Tính toán, thiết kế chế tạo mạch nghịch lưu nguồn áp một pha.docx

Đồ án môn học: Mạch nghịch lưu cầu một pha
1
Đồ án môn học
Sinh viên thực hiện : Nông Văn Đức
Lưu Thị Thu
Lê Mai Xuân
Nhóm 07-05B
Tên đề tài :Tính toán, thiết kế chế tạo mạch nghịch lưu nguồn áp một pha
 Nội dung cần hoàn thành:
1. Lập kế hoạch thực hiện
Giới thiệu chung về nghịch lưu.
2. Trình bày các phương pháp tính toán thiết kế bộ nghịch lưu nguồn áp.
3. Thiết kế, chế tạo bộ nghịch lưu nguồn áp một pha đảm bảo yêu cầu:
4. Sản phẩm của đề tài đảm bảo tính công nghiệp và có tính khả thi trong thực tiễn.
Với yêu cầu của đề tài khi đó chúng ta phải đi thiết kế một bộ nghịch lưu cho ra điện áp
xoay chiều là 220V từ nguồn ắc quy 12V, tần số trong mạch đo được là 400Hz, I đầu ra 2A,
Mạch lấy nguồn ắc quy 12V cấp trsực tiếp cho mạch và cho biến áp. Biến áp ở đây sử
dụng như một bộ kích nhằm kích nguồn áp lên giá trị cao hơn nhiều lần so với giá trị áp ban
đầu. Chính vì mạch có khả năng biến đổi nguồn một chiều thành nguồn xoay chiều nên
mạch có tính thiết thực rất lớn trong thực tế.
Mạch là mạch công suất vì vậy linh kiện được sử dụng phần lớn là linh kiện công suất.
Mạch sử dụng các van bán dẫn công suất như Transistor, MOSFET, IGBT…Trong quá
trình chạy mạch thì xung tạo ra là xung vuông và được khuyếch đại lên bằng các van bán
dẫn là Transistor, IGBT…
- Mục tiêu của đề tài.
Nắm được một cách tổng quan về các phần tử bán dẫn công suất.
Nghiên cứu về các mạch nghịch lưu, hiểu được nguyên lý làm việc của mạch nghịch
lưu, các phương pháp biến đổi từ đó lựa chọn một phương án tối ưu nhất để có áp dụng trên
đồ án của mình và ngoài thực tiễn.

2
-.Kế hoạch tiến độ từng tuần
STT Tuần Công việc thực hiện Người
thực hiện
1 1,2
- Nhận đề tài, sắp xếp công việc cho từng tuần
( phân chia công việc cho từng thành viên) Cả nhóm
-Tìm tài liệu liên quan:
điện tử công suất, truyền động điện
Cả nhóm
2 3
- Tìm hiểu nguyên lý các mạch có liên quan
đến đề tài.
Cả nhóm
- Tham khảo ý kiến những người có chuyên
môn, các anh chị khóa trước.
Cả nhóm
3 4
-Đưa ra cơ sở lý thuyết chung của đề tài.
-.Đưa ra ý tưởng thiết kế mạch
Cả nhóm
4 5,6.7
- Thiết kế sơ đồ nguyên lý mạch, tính toán
thông số rồi tiến hành chạy mô phỏng. Cả nhóm
5 8.9.10
- Ráp mạch và khảo sát trên bo mạch( nếu gặp
lỗi chỉnh sửa lại)
- Đo, chuẩn đoán các thông số điện.
- Tiến hành vẽ mạch, in mạch.
- Lắp ráp hoàn tất sản phẩm
Cả nhóm
6 11.12
- Chuẩn hoá nội dung, hoàn thành báo cáo.
- Hoàn tất sản phẩm, kiểm tra toàn bộ nội
dung.
Cả nhóm

3
- Các phương án thực hiện.
Nhóm thực hiện đề tài sử dụng hai phương pháp chủ yếu:
- Phương pháp tham khảo tài liệu:Điện tử công suất, lý thuyết, thiết kế, ứng dụng. các
nguồn tài liệu trên mạng, tài liệu tham khảo từ các anh chị khóa trên.
- Phương pháp thực hành: Song song với việc đọc tài liệu nhóm thực hiện đề tài đã thực
hành trên mô hình để dễ dàng nắm bắt được lý thuyết.
- Ý nghĩa của đề tài.
Để giúp sinh viên có thể có thể củng cố kiến thức, tổng hợp và nâng cao kiến thức
chuyên nghành cũng như kiến thức ngoài thực tế. Đề tài còn thiết kế chế tạo thiết bị, mô
hình để các sinh viên trong trường đặc biệt là sinh viên khoa Điện – Điện tử tham khảo, học
hỏi tạo tiền đề nguồn tài liệu cho các học sinh, sinh viên khoá sau có thêm nguồn tài liệu để
nghiên cứu và học tập.
Những kết quả thu được sau khi hoàn thành đề tài này trước tiên là sẽ giúp chúng em có
thể hiểu sâu hơn về các bộ nghịch lưu, các phương pháp biến đổi điện áp. Từ đó sẽ tích luỹ
được kiến thức cho các năm học sau và ra ngoài thực tế.

