒子來看並且給予它一個名字-電洞(hole).

下面的圖應該可以稍微解釋電洞的產生和運動吧!!




若是我們從能帶圖來看電子電洞的行為,在絕對零度時, 導電帶上是空的,當溫度


升高,價帶上的電子受熱作用獲得了足夠能量,因此被激發到導電帶上留下空穴,


也就是電洞﹔當外加電場時,導電帶上的電子可以運動而提供電流,同時價帶的電


洞受電場作用也會產生電流,所以說在半導體中參與導電的粒子有兩種:電子和電

洞,我們都稱他們為載子(Carrier).




p-type & n-type


半導體晶體內如果只有本身的原子而沒有其他的雜質原子,這樣的一個半導體材


料叫做本質半導體(Intrinsic Semiconductor)﹔在室溫下雖然藉由熱激發產生了電


子電洞對,但其數量甚小,使得矽的電阻係數約等於 210000Ω-cm,具有這麼大的


電阻值沒有多大用途,但是如果我們在一個純淨的矽晶體中摻入一點點的雜質,此


時矽的電阻係數可以降到 0.1Ω-cm 左右,也就是它的導電能力提高了百萬倍,這
樣一來, 我們可以控制半導體內所摻雜的雜質來決定它的導電性質.

下面分別說明在本質半導體中摻入不同雜質會有什麼特性出現﹔



             n-type                  p-type




如果在本質半導體中摻入第五族的原子像磷,砷,或銻等,因為    如果我們在本質半導體中摻入


這些原子具有五個價電子,所以當它取代四價原子像矽時,其中 另一族的原子-第三族,像硼,鎵,


四個價電子會和周圍的矽原子形成共價鍵,剩下的一個電子就 鋁等,因為三族原子只有三個價


解離成為可以導電的自由電子,而雜質本身就成為帶正電的離 電子,當他們取代矽原子時,這


子.由於這些雜質可以提供自由電子,所以就把他們稱為施體     三個價電子會與周圍的矽電子


(donor)﹔整個 n 型半導體的導電主要來自於施體所提供的導電 形成供價鍵,但是因為雜質只有
電子.                                  三個電子,所以第四個共價鍵會


                                     少一個電子,留下空穴在那裡,


                                     換句話說就好像產生一個電洞,


                                     這個電洞可以由其他電子來佔


                                     據,我們就稱這類雜質為受體


                                     (accepter),而雜質本身成為帶


                                     負電的離子﹔類似於 n 型半導體,


                                     本質半導體加入這些受體後,電


                                     洞數目會增加,這時候半導體主


                                     要是靠這些多餘的電洞在導電




半導體晶片的製作


基本上,元素和化合物半導體都可以利用 Czochralski 和 Bridgeman 兩種方法製


作,其中單晶矽主要是以 Czochralski 方法得到﹔在晶體成長之前,首先要先將原始


材料純化,以單晶矽為例,下面就是純化的步驟:


步驟一   SiO2+C→Si+Co2   ==>這種反應產生的矽純度為 99%,離工業上所
要求的還差很遠


步驟二     Si+3HCl→SiHCl3+H2


步驟三     SiHCl3+H2→Si+3HCl   ==>可以產生超純度的複晶矽,此就可以用來


成長單晶


Czochralski 晶體成長是將複晶矽放入坩鍋中加熱,溫度是矽的熔點(1415℃),坩

鍋在生長過程中需要轉動以防止局部冷熱的情形.



如圖所示,一根叉柱下端附著一小塊的矽單晶片,稱


為晶種,將這塊晶種慢慢的熔入矽漿中,然後這個叉


柱開始以相反的旋轉方向慢慢向上移動,當晶種抽


出熔液時,附在其上的熔融矽就凝固並且以晶種的


結構在凝固,叉柱繼續往上拉,所形成的晶體就會更


大,最後得到一個圓柱狀的晶體,至於圓柱的直徑大


小是由控制坩堝的溫度以及坩堝和叉柱的旋轉速


度來決定.




雙極性接面電晶體




到底什麼是雙極性接面電晶體呢?(Bipolar Junction Transistor),它又簡稱BJ


T,上一章我們提到把一個P型半導體和一個N型半導體接在一起時,會有整流的
特性產生,若是我們再把N型半導體的一邊接個P型半導體,形成了PNP的結構,


是不是會有新的電性特性產生呢?這樣的構造就是 BJT 的基本形式.


