2. MEMORIAS DE UN
COMPUTADOR
La memoria es la parte del ordenador en la
que se guardan o almacenan los programas.
Sin una memoria de la que los procesadores
leyeran o escribieran la información, no
habría ordenadores digitales de programa
almacenado.

3. Escritura o
almacenamiento.
Donde El
Significado De Cada
Línea Es El
Siguiente:
Entrada/Salida de
datos
Lectura.
Dirección

4. CARACTERÍSTICAS DE
LAS MEMORIAS.
VOLATILIDAD.
Se dice que una memoria es
volátil
si
la
información
almacenada desaparece si se
corta
la
alimentación
eléctrica.
Acceso
Aleatorio
TIEMPO DE ACCESO.
Acceso
secuencial:

5. CAPACIDAD.
CAUDAL.
Se denomina capacidad de
una memoria a la cantidad
de información que puede
almacenar
El
caudal
se
expresa
generalmente
en
Kinformaciones
o
megainformaciones por segundo.
Por ejemplo, se habla de un
caudal de megabytes por
segundo.

6. SE
PUEDEN
E S TA B LE C E R
D IS T I N TA S
C LA S I F I CAC I ON E S , AT E N D IE N D O A D IS T IN TOS
C RIT E RI OS . A LG U N A S D E É S TA S S ON LA S
S I G U IE N T E S .
CLASIFICACIONES
 Según el tiempo de permanencia.
 Según la forma de acceso.
 Según la mínima información
accesible.
CLASIFICACION
DE MEMORIAS

7. SEGÚN EL TIEMPO DE
PERMANENCIA.
NO VOLÁTIL O
DURADERA.
Se refiere al tiempo que
permanece la información graba
en la memoria:
Una vez escrito un punto de memoria, su
información no se borra hasta que se vuelva a
escribir sobre él. Por ejemplo los medios
magnéticos.
:
VOLÁTIL.
CON REFRESCO.
Permanente o de sólo
lectura
La información desaparece si se deja de
suministrar energía a la memoria. Por ejemplo, las
memorias de semiconductores.
Aunque la memoria esté alimentada, su
información se va degradando paulatinamente,
llegando un momento en que no se puede leer
correctamente. Para que este tipo de memorias
sean útiles deben refrescarse periódicamente
(memorias muertas o pasivas). Son aquellas que
contienen siempre la misma información y no
pueden borrarse

8. SEGÚN LA FORMA DE ACCESO.
ACCESO
ALEATORIO (RAM).
Memorias
pasivas.
El tiempo de
escritura/lectura es
independiente de la
localización de la
información dentro de la
memoria.
En éstas los tiempos de
escritura y lectura difieren
considerablemente,
siendo generalmente
mucho mayor el de
escritura
Memorias activas.
Los tiempos de escritura/lectura
(R/W) son del mismo orden.
 Totalmente pasivas
(ROM).
 Pasivas
programables
(PROM).
 Pasivas
reprogramables
(RPROM).
a)
Lectura/escritura no
simultánea
b) b) Lectura/escritura
simultánea
Acceso serie
o secuencial.
El tiempo de
escritura/lectura depende
de la localización del lugar
de la memoria donde
queremos realizar esas
operaciones. Un ejemplo
de éstas son las cintas.

9. S E GÚN L A M Í N I MA I N FORMACI ÓN AC C E SI BLE.
 De bit. Por ejemplo, un registro.
 De palabra. Por ejemplo las memorias de semiconductores .
 De bloque: En este caso, para leer un dato contenido en un bloque,
primero hemos de leer el bloque completo (crear una copia en una zona
de memoria), y luego una búsqueda serie del dato dentro del bloque.