4
Chương I. GIỚI THIỆU TỔNG QUAN VỀ MẠCH NGHỊCH LƯU
1.1. GIỚI THIỆU VỀ NGHỊCH LƯU
Bộ nghịch lưu là bộ biến đổi tĩnh đảm bảo biến đổi một chiều thành xoay chiều. Nguồn
cung cấp là một chiều, nhờ các khóa chuyển mạch làm thay đổi cách nối đầu vào và đầu ra
một cách chu kỳ để tạo nên đầu ra xoay chiều. Khác với bộ biến tần trực tiếp đã nghiên cứu,
trong bộ nghịch lưu cũng như trong bộ điều áp một chiều, hoạt động của chúng phụ thuộc
vào loại nguồn và tải. Các bộ nghịch lưu được phân thành hai loại:
-Bộ nghịch lưu áp được cung cấp từ nguồn áp một chiều.
-Bộ nghịch lưu dòng được cung cấp từ nguồn dòng một chiều.
Loại nguồn sẽ xác định theo quan điểm chuyển mạch.
Điện áp hoặc dòng điện ra của bộ nghịch lưu áp hay nghịch lưu dòng được tạo nên từ một
sóng trong nửa chu kỳ gọi là bộ nghịch lưu được điều khiển toàn sóng. Do sự phát triển của
các linh kiện bán dẫn công suất và phương pháp điều khiển, người ta thường sử dụng phương
pháp điều biến độ rộng xung PWM mỗi nửa chu kỳ được tạo nên từ nhiều sóng có độ rộng
thích hợp, nhờ đó dễ dàng lọc điện áp và dòng điện ra. Vì thế để bắt đầu nghiên cứu cần
nghiên cứu sự làm việc với điều khiển toàn sóng và làm cơ sở so sánh với sự làm việc với
điều biến đôh rộng xung. Tiếp theo sẽ đề cập đến bộ biến tần cộng hưởng ít suy giảm. Chúng
thường được sử dụng để cung cấp cho các tải cần tần số trung bình có hệ số công suất rất nhỏ
( đốt nóng bằng cảm ứng), chúng đòi hỏi điều khiển đặc biệt. Bộ biến tần nghịch lưu dòng
hoặc áp thường được sử dụng trong truyền động điện xoay chiều có tốc độ thay đổi. Theo đề
tài cũng như cách hướng dẫn ta tập trung vào nghiên cứu về bộ nghịch lưu áp được cung cấp
từ nguồn áp một chiều.
1.2. NGHỊCH LƯU ÁP
Nghịch lưu áp là thiết bị biến đổi nguồn áp một chiều thành nguồn áp xoay chiều với
tần số tùy ý. Nguồn áp vẫn là nguồn được sử dụng phổ biến trong thực tế. Hơn nữa điện áp ra
của nghịch lưu áp có thể điều chế theo phương pháp khác nhau để có thể giảm được sóng

5
điều hòa bậc cao.
Trước kia nghịch lưu áp bị hạn chế trong ứng dụng vì công suất của các van động lực
điều khiển hoàn toàn còn nhỏ. Hơn nữa việc sử dụng nghịch lưu áp bằng tiristo khiến cho
hiệu suất của bộ biến đổi giảm, sơ đồ điều khiển phức tạp.
Ngày nay công suất của các van động lực IGBT, GTO, MOSFET càng trở nên lớn và
có kích thước gọn nhẹ, do đó nghịch lưu áp trở thành bộ biến đổi thông dụng và được chuẩn
hóa trong các bộ biến tần công nghiệp. Do đó sơ đồ nghịch lưu áp trình bày sau đây sử dụng
van điều khiển hoàn toàn.
Trong quá trình nghiên cứu ta giả thiết các van động lực là các khóa điện tử lý tưởng,
tức là thời gian đóng và mở bằng không nên điện trở nguồn bằng không.
1.2.1. Nghịch lưu áp một pha.
1.2.1.1. Cấu tạo.
Sơ đồ nghịch lưu áp một pha được mô tả trên hình 1.9. Sơ đồ gồm 4 van động lực
chủ yếu là: T1, T2, T3, T4 và các điôt D1, D2, D3, D4 dùng để trả công suất phản kháng về
lưới và như vậy tránh được hiện tượng quá áp ở đầu nguồn.
Tụ C được mắc song song với nguồn để đảm bảo cho nguồn đầu vào là nguồn hai
chiều (nguồn một chiều thường được cấp bởi chỉnh lưu chỉ cho phép dòng đi theo một
chiều).
Như vậy tụ C thực hiện việc tiếp nhận công suất phản kháng của tải, đồng thời tụ C
còn đảm bảo cho nguồn đầu vào là nguồn áp.
1.2.1.2. Nguyên lý làm việc.
Ở nửa chu kỳ đầu tiên 2
 
 cặp van T|, T2 dẫn điện, phụ tải đuợc đấu vào nguồn. Do
nguồn là nguồn áp lên điện áp trên tải U1 = E, hướng dòng điện là đường nét đậm.
Tại thời điểm 2
   Ti và T2 bị khóa, đồng thời T3 và T4 mở ra tải sẽ được đấu vào nguồn
theo chiều ngược lại, tức là dấu điện áp trên tải sẽ đảo chiều và ut = - E tại thời điểm 2
 .

6
Do tải mang tính trở cảm nên dòng vẫn giữ nguyên hướng cũ (đường nét đậm) T1,
T2 bị khóa nên dòng phải khép mạch qua D3, D4. Suất điện động cảm ứng trên tải sẽ trở
thành nguồn trả năng lượng thông qua D3, D4 về tụ C (đường nét đứt ).
Tương tự như vậy đối với chu kỳ tiếp theo khi khóa cặp T3, T4 dòng tải sẽ khép mạch
qua D1 và D2.
Đồ thị điện áp tải Ut, dòng điện tải it, dòng qua điôt iD và dòng qua tiristo được biểu diễn
trên hình 1.10.
Biểu thức điện áp và dòng điện trên tải :

7
Trên thực tế người ta thường dùng nghịch lưu áp với phương pháp điều chế độ rộng
xung PWM để giảm bớt được kích thước của bộ lọc. Nguyên lý của phương pháp này sẽ
được nghiên cứu ở phần sau.
1.2.2. Nghịch lưu áp ba pha.
Sơ đồ nghịch lưu áp ba pha hình 1.11 được ghép từ ba sơ đồ một pha có điểm trung
tính.
Để đơn giản hóa việc tính toán ta giả thiết như sau :
• Giả thiết các van là lý tưởng, nguồn có nội trở nhỏ vô cùng và dẫn
điện theo hai chiều.
• Van động lực cơ bản T1. T2, T3. T4. T5. T6 làm việc với độ dẫn điện
Ẩ = 180P,Za=Zb=Zc.
Các điôt D1. D2, D3. D4, D5, D6 làm chức năng trả năng lượng về nguồn và tụ C đảm
bảo nguồn cấp là nguồn áp đồng thời tiếp nhận năng lượng phản kháng từ tải.

8

9
Để đảm bảo tạo ra điện áp ba pha đối xứng luật dẫn điện của các van phải tuân theo đồ thị
như trên hình (1.12).
Như vậy Ti, T4 dẫn điện lệch nhau 1800 và tạo ra pha A. T3, Tố dẫn điện lệch nhau 1800 để tạo
ra pha B. T5, T2 dẫn điện lệch nhau 1800 để tạo ra pha c, và các pha lệch nhau 1200.