電晶體總共有三個區域,每個區域都有一個接腳,圖中的紫色部份表示金屬接點﹔


三個區域分別稱為射極(emitter),以E代表;基極(Base),以B代表;和集極


(collector),以C代表.雙極性接面電晶體除了PNP結構外,還有NPN的形式,只

不過這種電晶體的射極和集極變成N型,而基極為P型.



            pnp                          npn




     pnp 電路符號(注意箭頭的方向)                npn 電路符號
BJT的偏壓


當射極-基極間接順向偏壓而基極-集極間接逆向偏壓,這種操作狀態,我們稱為順


向主動偏壓,下面就來討論這種偏壓下的電流,我們以 n-p-n 電晶體為例子




1,射極的載子注入


當射極-基極加順向偏壓,這時由射極相基極注入大量的電子,它所產生的電流我


們以 IEn 表示,E 指的是射極,n 指的是由電子提供,IEn 和電子運動方向相反,如圖所


示,同樣從基極也會有電洞往射極注入,這個電洞電流以 Iep 表示,所以射極的總電


流應該就等於由電子所產生的電流加上由電洞所產生的電流:IE=IEn+IEp,我們另


外定義注入效率 r=IEn/IE= IEn/IEn+IEp 通常射極摻雜的雜質濃度較高,因此 r 值幾

乎等於 1




                    射極的載子注入
2.基極的復合和傳輸性質


電子從射極區通過接面注入到基極區內,這些注入的電子會往基極區內擴散,在擴


散的同時,一些電子會和基極區內的電洞復合,真正達到集極的電流我們以 Icn 表


示;這個復合所產生的電流我們稱為基極復合電流,很明顯的他等於 IEn-Icn 換句


話說,注入到基極的電子流為 Ien,透過基極的運輸達到集極的電子流為 Icn,他們


之間的比值顯示基極的運輸能力,我們稱之為基極傳輸因子 αt=Icn/IEn 當基極和


集極間接逆向偏壓時,他們之間會有一個逆向飽和電流,他是從集極流向積極,我

們以 Icp 表示,因此整個基極總電流 IB 應該有三項 IB=IEp+(IEn-Icn)-Ic




                     基極的復合及傳輸



3.集極具有的收集性質


積極和集極間接逆向偏壓,因此擴散到基極與集極接面的電子全部受到逆向電場
的作用被掃到集極區,他所產生的電流也就是 Icn,他是集極電流的一部份,也是最

主要的一部份,當然 Ic 還包含了基極與集極間的逆向飽和電流 Icp : Ic=Icn+Icp




                     集極的收集性質




BJT 的放大原理


所謂 BJT 的放大原理指的是基極上的一個很小電流,經過電晶體卻可以得到相當

大的對應射極與集極電流.數學分析如下:



三個極的電流重寫為:    IE=IEn+IEp


                Ib=IEp+(IEn-Icn)-Icp
Ic=Icn+Icp

因為 IEp<<IEn ,且 Icp 很小也可以忽略,因此三極電流可簡化為



IE=IEn


Ib=IEp+(IEn-Icn)

Ic=Icn                    我們來找出 Ic 與 Ib 之間的關係



Ic/Ib=Icn/IEp+IEn-Icn



     icn/(IEp+IEn)


=----------------------


    1-Icn/(IEp+IEn)




= αtγ/1-αtγ




在此我們令 αtγ/1-αtγ 為 β,因為 αt 和 γ 都是趨向 1 的值 ,因此 β 是一個很大的


值,它代表集極電流和基極電流間的關係,我們稱它為電流增益.




MOS
我們在矽半導體上長一層氧化矽,再鍍上金屬鋁,就成為一個 MOS 結構.若是把矽


的一端接地,金屬鋁一端接正電壓,這時候會有一個向下的電場存在氧化層內,而 p


型矽上的電洞被排斥而往下跑,所以在靠近氧化層的地方,電洞的數目較少,形成


像 pn 接面的空乏區,因為這種情形發生在矽的表面,所以又叫做表面空乏.若是外


加電壓繼續增加,表面電子數就會明顯上升,當它大於電洞數目時,表面型態由 p

型轉變成 n 型,這時被轉換的區域稱為表面反轉層.




MOSFET


我們先來看 MOSFET 的架構



如圖所示,它是在 p 型的


MOS 兩邊形成兩個 n+區,


因此連同 MOS 的兩個端


點,MOSFET 總共有四個端


點.氧化層上的金屬接點稱
紮閘極(Gate),而兩個 n+區


分別是源極(source)和汲極


(drain).


至於它是如何工作的呢?其特性為何呢?以下就分別來討論它.


1,增強式 MOSFET


我們以基體為 p 型的 MOSFET 結構來說明,將基體,源極,汲極都接地,當閘極開始


接正電壓,在靠近閘極氧化層的半導體表面會感應負電荷,正電壓越大,負電荷累


積越多,因此在兩個 n+區之間形成了表面反轉層,也就是通道,因為通道的形成,電


子大量通過形成電流,所以源極和汲極間要有電流產生,完全是靠閘極加正電壓幫


忙,因此這種形態的原件就稱為增強式金氧半場效電晶體.