10. L A M E M O R I A S E C L A S I F I C A D E A C U E R D O A L A T E C N O L O G Í A O C U PA D A Y
A LA ACCIÓN QUE REALICE. DENTRO DE LA ARQUITECTURA DE
C O M P U TA D O R A S E X I S T E N D O S G R A N D E S C L A S I F I C A C I O N E S : L A
MEMORIA RAM Y LA MEMORIA ROM.
 MEMORIA RAM: es una memoria de acceso aleatorio y a su vez
se clasifica en:
*EDO RAM: memoria de acceso aleatorio con salida de datos
extendida.
*DRAM: memoria dinámica de acceso aleatorio
*SDRAM: memoria dinámica de paginación de texto
*RDRAM: memoria dinámica de acceso aleatorio para
tecnologías .
*SRAM: memoria estática de acceso aleatorio.

11.  MEMORIA ROM: es una memoria de solo lectura y a su vez se
clasifica en:
* PROM: memoria programable de solo lectura.
*EPROM: memoria de solo lectura programable y borrable.
*MEMORIA FLASH

12. Existen muchas tecnologías de memoria RAM, pero
pueden resumirse en dos grandes grupos: Memorias
RAM estáticas (SRAM) y dinámicas (DRAM). Ambas
pueden escribirse y leerse repetidamente, y ambos
tipos pierden su contenido cuando se apaga el
sistema.
Sin embargo, las dinámicas tienen la
característica que una vez escrita en ellas la
información, la pierden rápidamente.

13. Los términos dinámico y estático
tienen que ver con la tecnología
usada en el diseño de las celdas de
memoria. Los dispositivos DRAM se
basan en carga eléctrica, pues cada
bit se representa mediante la carga
almacenada
por
un
diminuto
capacitor. Dicha carga se fuga en un
corto periodo de tiempo, asì que el
sistema
debe
refrescarla
continuamente
para
evitar
la
pérdida de datos.
La SRAM se basa en compuertas, y
cada bit se almacena mediante un
arreglo de cuatro a seis transistores
conectados. Las memorias SRAM
retienen sus datos mientras tengan
energía, sin la necesidad de ningún
mecanismo de refresco.

14. DRAM
Este tipo de memoria es el más ampliamente
utilizado en los PCs actuales.
Tiene la
característica de ser de fácil construcción
(resulta económica) y muy compacta (muchos
bits en poco espacio), aunque además de ser
comparativamente "lenta". Este último factor
ha motivado la aparición de memorias caché
mucho más rápidas.

15. Este tipo de memoria está formada por
conjuntos de 6 transistores por cada bit; lo que
origina que mientras exista alimentación no
pierde su contenido. Además es muy rápida, pero
es comparativamente más voluminosa que la
DRAM y mucho más cara.

16. La memoria EDO ("Extended Data
Output") es una innovación reciente
(1995) en la tecnología de la
DRAM. Permite a la UCP tener acceso a
la memoria un 10 o 15% más rápido que
en los chips comparables.

17. La
memoria
DDR-SDRAM
también
denominada SDRAM II, es una variedad de
memoria RAM síncrona dinámica, que soporta
transferencia de datos en ambos flacos del ciclo de
reloj, por lo que dobla el rendimiento de las
memorias convencionales (que solo utilizan un
flanco
de
cada
ciclo
para
las
transferencias).
Además este tipo de memoria
consume menos energía, lo que la hace
especialmente indicada para equipos portátiles.

18. Al ser una tecnología más
moderna, las DDR2 poseen
notables diferencias con sus
antecesoras,
entre
las
cuales la más significativa
tiene que ver con el valor de
transferencia mínima, ya
que mientras que en las
DDR tradicionales es de
1600Mbps, en las DDR2 se
duplica a 3200Mbps.

19. Han reducido de
manera notable el
consumo a 1.5V,
gracias
a
la
implementación de
la
tecnología
de
fabricación de 80
nanómetros.
Este
cambio reduce el
consumo de energía
y la generación de
calor, por lo que
aumenta
la
velocidad
en
los
procesos.

20. Con el avance en la tecnología
relacionada a la informática, y los
requerimientos de los usuarios que
cada vez son más exigentes, ya
existen
empresas
que
se
encuentran trabajando para dar el
siguiente paso.

21. Gracias