Transistores y tipos de tansistores

1. TRANSISTORES
Dispositivo semiconductor que permite el control y la regulación de una corriente
grande mediante una señal muy pequeña. El Transistor es un componente electrónico
formado por materiales semiconductores, de uso muy habitual pues lo encontramos
presente en cualquiera de los aparatos de uso cotidiano como las radios, alarmas,
automóviles, ordenadores, etc.
El transistor, fue inventado en 1951, es el componente electrónico estrella, pues inició
una auténtica revolución en la electrónica que ha superado cualquier previsión inicial.
También se llama Transistor Bipolar o Transistor Electrónico.
Existe una gran variedad de transistores.

2. SIMBOLOS DEL TRANSISTOR

3. FORMA FISICA

4. CARACTERISTICAS DEL TRANSISTOR 2345 - NPN
Este transistor tiene las siguientes características:
voltaje colector – base 120v, voltaje colector emisor 120v,voltaje base con emisor 5v,
corriente máximo del colector 6 amp, corriente máximo de base 150map, potencia
máximo de disipación 60 watts, corriente de ganancia (hfe) 750 min
ECG2345

5. CARACTERISTICAS DEL TRANSISTOR 2345 - PNP
Este transistor tiene las siguientes características:
voltaje colector – base 120v, voltaje colector emisor 120v,voltaje base con emisor 5v,
corriente máximo del colector 6 amp, corriente máximo de base 150map, potencia
máximo de disipación 60 watts, corriente de ganancia (hfe) 750 min
ECG2346
Nos damos cuenta que el transistor código 2346 tiene las mismas características
del transistor NPN del código 2345

6. TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR
El transistor de unión bipolar (o BJT, por sus siglas del inglés Bipolar Junction Transistor) se
fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que
tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los
metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en
forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP,
quedando formadas dos uniones NP.
La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de
aceptadores o «huecos» (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos
aceptadores P al indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arseniuro (As) o
Fosforo (P).
La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la
letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y las otras dos al
emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen
diferente contaminación entre ellas (por lo general, el emisor está mucho más contaminado
que el colector).

7. SIMBOLO DEL TRANSISTOR NPN

8. FOTOTRANSISTOR
Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, sólo que
puede trabajar de 2 maneras diferentes:
Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común)
Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de
corriente de base. (IP) (modo de iluminación).
Se pueden utilizar las dos en forma simultánea, aunque el fototransistor se utiliza
principalmente con la patita de la base sin conectar. (IB = 0)
La corriente de base total es igual a corriente de base (modo común) + corriente
de base (por iluminación): IBT = IB + IP
Si se desea aumentar la sensibilidad del fototransistor, debido a la baja
iluminación, se puede incrementar la corriente de base (IB), con ayuda de
polarización externa

9. SÍMBOLO DEL FOTOTRANSISTOR

10. FORMA FÍSICA DEL FOTOTRANSISTOR

11. TRANSISTOR DARLINGTON.
El transistor Darlington es un tipo especial de transistor que tiene una alta ganancia de
corriente.
Está compuesto internamente por dos transistor bipolares que se conectan es cascada.
El transistor T1 entrega la corriente que sale por su emisor a la base del transistor T2

12. La ecuación de ganancia de un transistor típico es: IE= β x IB (Corriente de colector es
igual a beta
por la corriente de base).
Entonces analizando el gráfico:
- Ecuación del primer transistor es: IE1 = β1 x IB1 (1),
- Ecuación del segundo transistor es: IE2 = β2 x IB2 (2)
Observando el gráfico, la corriente de emisor del transistor (T1) es la misma que la
corriente de base
del transistor T2.
Entonces IE1 = IB2 (3)
Entonces utilizando la ecuación (2) y la ecuación (3) se obtiene:
IE2 = β2 x IB2 = β2 x IE1
Reemplazando en la ecuación anterior el valor de IE1 (ver ecuación (1) ) se obtiene la
ecuación final de