接著我們來考慮汲極接正電壓的情形,若是閘極加正電壓始的半導體表面形成反


轉層,但是,由於汲極也加一個正電壓,始得落再閘極與汲極間的電壓比落在閘極

與源極間的電壓小,因此反轉層的電子不再均勻的分布,考在靠近汲極的地方電子


數目會較少,或是說通道在汲極附近會變窄.當汲極電壓很小時,通道變化不是很


大,因此通道整個電性就像電阻:汲極電壓和電流呈正比關係,所以這區域又稱線


性區


若是序繼續增加汲極電壓,則 I 和 V 之間的關係不再是線性:當 V 增加到汲極附近


通道寬度為零時,既所謂的夾止點,要是 v 繼續增加,這時夾止點會往源極移動,也


就是靠近汲極的區域不會有反轉層.此時,因為靠近汲極附近沒有反轉層,所以它
的阻值較高,因此所施加的電壓,大部份會落在這個區域,當電子從源極出發到達


夾止點時,會受到這區域的電場作用,掃到射汲極;也就是說,當夾止點出現後,若是


V 再增加,會始通道變短,而增加的 V 主要在幫助到達夾止點的電子通過通道和汲


極間的空隙到達汲極,因此 I 不會隨著 V 的增加而增加,


我們稱電晶體進入飽和區.




2.空乏式 MOSFET


若是在 n+通道場效電晶體的源極和汲極之間先形成一條很窄的 n-通道,這種結構


的電晶體就稱為空乏式 MOSFET.空乏式 MOSFET 電晶體的 Id 和 Vds 的特性曲


線圖,很明顯的,當 Vgs=0 時,Id 並不為零,當 Vgs=-4v,Id 才等於零,也就是起始電


壓為-4v.Id 當 Vds 很小時也是呈線性關係,隨著 Vds 增加,Id 進入飽和狀態,詳細

工作原理和增強式電晶體雷同,這裡不再重複




p-n 接面的特性


當 pn 兩種不同形態半導體接在一起時,因為 p 型中的電洞數目比 n 型中的多,不


均勻的濃度分布使得電洞從 p 型向 n 型區擴散,同理,電子會從 n 型區向 p 型區擴


散,當電洞由 p 型區向 n 型區擴散後, p 型區就留下帶負電的受體離子,而電子從 n
型區向 p 型區擴散後,n 型區就留下帶正電的施體離子,這些擴散的電子和電洞在


接面的地方會復合,因此接面的一邊使剩下帶負電的受體離子,另一邊則為帶正電


的施體離子.因為接面處所留下的正負離子會形成電場,它會阻止電子和電洞繼續


擴散,因此平衡時只有在界面兩側的有限範圍內擁有離子,我們稱這個區域為空間

電荷區或是空乏區(depletion region)
p-n 接面形成後, 他們的能帶圖可以


                        下圖表示﹔由於內建電場的存在, 使


                        得電子需要 qVo 的能量才能到達 p


                        型區,同理,電洞亦需要外加能量才能


                        到達 n 型區.




偏壓下的 p-n 接面特性




1,順向偏壓

當半導體 p 型那一端接電源的正極,n 型那一端接電源的負極,這樣的接法我們稱


pn 接面為順向偏壓(forward bias)當外加順向偏壓時,電場的方向和原本在空乏區


的內建電場方向相反,因此外加電場會抵消內電場,或是說外加的順向電壓 Vf 使


得原來在 pn 接面的位障 Vo 降低到 Vo-Vf,不只如此,空乏區的寬度也會因為外加


順向偏壓而變小,這種情況下電洞就很容易從 p 型區跨過接面注入 n 型區,同樣電


子也會由 n 型區通過接面擴散到 p 型區,這樣的運動,他們(電子和電洞﹚所產生的


電流方向相同,這也就是在順向偏壓時,pn 接面的電流.
2.逆向偏壓


如果把半導體的 p 型那一端接電源的負極,n 型那一端接電源的正極,這樣的接法,


我們稱 pn 接面為逆向偏壓(reverse bias)由於外加電場和內建電場的方向相同,


因此在逆向偏壓時,外加的電壓反而助長了原來的內建電位,位障增加,而且空乏


區的寬度也變大,這樣的結果,兩邊的電子和電洞受到空乏區內很大電場作用,不

可能跨過空乏區跑到另一邊,因此 pn 接面在逆向偏壓時不會有電流產生.



