1. Nama : Yazid Khoirul Anwar
Nim : 111910201102
Tugas : Elektronika Daya – Bab.5

2. 
GTO adalah arus dikontrol perangkat pembawa
minoritas ( yaitu bipolar ). GTOs berbeda dari
thyristor konvensional dalam hal itu, mereka
dirancang untuk mematikan ketika arus negatif
dikirim melalui gate, sehingga menyebabkan
pembalikan arus gate. Sebuah arus gate yang relatif
tinggi diperlukan mematikan perangkat dengan turn
off khas di kisaran 4-5 . Selama konduksi , di sisi
lain , perangkat berperilaku seperti thyristor dengan
sangat rendah ON drop tegangan negara.

3. Konstruksi
GTO



Seperti halnya thyristor, GTO juga terdiri
dari empat lapisan p-n-p-n dan tiga
junction. Dalam rangka untuk mendapatkan
efisiensi tinggi emitor pada ujung katoda,
lapisan katoda n+ dibuat dengan doped.
Akibatnya, fungsi tegangan breakdown
terhadap J3 (junction ketiga) rendah
(biasanya 20-40V). Untuk menjaga
efisiensi emitor tetap baik pada tingkat
doping ini , maka Lapisan harus rendah. Di
sisi lain, dari sudut pandang yang baik
maka properties harus dimatikan. Secara
resistif lapisan ini harus serendah mungkin
unyuk memenuhi tingkat doping pada
wilayah ini agar menjadi tinggi.
Oleh karena itu, tingkat doping lapisan ini
sangat diperhitungkan. Selain itu, dalam
rangka mengoptimalkan kapasitas arus yg
diputus, junction gate katoda harus diubah
menjadi lebih tinggi.
3000 Amp GTO dapat terdiri dari hingga
3000 segmen katoda individu yang diakses
melalui kontak utama.

4. 

GTO merupakan komponen elektronika daya yang
memiliki tiga terminal, yaitu: anoda, katoda, dan
gerbang (gate). Semikonduktor daya ini termasuk
dalam keluarga thyristor. Dalam rangkaian elektronika
daya, GTO dioperasikan sebagai sakelar.
Seperti SCR (silicon-controlled rectifier), GTO akan
konduksi (ON) jika potensial pada anoda lebih positif
daripada potensial pada katoda dan pada terminal gate
dialirkan pulsa arus positif dan akan terus ON. GTO
akan OFF jika terminal gate dan katoda diberi tegangan
yang lebih negatif atau dialiri pulsa arus negatif.

5. 

Struktur GTO yg berupa p-n-p-n monolitik
sepertihalnya thyristor yg prinsip dasar kerjanya
dapat dijelaskan dengan cara yang mirip dengan
thyristor. Secara khusus, struktur p-n-p-n dari suatu
GTO bisa dibuat terdiri dari satu p-n-p dan satu n-pn transistor yg dihubungkan dalam konfigurasi
regeneratif .
GTO memiliki penguatan rendah selama turn-off
dan memerlukan pulsa arus negative yang relative
besar untuk turn-off. Tegangan keadaan on untuk
rata-rata GTO 550 A, 1200 V besarnya 3,4 V.

6. 

(a). Arus yg terpicu dari GTO
jauh lebih tinggi daripada
thyristor dgn rating serupa. Arus
bocor juga jauh lebih tinggi.
Perlu dicatat bahwa GTO dapat
menghalangi tegangan forward
hanya saat gate membias
negatif terhadap katoda.
(b). Zona antara kurva min dan
max mencerminkan variasi
parameter
antara
masingmasing GTO. Karakteristik ini
berlaku untuk DC dan arus gate
AC berfrekuensi rendah.

7. 

GTO merupakan komponen elektronika daya yang
memiliki tiga terminal, yaitu: anoda, katoda, dan
gerbang (gate). Semikonduktor daya ini termasuk
dalam keluarga thyristor. Dalam rangkaian elektronika
daya, GTO dioperasikan sebagai sakelar.
Seperti SCR (silicon-controlled rectifier), GTO akan
konduksi (ON) jika potensial pada anoda lebih positif
daripada potensial pada katoda dan pada terminal gate
dialirkan pulsa arus positif dan akan terus ON. GTO
akan OFF jika terminal gate dan katoda diberi tegangan
yang lebih negatif atau dialiri pulsa arus negatif.

8. 



Pulsa ON dan OFF untuk GTO yang
dikomunikasikan ke unit masingmasing gate melalui kabel serat optik.
Sinyal-sinyal optik dikonversikan ke
sinyal listrik oleh konverter sinyal
optik-listrik.
Sinyal-sinyal listrik melalui kontrol
logika kemudian menghasilkan keluaran
sinyal ON dan OFF yang berupa arus
gate positif dan negatif yg mengalir ke
GTO.
Logika
kontrol
juga
dapat
mengawasi konduksi GTO dengan cara
memantau tegangan gate-katoda. Setiap
kesalahan dikirim kembali melalui
kabel serat optik ke kontrol utama.
Suplai daya untuk unit drive gate
berasal dari catu daya utama melalui
frekuensi tinggi
pengaturan SMPS (Blok A, B & C).