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Diseño de un LNA de ultra ancha banda tipo cascodo doblado en CMOS 0.18 μm
- 1. PROYECTO FIN DE CARRERA DISEÑO DE UN LNA DE ULTRA BANDA ANCHA TIPO CASCODO DOBLADO EN TECNOLOGÍA CMOS 0.18 µm Autor: Sergio Rosino Rincón Tutores: Francisco Javier Del Pino Sunil Lalchand Khemchandani DISEÑO DE UN LNA DE ULTRA BANDA ANCHA TIPO CASCODO DOBLADO EN TECNOLOGÍA CMOS 0.18 µm 1/37 SERGIO ROSINO RINCÓN UNIVERSIDAD DE LAS PALMAS DE GRAN CANARIA Escuela de Ingeniería de Telecomunicación y Electrónica
- 2. ÍNDICE INTRODUCCIÓN DISEÑO TECNOLOGÍA SIMULACIÓN IMPLEMENTACIÓN CONCLUSIONES DISEÑO DE UN LNA DE ULTRA BANDA ANCHA TIPO CASCODO DOBLADO EN TECNOLOGÍA CMOS 0.18 µm 2/37 SERGIO ROSINO RINCÓN • INTRODUCCIÓN • DISEÑO • TECNOLOGÍA • SIMULACIÓN DE LOS LNAs • IMPLEMENTACIÓN DE LOS LNAs • CONCLUSIONES
- 3. • INTRODUCCIÓN – Mercado de las Comunicaciones Inalámbricas – Estándar IEEE 802.15.3a • DISEÑO • TECNOLOGÍA • SIMULACIÓN DE LOS LNAs • IMPLEMENTACIÓN DE LOS LNAs • CONCLUSIONES ÍNDICE INTRODUCCIÓN DISEÑO TECNOLOGÍA SIMULACIÓN IMPLEMENTACIÓN CONCLUSIONES DISEÑO DE UN LNA DE ULTRA BANDA ANCHA TIPO CASCODO DOBLADO EN TECNOLOGÍA CMOS 0.18 µm 3/37 SERGIO ROSINO RINCÓN
- 4. Movilidad frente a la tasa binaria en redes inalámbricas Actualmente: • Las tecnologías inalámbricas tienen muchos usos prácticos • El mercado demanda tecnologías WPAN más veloces => UWB Mercado de las Comunicaciones Inalámbricas INTRODUCCIÓN DISEÑO TECNOLOGÍA SIMULACIÓN IMPLEMENTACIÓN CONCLUSIONES DISEÑO DE UN LNA DE ULTRA BANDA ANCHA TIPO CASCODO DOBLADO EN TECNOLOGÍA CMOS 0.18 µm 4/37 SERGIO ROSINO RINCÓN
- 5. Características del Tx-Rx para UWB (MBOA) Banda de Trabajo 3.1-10.6 GHz Sub Bandas 528 MHz Tipo de Modulación QPSK-OFDM 128 Tasa Binaria 53.3-480 Mb/s Transmisor-receptor para UWB Estándar IEEE 802.15.3a INTRODUCCIÓN DISEÑO TECNOLOGÍA SIMULACIÓN IMPLEMENTACIÓN CONCLUSIONES DISEÑO DE UN LNA DE ULTRA BANDA ANCHA TIPO CASCODO DOBLADO EN TECNOLOGÍA CMOS 0.18 µm 5/37 SERGIO ROSINO RINCÓN
- 6. Receptor para UWB Estándar IEEE 802.15.3a INTRODUCCIÓN DISEÑO TECNOLOGÍA SIMULACIÓN IMPLEMENTACIÓN CONCLUSIONES DISEÑO DE UN LNA DE ULTRA BANDA ANCHA TIPO CASCODO DOBLADO EN TECNOLOGÍA CMOS 0.18 µm 6/37 SERGIO ROSINO RINCÓN Requisitos del LNA Adaptación de Entrada S11 < -10 dB Adaptación de Salida S22 < -10 dB Ganancia ↑S21 Figura de Ruido NF < 4 dB