           下圖說明了順逆向偏壓對 p-n 接面的影響
具有 p-n 接面結構的二極體的 I-V 圖顯示


了在順逆偏壓下的電流特性﹔可以看出在


順向偏壓時,電流隨電壓上升極快;但是加


上逆向偏壓時,電流值甚小;利用這種性質,


我們可以把交流電壓轉換成直流電壓或


是當開關使用
一. 人員教育訓練費:

1. 員工費用:


* 薪資費用:


職稱         人數         年薪    總計        備註


高階管理       2    (人)   120   240 萬元


研發人員       30   (人)   150   4500 萬元
會計人員      30    (人)           80   2400 萬元


製造人員      300     (人)         60   18000 萬元


總計        362                      25140 萬元




2. 校園,軍中徵才費用:


 項目             數量            場次        費用    備註


人員        5             10         5萬


海報        100                      0.2 萬


宣傳單       10000                    1萬


雜費                                 5萬




合計                                 11.2 萬元




3. 公司參訪費用:


     項目         數量            單價        費用    備註


車資        200           100        2 萬元


午餐        200           100        2 萬元


解說人員      10            1000       1 萬元


保險        200           50         1 萬元
合計                                       6 萬元




4. 員工教育訓練費:


  項目              數量                單價(元)費用(萬元)        備註


講師費         20                3000       6


餐費          400               600        24


場地費         10                10000      10


講義費         400               50         2


合計                                       42 萬元




5. 合計教育徵才訓練費:


       項目                           費用(萬元)        備註


校園,軍中徵才費用              11.2


公司參訪費用                 6


員工教育訓練費                42


合計                     60 萬元


二. 廠房投資計畫費用:
1. 土地成本


  本計畫土地成本以相當於市場價格估算,依基地所在位置與於區分,由於土


地位置已經透過評估取得決定位置位於台南科學園區,因此預估土地 30000 坪,


租金每坪為 408 元,總共約 1224 萬元。


規劃調查費用


  依工業區報編開發之相關文件規定,因其報編程序及審查需要,有需要提送


相關文件及建物計畫內容報告其費用有大致如下:


  *可行性研究費用:


  主要工作內容包括辦理研究規劃工作,編寫申請之書圖文件,編制報編及申


請開發書圖,籌辦會勘及相關說明會及相關會議等,費用共約 30 萬元。


  *地形測量費:

     提供給設計規劃土地資訊及細部之依據,而進行地形測量工作經公司估算


費用約 20 萬元。


  *地質鑽探費用:


     依照地質鑽探標準所需的孔數為 15 孔深度為 50 公尺所需的費用為 15 萬


元。


             15(孔)x50(公尺)x200(元)=15 萬元


  *內部裝潢費用:
內部裝潢包含辦公室,無塵室,研發室,廁所,員工休息室,另外還有桌


椅,電腦,櫃子,飲水機,等等。


 *辦公室,研發室,廁所,員工休息室裝潢費用:


           項目       數量        價錢


      混泥土       10000 公斤   15 萬元


      木材        2000 才     16 萬元


      外牆強化玻璃 10000 平方公 100 萬元


                尺


      油漆        2000 桶     30 萬元


       總計                  161 萬元




  *無塵室裝潢費用:


           項目       數量        價錢


      無塵機械設備 2 個           500 萬元


      配管        1000 公尺    80 萬元


      強化玻璃      5000 平方公尺 50 萬元


      填塞物       1000 公斤    20 萬元




      總計                   650 萬元
*桌椅,電腦,櫃子,飲水機費用:


         項目     數量(組)   價錢(萬元)


         桌椅     400     80


         電腦     100     400


         櫃子     200     60


         飲水機    15      60


         合計             600 萬元




三.機械成本:

     包含運費,維修費,耗件材料,機械,操作師的生活費補貼,薪資


總共為 4 億元。




四. 設計監造及環境監測費用:

     設計監造依照作業程序進行營造前依主要計畫內容進行細部設計作業相關


監造費用依市場標準估算約為營建成本的 5%,故其估算設計監造費用為 55 萬


元。


  環境監測費用依環保計畫要求,在建物施工前後應進行環境影響之相關監測


作業因此環境監測在施工前後的費用估算為 100 萬元。
五. 行政業務費用:

1.行政管理費: 基於作業配合及協調需要,計算出行政費用約為 5 萬元。


2. 相關作業費: 配合相關人及作業需求之相關工作,特按土地成本之千分之一


 編列相關作業費用約為 13 萬元。




六. 消防設備工程:

採用海龍滅火系統(IG 541)化學式為 N2 52%,Ar40%, CO2 8%。其費用如


下:


