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TRANSISTORES VERÓNICA SUEIRO NÚÑEZ 3ºD
¿Que son? El  transistor  es un dispositivo  electrónico   semiconductor   de tres capas que consiste de dos capas de material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al primero se le llama transistor npn, en tanto que al segundo transistor pnp  que cumple funciones de  amplificador ,  oscilador ,  conmutador  o  rectificador .
TIPOS DE TRANSISTORES ,[object Object],[object Object]
Elementos de un transistor: : Elementos de un transisitor: · EMISOR, que emite los portadores de corriente,(huecos o electrones). Su labor es la equivalente al CÁTODO en los tubos de vacío o "lámparas" electrónicas.   · BASE, que controla el flujo de los portadores de corriente. Su labor es la equivalente a la REJILLA cátodo en los tubos de vacío o "lámparas" electrónicas.  · COLECTOR, que capta los portadores de corriente emitidos por el emisor. Su labor es la equivalente a la PLACA en los tubos de vacío o "lámparas" electrónica S
Tipos de transitores: · Transistores de efecto de campo. ( JFET, MESFET, MOSFET )   -   JFET,   De efecto de campo de unión (JFET): También llamado transistor unipolar, fué el primer transistor de efecto de campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica.   -MOSFET,   transistores de efecto de campo de metal-óxido semiconductor. Cada transistor es formado por dos islas de silicio, una dopada para ser positiva, y la otra para ser negativa, y en el medio, actuando como una puerta, un electrodo de metal.   - MESFET,   transistores de efecto de campo metal semiconductor. · Transistores HBT y HEMT.  Las siglas HBT y HEMT pertenecen a las palabras  Heterojuction Bipolar Transistor (Bipolar de Hetereoestructura)  y  Hight Electron Mobility Transistor ( De Alta Movilidad).  Son dispositivos de 3 terminales formados por la combinación de diferentes componentes, con distinto salto de banda prohibida.
Mosfet MOSFET  son las siglas de  Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor . Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la  estructura MOS . Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica. Prácticamente la totalidad de los circuitos integrados de uso comercial están basados en transistores MOSFET. Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante técnicas de difusión de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por una capa de conductor. Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos fundamentales dependiendo de cómo se haya realizado el dopaje, Tipo  pMOS : Sustrato de tipo  n  y difusiones de tipo  p .  Tipo  nMOS : Sustrato de tipo  p  y difusiones de tipo  n .
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Transistores

  • 2. ¿Que son? El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al primero se le llama transistor npn, en tanto que al segundo transistor pnp que cumple funciones de amplificador , oscilador , conmutador o rectificador .
  • 3.
  • 4. Elementos de un transistor: : Elementos de un transisitor: · EMISOR, que emite los portadores de corriente,(huecos o electrones). Su labor es la equivalente al CÁTODO en los tubos de vacío o "lámparas" electrónicas. · BASE, que controla el flujo de los portadores de corriente. Su labor es la equivalente a la REJILLA cátodo en los tubos de vacío o "lámparas" electrónicas. · COLECTOR, que capta los portadores de corriente emitidos por el emisor. Su labor es la equivalente a la PLACA en los tubos de vacío o "lámparas" electrónica S
  • 5. Tipos de transitores: · Transistores de efecto de campo. ( JFET, MESFET, MOSFET ) - JFET, De efecto de campo de unión (JFET): También llamado transistor unipolar, fué el primer transistor de efecto de campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica. -MOSFET, transistores de efecto de campo de metal-óxido semiconductor. Cada transistor es formado por dos islas de silicio, una dopada para ser positiva, y la otra para ser negativa, y en el medio, actuando como una puerta, un electrodo de metal. - MESFET, transistores de efecto de campo metal semiconductor. · Transistores HBT y HEMT. Las siglas HBT y HEMT pertenecen a las palabras Heterojuction Bipolar Transistor (Bipolar de Hetereoestructura) y Hight Electron Mobility Transistor ( De Alta Movilidad). Son dispositivos de 3 terminales formados por la combinación de diferentes componentes, con distinto salto de banda prohibida.
  • 6. Mosfet MOSFET son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor . Consiste en un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS . Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica. Prácticamente la totalidad de los circuitos integrados de uso comercial están basados en transistores MOSFET. Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que, mediante técnicas de difusión de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un área sobre la cual se hace crecer una capa de dieléctrico culminada por una capa de conductor. Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos fundamentales dependiendo de cómo se haya realizado el dopaje, Tipo pMOS : Sustrato de tipo n y difusiones de tipo p . Tipo nMOS : Sustrato de tipo p y difusiones de tipo n .
  • 8.