10
Dạng điện áp trên các pha UZA, UZB, UZC có dạng như trên hình 1.13 và
có giá trị hiệu dụng được tính bởi công thức sau :
Suy ra:

11
Giá trị tụ C được tính theo công thức:
Ta đưa ra thông số và yêu cầu bộ nghịch lưu cần thiết kế như sau: điện áp đầu vào Uv
=12V..Điện áp đầu ra 220VAC/400Hz. Dòng max ra là 2-5A. Với yêu cầu như vậy, ta sử
dụng mạch nghịch lưu độc lập nguồn áp, có hai lựa chọn: Nghịch lưu độc lập nguồn áp một
pha.Nghịch lưu độc lập nguồn áp ba pha sau đó lấy một pha để sử dụng. Nghịch lưu độc lập
nguồn áp ba pha có dạng hình sin hơn so với nghịch lưu độc lập nguồn áp một pha, tuy
nhiên với mục đích sử dụng như ban đầu ta đưa ra thì hoàn toàn không cần thiết phải dùng
như vậy, bởi bộ nghịch lưu áp ba pha cho chi phí cao hơn và tính toán điều khiển cũng phức
tạp hơn rất nhiều, trong khi đó ta chỉ cần sử dụng một pha cho nhu cầu sinh hoạt hàng ngày.
Do vậy ta sẽ chọn mạch nghịch lưu độc lập nguồn áp một pha với các thông số và yêu cầu
đã đề ra.
Bộ biến đổi DC/AC sẽ gồm hai thành phần chính như sau :
Mạch điều khiển : Có nhiệm vụ phát xung vuông dao động với tần số 50 Hz cấp xung mở
cho transiter dẫn sẽ làm cho mosfet dẫn.
Mạch lực bộ nghịch lưu một pha :có nhiệm vụ đẩy kéo điện áp 12V DC lên 220VAC tần số
400Hz

12
Tổng kêt chương I: Giới thiệu tổng quan về các bộ nghịch lưu. Khái quát sơ bộ về bộ
nghịch lưu áp gồm nguồn áp một pha và nguồn áp 3 ba. Theo những đánh giá cũng như các
thông số mà đề bài đưa ra, ta chọn được phương án thiết kế bộ nghịch lưu áp một pha. Để
hiểu rõ hơn về các linh kiện được sử dụng trong mạch nghịch lưu áp một pha ta sẽ tiếp tục
tìm hiểu trong chương 2.

13
CHƯƠNG 2. GIỚI THIỆU VỀ CÁC LINH KIỆN
2.1. IC ổn áp 7805
2.1.1. Sơ đồ chân
Hình 1.1: Sơ đồ chân IC 78XX
Nhìn từ trái qua phải thì lần lượt là chân số 1, 2, 3 của IC.
- Chân số 1: Input (chân vào)
- Chân số 2: GND (nối mass)
- Chân số 3: Output (chân ra)
2.1.2. Chức năng
IC 7805 thuộc họ IC78xx là họ IC ổn áp có chức năng tạo điện áp ở đầu ra cố định ở mức
(+) xx V
- 78 là họ IC lấy ra điện áp dương (+)
- XX là 2 số của điện áp lấy ra.
Lưu ý: Điện áp đầu vào của IC phải lấylớn hơn điện áp đầu ra 3V trở lên. Ví dụ IC 7805
thì Vin phải 8V trở lên.
2.1.3. Ứng dụng
Được dùng để thiết kế các bộ nguồn đơn giản cung cấp điện áp cho các mạch điện không
đòi hỏi điện áp ổn định quá cao.
2.1.4. Một vài thông số của IC 7805
- Dòng cực đại có thể duy trì 1A.
- Dòng đỉnh 2,2A.

14
- Công suất tiêu tán cực đại nếu không dùng tản nhiệt: 2W Công suất tiêu tán nếu
dùng tản nhiệt đủ lớn: 15W
Công suất tiêu tán trên ổn áp nối tiếp được tính như sau:
Pd = (Ui – Uo) . I
Trong đó:
- Ui – áp lối vào ,Uo – áp lối ra
- I – dòng sử dụng
Đặc tính
Điều kiện
TJ†
µA7805C
Đơn vị
MIN TYP MAX
Output voltage (Điện
áp ra)
IO = 5 mA to 1 A,
VI = 7 V to 20 V PD ≤ 15 W
25°C 4.8 5 5.2
V
0°C to
125°C
4.75 5.25
Input voltage
regulation
( Sự ổn áp đầu vào)
VI = 7 V to 25 V
25°C
3 100
100mV
Output voltage
regulation
( Sự ổn áp đầu vào)
IO = 5 mA to 1.5
A
25°C
15 100
mV
Temperature
coefficient of output
voltage (Hệ số nhiệtđộ
của điện áp ra)
IO = 5 mA 0°C to
125°C
-1,1 mV/°C
Output noise voltage(
Điện áp tạp nhiễu)
f = 10 Hz to 100 kHz 25°C 40 µV
Dropout voltage( Điện
áp rơi)
IO = 1 A 25°C 2 V
Bảng 1.1: Một vài thông số của IC 7805

15
2.2. IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
2.2.1. Cấu trúc và ký hiệu
Về cấu trúc bán dẫn, IGBT rất giống với MOSFET, điểm khác nhau là có thêm lớp nối
với collector tạo nên cấu trúc bán dẫn p-n-p giữa emiter( tương tự cực gốc) với
collector(tương tự với cực máng), mà không phải là n-n như ở MOSFET . Vì thế có thể coi
IGBT tương đương với một transistor p-n-p với dòng base được điều khiển bởi một
MOSFET.
Dưới tác dụng của áp điều khiển Uge>0, kênh dẫn với các hạt mang điện là các điện tử
được hình thành, giống như ở cấu trúc MOSFET.Các điện tử di chuyển về phía collector
vượt qua lớp tiếp giáp n-p như ở cấu trúc giữa base và collector ở transistor thường, tạo nên
dòng collector
Hình 1.2: a) Cấu trúc IGBT b) Sơ đồ tương đương của IGBT
2.2.2. Nguyên lý làm việc.
- Phân cực cho IGBT sao UCE >0,sau đó vào cực G một điện áp điều khiển Uge>0 với một
giá trị đủ lớn. Khi đó hình thành một kênh dẫn với các hạt là điện từ giống như MOSFET
các hạt điện tử di chuyển về phía cực C, vượt qua lớp tiếp giáp P-N tạo nên dòng Colector
- Thời gian đóng cắt của IGBT nhanh hơn transistor thường , trể khi mở khoảng 0,15ms,
trễ khi khóa khoảng 1ms. Công suất điều khiển IGBT rất nhỏ thường mở dưới dạng điện
áp điều khiển là +-15V . Để mở thường cấp tín hiệu +15V,khóa cấp tín hiệu -15V

