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1. INGENIERÍA DE SISTEMAS E INFORMÁTICA
IV CICLO
LOS SEMICONDUCTORES INTRÍNSECOS Y
LOS SEMICONDUCTORES DOPADOS
CURSO : FÍSICA ELECTRÓNICA
PROF. : JUAN MENDOZA NOLORBE
PRESENTADO POR:
VÍCTOR GONZALES

2. INTRODUCCIÓN
 Un semiconductor es un material o compuesto que
tiene propiedades aislantes o conductoras. Unos
de los elementos más usados como
semiconductores son el silicio, el germanio y
selenio, además hay otros que no son elementos
como los mencionados anteriormente si no que son
compuestos como lo son el Arseniuro de Galio, el
Telururo de Plomo y el Seleniuro de Zinc.(1)
 Describiremos la importancia y las propiedades de
los semiconductores intrínsecos y los
semiconductores dopados.
(1) http://fisicadesemiconductores.blogspot.com/

3. LOS SEMICONDUCTORES
INTRÍNSECOS (2)
 Es un semiconductor puro. A temperatura ambiente se
comporta como un aislante porque solo tiene unos
pocos electrones libres y huecos debidos a la energía
térmica.
 En un semiconductor intrínseco también hay flujos de
electrones y huecos, aunque la corriente total resultante
sea cero. Esto se debe a que por acción de la energía
térmica se producen los electrones libres y los huecos
por pares, por lo tanto hay tantos electrones libres como
huecos con lo que la corriente total es cero.
 Intrínseco indica un material semiconductor
extremadamente puro contiene una cantidad
insignificante de átomos de impurezas. Donde n=p=ni
(2) http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema2/Paginas/Pagina4.htm

4. FLUJO ESTABLE DE ELECTRONES LIBRES Y
HUECOS DENTRO DEL SEMICONDUCTOR (3)
 Cuando los electrones libres
llegan la extremo derecho del
cristal, entran al conductor
externo (normalmente un hilo
de cobre) y circulan hacia el
terminal positivo de la batería.
Por otro lado, los electrones
libres en el terminal negativo de
la batería fluirían hacia el
extremos izquierdo del cristal.
Así entran en el cristal y se
recombinan con los huecos que
llegan al extremo izquierdo del
cristal. Se produce un flujo
estable de electrones libres y
huecos dentro del
semiconductor.
(3) http://quintonochea.wikispaces.com/semiconductores1

5. GENERACIÓN TÉRMICA DE PARES
ELECTRÓN-HUECO (4)
 Si un electrón de valencia se
convierte en electrón de
conducción deja una posición
vacante, y si aplicamos un campo
eléctrico al semiconductor, este
“hueco” puede ser ocupado por
otro electrón de valencia, que deja
a su vez otro hueco. Este efecto es
el de una carga +e moviéndose en
dirección del campo eléctrico. A
este proceso le llamamos
„generación térmica de pares
electrón-hueco‟
(4) http://fisicauva.galeon.com/aficiones1925812.html

6. EJEMPLO
 El silicio en su modelo
bidimensional, Vemos como cada
átomo de silicio se rodea de sus 4
vecinos próximos con lo que
comparte sus electrones de valencia.
A 0ºK todos los electrones hacen su
papel de enlace y tienen energías
correspondientes a la banda de
valencia. Esta banda estará
completa, mientras que la de
conducción permanecerá vacía. Es
cuando hablamos de que el conductor
es un aislante perfecto.

7. LOS SEMICONDUCTORES DOPADOS
 El dopaje consiste en
sustituir algunos átomos de
silicio por átomos de otros
elementos. A estos últimos
se les conoce con el
nombre de impurezas.
Dependiendo del tipo de
impureza con el que se
dope al semiconductor
puro o intrínseco aparecen
dos clases de
semiconductores.(5)
Sentido del movimiento de un electrón y un
 Semiconductor tipo P hueco en el silicio.
 Semiconductor tipo N
(5) http://www.ifent.org/lecciones/semiconductor/dopado.asp

8. CASO 1 DOPADO DE UN SEMICONDUCTOR (6)
 Impurezas de valencia 5
(Arsénico, Antimonio, Fós
foro). Tenemos un cristal
de Silicio dopado con
átomos de valencia 5
 Los átomo de valencia 5
tienen un electrón de
más, así con una
temperatura no muy
elevada (a temperatura
ambiente por ejemplo), el
5º electrón se hace
electrón libre. Esto
es, como solo se pueden
tener 8 electrones en la
órbita de valencia, el
átomo pentavalente
suelta un electrón que
será libre.
(6) http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema2/Paginas/Pagina5.htm

9. CASO 2
 Impurezas de valencia 3
(Aluminio, Boro, Galio). Tenemos un
cristal de Silicio dopado con átomos de
valencia 3.
 Los átomo de valencia 3 tienen un
electrón de menos, entonces como nos
falta un electrón tenemos un hueco.
Esto es, ese átomo trivalente tiene 7
electrones en la orbita de valencia. Al
átomo de valencia 3 se le llama "átomo
trivalente" o "Aceptor".
 A estas impurezas se les llama
"Impurezas Aceptoras". Hay tantos
huecos como impurezas de valencia 3 y
sigue habiendo huecos de generación
térmica (muy pocos). El número de
huecos se llama p (huecos/m3). (7)
(7)
http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema2
/Paginas/Pagina5.htm

10. ELEMENTOS DOPANTES (8)
 Para los semiconductores
del Grupo IV como
Silicio, Germanio y Carburo
de silicio, los dopantes más
comunes son elementos del
Grupo III o del Grupo V.
Boro, Arsénico, Fósforo, y
ocasionalmente Galio, son
utilizados para dopar al
Ejemplo de dopaje de Silicio por el
Silicio. Fósforo (dopaje Tipo N). En el caso
del Fósforo, se dona un electrón
(8) http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconductores)

11. EJEMPLO DE DOPAJE «TIPO P»
 El siguiente es un ejemplo
de dopaje de Silicio por el
Boro (P dopaje). En el
caso del boro le falta un
electrón y, por tanto, es
donado un hueco de
electrón.La cantidad de
portadores mayoritarios
será función directa de la
cantidad de átomos de
impurezas introducidos.
En el doping tipo p, la creación de
(9) agujeros, es alcanzada mediante la
http://ecotecnologias.wordpress.com/tag/celd incorporación en el silicio de átomos con 3
as-solares/ electrones de valencia, generalmente se
utiliza boro.(9)

12. CONCLUSIONES
Un semiconductor es En la producción de
“intrínseco” cuando se semiconductores, se
encuentra en estado puro, o denomina dopaje al
sea, que no contiene ninguna proceso intencional de
impureza, ni átomos de otro agregar impurezas en un
tipo dentro de su estructura. semiconductor
En ese caso, la cantidad de extremadamente puro
huecos que dejan los (también referido como
electrones en la banda de intrínseco) con el fin de
valencia al atravesar la banda cambiar sus propiedades
prohibida será igual a la eléctricas. Las impurezas
cantidad de electrones libres utilizadas dependen del
que se encuentran presentes tipo de semiconductores a
en la banda de conducción dopar.