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Doc no WJSIDAI001 18 Mar 2004                          デバイスモデル                          デバイスモデル                           ...
Doc no WJSIDAI001 18 Mar 2004ご依頼の方法について お客様に準備して頂くものは以下の 2 点です。① データシートまたは、仕様書半導体メーカーが公開しているデータシート、あるいはカスタム品の場合は、電気的特性が記述さ...
Doc no WJSIDAI001 18 Mar 2004I-V CharacteristicEvaluation Circuit                                R1                       ...
サイ ダッ ク                                                                K1V24(W)●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics (Tl=25...
K1V22(W)                                               K1V24(W)             V T - IT ì¡ê´                                 ...
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  1. 1. Doc no WJSIDAI001 18 Mar 2004 デバイスモデル デバイスモデル サイダック 株式会社ビー・テクノロジー Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.
  2. 2. Doc no WJSIDAI001 18 Mar 2004ご依頼の方法について お客様に準備して頂くものは以下の 2 点です。① データシートまたは、仕様書半導体メーカーが公開しているデータシート、あるいはカスタム品の場合は、電気的特性が記述されている仕様書です。② サイダックのサンプルを 3 個対象となるサイダックを 3 個準備して下さい。計測をする際に予備として準備して頂きます。また、3 個準備出来ない場合はご相談下さい。お客様より準備して頂いた後にデバイスモデリングを実施致します。当社からお客様にご提供する納品物は以下の通りです。① デバイスモデル(スパイスモデル)⇒サイダックのデバイスモデルは等価回路モデルでご 提供致します。② デバイスモデリング・レポート③ 回路図シンボル以下の 1 つの特性を評価検証し、ご報告致します。I-V Characteristic次ページ以降に新電元工業株式会社の K1V24(W)のデバイスモデリング・レポートの一部を掲載致します。 Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.
  3. 3. Doc no WJSIDAI001 18 Mar 2004I-V CharacteristicEvaluation Circuit R1 N00018 500 0 U2 MT2 K1V24W V1 VOFF = 0 VAMPL = 280V MT1 FREQ = 50Hz 1 0Circuit Simulation Simulation Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.
  4. 4. サイ ダッ ク K1V24(W)●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics (Tl=25℃) 項目 記号 条件 規格値 単位 Item Symbol Conditions Ratings Unitブレークオーバー電圧 VBO IB = 0, 50Hz sine wave 220~250 VBreakover Voltageオフ電流 IDRM VD = VDRM Max 10 μAOff-state Currentブレークオーバー電流 IBO Max 0.5 mABreakover Current保持電流 IH TYP 50 mAHolding Currentオン電圧 VT IT = 1A Max 3.0 VOn-state Voltageスイッチング抵抗 RS Min 0.1 kΩSwitching Resistance熱抵抗 θjl Junction to lead Max 15 ℃/WThermal Resistance●基板実装標準設計 Standard Design with P.C.B. 項目 記号 条件 標準値 単位 Item Symbol Conditions Standard Unit実効オン電流 IT Assembled in P.C.B., Ta = 25℃, 0.55 ARMS On-state Current soldering land 3mmφCopyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd
  5. 5. K1V22(W) K1V24(W) V T - IT ì¡ê´ K1V26(W) Typical On-State Voltage 3Instantaneous On-State Current Tl=125°C [TYP] Tl=25°C [TYP] ÉIÉììdó¨ IT [A] 1 0.8 0.6 0.4 ÉpÉãÉXë™íË Pulse measurement 0.2 1.2 1.6 2 2.4 2.8 3.2 3.6 ÉIÉììdà≥ VT [V] Instantaneous On-State Voltage