16
2.2.3. Vùng làm việc an toàn (Safe Operating Area)
Vùng làm việc an toàn được thể hiện dưới dạng đồ thị quan hệ giữa điện áp và giá trị
dòng điện lớn nhất mà phần tử có thể hoạt động được trong mọi chế độ, khi dẫn, khi khóa,
cũng như trong các quá trình đóng cắt.
Khi điện áp đặt lên cực điều khiển và emitor là dương và hình thư hai thì điện áp này
là âm. Khi điện áp điều khiển dương, SOA có dạng hình chữ nhật với góc hạn chế ở phía
trên, bên phải, tương ứng với chế độ dòng điện và điện áp lớn. Điều này có nghĩa là khi
chu kì đóng cắt càng ngắn, ứng với tần số làm việc càng cao thì khả năng đóng cắt công
suất càng suy giảm. Khi đặt điện áp điều khiển âm lên cực điều khiển và emitor, SOA lại
bị giới hạn ở vùng công suất lớn do tốc độ tăng điện áp quá lớn sẽ dẫn đến xuất hiện dòng
điện lớn đưa vào vùng p của cực điều khiển, tác dụng giống như dòng điều khiển làm
IGBT mở trở lại như tác dụng đối với cấu trúc của thyristor. Tuy nhiên khả năng chịu
đựng tốc độ tăng áp ở IGBT lớn hơn nhiều so với ở các phần tử bán dẫn công suất khác .
Giá trị lớn nhất của dòng cho phép collector cho phép Icm được chọn sao cho tránh
được hiện tượng chốt giữ dòng, không khóa lại được, giống như ở thyristor. Hơn nữa,
điện áp điều khiển lớn nhất Uge cũng phài được chọn để có thể giới hạn được dòng điện
Ice trong giới hạn lớn nhất cho phép này trong điều kiện sự có ngắn mạch bằng cách
chuyển đổi bắt buộc từ chế độ bão hòa sang chế độ tuyến tính. Khi đó dòng Ice được
giới hạn không đổi, không phụ thuộc vào điện áp Uce lúc đó. Tiếp theo IGBT phải được
khóa lại trong điều kiện đó, càng nhanh càng tốt để tránh phát nhiệt quá mạnh . Tránh
được hiện tượng chốt giữ dòng bằng cách liên tục theo dõi dòng collector là điều cần thiết
khi thiết kế IGBT.
2.3. IC IR2110
IGBT là phần tử bán dẫn có tính nắng ưu việt như khả năng đóng cắt nhanh, công suất
điều khiển nhỏ, thay thế cho các transistor công suất thường. Vì thế, điều kiện mở khóa của
nó có những yêu cầu đặc biệt.Khó khăn trong việc điều khiển với sườn xung dựng đứng.
Thờigian tạo sườn xung chỉ cỡ 0.1us hoặc nhỏ hơn

17
Nhưng tụ kí sinh giữa cực điều khiển với gốc S, giữa cực G với cực máng D cản trở tốc độ
thay đổ của tín hiệu điều khiển.
2.3.1. Sơ đồ chân IR2110
Hình 1.3: Sơ đồ chân IR 2110
Hình 1.4: Sơ đồ khối IR2110

18
Hình 1.5: Giản đồ sóng Input và Output của IC IR2110
Chân 1: Cổng điều khiển ra cho mức thấp
Chân 2: Phản hồi ở mức thấp
Chân 3: Chân nối với nguồn để cấp cho IC từ 10 đến 20 V
Chân 5: Điện áp treo trả về mức cao
Chân 6: Điện áp treo mức cao
Chân 7: Cổng điều khiển ra cho mức cao
Chân 9: Điện áp cấp theo mức từ Vss+3 đến Vss+20
Chân 10: Tín hiệu vào cho cổng ra điều khiển ở mức cao
Chân 11: Đầu vào theo mức để tắt
Chân 12: Tín hiệu vào cho cổng ra điều khiển ở mức thấp
Chân 13: Chân cấp mass cho IC
2.3.2. Chức năng
Các vi mạch chuyên dụng phục vụ cho khâu xung điều khiển cuối cùng là các driver.
Tuy nhiên, do thời gian khóa của IGBT bị kéo dài và quá tải có thể bị kéo ra khỏi chế dộ
bão hòa, tổn thất trên phần tử tăng vọt, gây pha hỏng phần tử. chính vì vật, driver cho
IGBT thường là các mạch lái(hybrid)- tức là một driver thường kết hợp các mạch bảo vệ
quá tải. Đặc biệt, những driver cho IGBT công nghiệp là những mạch ghép phức tạp để
đảm bảo an toàn cho van bán dẫn trong mọi chế độ làm việc.
IGBT sử dụng trong các mạch nghịch lưu có tần số đóng cắt cao từ 2 đến hang chục nghìn
KHz. Sự cố thường xảy ra nhất là quá dòng ngắn mạch từ phía tải hoặc từ phía phần tử
đóng cắt. Vì vậy, để điều khiển cho IGBT ta dung IC chuyên dụng IR2110

19
2.4. IC SG3525
2.4.1. Sơ đồ chân
Hình 1.6: Sơ đồ chân IC SG 3525
- Điện áp hoạt động 8 đến 35VDC
- Dải tần số của bộ dao động từ 100HZ tới 400 KHz
IC SG3525 có những tính năng ưu việt hơn so với IC 4047 và IC TL494 như:
lấy nguồn mà không cần biến đổi nguồn nuôi cho IC, dễ điều chinh độ rộng xung ra,
khoảng deal time vừa đủ để tạo ra chu kì âm mà không gây hiện tượng trùng dẫn.

20
Hình 1.7: Sơ đồ khối IC SG3525
Chức năng các chân:
Chân 1: Đầu vào đảo.
Chân 2: Đầu vào không đảo.
Chân 3: Chân đồng bộ hóa., cho phép đồng bộ xung với bộ dao động gắn ngoài.
Chân 4: Đầu ra xung của bộ dao động trong .
Chân 5: Mắc với một tụ điện CT=0.1uF- 1nF.
Chân 6: Gắn với một điện trở RT=2kΩ - 150kΩ.
Chân 7: Chân tụ CT xả điệp áp và được mắc với một trở RD.
Chân 8: Chân này nối với 1 tụ để khởi động êm hơn và chế độ soft – start được kích hoạt
khi so sánh với điện áp Vref.
Chân 9: Chân bù này được hồi tiếp về chân đầu đảo góp phần điều chỉnh xung ra ra sẽ bù
nếu có sai lệch về xung.