         數量        單價(元)   費用       備註


撒水頭      15000 個   150     255 萬    每 5 坪一個撒


                                    水頭


配管系統     6000 公尺   200     120 萬




火警警報器    15000 個   200     300 萬    每 5 坪一個警


                                    報器


控制盤      5個        20000   10 萬     一樓一個控制


                                    盤


音響警報裝置
配線        6000 公尺   100      60 萬


喇叭        2500 個    300      75 萬       每 30 坪一組


擴音機       6個        4萬       24 萬       每層樓一組


主機        2         100 萬    200 萬      3 樓一共用




總共費用為 850 萬元




七. 工程費用:下列各工程之費用為直接工程費用,直接將各工程的費用預估

如下:


1 整地工程:


  項目           單位    單價(元)         數量     工程費




表土清運      立方公尺      200      500        10 萬


組合式圍籬     公尺        2500     300        75 萬


鐵絲網柵欄     公尺        500      200        10 萬


工資        人         20000    10         20 萬


                             總價         95 萬
2 建築工程:


  項目           單位     單價(元)        數量     工程費




鋼筋         頓        100000    20        200 萬


混泥土        頓        15000     200       300 萬


砂石         頓        10000     50        50 萬


模版         塊        1000      100       10 萬


運費         車        2000      20        4萬


工資         人        2000      50x20     200 萬


                              總價        764 萬


師**工安環境工程:


       依工程費用之 1%來計算約為 12 萬元




3. 試驗費:

       依工程費用之 1%來計算約為 12 萬元




4. 工程保險及工程管理費:


       * 工程保險:

          依工程費用之 0.5%來計算約為 5 萬元
* 工程管理:


         依工程費用之 8%來計算約為 90 萬元




5. 資訊網路工程:


 採用光纖線路,架設大型網路主機,便利於網路上的資訊流通,及公司 E 化


的過程,獲取更加的成本時間控制。


       項目                 工程費     備註


網路線材,配件           13 萬元


網路設備              20 萬元


中央控制室設備           3 萬元


監控系統              4 萬元


工資                12 萬元


合計                52 萬元




6. 污水處理工程:


  由於工廠排放出的污水含有大量金屬及有毒化學物質,因此在進入園區的污


水處理系統前,事先經過離子交換處理將有毒物質及金屬給予吸收分解,部分非


工廠用水,給予再生利用。


  項目         單位           單價    工程費    備註
Pvcp 管線埋設   300 公尺     300     9萬


Rrcp 管線埋設   400 公尺     600     24 萬


人孔埋設                   5萬      5萬


污水處理廠費用     小型廠        20 萬    20 萬


施工費                    20 萬    20 萬


合計                             78 萬




7. 給水工程:


  對於供水系統部分,民生用水將設置水壓減弱計,以減少浪費節省成本。


     項目        單位       單價      工程費     備註


進水管線工程        250 公尺   300 元   7.5 萬元


清水池           1個       4 萬元    4 萬元


抽水機           2組       3 萬元    6 萬元


高架水塔          2個       5 萬元    10 萬元


送配水管線         150 公尺   300 元   4.5 萬元


儀控工程          1組       2 萬元    2 萬元


施工費                            6 萬元


合計                             40 萬元
8. 排水工程:


施工費用如下:


  項目            單位      單價    工程費      備註


箱涵         200 公尺    500 元   10 萬元


U 型溝       50 公尺     500 元   2.5 萬元


箱涵人孔       5個        1 萬元    5 萬元


集水井        3個        1 萬元    3 萬元


支管         350 公尺    500 元   17.5 萬元


截水溝        50 公尺     400 元   2 萬元


合計                           40 萬




9. 電力管路,電信工程費用:


* 電力管路工程費用:


  園區內之配電管路,由台電公司設計施工,但是工業區為了提升施工效率都

由開發單位依台電之設計內容進行施工其工程費用則由開發單位負責。




       100(公尺)X8000(元/公尺)=80 萬元




10. 電信工程費用:
電信配管工程,依規定由中華電信公司設計施工,且為地下管線型式,開發


單位負責 70%的費用。


  100(公尺)X1500(元/公尺)X70%=10.5 萬元




八. 雜項支出:

  其他無法歸屬或是細項工程依工程費用之 10%來計算約為 116 萬元。




九. 總成本:

    項目                 價格(萬元)      備註


土地成本           1224


規劃調查費用         65


內部裝潢費          1411


機械費用           40000


環境監測費          155


行政業務費          18


消防工程費          850


營建工程費用         1160


工安環境及試驗費       24


工程保險及管理費       95
雜項支出   116




合計     4 億 5078 萬元
管理團隊:
一. 組織圖:




           廠長



    會計部門   製造部門   研發部門
股權結構:


