1. Static Random Access Memory (SRAM), o Memoria Estática de Acceso Aleatorio es un tipo
de memoria basada en semiconductores que a diferencia de la memoria DRAM, es capaz de
mantener los datos, mientras esté alimentada, sin necesidad de circuito de refresco. Sin embargo,
sí son memorias volátiles, es decir que pierden la información si se les interrumpe la alimentación
eléctrica.
No debe ser confundida con la SDRAM (Syncronous DRAM).
DRAM (Dynamic Random Access Memory) es un tipo de memoria dinámica de acceso
aleatorio que se usa principalmente en los módulos de memoria RAM y en otros dispositivos,
como memoria principal del sistema. Se denomina dinámica, ya que para mantener almacenado un
dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada cierto período, en un ciclo de refresco. Su
principal ventaja es la posibilidad de construir memorias con una gran densidad de posiciones y
que todavía funcionen a una velocidad alta: en la actualidad se fabrican integrados con millones de
posiciones y velocidades de acceso medidos en millones de bit por segundo. Es una memoria
volátil, es decir cuando no hay alimentación eléctrica, la memoria no guarda la información.
Inventada a finales de los sesenta, es una de las memorias más usadas en la actualidad.

2. DIMM son las siglas de «Dual In-line Memory Module» y que podemos traducir como Módulo de
Memoria en línea doble. Son módulos de memoria RAM utilizados en ordenadores personales. Se
trata de un pequeño circuito impreso que contiene chips de memoria y se conecta directamente en
ranuras de la placa base. Los módulos DIMM son reconocibles externamente por poseer sus
contactos (o pines) separados en ambos lados, a diferencia de los SIMM que poseen los contactos
de modo que los de un lado están unidos con los del otro.
RIMM, acrónimo de Rambus Inline Memory Module(Módulo de Memoria en Línea Rambus),
designa a los módulos de memoria RAM que utilizan una tecnología denominada RDRAM,
desarrollada porRambus Inc. a mediados de los años 1990 con el fin de introducir un módulo de
memoria con niveles de rendimiento muy superiores a los módulos de memoria SDRAM de
100 MHz y 133 MHz disponibles en aquellos años.
Los módulos RIMM RDRAM cuentan con 184 pines y debido a sus altas frecuencias de trabajo
requieren de difusores de calor consistentes en una placa metálica que recubre los chips del
módulo. Se basan en un bus de datos de 16 bits y están disponibles en velocidades de 300MHz
(PC-600), 356 Mhz (PC-700), 400 MHz (PC-800) y 533 Mhz (PC-1066) que por su pobre bus de 16
bits tenía un rendimiento 4 veces menor que la DDR. La RIMM de 533MHz tiene un rendimiento
similar al de un módulo DDR133, a pesar de que sus latencias son 10 veces peores que la DDR.
DDR (Double Data Rate) significa doble tasa de transferencia de datos en español. Son módulos
de memoria RAM compuestos por memorias síncronas (SDRAM), disponibles en
encapsulado DIMM, que permite la transferencia de datos por dos canales distintos
simultáneamente en un mismo ciclo de reloj. Los módulos DDR soportan una capacidad máxima
de 1 GiB (1 073 741 824 bytes).

3. Fueron primero adoptadas en sistemas equipados con procesadores AMD Athlon.Intel con
su Pentium 4 en un principio utilizó únicamente memorias RAMBUS, más costosas. Ante el avance
en ventas y buen rendimiento de los sistemas AMD basados en DDR SDRAM, Intel se vio obligado
a cambiar su estrategia y utilizar memoria DDR, lo que le permitió competir en precio. Son
compatibles con los procesadores de Intel Pentium 4 que disponen de un Front Side Bus (FSB) de
64 bits de datos y frecuencias de reloj internas que van desde los 200 a los 400 MHz.
Comparación gráfica entre memorias DDR, DDR2 y DDR3
Se utiliza la nomenclatura PC-XXXX, dónde se indica el ancho de banda del módulo y pueden
transferir un volumen de información de 8 bytes en cada ciclo de reloj a las frecuencias descritas.
Un ejemplo de cálculo para PC1600:
DDR2
DDR2 es un tipo de memoria RAM. Forma parte de la familia SDRAM de tecnologías de memoria
de acceso aleatorio, que es una de las muchas implementaciones de la DRAM.
Los módulos DDR2 son capaces de trabajar con 4 bits por ciclo, es decir 2 de ida y 2 de vuelta en
un mismo ciclo mejorando sustancialmente el ancho de banda potencial bajo la misma frecuencia
de una DDR SDRAM tradicional (si una DDR a 200 MHz reales entregaba 400 MHz nominales, la
DDR2 por esos mismos 200 MHz reales entrega 800 MHz nominales). Este sistema funciona
debido a que dentro de las memorias hay un pequeñobuffer que es el que guarda la información
para luego transmitirla fuera del módulo de memoria, este buffer en el caso de la DDR
convencional trabajaba tomando los 2 bits para transmitirlos en 1 sólo ciclo, lo que aumenta la
frecuencia final. En las DDR2, el buffer almacena 4 bits para luego enviarlos, lo que a su vez
redobla la frecuencia nominal sin necesidad de aumentar la frecuencia real de los módulos de
memoria.

4. Comparación gráfica entre memoriasDDR, DDR2 y DDR3
Las memorias DDR2 tienen mayores latencias que las conseguidas con las DDR convencionales,
cosa que perjudicaba su rendimiento. Reducir la latencia en las DDR2 no es fácil. El mismo hecho
de que el buffer de la memoria DDR2 pueda almacenar 4 bits para luego enviarlos es el causante
de la mayor latencia, debido a que se necesita mayor tiempo de "escucha" por parte del buffer y
mayor tiempo de trabajo por parte de los módulos de memoria, para recopilar esos 4 bits antes de
poder enviar la información.
DDR3 es un tipo de memoria RAM. Forma parte de la familia SDRAM de tecnologías de memoria
de acceso aleatorio, que es una de las muchas implementaciones de la SDRAM.
El principal beneficio de instalar DDR3 es la habilidad de poder hacer transferencias de datos más
rápido,y con esto nos permite obtener velocidades de transferencia y velocidades de bus más altas
que las versiones DDR2 anteriores. Sin embargo, no hay una reducción en la latencia, la cual es
proporcionalmente más alta. Además la DDR3 permite usar integrados de 512 MB a 8GB, siendo
posible fabricar módulos de hasta 16 GiB. También proporciona significativas mejoras en el
rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo que lleva consigo una disminución global de consumo
eléctrico.