  6. 6. K1V22(W) K1V24(W) ìdóÕëπé∏ã»ê¸ K1V26(W) Power Dissipation 3.2 Tj=125°C Sine Wave Conduction Angle 180° 2.8 2.4 2Power DissipationìdóÕëπé∏ P [W] 1.6 1.2 0.8 0.4 0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 é¿å¯ìdó¨ IT (rms) [A] On-State Current
  7. 7. K1V22(W) K1V24(W) ÉäÅ[Éhâ∑ìx - é¿å¯ìdó¨ K1V26(W) Maximum Lead Temperature 1.4 Tj=125°C Sine Wave Conduction Angle 180° 1.2 1é¿å¯ìdó¨ IT (rms) [A] On-State Current 0.8 0.6 0.4 0.2 0 40 60 80 100 120 140 ÉäÅ[Éhâ∑ìx Tl [°C] Allowable Lead Temperature
  8. 8. K1V22(W) K1V24(W) é¸àÕâ∑ìx - é¿å¯ìdó¨ K1V26(W) Maximum Ambient Temperature 1.2 Tj=125°C Mounted on PCB Sine Wave 20mm Conduction Angle 180° l 1 Soldering land 3mmφ l = 2~15mm 0.8é¿å¯ìdó¨ IT (rms) [A] On-State Current 0.6 0.4 0.2 0 0 20 40 60 80 100 120 140 é¸àÕâ∑ìx Ta [°C] Allowable Ambient Temperature
  9. 9. K1V22(W) K1V24(W) ÇπÇÒì™ÉTÅ[ÉWÉIÉììdó¨ëœó K1V26(W) Maximum Surge On-State Current 25 Non-repetitive Sine Wave 50Hz Conduction Angle 180° Free In Air Tj = 25°C 20 ITSM [A]Surge On-State Current 15 ÇπÇÒì™ÉTÅ[ÉWÉIÉììdó¨ 10 5 0 1 2 5 10 20 50 100 í ìdîgêî [cycle] Number of Cycles
  10. 10. K1V22(W) K1V24(W) çÇé¸îgìdó¨ëœó ã»ê¸ K1V26(W) Pulse On-State Current Rating 1000 IP 0 t0 1/f Current Wave Form Free in air Sine Wave di T/dt limit line Ta = 25°CPeak Pulse On-State Current 100 ÉpÉãÉXìdó¨êÎì™íl IP [A] f = 1 ~ 120Hz f = 1kHz 10 f = 5kHz 1 1 2 5 10 20 50 100 200 ÉpÉãÉXÉxÅ[ÉXïùt0 [µs] Pulse Base Width
  11. 11. K1V22(W) K1V24(W) ÉpÉãÉXÉIÉììdó¨ K1V26(W) Pulse On-State Current Derating 1.2 IP 0 t0 1/f 1 Current Wave Form Free in air Sine Wave Ta = 25°C IP(T) / IP(Ta=25°C) 0.8Pulse On-State Current Ratio f = 1 ~ 120Hz f = 1 ~ 5kHz 0.6 ÉpÉãÉXÉIÉììdó¨ 0.4 0.2 0 0 20 40 60 80 100 120 140 é¸àÕâ∑ìx Ta [°C] Ambient Temperature
  12. 12. K1V22(W) K1V24(W) âflìnîMíÔçR K1V26(W) Transient Thermal Resistance Mounted on PCB θja 20mm 100 l Soldering land 3mmφ θjl l = 2~15mm 10 θja θjl [°C/W] 1 âflìnîMíÔçRTransient Thermal Resistance 0.1 10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 102 103 éûä‘ t [s] Duration
  13. 13. K1V22(W) K1V24(W) ÉuÉåÅ[ÉNÉIÅ[ÉoÅ[ìdà≥ - ê⁄çáâ∑ìx K1V26(W) Breakover Voltage - Junction Temperature 1.1 1.05 1 VBO(T) / VBO(Tj=25°C) 0.95 0.9 Breakover Voltage Ratio 0.85ÉuÉåÅ[ÉNÉIÅ[ÉoÅ[ìdà≥ 0.8 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 ê⁄çáâ∑ìx Tj [°C] Junction Temperature

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