證期會預告發布「公開發行公司年報應行記載事項準則」修正草案,證期會


指出,此次內容修正後將加強發行人股權結構、董監事及經理人其酬勞及獨


立性情形、上市上櫃公司治理運作情形及財務狀況、經營結果之檢討分析與


風險管理等資訊揭露,其中增訂公司必須揭露股東結構、股權分散及主要股


東名單情形。



證期會表示,在強化董事、監察人資訊揭露部分,增訂應揭露公司董事、監


察人最近年度之酬勞、所具專業知識及獨立性情形等相關資訊。同時為了使


公司股權結構更加透明,增訂需揭露內部人股權轉讓及質押情形、公司與內


部人對轉投資事業之控制能力等相關資訊,以及增列公司之股東結構、股權


分散及主要股東名單情形。



在強化財務業務及風險管理資訊的部分,為使股東明瞭公司之財務業務狀況


及風險管理資訊,以符合國際潮流,因此增列規範公司揭露財務狀況及經營


結果之檢討分析與風險管理事項,以及增訂應揭露公司員工分紅及董監事酬


勞等資訊。
另外,配合「公開發行公司建立內部控制制度處理準則」強化公開發行公司


內部控制制度之實施,爰修正擴大應揭露內部控制制度執行狀況之對象為公


開發行公司。



至於在強化公司治理資訊揭露部分,證期會增訂上市上櫃公司治理運作情形


及其改善計畫或因應措施、股東會及董事會之重要決議,及公司依法被處


分、公司對其內部相關人員之處罰、主要缺失與改善情形。



而為使股東明瞭年報電子檔之查詢方式,爰增列公司應以顯著字體刊載可查


詢本年報之網址。另一方面,為使瞭解公司有價證券於國外掛牌買賣情形,


爰增列應揭露其有價證券已掛牌買賣之國外交易所名稱及網址。




證期會為維護投資人權益,在多數公司尚未召開股東會之前,大舉修正年報應行記載事


項,主要重點在於強化公司董監持股透資訊明度;同時要求各公司在年報中,提出財務


狀況、經營結果的經營分析數值,但此舉恐會使上市、櫃公司經營階層在股東會,面臨


來自小股東更大的炮轟壓力。


證期會表示,此次修訂重點,首重強化董事、監察人資訊揭露;各公司需揭露公司董事、


監察人利用他人名義持有股份、最近年度酬勞、所具專業知識、獨立性情形等相關資訊。


同時,在年報中,還必需加強公司股權結構透明度,強化內部人股權轉讓及質押情形、


公司與內部人對轉投資事業控制能力等相關資訊,年報中需明列公司股東結構、股權分
散及主要股東名單等資訊。



增列公司治理運作情形



  其次,為強化公司治理資訊揭露,規定各上市、上櫃公司需增列公司治理運作情形,


以及改善計畫或因應措施、股東會、董事會重要決議,與公司及其內部人員依法被處罰、


公司對其內部人員違反內部控制制度規定的處罰、主要缺失與改善情形。


  再者,為保障小股東權益,證期會此次也要求各公司強化財務業務及風險管理資


訊,規定在年報中,必需增列財務狀況及經營結果的檢討分析。


  同時,公司必須增列風險管理資訊方面,內容包括增訂應揭露最近年度利率、匯率


變動、通貨膨脹情形對公司損益影響,以及最近年度從事高風險交易的政策、獲利或虧


損的主要原因與未來因應措施、最近年度企業形象改變對企業危機管理的影響及因應措


施等非財務性資訊。



員工分紅資訊須揭露



  證期會指出,為增加公司財務、業務資訊透明度,各公司還必需揭露前十大進銷貨


客戶名單,增訂應揭露最近二年度前十大進銷貨客戶名稱及其進(銷)貨金額與比例,


並說明其增減變動原因;另外,在投資人對員工分紅等資訊的需求度越來越高之下,也


特別規定公司在年報中必須揭露員工分紅及董事、監察人酬勞等資訊。
法人持股: 董監持股:26.95%、外資持股:27.22%、投信持股:0.26%、


自營商持股:0.01%




                           董監
                           外資
                           投信
                           自營商
                           其它




股東結構: 台灣飛利浦電(股)11.12%、行政院開發基金 12.10%、張忠謀


0.49%




                          台灣飛利浦

                          行政院開發基
                          金
                          張忠謀

                          其它
過去數月內,隨著風險程度的提高,主管機關、債券持有人以及股東,不約而同地將注意力

集中在銀行資產組合的績效上;同時,金融機構業已研發許多複雜的分析工具,追蹤本身風險並
以企業面角度加以控管,此一過程花費昂貴且仍舊位於發展階段。然而,就目前經濟狀況來看,