- 7. ÍNDICE INTRODUCCIÓN DISEÑO TECNOLOGÍA SIMULACIÓN IMPLEMENTACIÓN CONCLUSIONES DISEÑO DE UN LNA DE ULTRA BANDA ANCHA TIPO CASCODO DOBLADO EN TECNOLOGÍA CMOS 0.18 µm 7/37 SERGIO ROSINO RINCÓN • INTRODUCCIÓN • DISEÑO – Arquitecturas de los LNAs – LNA Cascodo de Banda Estrecha – LNA Cascodo de Banda Ancha – LNA Cascodo Doblado de Banda Ancha • TECNOLOGÍA • SIMULACIÓN DE LOS LNAs • IMPLEMENTACIÓN DE LOS LNAs • CONCLUSIONES
- 8. AMPLIFICADOR CASCODO: Amplificador Cascodo Doblado Amplificador Cascodo +Buena respuesta en alta frecuencia +Alto nivel de aislamiento -Estrechamiento del margen dinámico de salida +Buena respuesta en alta frecuencia +Alto nivel de aislamiento -Área del circuito REQUSITOS 1. Canalizar ISeñal de M1 hacia M2 2. Minimizar el efecto Miller (CGC-M1) AMPLIFICADOR CASCODO DOBLADO: Arquitecturas de los LNAs INTRODUCCIÓN DISEÑO TECNOLOGÍA SIMULACIÓN IMPLEMENTACIÓN CONCLUSIONES DISEÑO DE UN LNA DE ULTRA BANDA ANCHA TIPO CASCODO DOBLADO EN TECNOLOGÍA CMOS 0.18 µm 8/37 SERGIO ROSINO RINCÓN
- 9. DEGENERACIÓN INDUCTIVA +Mínima figura de ruido +Máxima transferencia de potencia -Área del circuito Red de Adaptación de Entrada Amplificador Cascodo de Banda Estrecha Impedancia de Entrada Frecuencia de Interés Factor de Ruido LNA Cascodo de Banda Estrecha INTRODUCCIÓN DISEÑO TECNOLOGÍA SIMULACIÓN IMPLEMENTACIÓN CONCLUSIONES DISEÑO DE UN LNA DE ULTRA BANDA ANCHA TIPO CASCODO DOBLADO EN TECNOLOGÍA CMOS 0.18 µm 9/37 SERGIO ROSINO RINCÓN
- 10. +Bajo nivel de ruido -Área del circuito TANQUE LC Amplificador Cascodo de Banda Estrecha Red de Carga Frecuencia de Interés Impedancia de Carga LNA Cascodo de Banda Estrecha INTRODUCCIÓN DISEÑO TECNOLOGÍA SIMULACIÓN IMPLEMENTACIÓN CONCLUSIONES DISEÑO DE UN LNA DE ULTRA BANDA ANCHA TIPO CASCODO DOBLADO EN TECNOLOGÍA CMOS 0.18 µm 10/37 SERGIO ROSINO RINCÓN +Mínima figura de ruido +Máxima transferencia de potencia -Área del circuito DEGENERACIÓN INDUCTIVA
- 11. ETAPA SEGUIDORA DE FUENTE +Buena respuesta en frecuencia Amplificador Cascodo de Banda Estrecha +Bajo nivel de ruido -Área del circuito TANQUE LC Espejo de Corriente LNA Cascodo de Banda Estrecha INTRODUCCIÓN DISEÑO TECNOLOGÍA SIMULACIÓN IMPLEMENTACIÓN CONCLUSIONES DISEÑO DE UN LNA DE ULTRA BANDA ANCHA TIPO CASCODO DOBLADO EN TECNOLOGÍA CMOS 0.18 µm 11/37 SERGIO ROSINO RINCÓN +Mínima figura de ruido +Máxima transferencia de potencia -Área del circuito DEGENERACIÓN INDUCTIVA
- 12. Amplificador Cascodo de Banda Ancha Factor de Ruido DEGENERACIÓN INDUCTIVA +Mínima figura de ruido +Máxima transferencia de potencia -Área del circuito ETAPA SEGUIDORA DE FUENTE +Buena respuesta en frecuencia Impedancia de Entrada Ideal LNA Cascodo de Banda Ancha INTRODUCCIÓN DISEÑO TECNOLOGÍA SIMULACIÓN IMPLEMENTACIÓN CONCLUSIONES DISEÑO DE UN LNA DE ULTRA BANDA ANCHA TIPO CASCODO DOBLADO EN TECNOLOGÍA CMOS 0.18 µm 12/37 SERGIO ROSINO RINCÓN
