Lithography is technique for depositing thin films with patterns of high precision, which help to stay up to technological challenges especially in computer manufacturing. which is basically based on Transistors compacting.

1. Réalisé par :
DIMOKRATI Ahmed
Dimokrati.ahmed@gmail.com
Encadré par :
Mr.AMJOUD M’barek
2014-2015
Dans le cadre de la complémentarité du module de
technologie des couches minces
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2.  INTRODUCTION
 LITHOGRAPHIE
 Principe.
 Les différentes techniques de la Lithographie.
▪ Lithographie optique.
▪ Lithographie à faisceau d’électrons.
 Comparatif des deux techniques.
 Nano-impression.
 ITRS
 APPLICATION (Transistor MOS)
 CONCLUSION
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3. Richard feynman (1959)
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4. 4

5.  Principe:
Substrat Résine photosensible Masque
+ +
+
Exposition Développement 5

6. 6

7.  Dépôt de la résine photosensible:
 Facteurs liés au spiner : vitesse de
rotation, accélération et le temps de
l’opération.
 Facteurs lies au matériau déposé
(résine): quantité, concentration dans le
solvant, sa viscosité
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8.  Les différents types de résines utilisées:
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9.  La résolution
 Pour la lithographie optique par projection la
résolution est définie par le critère de Rayleigh:
K1: paramètre qui dépend du procédé (résine, appareillage,…)
Y : longueur d’onde d’insolation
NA: l’ouverture numérique du système optique
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10.  Tracer directement les
motifs sur la résine
electrosensible.
 Avoir des résolutions de
l’ordre du nanomètre
 Un processus trop lent
Ultra High resolution in PMMA
16 nm line width
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11. • Eléments principales d’une colonne optique:
•Source d’électrons
•Lentilles
électroniques
(condenseurs)
•Lentille magnétique
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12. Photolithographie EBL
• Problème de Diffraction de la
lumière.
• En utilisant des longueurs
d’onde de 193 nm on peut
arriver à des résolutions de 80
nm.
• L’impression se fait d’une
façon parallèle.
•Très adaptée à la production
en masse
• Sans masque
• On peut atteindre des
résolutions d’un nanomètre.
• L’impression s’effectue point
par point
• Réservée aux travaux de
recherches et quelques
applications spécifiques
VS
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13. 13

14. 14

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23.  Lithographie de nouvelles génération par nano
impression assistée par UV : étude et développement
de matériaux et procédés pour l’application
microélectronique, thèse de Paulin voisin.
 Electron beam lithography of nanostructures, D A
Tennant and A R Bleier, Cornell University 2011
Elsevier B.V.
 Etude et caractérisation des films minces lors du
procédé de Lithographie par nano impression, these
de Fréderic Lazzarino.
 B.J. Lin, C.R. Physique 7 (2006) “Optical Lithography-
presents and future challenges”.
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