13. ganancia del transistor Darlington.
IE2 = β2 x β1 x IB1
Como se puede deducir, este amplificador tiene una ganancia mucho mayor que la
de un transistor corriente,
pues aprovecha la ganancia de los dos transistores. ( la ganancias se
multiplican).
Se utilizan ampliamente en circuitos en donde es necesario controlar cargas
grandes con corrientes muy pequeñas.
Muy importante:
La caída de tensión entre la base y el emisor del transistor Darlington es 1.4
voltios que resulta de la suma de
las caídas de tensión de base a emisor del primer transistor B1 a E1 (0.7 voltios) y
base a emisor del segundo
transistor B2 y E2 (0.7 voltios).

14. TRANSISTORES MOSFET
Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son
dispositivos de efecto de campo que utilizan un campo eléctrico para crear una
canal de conducción.
Son dispositivos más importantes que los JFET ya que la mayor parte de los
circuitos integrados digitales se construyen con la tecnología MOS.
Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N o NMOS y MOSFET
de canal P o PMOS. A su vez, estos transistores pueden ser de acumulación
(enhancement) o deplexion (deplexion); en la actualidad los segundos están
prácticamente en desuso y aquí únicamente serán descritos los MOS de
acumulación también conocidos como de enriquecimiento.

15. LOS DIFERENTES SÍMBOLOS UTILIZADOS PARA DESCRIBIR LOS
TRANSISTORES MOS.

16. ESTRUCTURA FISICA DE UN TRANSISTROR NMOS

17. TRANSISTOR FET (FIELD EFFECT TRANSISTOR)
El transistor FET es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un canal
semiconductor, aplicando un campo eléctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente.
El transistor FET está compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones
con impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que están unidas entre si.
Los terminales de este tipo de transistor se llaman Drenador (drain), Fuente (source) y el tercer
terminal es la compuerta (gate) .
La región que existe entre el drenador y la fuente y que es el camino obligado de los electrones se
llama "canal". La corriente circula de Drenaje (D) a Fuente (S). Ver el gráfico.

18. Este tipo de transistor se polariza de manera diferente al transistor
bipolar. El terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto
al terminal de fuente (Vdd) y la compuerta o gate se polariza
negativamente con respecto a la fuente (-Vgg).
A mayor voltaje -Vgg, más angosto es el canal y más difícil para la
corriente pasar del terminal drenador (drain) al terminal fuente o
source. La tensión -Vgg para la que el canal queda cerrado se llama
"punch-off" y es diferente para cada FET
El transistor de juntura bipolar es un dispositivo operado por corriente
y requieren que halla cambios en la corriente de base para producir
cambios en la corriente de colector. El transistor FET es controlado por
tensión y los cambios en tensión de la compuerta (gate) a fuente (Vgs)
modifican la región de rarefacción y causan que varíe el ancho del
canal.

19. LOS SÍMBOLOS DEL FET Y FORMA FISICA

20. CARACTERISTICAS TECNICAS
ECG
TYPO
DESCRIP
AND
APPLICATI
ON
CLLECTOR TO
BASE VLOTS
BV CBO
CLLECTOR
TO EMITTER
VLOTS BV
CEO
BASE TO
EMITTER
VOLTS
BVCEO
MAX
COLLECTOR
CURRENT IC
Amps
Max.
Device
diss. Pd
watts
Frq.
In
MHZ
ft
Curre
nt
Gain
hFE
ECG130
NPN-Si,
AF power
Amp 100 60 7 15 115 800 40 typ

21. CURVA CARACTERÍSTICA DEL TRANSISTOR FET
Este gráfico muestra que al aumentar el voltaje Vds (voltaje drenador - fuente), para un Vgs
(voltaje de compuerta) fijo, la corriente aumenta rápidamente (se comporta como una
resistencia) hasta llegar a un punto A (voltaje de estricción), desde donde la corriente se
mantiene casi constante hasta llegar a un punto B (entra en la región de disrupción o
ruptura), desde donde la corriente aumenta rápidamente hasta que el transistor se
destruye.