- 13. Ancho de Banda Relativo Red de Adaptación de Entrada •FILTRO RC PASO BAJO 2º •FILTRO RC PASO ALTO 2º Amplificador Cascodo de Banda Ancha FILTRO LC DE 4º LNA Cascodo de Banda Ancha INTRODUCCIÓN DISEÑO TECNOLOGÍA SIMULACIÓN IMPLEMENTACIÓN CONCLUSIONES DISEÑO DE UN LNA DE ULTRA BANDA ANCHA TIPO CASCODO DOBLADO EN TECNOLOGÍA CMOS 0.18 µm 13/37 SERGIO ROSINO RINCÓN Banda de Interés +Área pequeña +Bajo nivel de ruido - Existe un conflicto de diseño con Cgs y LS
- 14. Amplificador Cascodo de Banda Ancha Red de Carga Banda de Interés Impedancia de Carga Respuesta en frecuencia SHUNT-PEAKING +Buen Ancho de Banda(1.85BWRC) -Área del Circuito +Área pequeña +Bajo nivel de ruido - Existe un conflicto de diseño con Cgs y LS FILTRO LC DE 4º LNA Cascodo de Banda Ancha INTRODUCCIÓN DISEÑO TECNOLOGÍA SIMULACIÓN IMPLEMENTACIÓN CONCLUSIONES DISEÑO DE UN LNA DE ULTRA BANDA ANCHA TIPO CASCODO DOBLADO EN TECNOLOGÍA CMOS 0.18 µm 14/37 SERGIO ROSINO RINCÓN
- 15. Amplificador Cascodo Doblado de Banda Ancha REQUISITOS 2. Reducir el efecto Miller 1. Canalizar ISeñal de M1 hacia M2 LNA Cascodo Doblado de Banda Ancha INTRODUCCIÓN DISEÑO TECNOLOGÍA SIMULACIÓN IMPLEMENTACIÓN CONCLUSIONES DISEÑO DE UN LNA DE ULTRA BANDA ANCHA TIPO CASCODO DOBLADO EN TECNOLOGÍA CMOS 0.18 µm 15/37 SERGIO ROSINO RINCÓN
- 16. SHUNT-PEAKING +Buen ancho de banda(1.85BWRC) -Área del circuito +Área pequeña +Bajo nivel de ruido - Existe un conflicto de diseño con Cgs y LS FILTRO LC DE 4º ETAPA SEGUIDORA DE FUENTE +Buena respuesta en frecuencia LNA Cascodo Doblado de Banda Ancha INTRODUCCIÓN DISEÑO TECNOLOGÍA SIMULACIÓN IMPLEMENTACIÓN CONCLUSIONES DISEÑO DE UN LNA DE ULTRA BANDA ANCHA TIPO CASCODO DOBLADO EN TECNOLOGÍA CMOS 0.18 µm 16/37 SERGIO ROSINO RINCÓN Amplificador Cascodo Doblado de Banda Ancha
- 17. ÍNDICE INTRODUCCIÓN DISEÑO TECNOLOGÍA SIMULACIÓN IMPLEMENTACIÓN CONCLUSIONES DISEÑO DE UN LNA DE ULTRA BANDA ANCHA TIPO CASCODO DOBLADO EN TECNOLOGÍA CMOS 0.18 µm 17/37 SERGIO ROSINO RINCÓN • INTRODUCCIÓN • DISEÑO • TECNOLOGÍA – Tecnología UMC 0.18 µm CMOS • SIMULACIÓN DE LOS LNAs • IMPLEMENTACIÓN DE LOS LNAs • CONCLUSIONES