21
Chân 10: Chân shutdown- ngừng . Khi chân này mức thấp PWM được kích hoạt còn khi ở
mức cao PWM được thiếp lập tức thời.
Chân 11 và chân 14: là các chân ra của tín hiệu điều khiển.Dòng ra định mức 100mA và
dòng đỉnh là 500mA. Hai xung ra lệch pha nhau 1800 .
Chân 12: là chân mass của IC
Chân 13:Điện áp colector của transistor NPN được nối bên trong IC. Điện áp cấp cho chân
này nên từ 9 đến 18V vì mosfet làm việc với điện áp thấp nhất là 8V và bị đánh thủng là
20V.
Chân 15: Chân cấp nguồn cho IC hoạt động từ 8 đền 35V
Chân 16: Điện áp tham chiếu có giá trị thấp nhất là 5V cao nhất là 5.2 V thông thường là
5.1 V
2.4.2 Chức năng
Tạo ra 2 xung điều khiển lệch pha nhau 180o để điều khiển các cặp IGBT trong mạch
công suất.
Tần số của PWM phụ thuộc vào tụ định thời và trở định thời. Tụ định thời (CT) kết nối giữa
chân 5 và mass. Điện trở định thời (RT) được kết nối giữa chân 6 và mass. Điện trỏ giữa
chân 5 và chân 7 ( RD) xác định deadtime .
1
C (0.7.R 3 )
T T D
f
R


Giá trị của RD trong dải 0 đến 500 Ω. RT phải nằm trong dải 2k đến 150K Ω. Tụ CT phải
nằm trong dải 1nF(102) tới 0.2uF(224). Tần số trong công thức trên là tần số của bộ dao
động vậy nếu muốn tính tần số của nghịch lưu là 50Hz thì ta phải tính ra 100HZ theo công
thức trên.

22
Chương 3: TÍNH TOÁN, THIẾT KẾ MẠCH NGHỊCH LƯU ÁP 1 PHA
3.1. Sơ đồ khối toàn mạch
Hình 2.1: Sơ đồ khối toàn mạch
NGUỒN ĐIỀU
KHIỂN
KHỐI
CÔNG SUẤT
KHỐI CHỈNH
LƯU
KHỐI LỌC
NGUỒN
220VAC
TẢI
KHỐI ĐIỀU
KHIỂN
KHỐI
KHUẾCH ĐẠI

23
Hình 4.1 sơ đồ các khối mạch nghịch lưu
* Chức năng khối điều khiển
- Điều chỉnh được độ rộng xung trong nửa chu kì dương của điện áp đặt lên colector và
emitor của van .
- Tạo ra được xung âm có biên độ cần thiết để khoá van trong nửa chu kì còn lại .
- Xung điều khiển phải có đủ biên độ và năng lượng để mở và khoá van chắc chắn .
- Tạo ra được tần số theo yêu cầu .
- Dễ dàng lắp ráp, thay thế khi cần thiết, vận hành tin cậy, ổn định .
* Chức năng khối công suất
Từ dạng sóng nhận được từ khối điều khiển , khối công suất sẽ khuếch đại đưa
đến biến áp tạo điện áp xoay chiều. Thường thì khối này sử dụng các linh kiện
như thysistos, transistos chịu dòng lớn như IRF 3205, D718 … 5.2. Sơ đồ nguyên
lý và nguyên lý hoạt động của toàn mạch
3.2.1. Sơ đồ nguyên lý toàn mạch
Khối nguồn
Khối điều khiển Khối công suất Biến áp và tải

24
Hình 2.10: Sơ đồ nguyên lý toàn mạch

25
5.2.2. Nguyên lý hoạt động toàn mạch
Khi được cấp nguồn SG3525 sẽ hoạt động tạo xung 50Hz xung của SG3525 phụ
thuộc vào điện trở RT ,RD, và CT. Để có thể điều chỉnh tần số phát ra ta mắc 1 biến trở 150k
chân 6 do đó ta thay đổi dài tần số của nó.
Tín hiệu xung ra ở 2 chân 11 và chấn 14 luôn lệch pha nhau 180 độ. Tín hiệu ở hai
chân này được đưa vào chân 10 và 12 của IR2110 ( là chân HIN và LIN ) và được khuếch đại
cũng như cách ly với mạch điều khiển .Tín hiệu ra của IR2110 là HO và LO lần lượt kích
cho 2 cặp IGBT trong mạch cầu là Q1 và Q2 Q3 và Q4.
Khi có xung điều khiển vào các van. Giả sử nửa chu kì đầu Q1 và Q4 mở đang cho
dòng chạy qua tải khi đấy Q2 và Q3 sẽ bị khóa lại, dòng điện đi qua Q1 đến tải và qua Q4
về nguồn. Nửa chu kì sau Q3 và Q2 sẽ mở còn Q1 và Q4 được khóa lại dòng đi từ Q4 đến
tải và qua Q1 về nguồn. Khi đóng cắt liên tục các van khôn thể đảo chiều một cách đột
ngột. Nên các diode nội bên trong van có nhiệm dẫn giòng và suy giảm dần, khiến các van
kịp thời khóa lại. Quá trình đóng cắt liên tục tạo ra dòng điện qua tải biến thiên ngược
chiều nhau.

