Los transistores son dispositivos semiconductores que se utilizan para amplificar o conmutar señales eléctricas y se encuentran en la mayoría de los aparatos electrónicos. Existen cinco tipos principales de transistores: transistores de efecto de campo, transistores bipolares, transistores de potencia, transistores Darlington y MOSFET. Cada tipo tiene características y usos específicos en aplicaciones electrónicas.
2. TRANSISTOR
• Es un dispositivo electrónico semiconductor utilizado para entregar una señal de
salida en respuesta a una señal de entrada.
• Actualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos electrónicos de
uso diario: radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo,
computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares, entre
otros.
3. TIPOS DE TRANSISTORES
• Transistores Amplificador
• Transistores de efecto de campo
• Transistores de potencia
• Transistores de Bipolares
• Transistor FARLINGTON
• MOSFET
• JFET
4. Transistores Amplificador
• En los amplificadores, gracias a los transistores se consigue la intensidad
de los sonidos y de las señales en general. El amplificador posee una
entrada por donde se introduce la señal débil y otra por donde se
alimenta con C.C. La señal de salida se ve aumentada gracias a la
aportación de esta alimentación, siguiendo las mismas variaciones de
onda que la de entrada.
6. TRANSISTORES DE EFECTO DE
CAMPO
• Es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la
conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET puede.
• Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source). La
puerta es la terminal equivalente a la base del BJT (Bipolar Junction Transistor). El transistor
de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el
voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.
en plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.
8. TRANSISTORES DE POTENCIA
• El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia es idéntico al de los
transistores normales, teniendo como características especiales las altas tensión ese
intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar.
• Existen tres tipos de transistores de potencia:
1.-bipolar.
2.-unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo).
3.-IGBT.
10. TRANSISTORES DE BIPOLARES
• Un transistor bipolar está formado por dos uniones pn en contraposición. Físicamente, el
transistor está consitutído por tres regiones semiconductoras denominadas emisor, base y
colector. Existen 2 tipos de transistores bipolares, los denominados NPN y PN.
• Las condiciones normales de funcionamiento de un transistor NPN se dan cuando el diodo B-E
se encuentra polarizado en directa y el diodo B-C se encuentra polarizado en inversa. En
esta situación gran parte de los electrones que fluyen del emisor a la base consiguen
atravesar ésta, debido a su poco grosor y débil dopado, y llegar al colector.
12. TRANSISTOR DARLINGTON
• Es un dispositivo semiconductor que combina dos transistores bipolares
en un tándem (a veces llamado par Darlington) en un único dispositivo.
• La configuración (originalmente realizada con dos transistores separados)
fue inventada por el ingeniero de los Laboratorios Bell Sidney Darlington.
La idea de poner dos o tres transistores sobre un chip fue patentada por
él, pero no la idea de poner un número arbitrario de transistores que
originaría la idea moderna de circuito integrado.
14. MOSFET
• El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados surtidor (S), drenador (D),
compuerta (G) y sustrato (B). Sin embargo, el sustrato generalmente está conectado
internamente al terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos
MOSFET de tres terminales.
• El término 'metal' en el nombre MOSFET es actualmente incorrecto ya que el material de la
compuerta, que antes era metálico, ahora se construye con una capa de silicio policristalino. El
aluminio fue el material por excelencia de la compuerta hasta mediados de 1970, cuando
el silicio policristalino comenzó a dominar el mercado gracias a su capacidad de formar
compuertas auto-alineadas. Las compuertas metálicas están volviendo a ganar popularidad,
dada la dificultad de incrementar la velocidad de operación de los transistores sin utilizar
componentes metálicos en la compuerta. De manera similar, el 'óxido' utilizado como aislante en
la compuerta también se ha reemplazado por otros materiales con el propósito de obtener
canales fuertes con la aplicación de tensiones más pequeñas.
16. JFET
• l JFET (Junction Field-Effect Transistor, en español transistor de efecto de campo de
juntura o unión) es un dispositivo electrónico, esto es, un circuito que, según unos valores
eléctricos de entrada, reacciona dando unos valores de salida
• Físicamente, un JFET de los denominados "canal P" está formado por una pastilla
de semiconductor tipo P en cuyos extremos se sitúan dos patillas de salida (drenador y
fuente) flanqueada por dos regiones con dopaje de tipo N en las que se conectan dos
terminales conectados entre sí (puerta).