- 18. Pad Transistor CMOS Condensador Bobina Resistencia Componente Parámetros Rango Componente Parámetros Rango Condensador Ancho y Largo 10-60 µm Bobina Nº de Espiras 1.5-5.5 Capacidad 0.1-4.92 pF Diámetro 126-238 µm Resistencia Ancho y Largo 2-20 µm Inducción 0.56-12.6 nH Resistencia 0.13-12 KΩ Transistor Nº de Fingers 5:1:21 Pad Índice 1-5 Pad Ancho y Largo 65-XX µm Tecnología UMC 0.18 µm CMOS INTRODUCCIÓN DISEÑO TECNOLOGÍA SIMULACIÓN IMPLEMENTACIÓN CONCLUSIONES DISEÑO DE UN LNA DE ULTRA BANDA ANCHA TIPO CASCODO DOBLADO EN TECNOLOGÍA CMOS 0.18 µm 18/37 SERGIO ROSINO RINCÓN
- 19. ÍNDICE INTRODUCCIÓN DISEÑO TECNOLOGÍA SIMULACIÓN IMPLEMENTACIÓN CONCLUSIONES DISEÑO DE UN LNA DE ULTRA BANDA ANCHA TIPO CASCODO DOBLADO EN TECNOLOGÍA CMOS 0.18 µm 19/37 SERGIO ROSINO RINCÓN • INTRODUCCIÓN • DISEÑO • TECNOLOGÍA • SIMULACIÓN DE LOS LNAs – LNA Cascodo de Banda Estrecha – LNA Cascodo de Banda Ancha – LNA Cascodo Doblado de Banda Ancha – LNAs Cascodo vs Cascodo Doblado • IMPLEMENTACIÓN DE LOS LNAs • CONCLUSIONES
- 20. NF(VBias1) a 10.4GHz Rn(WM1) a 10.4 GHz LNA Cascodo de Banda Estrecha LNA Cascodo de Banda Estrecha INTRODUCCIÓN DISEÑO TECNOLOGÍA SIMULACIÓN IMPLEMENTACIÓN CONCLUSIONES DISEÑO DE UN LNA DE ULTRA BANDA ANCHA TIPO CASCODO DOBLADO EN TECNOLOGÍA CMOS 0.18 µm 20/37 SERGIO ROSINO RINCÓN Máxima transferencia de potencia y NFMIN: 1. Polarizar y dimensionar el transistor M1 para NFMIN 2. Aplicar degeneración inductiva
- 21. S11 ( f ) S11(LS) a 10.4 GHz LNA Cascodo de Banda Estrecha NF( f ) para LS (0:0.2:1) nH LNA Cascodo de Banda Estrecha INTRODUCCIÓN DISEÑO TECNOLOGÍA SIMULACIÓN IMPLEMENTACIÓN CONCLUSIONES DISEÑO DE UN LNA DE ULTRA BANDA ANCHA TIPO CASCODO DOBLADO EN TECNOLOGÍA CMOS 0.18 µm 21/37 SERGIO ROSINO RINCÓN
- 22. LNA Cascodo de Banda Estrecha S22 ( f ) S11 ( f ) NF ( f ) LNA Cascodo de Banda Estrecha INTRODUCCIÓN DISEÑO TECNOLOGÍA SIMULACIÓN IMPLEMENTACIÓN CONCLUSIONES DISEÑO DE UN LNA DE ULTRA BANDA ANCHA TIPO CASCODO DOBLADO EN TECNOLOGÍA CMOS 0.18 µm 22/37 SERGIO ROSINO RINCÓN
- 23. LNA Cascodo de Banda Ancha S11( f ) para CAUX(0:0.25:1) pF LNA Cascodo de Banda Ancha INTRODUCCIÓN DISEÑO TECNOLOGÍA SIMULACIÓN IMPLEMENTACIÓN CONCLUSIONES DISEÑO DE UN LNA DE ULTRA BANDA ANCHA TIPO CASCODO DOBLADO EN TECNOLOGÍA CMOS 0.18 µm 23/37 SERGIO ROSINO RINCÓN NF( f ) para CAUX(0:0.25:1) pF
- 24. LNA Cascodo de Banda Ancha INTRODUCCIÓN DISEÑO TECNOLOGÍA SIMULACIÓN IMPLEMENTACIÓN CONCLUSIONES DISEÑO DE UN LNA DE ULTRA BANDA ANCHA TIPO CASCODO DOBLADO EN TECNOLOGÍA CMOS 0.18 µm 24/37 SERGIO ROSINO RINCÓN S21 ( f ) NF ( f ) S11 ( f ) S22 ( f )
