2. El transistor es un dispositivo
electrónico semiconductor utilizado
para producir una señal de salida en
respuesta a otra señal de entrada. 1
Cumple funciones de amplificador,
oscilador, conmutador o rectificador.
El término «transistor» es la
contracción en inglés de transfer
resistor («resistencia de
transferencia»). Actualmente se
encuentran prácticamente en todos
los aparatos electrónicos de uso
diario: radios, televisores,
reproductores de audio y video,
relojes de cuarzo, computadoras,
lámparas fluorescentes, tomógrafos,
teléfonos celulares, etc.

3.  Transistor de contacto puntual: Llamado también
«transistor de punta de contacto», fue el primer
transistor capaz de obtener ganancia.
 Transistor de unión bipolar: se fabrica básicamente
sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro
de galio, que tienen cualidades de semiconductores,
estado intermedio entre conductores como los
metales y los aislantes como el diamante.
 Transistor de efecto de campo: Lo forma una barra
de material semiconductor de silicio de tipo N o P.
 Fototransistor: son sensibles a la radiación
electromagnética en frecuencias cercanas a la de la
luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede
ser regulado por medio de la luz incidente.

5. El transistor de efecto campo (Field-EffectTransistor o FET, en
inglés) es en realidad una familia de transistores que se basan
en el campo eléctrico para controlar la conductividad de un
"canal" en un material semiconductor. Los FET pueden
plantearse como resistencias controladas por diferencia de
potencial.
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador
(drain) y fuente (source). La puerta es la terminal equivalente a
la base del BJT. Así como los transistores bipolares se dividen
en NPN y PNP, los de efecto de campo o FET son también de
dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicación de
una tensión positiva en la puerta pone al transistor en estado
de conducción o no conducción, respectivamente.

6. Por esto, el JFET es
un dispositivo
controlado por
tensión y no por
corriente. Casi todos
los electrones que
pasan a través del
canal creado entre
las zonas de
deplexión van al
drenaje, por lo que la
corriente de drenaje
es igual a la corriente
de fuente .

8. Son las siglas de Metal Oxide Semiconductor
Field EffectTransistor. Consiste en un
transistor de efecto de campo basado en la
estructura MOS. Es el transistor más utilizado
en la industria microelectrónica. La práctica
totalidad de los circuitos integrados de uso
comercial están basados en transistores
MOSFET.

11. El JFET de canal n está constituido por una barra de silicio
de material semiconductor de tipo n con dos regiones
(islas) de material tipo p situadas a ambos lados. Es un
elemento tri-terminal cuyos terminales se denominan
drenador (drain), fuente (source) y puerta (gate).
La polarización de un JFET exige que las uniones p-n
estén inversamente polarizadas. En un JFET de canal n, o
NJFET, la tensión de drenador debe ser mayor que la de la
fuente para que exista un flujo de corriente a través de
canal. Además, la puerta debe tener una tensión más
negativa que la fuente para que la unión p-n se encuentre
polarizado inversamente.

12. Las curvas de características eléctricas de un JFET son
muy similares a las curvas de los transistores bipolares.
Sin embargo, los JFET son dispositivos controlados por
tensión a diferencia de los bipolares que son
dispositivos controlados por corriente.
Por ello, en el JFET intervienen como parámetros: ID
(intensidad drain o drenador a source o fuente),VGS
(tensión gate o puerta a source o fuente) yVDS (tensión
drain o drenador a source o fuente). Se definen cuatro
regiones básicas de operación: corte, lineal, saturación
y ruptura. A continuación se realiza una descripción
breve de cada una de estas regiones para el caso de un
NJFET.

13.  Es un tipo de transistor compuesto por una
barra de silicio tipo N o P en cuyos extremos
se tienen los terminales Base 1 (B1) y Base 2
(B2). En un punto de la barra más próximo a
B2 se incrusta un material de tipo P o N dando
lugar al terminal de emisor.

14. Símbolo 2N6027G 2N6028
Urmax [V] 40 40
Potencia [mW] 350 350
U(ob1)min [V] 6 6
I(p)max [µA] - -
I(a) [mA] 150 150
I(v) [mA] 70 25
R(bbo) [kΩ] - -
Carcasa
-TO92 x x

17. El pequeño tamaño del transistor, de alta eficiencia y bajo
costo, ayudó a acelerar el progreso en la computadora, la
radio y la televisión en el siglo 20.
El emisor está altamente impurificado y su función consiste
en emitir o inyectar electrones en la base. La base está
ligeramente impurificada y es muy delgada; por ella pasa la
mayor parte de los electrones inyectados por el emisor y
que se dirigen hacia el colector. El nivel de impurificación
de éste es intermedio y se le da ese nombre porque recibe
o capta los electrones provenientes de la base; el colector
es la mayor de las tres regiones y disipa más calor que el
emisor o la base. El transistor npn tiene dos uniones, una
entre el emisor y la base y otra entre la base y el colector.
Por esto, un transistor es similar a dos diodos: el de la
izquierda diodo emisor-base, o simplemente diodo-emisor,
y el de la derecha es el diodo colector-base, o diodo-

20. Componente electrónico
diseñado para controlar
principalmente altas
potencias, en su diseño está
compuesto por un transistor
bipolar de unión BJT y
transistor de efecto de campo
de metal oxido
semiconductor MOSFET.

21.  ICmax Limitada por efecto Latch-up.
 VGEmax Limitada por el espesor del óxido de silicio.
 Se diseña para que cuandoVGE =VGEmax la corriente de
cortocircuito sea entre 4 a 10 veces la nominal (zona activa con
VCE=Vmax) y pueda soportarla durante unos 5 a 10 us. y pueda
actuar una protección electrónica cortando desde puerta.
 VCEmax es la tensión de ruptura del transistor pnp. Como α es
muy baja, seráVCEmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con
valores de 600, 1.200, 1.700, 2.100 y 3.300 voltios. (anunciados de
6.5 kV).
 La temperatura máxima de la unión suele ser de 150ºC (con SiC se
esperan valores mayores)
 Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400
o 600 Amp.

23.  Aiko Int.
 A y B Industrial y Comercial Ltda.
 AG Electrónica S.A. de C.V. Componentes
profesionales
 AD Electronics S.A.
 Alfaled
 ASC Electronica S.A.