風險管理的重要性較以往更為明顯 在一場由美國風險管理協會(Risk Management Association,
               。

RMA)所舉辦的會議1[2]中,與會人士一致認為,有效的企業面風險管理是主管當局、分析人員,

以及評等機構目前所亟欲尋求的,例如 Bear Stearns & Co. 的資深銀行分析師大衛‧希爾德

(David Hilder)提到:「風險管理應是任何金融機構的核心競爭力;然而,卻只有在它失靈的時

候,才會成為大眾討論的焦點。」雖然所言不貲,銀行確實因而成功地避免某些風險。此外,

Standard & Poor’行政經理塔亞‧阿桑克斯(Tanya Azarchs)亦言:「追蹤風險可協助銀行辨認風

險的趨勢與集中度;藉由描述風險的分布,經營階層可將焦點鎖定在應需觀察的區域。」隨著立

場不同,有效風險管理內涵亦呈現不同的見解,以下擬分別從政府當局、分析人員,以及債信評

等機構的觀點,政府當局代表為美國財政部通貨監理局副局長大衛‧吉伯斯(David Gibbons),分

析人員代表為資深銀行分析師,債信評等機構代表為塔亞‧阿桑克斯(Tanya Azarchs),彙整該會

討論內容如下。

  壹、主管當局的觀點

  與會的美國通貨監理局副局長大衛‧吉柏斯(David Gibbons)直言:「相較於去年、甚至於 5

或 10 年前,今日的放款組合更加具有風險;而且,現今問題放款(problem loans)的特徵與我過

去 25 年來所看到的,確實有顯著的不同。」他相當擔心來自於企業與個人融資貸款之較高水準

的違約風險(default risk)。近年來,寬鬆的審核與風險選擇標準,業已刺激強烈的放款成長。但

是,減緩的經濟帶給許多機構不少麻煩。

  吉伯斯說:「此次景氣循環的情況與以往不同。注意這些減緩因子,相較於 90 年代早期,

它們可減少循環的衰退面所帶來的痛苦:

      權益資本較高,並且盈餘仍然良好。

      風險管理的改良。

      即使變異性很高,風險種類卻更加分散。

      主管當局以具體可行的措施加以擊退。
然而,吉伯斯又說:「有效風險管理的需求從來沒有提高過。」主管當局相信其職能在於:

「確認銀行的風險管理程序是否足於應付其所承擔的風險 並且能快速地反應上升中的風險或風
                         ,

險管理的弱點。」他進一步解釋:「我們不會坐視這些風險演變到無法控制的程度,一旦成為事

實,我們必須對這些機構採取斷然的措施。」對應上述論點,美國通貨監理署(OCC)官員採取下

列作為:

    一、超然地衡量風險數量以及驗證風險管理的品質。

    (1)   診斷資產組合、程序,以及人員的問題所在。

    (2)   促進並要求健全的風險管理。

    二、保適當的準備與資本,以及強化透明度。

    三、早期反應風險。

    (1)   開立「預防藥」(preventive medicine)處方。

    (2)   及早地、斷然地,並公正地認定並處理不當行為。

    (3)   避免過度反應、無作為,以及寬容。

    (4)   維持信用授與的能量以及控制應控制事務之能力。

     吉伯斯認為:處在目前的風險環境,主管當局有四項主要挑戰:

    一、市值是選定的貨幣,且受不切實際的短期盈餘預期情況下,維持風險管理紀律。

    二、管理「預防藥」,即使當風險遠離「病患」。

    三、提醒大家不要將風險管理的提高,掩飾其根本法則之需求。

    四、對於現有經辦的公務,虛心接受各方的批評與指教。

   在 1997 年至 98 年間,我們將焦點集中在帳面上的風險,而非現存的問題,因為那時問題

很少。然而,今天我們必須同時專注風險與因先前放款過度暨經濟減緩所產生的問題。

   接著,OCC 認為銀行家有四項主要的挑戰:

    一、 市值是選定的貨幣,且受不切實際的短期盈餘預期情況下,維持風險管理紀律。

    二、清穩健的風險管理(信用)文化的重要性,特別是在機構合併盛行的時期。

    三、將風險與問題是不同的觀念制度化,並牢記風險意指「凡有升必有降。(what goes up,

must come down.)」
四、記得企業面風險管理的「投資」是昂貴的,但其成本通常低於任一年內機構之最大未

   預期但可控制的損失 企業面風險管理系統使機構能夠較佳地控管損失並減輕它們的影響。
            。

   發展良好,且具有遠見的銀行文化,最終將形成穩健的風險管理,其風險的容忍度相當明確。

機構篤行風險紀律、控制授權,並將資源適度地分派於這些工作上。此外,銀行實行健全風險管

理的基本原則包括:

       風險評等的精確性,獨立性控制、管理、信用審查,以及稽核。

       交易量控制、風險分析、風險選擇、核貸,以及預期追蹤。

       集中度衡量/管理。

       雖然吉伯斯坦承研發先進的風險管理技巧可能非常昂貴,然而,這項付出無疑是非常

值得。

 貳、分析人員觀點

   希爾德引用英國著名經濟學家凱因斯的話:「市場是不理性的2[3]。」他藉由一位投資者的

銀行股票定義,娛樂在場的出席者:「銀行股票是無流動性垃圾債券融資組合的剩餘權益3[4]。」

他以嚴正的口氣強調:投資人的認知,正是銀行股東如此在意風險管理的原因。雖然信用風險是

銀行處理最為顯著的風險種類,然而利率風險、市場風險、營運風險,以及法律/監理風險,亦

需妥善管理,處理得宜的銀行將被受到肯定。市場偏好一致性,具有一致性的銀行通常得到較高

的本益比(PE ratio)。

   市場瞭解銀行經營必須承擔一定風險,但它所關心的在於:銀行如何承擔這些風險及其涉險

值(value at risk)大小。在承受風險上,顆粒度(granularity)是很重要的,其意指金融機構的存與

亡之間的差距。市場中,認知與事實一樣重要,因此,對於銀行來說,向投資者公開並討論風險

管理是重要的。他建議銀行可討論:

   一、你實際看到的信用風險、利率風險,以及市場風險的特定措施。

   二、你如何處理特定的情況,例如貸款集中度限制或市場波動性。

      事實上,銀行的股票評價部分取決於風險管理的績效,包括:
     費用轉銷與不良資產的規模與變化。

           一次損失準備(One-time loss provision)。

           淨利率差距(net interest margin)變化。

           影響市價收益(market-sensitive revenue)。

           營運錯誤(Operating error)。

    參、債信評等機構觀點

      風險管理是昂貴的,但一般認為風險管理系統的投資存有一定報酬。阿桑克斯於是向在場人

    士詢問:「銀行如何計算此一報酬?」

      除了辨認趨勢與集中度,風險管理技巧亦可協助銀行減少法定資本,但資本節省是否應視為

    風險管理的目標?她說道:「如果你能描述所有風險並仔細分析自身銀行的風險,你會發現所提

    列的資本會比法定資本所規定的還要少。事實上,在銀行間似乎普遍存在一種感覺,那就是沒有

    人曉得自己應提列多少,以優於同業所提列的金額;因為銀行想要有效率地運用其資金,它們希

    望將資源配置在風險報酬較高的部分。有時候,此舉導致銀行把法定資本大於經濟資本的貸款,

    自資產組合中剔除,從而提高資產組合的總風險,但卻產生來自於風險管理投資的另一種收益。」

      對此她提出以下的解釋:「對於風險管理來說,有效率地設計模型是很重要的─試想這些模

    型及其如何使用。大部分的模型仍未經由完整過程的測試,因此,一個人所輸入的資料決定他所

    得到的結果。同樣地,隨著某人在模型中根據不同的假設,其結果亦將隨之不同。例如,根據它

    目前的傾向,模型的時間單位不應該為一年或一年以下的長度。銀行應該注視至少未來三年內資

    本適足的情形。另外,信心水準的選取,以及假設分配曲線的形狀,對於應提資本亦造成顯著的

    差異性。」

      標準普爾(S&P)樂見各機構採用他們的劣勢情境模型。一套壓力測試應包括:

    三年度內(正常循環)不含自資本市場取得。

    到期貸款的強制性的以新還舊量。

    沒有貸款銷售的流動性。雖然流動性資產具有成長中的市場,但它不保證當市場反轉時仍然

    會和目前一樣。

    企業內有足夠的期末資本以承作新的放款。
因為資本不應具有循環性。其理由在於沒有人會想在景氣的時候募資,因此真正的資本通常

反應在不利的情境。

  阿桑克斯亦提到:「對銀行來說,建構模型時,發展模型一致性(uniformity)是很重要的,因

為如此將可同時比較國內與國外的資本估計值。債券持有人的價值來自於風險的穩定性─並非無

風險,事實上債券持有人、股東,以及主管當局關注同一件事情,因為,彼此之間是相互關聯的。」
參考資料:

一. 企劃工作實務課堂筆記

二. 台積電網站 www.tsmc.com.tw

三. 輕鬆企劃入門 遠流出版社 王浩哲 民 90

四. 企劃人 南一出版社 李明德 民 87

五. 人力資源管理第六版 Dessler 原注 華泰出版社 民 85 張緯良譯

六. 工程估價實務 勝連出版社 李海輝 民 80
經由本擴廠企劃案研擬評估之實習模擬製作,運用自己所學之專業知能及老


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