- 25. NF ( f ) para LT1(2.5:0.5:3.5) nH LNA Cascodo Doblado de Banda Ancha S21( f ) para CC(0.3:0.1:0.9) pF LNA Cascodo Doblado de Banda Ancha INTRODUCCIÓN DISEÑO TECNOLOGÍA SIMULACIÓN IMPLEMENTACIÓN CONCLUSIONES DISEÑO DE UN LNA DE ULTRA BANDA ANCHA TIPO CASCODO DOBLADO EN TECNOLOGÍA CMOS 0.18 µm 25/37 SERGIO ROSINO RINCÓN
- 26. LNA Cascodo Doblado de Banda Ancha INTRODUCCIÓN DISEÑO TECNOLOGÍA SIMULACIÓN IMPLEMENTACIÓN CONCLUSIONES DISEÑO DE UN LNA DE ULTRA BANDA ANCHA TIPO CASCODO DOBLADO EN TECNOLOGÍA CMOS 0.18 µm 26/37 SERGIO ROSINO RINCÓN S21 ( f ) NF ( f ) S11 ( f ) S22 ( f )
- 27. LNAs Cascodo vs Cascodo Doblado INTRODUCCIÓN DISEÑO TECNOLOGÍA SIMULACIÓN IMPLEMENTACIÓN CONCLUSIONES DISEÑO DE UN LNA DE ULTRA BANDA ANCHA TIPO CASCODO DOBLADO EN TECNOLOGÍA CMOS 0.18 µm 27/37 SERGIO ROSINO RINCÓN S21 ( f ) NF ( f ) S11 ( f ) S22 ( f )
- 28. ÍNDICE INTRODUCCIÓN DISEÑO TECNOLOGÍA SIMULACIÓN IMPLEMENTACIÓN CONCLUSIONES DISEÑO DE UN LNA DE ULTRA BANDA ANCHA TIPO CASCODO DOBLADO EN TECNOLOGÍA CMOS 0.18 µm 28/37 SERGIO ROSINO RINCÓN • INTRODUCIÓN • DISEÑO • TECNOLOGÍA • SIMULACIÓN DE LOS LNAs • IMPLEMENTACIÓN DE LOS LNAs – Layout del LNA Cascodo de Banda Ancha – Layout del LNA Cascodo Doblado de Banda Ancha – Valores de los Componentes de los LNAs • CONCLUSIONES
- 29. Layout LNA Cascodo Transistores Buffer de Salida Layout del LNA Cascodo de Banda Ancha INTRODUCCIÓN DISEÑO TECNOLOGÍA SIMULACIÓN IMPLEMENTACIÓN CONCLUSIONES DISEÑO DE UN LNA DE ULTRA BANDA ANCHA TIPO CASCODO DOBLADO EN TECNOLOGÍA CMOS 0.18 µm 29/37 SERGIO ROSINO RINCÓN
- 30. Layout del LNA Cascodo de Banda Ancha INTRODUCCIÓN DISEÑO TECNOLOGÍA SIMULACIÓN IMPLEMENTACIÓN CONCLUSIONES DISEÑO DE UN LNA DE ULTRA BANDA ANCHA TIPO CASCODO DOBLADO EN TECNOLOGÍA CMOS 0.18 µm 30/37 SERGIO ROSINO RINCÓN S21 ( f ) NF ( f ) S11 ( f ) S22 ( f )
- 31. Buffer de Salida Layout LNA Cascodo Doblado Transistores Layout del LNA Cascodo Doblado de Banda Ancha INTRODUCCIÓN DISEÑO TECNOLOGÍA SIMULACIÓN IMPLEMENTACIÓN CONCLUSIONES DISEÑO DE UN LNA DE ULTRA BANDA ANCHA TIPO CASCODO DOBLADO EN TECNOLOGÍA CMOS 0.18 µm 31/37 SERGIO ROSINO RINCÓN
- 32. Layout del LNA Cascodo Doblado de Banda Ancha INTRODUCCIÓN DISEÑO TECNOLOGÍA SIMULACIÓN IMPLEMENTACIÓN CONCLUSIONES DISEÑO DE UN LNA DE ULTRA BANDA ANCHA TIPO CASCODO DOBLADO EN TECNOLOGÍA CMOS 0.18 µm 32/37 SERGIO ROSINO RINCÓN S11 ( f ) S22 ( f ) S21 ( f ) NF ( f )