26
Nguyên lýhoạt động :
.. G của Mosfet làm cho Mosfet hoạt động như vậy dao động tạo ra sẽ điều khiển cho
Mosfet liên tục đóng ngắt tạo thành dòng điện biến thiên liên tục chạy qua cuộn sơ cấp =>
sinh ra từ trường biến thiên cảm ứng lên các cuộn thứ cấp => cho ta điện áp ra 220V AC Để
biến áp hoạt động được, ta cần phải cung cấp cho điến áp một đòng điện biến thiên, dòng
điện biến thiên sinh ra từ trường biến thiên, từ trường này lại sinh ra dòng điện. để có hiện
tượng cảm ứng điện từ trên biến áp, cần phải có điện từ biến. Biến áp thường chỉ hoạt động
ở tần số thấp (âm tần).
- Khi được cấp nguồn 4047 sẽ hoat động tạo ra tín hiệu tại xung tại hai chân 10 và 11 lệch
pha nhau 180 độ. Tín hiệu xung này sẽ được cấp vào chân 1 của Opto PC817 làm cho
PC817 hoạt động. Tín hiệu ra ở chân 3 của PC817 đi đến kich mở hệ thống transistor
thuận nghịch. Hệ thống này nhằm ngắt dòng ngay lập tức khi xung tới tắt để tránh việc bị
trùng pha giữa 1 chu kì của 2 tín hiệu từ chân 10 và 11. Sau đó tín hiệu ra đi qua Q1 để
khuếch đại điện áp. Dòng điện cực đại qua Q1 mà Transistor này có thể chịu được là 22A.
Transistor hoạt động ở chế độ bảo hòa. Tran dẫn hoàn toàn, hoặc tắt hoàn toàn.Sau đó xung
được đưa thẳng tới biến áp để thực hiện biến đổi điện áp. Điện áp đưa vào là 12v, điện áp
đầu ra là 220v. Máy biến áp hoạt động ở chế độ tăng áp. Máy biến áp sử dụng là loại biến
áp 220v/24v có điểm giữa.Khi Q1 thông, thì Q4 tắt. Dòng điện chảy theo chiều: dương
nguồn  biến áp  Q1  mát. Khi Q4 thông, Q1 tắt. Dòng điện chảy theo chiều: dương
nguôn  biến áp  Q4  mát. Dòng điện chảy theo hai chiêu khác nhau trên 2 cuôn dây.
Nữa chu kỳ đầu tiên, dòng điện chảy trên cuộn dây thứ nhất của biến áp, nữa chu kỳ tiếp
theo, dòng điện chảy theo chiều ngược lại trong cuôn dây sơ cấp thứ 2 của biến áp. Xét
trong một chu kỳ ta có thể xem như dòng điện chảy theo hai chiều khác nhau trong một chu
kỳ trên một cuộn dây.

27
3.2 Thiết kế mạch động lực
3.2.1 Tài liệu cho trước
- Điện áp ở cuộn dây sơ cấp là U1=12 V
- Điện áp ở cuộn dây thứ cấp là U2=220 V
- Mạch tạo Vra(hài bậc 1) tính hiệu sin(sóng cơ bản) Uhd= 220V
- Dòng max ra ..2-5A. Chọn I=2A
-Dòng đỉnh một chiều
-Tạo tín hiệu sin :
-Tần số ngõ ra 400Hz. (tần số sóng vuông 400Hz)
- Sai số Uhd ra : ±0.5%
3.2.2 Tính toán máy biến áp
Lựa chọn máy biến áp điểm giữa vì so sánh về mặt kinh tế và mặt kĩ thuật phương án
lựa chọn này là tối ưu
zt
u2
i2
n2
i1
n12
n11
+
- =
u
k1
k2
Hình 4.2 sơ đồ máy biến áp điểm giữa
Máy biến áp có các thông số: U11 = U12=12V, U2 = 220V, f = 400HZ,
Công suất của máy biến áp: P =  .U2.I2 = 374(W)
Trong đó: P là công suất của máy biến áp
U2 là điện áp của cuộn thứ cấp máy biến áp
I2 là dòng điện của cuộn thứ cấp máy biến áp
 là hiệu suất máy biến áp
Chọn  = 0,85 ta tính được dòng điện thứ cấp của máy biến áp

28
I2 =
2
.U
P

= 2 ( A )
Áp dụng tỉ số máy biến áp
1
2
2
1
I
I
U
U
  I1 =
1
2
2 .
U
I
U
Do máy biến áp điểm giữa nên điện áp sơ cấp được tính bằng U1 = 24( V )
I1=(220.2): 24 =18.3 A
Công suất máy biến áp cần chọn:
P1 = U1 . I1 = 24 . 18.3 = 439.2 (VA)
Vậy ta chọn máy biến áp có công suất P = 439 VA với I = 18.3 A
3.2.3. Lựa chọn phần tử làm khóa chuyển mạch
Ta lựa chọn MOSFET vì có những ưu điểm sau:
+ Tốc độ chuyển mạch cao và tổn hao chuyển mạch thấp
+ Làm việc với điện áp cao
+ Mạch biến đổi sử dụng MOSFET điều khiển đơn giản
3.2.4 . Lựa chọn phần tử làm khóa chuyển mạch MOSFET
- Dòng làm việc qua van bằng dòng làm việc qua cuộn dây sơ cấp máy biến áp:
I = 18.3 A
( Ta chọn phương thức làm mát bằng cánh tản nhiệt )
Chọn MOSFET có dòng làm việc là: I’= I.0.6=10.98 A
Điện áp ngược đặt lên van: Ungmax = Kdc.12= 2.12 = 24 (V). Vậy chọn van có điện áp làm
việc > 24V là được.
Từ các điều kiện tính toán trên ta đi chọn van: IRF250 với các tham số như sau:

29

30
3.2.5 Tính chọn cầu chì
- Mạch điện được tính toán với dòng làm việc tối đa bên mạch sơ cấp MBA là 2A. Để
tránh hiện tượng làm việc quá tải hay ngắn mạch gây sự cố phá hỏng thiết bị ta nên chọn
thiết bị bảo vệ là cầu chì cắt nhanh, với dòng điện làm việc được xác định
ICC = K.I = 1,5. 2 = 3 (A)
Vậy chọn cầu chì có dòng điện làm việc 2A ; điện áp 250V loại cắt nhanh.
3.3 .Thiết kế mạch điều khiển
3.3.1 . Nhiệm vụ và chức năng của mạch điều khiển :
*Nhiệm vụ
Như đã biết ở MOSFET là các van điều khiển hoàn toàn tức là điều khiển mở bằng
xung và khoá bằng xung nên mạch điều khiển phải có các chức năng sau :
- Điều chỉnh được độ rộng xung trong nửa chu kì dương của điện áp đặt lên colector
và emitor của van .
- Tạo ra được xung âm có biên độ cần thiết để khoá van trong nữa chu kì còn lại .

