1. Slide 1Mikrosysteme – Photolithographie
GrundlagenGrundlagen
Mikro- und NanosystemeMikro- und Nanosysteme
Mikro- und Nanosysteme in der Umwelt, Biologie und MedizinMikro- und Nanosysteme in der Umwelt, Biologie und Medizin
PhotolithographiePhotolithographie
Dr. Marc R. DusseillerDr. Marc R. Dusseiller
13. Slide 13Mikrosysteme – Photolithographie
MaskenherstellungMaskenherstellung
Masken haben generell eine höhere Qualität/AuflösungMasken haben generell eine höhere Qualität/Auflösung
können mehrmals gebraucht werdenkönnen mehrmals gebraucht werden
Herstellung meist bei SpezialfirmenHerstellung meist bei Spezialfirmen
teuerteuer
HerstellungHerstellung
Glassplatte mit strukturierter ChromschichtGlassplatte mit strukturierter Chromschicht
Elektronenstrahl geschrieben (sequenziell)Elektronenstrahl geschrieben (sequenziell)
Laser geschrieben (sequenziell)Laser geschrieben (sequenziell)
16. Slide 16Mikrosysteme – Photolithographie
PhotolithographiePhotolithographie
Artekakte bei der Beleuchtung/EntwicklungArtekakte bei der Beleuchtung/Entwicklung
Beispiel negativer ResistBeispiel negativer Resist
17. Slide 17Mikrosysteme – Photolithographie
Auflösung der PhotolithographieAuflösung der Photolithographie
Belichtung (minimale Linienbreite, eg. 45 nm)Belichtung (minimale Linienbreite, eg. 45 nm)
Linienbreite hängt ab vonLinienbreite hängt ab von
Wellenlänge des UV LichtsWellenlänge des UV Lichts
(DUV 150 – 300 nm, UV 350 – 500 nm)(DUV 150 – 300 nm, UV 350 – 500 nm)
Dicke des PhotolacksDicke des Photolacks
( )
eResistdick
MaskezurAbstand
eWellenläng
teLinienbreiminimale
2
3
min
=
=
=
=
+≈
z
s
w
zsw
λ
λ
19. Slide 19Mikrosysteme – Photolithographie
Prozessschritte der PhotolithographieProzessschritte der Photolithographie
Nach der Strukturierung des Resists folgt der ProzessschrittNach der Strukturierung des Resists folgt der Prozessschritt
• ÄtzenÄtzen
• DotierenDotieren
• Beschichten (Lift-Off)Beschichten (Lift-Off)
• Elektroformen (LIGA)Elektroformen (LIGA)
• Mikroabformen (PDMS - Soft Lithographie)Mikroabformen (PDMS - Soft Lithographie)
Meist wird nach dem Prozess der Resist wieder entfernt (Strippen)Meist wird nach dem Prozess der Resist wieder entfernt (Strippen)
• Nasschemisches ÄtzenNasschemisches Ätzen
• LösungsmittelLösungsmittel
• PlasmaätzenPlasmaätzen
20. Slide 20Mikrosysteme – Photolithographie
DünnschichtätzenDünnschichtätzen
Beschichtetes SubstratBeschichtetes Substrat
PhotolithographiePhotolithographie
Ätzen der BeschichtungÄtzen der Beschichtung
Selektiv für BeschichtungsmaterialSelektiv für Beschichtungsmaterial
Stopp am Substrat oder über ÄtzzeitStopp am Substrat oder über Ätzzeit
Resist strippenResist strippen
Braun: Photoresist
Grün: Dünnschicht (zb Pt
oder TiO2
)
Grau: Substrat (zb Si)
21. Slide 21Mikrosysteme – Photolithographie
Dotieren - DopingDotieren - Doping
PhotolithographiePhotolithographie
Medium mit Dotierungselementen, DiffusionMedium mit Dotierungselementen, Diffusion
Bor, Gallium (p-type, Gruppe III Elemente)Bor, Gallium (p-type, Gruppe III Elemente)
Phosphor, Arsen (n-type, Gruppe V Elemente)Phosphor, Arsen (n-type, Gruppe V Elemente)
Oder durch Ionen Implantation (bombardment)Oder durch Ionen Implantation (bombardment)
Resist strippenResist strippen
22. Slide 22Mikrosysteme – Photolithographie
Lift-OffLift-Off
Spezielle Photoresist (Flanken)Spezielle Photoresist (Flanken)
zB. Image Reversal ResistszB. Image Reversal Resists
Beschichtung, stark gerichtetBeschichtung, stark gerichtet
Lift-Off durch Auflösung des ResistsLift-Off durch Auflösung des Resists
Wenn Beschichtung durchgehend nicht möglichWenn Beschichtung durchgehend nicht möglich