- 33. Cambiar tabla estandar LNA C. LNA C.D. LNA C. LNA C.D. L1 1.774 nH 2.0749 nH CIN 2.01 pF 1.75 pF C1 0 F 0 F COUT 2.921 pF 1.75 nH WM1 170 µm 170 µm WM2 80 µm 80 µm WM3 60 µm 60 µm VBias1 0.8 V 0.8 V VBias2 2.6 V 1.1 V VBias3 0.6 V 0.6 V CAUX 500 fF 265 fF LS 567.94 pH 567.94 pH IBias1 9.163 mA 9.207 mA IBias2 9.163 mA 9.516 mA IBuffer 16.03 mA 15.94 mA Vdd 3.6 V 1.8 V RL 59 Ω 45 Ω LL 1.862 nH 2.124 nH CBuffer 2.9797 pF 2.4999 pF CC --------- 0.6 V LT1 --------- 3.49947 nH LT2 --------- 2.9085 nH Consumo 32.99 mW 33.70 mW Área del Chip 0.734 µm2 0.817 µm2 Valores de los Componentes de los LNAs INTRODUCCIÓN DISEÑO TECNOLOGÍA SIMULACIÓN IMPLEMENTACIÓN CONCLUSIONES DISEÑO DE UN LNA DE ULTRA BANDA ANCHA TIPO CASCODO DOBLADO EN TECNOLOGÍA CMOS 0.18 µm 33/37 SERGIO ROSINO RINCÓN
- 34. ÍNDICE INTRODUCCIÓN DISEÑO TECNOLOGÍA SIMULACIÓN IMPLEMENTACIÓN CONCLUSIONES DISEÑO DE UN LNA DE ULTRA BANDA ANCHA TIPO CASCODO DOBLADO EN TECNOLOGÍA CMOS 0.18 µm 34/37 SERGIO ROSINO RINCÓN • INTRODUCIÓN • DISEÑO • TECNOLOGÍA • SIMULACIÓN DE LOS LNAs • IMPLEMENTACIÓN DE LOS LNAs • CONCLUSIONES – Logros – Continuación
- 35. • A falta de las medidas, los diseños planteados están a la altura de diseños similares propuestos por el resto de la comunidad científica • Se ha comparado ambos LNAs demostrando que pese a trabajar con diferentes Vdd las prestaciones de estas son muy similares • No se ha podido obtener un LNA que cumpla con las restricciones de ruido del receptor para UWB propuesto REFERENCIA S11 [dB] S22 [dB] S21 [dB] NF [dB] B [GHz] IIP3 P [mW] Área [µm2] Cascodo < - 9.9 < - 10 6.1-9.05 4.6-8.3 3.1~10.6 9.8 32.99 0.738 Cascodo D. < - 10 < - 12 5.5-8.4 4.5-7.3 3.1~10.6 10 33.70 0,817 [22] < - 9.5 N/A 4.7-13.2 4.5-7.6 3.1~10.6 1.4 23 1.421 [23] < - 6.7 N/A 8.5-10.5 5.3-6.3 3.1~10.6 12 29.1 0.82 [24] < - 8.6 < - 8 7.4-11.9 5-5.6 3.1~10.6 13 9.4 0.92 [25] < - 9.7 < - 8.4 10-11 4-5.2 3.1~10.6 0.72 22.7 0.447 [13] < - 9.9 < - 9.3 4.2-9.3 4-9.8 2.3~9.2 -6.7 9 N/A [14] < - 8 < - 9 6.5-8.1 4.3-6.1 0.6~22 N/A 52 1.935 Logros INTRODUCCIÓN DISEÑO TECNOLOGÍA SIMULACIÓN IMPLEMENTACIÓN CONCLUSIONES DISEÑO DE UN LNA DE ULTRA BANDA ANCHA TIPO CASCODO DOBLADO EN TECNOLOGÍA CMOS 0.18 µm 35/37 SERGIO ROSINO RINCÓN
- 36. Eliminar CAUX Adaptar el valor de LS Bonding Wire Inductor Red de Adaptación de Entrada Chebyshev 6º Trabajar en el Modo 2 de UWB Modos de Trabajo para UWB Continuación INTRODUCCIÓN DISEÑO TECNOLOGÍA SIMULACIÓN IMPLEMENTACIÓN CONCLUSIONES DISEÑO DE UN LNA DE ULTRA BANDA ANCHA TIPO CASCODO DOBLADO EN TECNOLOGÍA CMOS 0.18 µm 36/37 SERGIO ROSINO RINCÓN
- 37. GRACIAS POR SU ATENCIÓN ¿Preguntas? DISEÑO DE UN LNA DE ULTRA BANDA ANCHA TIPO CASCODO DOBLADO EN TECNOLOGÍA CMOS 0.18 µm 37/37 SERGIO ROSINO RINCÓN