31
-Xung điều khiển phải có đủ biên độ và năng lượng để mở và khoá van chắc chắn .
-Tạo ra đươc tần số theo yêu cầu .
-Dễ dàng lắp ráp, thay thế khi cần thiết, vận hành tin cậy, ổn định .
-Cách ly với mạch động lực
*Yêu cầu chung về mạch điều khiển là :
Mạch điều khiển là khâu quan trọng trong hệ thống, nó là bộ phận quyết định chủ yếu
đến chất lượng và độ tin cậy của bộ biến đổi nên cần có những yêu cầu sau :
 Về độ lớn của dòng điện và điện áp điều khiển:
Các giá trị lớn nhất không vượt quá giá trị cho phép. Giá trị nhỏ nhất cũng phải đảm bảo
được rằng đủ cung cấp cho các van mở và khoá an toàn. Tổn thất công suất trung bình ở
cực điều khiển nhỏ hơn giá trị cho phép .
 Yêu cầu về tính chất của xung điều khiển :
Giữa các xung mở của các cặp van phải có thời gian chết, thời gian chết này phải lớn hơn
hoặc bằng thời gian khôi phục tính chất điều khiển của van .
 Yêu cầu về độ tin cậy của mạch điều khiển :
Phải làm việc tin cậy trong mọi môI trường như trường hợp nhiệt độ thay đổi , có từ
truờng...
* Yêu cầu về lắp ráp và vân hành :
Sử dụng dễ dàng , dễ thay thế , lắp ráp . . .
3.3.2 . Thiết kế mạch điều khiển:
Để tạo ra khối phát xung ta sử dụng vi mạch CD4047B có các thông số sau :

32
Sơ đồ chân của vi mạch như sau:

33
Cấu trúc của vi mạch như sau:

34
Hoạt động của IC như sau:
- Hoạt động của chân astable được phép khi đạt đầu vào chân 5 ở mức cao hoặc mức
thấp của chân 4 hoặc của 2 chân.
- Độ rộng của xung vuông của Q và Q là hàm của đầu vào phụ thuộc vào RC
Chân 5 astable cho phép mạch làm bộ tạo dao động đa hài qua cổng 5. Độ rộng xung ở chân
13 bằng 1/2 đầu ra Q trong chế độ astable. Tuy nhiên điều này chỉ đúng 50%
Trong chế độ ổn định đơn khi có sườn dương ở đầu vào +trigger(8) khi chân trigger(6) ở
mức thấp các xung đầu vào có thể thuộc bất kỳ thời điểm nào tương ứng với xung đầu ra
Chân 12 cho phép kích mở trở lại khi nó là xung dương
Đặc điểm của vi mạch như sau:
- Công suất tiêu thụ thấp
- Hoạt động ở trạng thái đơn là chế độ không ổn định
- Các đầu ra ổn định ở mức các thể bù bổ xung chỉ yêu cầu một tín hiệu duy nhât
ngoài R hoặc C các đầu vào có điệm kiểm tra tĩnh ở điện áp 20Vđược chuẩn hoá đặc tính ,
đặc tính ở đầu ra chuẩn và đối xứng.
Có tác dụng cách ly mạch động lực và mạch điều khiển, tín hiệu điều khiển vẫn được truyền
nguyên vẹn từ mạch điều khiển tới mạch lực.
Hình 3.2 Phần tử cách ly quang

35
Sau khi có xung từ khối so sánh diode dẫn phát ra tín hiệu vào cực B của tranzito trong
OPTO. Nếu cực C của các tranzito đã có điện áp được cấp vào từ mạch nguồn thì tranzito sẽ
dẫn đặt điện áp vào cực G của các MOSFET
Mạch này sử dụng bộ cách ly quang PC817 với các thông số trong bảng sau
Tính chọn giá trị điện trở
𝑉𝑐𝑐−𝑉𝑙−𝑉𝑑
𝐼𝑑
=
5−1,7−1,2
10
=210(Ω)Vậy ta chọn R1=330(Ω) là phù hợp.

36
4.1. Tính toán, thiết kế mạch động lực
4.1..2. Tính toán chọn IGBT
- Điện áp đặt vào van: U=310V
- Coi tải là thuần trở ta có dòng qua van là
500
2.3A
220
P
I
U
  
Coi van công suất được chọn phải căn cứ vào thông số dòng điện và điện áp trong mạch. Cụ
thể các van công suất khi tính chọn phải thỏa các điều kiện do nhà sản xuất quy định. Trong
đó các thông số thường phải được ưu tiên hàng đầu khi tính chọn va công suất là điện áp
làm việc của van Uv; dòng điện hiệu dụng chảy qua van 𝐼𝑉𝑅𝑀𝑆 và dòng điện trung bình chảy
qua van 𝐼𝑉𝐴𝑉.
Trong đó điện áp van được chọn phải thỏa mãn điều kiện.
𝑈𝑣=(1.6÷2) 𝑈𝑛𝑔𝑚𝑎𝑥
=>𝑈𝑣 = 2×310 = 620V.
Còn dòng điện của van sông suất được chọn phụ thuộc vào điều kiện làm mát. Nếu va bán
dẫn công chỉ được làm mát bằng tản nhiệt đối lưu tự nhiên thì khả năng chịu dòn điện chỉ
bằng 25÷30% dòng định mức ghi trên van.
Nếu van bán dẫn công suất được làm mát bằng tản nhiệt và có quạt gió làm mát thì khả
năng chịu dòng điện bằng 50÷70% dòng định mức ghi trên van.
Nếu van bán dẫn công dược làm mát bằng tản nhiệt và có dung dịch làm mát thì khả năng
chịu dòng điện có thể đạt được 100% dòng định mức ghi trên van.Theo nhưng cách trên ta
chọn điều kiện làm mát bằng tản nhiệu đối lưu tự nhiên. Vì thế ta có :
I = (25÷30%) IVRMS
 IVRMS =(2.3*100)/25=9,2A
Chọn van có: 𝑈𝑉 = 600V và 𝐼𝑉 = 10A.
Căn cứ vào tính toán trên ta có thể chọn IGBT : FGA25N120AN
Tính năng của FGA25N120AN:

37
- Tốc độ chuyển mạch nhanh
- Điện áp bão hòa thấp: VCE(sat) =2.5 V, IC =25A
- Trở kháng vào cao
4.1.3. Bảo vệ IGBT
Thông thường IGBT được sử dụng trong những mạch đóng cắt tần số cao, từ 2 đến hàng
chục kHz. Ở tần số đóng cắt cao như vậy, những sự cố có thể phá hủy phần tử rất nhanh và
dẫn đến phá hỏng toàn bộ thiết bị. Sự cố thường xảy ra nhất là quá dòng do ngắn mạch từ
phía tải hoặc từ các phần tử có lỗi do chế tạo hoặc lắp ráp.
Có thể ngắt dòng IGBT bằng cách đưa điện áp điều khiển về giá trị âm. Tuy nhiên quá
tải dòng điện có thể đưa IGBT ra khỏi chế độ bão hòa dẫn đến công suất phát nhiệt tăng đột
ngột, phá hủy phần tử sau vài chu kỳ đóng cắt. Mặt khác khi khóa IGBT lại trong một thời
gian rất ngắn khi dòng điện rất lớn dấn đến tốc độ tăng dòng quá lớn, gây quá áp trên
collector, emiter, lập tức đánh thủng phần tử. Bên cạnh đó cũng sảy ra các sự cố bất ngờ,
những ảnh hưởng nhiễu. Chính vì vậy ta phải tính toán bảo vệ cho các van bán dẫn khi sảy
ra sự cố…
Để bảo vệ ngắn mạch và quá tải về dòng điện dùng Aptômat hoặc cầu chì.
- Nguyên tắc chọn thiết bị này là theo dòng điện với Ibv = (1,11,3)Ilv.
-Dòng bảo vệ của Aptômat không được vượt quá dòng ngắn mạch của máy biến áp.
Từ trên ta chọn cầu chì dể bảo vệ với:
Ibv = (1,11,3)Ilv= 1.3*2.3=2.99 (A)
Ta chọn cầu chì 3A để bảo vệ quá dòng cho IGBT.
4.1.4. Tính toán làm mát cho IGBT
Thiết bị bán dẫn rất nhạy cảm với nhiệt độ. Nếu khi làm việc nhiệt độ mặt ghép lớp
hơn nhiệt độ cho phép Tjm , thì có thể gây phá hỏng thiết bị bán dẫn. Vì vậy việc tính
toán tỏa nhiệt cho mặt ghép là rất cần thiết:
+ Khi tính toán sơ đồ đẳng trị nhiệt thể hiện như sau:
Trong đó:
Tj: Là nhiệt độ mặt ghép.
Tv: Là nhiệt độ vỏ thiết bị bán dẫn.
Tr: Là nhiệt độ cánh tản nhiệt.
Ta: Là nhiệt độ không khí của môi trường làm việc.
Rjv: Nhiệt trở giữa mặt ghép và vỏ thiết bị bán dẫn

38
Rvt:Nhiệt trở giữa vỏ và cánh tán nhiệt.
Rra: Nhiệt trở cánh tản nhiệt và không khí môi trường.
Hình 4.3: Sơ đồ đẳng trị nhiệt
+ Nhiệt độ được truyền từ vùng nóng sang vùng lạnh, công suất nhiệt được truyền tỉ
lệ thuận với nhiệt sai và tỉ lệ nghịch với nhiệt trở Rth.
∆P=
𝑇1−𝑇2
𝑅𝑡ℎ
Trong đó T1 là nhiệt độ vùng nóng, T2 là nhiệt độ vùng lạnh, nhiệt trờ
Rth = Rjv + Rvr + Rra được tính bằng ∘𝐶 /𝑤
- Trong các bài toán nhiệt thường đưa ra cho chúng ta biết Tjm, Ta, Rth, ∆P. Yêu cầu
xác định biện pháp làm mát bằng đốilưu tự nhiên hay phải quạt mát bằng bao nhiêu
m/s.

39
Hình 4.4:
a) Đặc tính vol-ampe
b ) Đường cong biểu diễn nhiệt trở cánh tản nhiệt và tốc độ quạt làm mát
c) Đường cong biểu diễn nhiệt trở cánh tản nhiệt và môi trường
Với những dữ kiện trên ta chọn tản nhiệt bằng tản nhiệt đối lưu.
có T1 = 155 oC, T2 = 30 oC, ∆P = 125 => Rth=1oC/W vậy ta có thể chọn loại tản
nhiệt dưới đây:
Hình 4.5: Tản nhiệt tiêu chuẩn
4.1.5. Khuếch đại tín hiệu điều khiển cho IGBT
Để khuếch đại tín hiệu điều khiển IGBT có 3 phương án:

40
1. Biến áp xung
2. IC chuyên dụng
3. Transistor
- Khuếch đại bằng biến áp xung thì có khả năng cách ly nhưng khó khăn trong cách sử
dụng và chế tạo.
- Khuếch đại bằng transistor thì nhỏ gọn hơn biến áp xung nhưng chỉ dùng cho các mạch
công suất nhỏ.
- Khuếch đại bằng IC chuyên dụng đối với mạch này sử dụng IC IR2110 vừa đáp ứng tần
số lớn vừa sử dụng khá dễ không đòi hỏi kiến thức chuyên sâu.
5.1. Tính toán, thiết kế mạch điều khiển
5.1.1. Sơ đồ nguyên lý của mạch điều khiển
Hình 2.8: Sơ đồ ngyên lý mạch điều khiển

41
5.1.2. Tính toán tần số đầu ra của mạch điều khiển
Tần số ra của bộ nghịch lưu là f=400Hz như vậy ta phải tính toán tần số xung ra của IC
SG3525 sao cho cũng có tần số 400Hz.
Hình 5.1: Sơ đồ khối của IC SG3525
Tần số của bộ dao động trong IC SG3525 được tính theo công thức (theo datasheet):
1
C (0.7.R 3 )
T T D
f
R


Như vậy tần số của bộ dao động phụ thuộc vào CT, RT và RD
Tần số của bộ dao động gấp đôi tần số đầu ra vậy nên để muốn tần số của 2 đầu ra là 50Hz
thì fosc=100Hz .
Ta chọn CT=0.1uF RD=220 Ω thay vào công thức trên:

42
6
1
100
0.1. (0.7.R 3.220)
10 T



ta suy ra RT=141.9 kΩ
 Chúng ta chọn RT là biến trở 100k và trở thường 100k
4.3.2 Sơ đồ mạch in
4.3.3 Sơ đồ bố trí linh kiện
Tiếp tục hoàn thành

43

Tính toán, thiết kế chế tạo mạch nghịch lưu nguồn áp một pha.docx

Recomendados

Recomendados

Mais conteúdo relacionado

Mais procurados

Mais procurados (20)

Semelhante a Tính toán, thiết kế chế tạo mạch nghịch lưu nguồn áp một pha.docx

Semelhante a Tính toán, thiết kế chế tạo mạch nghịch lưu nguồn áp một pha.docx (20)

Mais de Man_Ebook

Mais de Man_Ebook (20)

Último

Último (20)

Tính toán, thiết kế chế tạo mạch nghịch lưu nguồn áp một pha.docx