Tiposde memoria

126 visualizações

Publicada em

Publicada em: Educação
0 comentários
0 gostaram
Estatísticas
Notas
  • Seja o primeiro a comentar

  • Seja a primeira pessoa a gostar disto

Sem downloads
Visualizações
Visualizações totais
126
No SlideShare
0
A partir de incorporações
0
Número de incorporações
3
Ações
Compartilhamentos
0
Downloads
1
Comentários
0
Gostaram
0
Incorporações 0
Nenhuma incorporação

Nenhuma nota no slide

Tiposde memoria

  1. 1. MÍGÍDDÍODBSÉIHUIBS b'I'= 'l( Íu-4Í'a MEMORIA DE ALMACENAJE ALAMCEN ALAMACEN DE SECUNDARIO RESPALDO MEMORIA DE _ MEMORIA DE : ¡ ' ' ' ' ' ' ' ' ' ' ' ' ' ' ' ' ' ' ' ' ' ' ' ' " LECTURAIESCRWURA . À soLo LECTURA 5; RAM (VOLÀTIL) 'À ROM (NO voumu. ) 5: ACCESO ; sem¡ ALEATOR| O 5 -Ci nta magnética -Burbujas magnéticas -CCD MEMORIAS PERMANENTES ESTÀTICAS i; ' MEMORMS ___________ _ _; : BORRABLE ACCESO : ; SERIAL _g3
  2. 2. Mlcvnllrocnsaunrns Not? , O¡ WEH os theaiiievenr number o! Dim, me d 7169111 soocvng O¡ me Sims m the connector edge Memorias de Acceso Aleatorio a _ ¡ à à Lã E Ci «i RAM W - '- ; mg L; +a-_= __i '“' " iumnnweusnoawsaivm ›L. ... ..i. [intel v Las memorias de Acceso Aleatorio son conocidas como ¡yzvàgrvzérç memorias RAM de Ia sigla en inglés Random Access Memory ' a . ' JU pm SiMM v Se caracterizar¡ por ser memorias de lacuna/ escritura y iurJ : vnDWIM contien un conjunto de variables de dirección que permitem M"? “M” seleccionar cualquier dirección de Ihernoria de forma directa e Independiente de ia posición en ia que se encuentre vfmim. Iiiwiitniitñ w. .. vi. i.. iii. .. . m. (ii-Wii «¡. ..- iiiv-! Cli- i. . . ..r. ... ... .c. r.. . . ... ... .-i. . . ..i imy . -.. .›. .¡i. . y . i_. ».r. ... n u. . . i.. -, . _.i. -.. .›. i.. ~» im. .. . .›. i . l-r/ A/ !z . ›,i. .i. .~, . V i . i-: ziiw . /.. ... ... ..~, . _ __ r e n77 e e e e . A '. N ' -' ' i 'q 5.. .-. ,,, ... m. ..” _, cgno¡ canto q_ 240 pm DDR-í' FBDIMM_ nur-dan: a Apple hectare¡ 203 pin DDR-C! SOD| MM Mlcrunronasannras Memoria RAM estática Este tipo de memoria conocida como SRAM (Static Random Access Memory) se compone de celdas conformadas por flíp-flops construídos generalmente con transistores MOSFET. aunque también existen algunas memorias pequenas construidas con transistores bipoiares. . _ . ,.. Í «. ... .-. Izlpn La mas se activa vnudiaiilc u. . nivel activo ~. . ia centrada superior y los; (leitos s. .. raigan o se Ieen a trai/ ias a. . Ia» lines-is Iateiaips › Ri. ,
  3. 3. Memoria RAM dinámica Este tipo de memoria conocida como DRAM (Dynamic Random Access Memory), a diferencia de la memoria estetica se compone de celdas de memoria construídas con condensadores. Las ceidas de memoria son de fabrlcación más sencllias en comparación a las celdas a base de transistores, io cual permite construir memorias de gran capacidad. ('nrlurlxn. _ ru. . _ o 1 i~ em T”. n. ... s . .¡. .. 'i r). u.. ..i. n.. .-«› . .is "o" Carlos Canto O. "ÍGÍÍIBÍOGUSBIÍUÍOS Memoria RAM dinámica La operaclón de la ceida es similar a la de un interruptor, cuando ei estado en la fila se encuentra en alto, el transistor entra en saturaclón y el dato presente en el bus interno de ia memoria (columna) se airnacena en el condensador, durante una operaclón de escritura y se extrae en una operación de lectura. El inconveniente que tiene este tipo de memorias consiste en que hay que recargar la infonnación aimacenada en las caldas, por lo cual estas celdas requieren de circuiteria adicional para cumpilr esta iunclón. A este funclón especial se ilama de refresco l «Hx-run M; nau. .. n _, _ __ s. u i. _ia RDRAM (RiMM)
  4. 4. VGIIHIIHS Y ÍIBSVGIIÍHÍEIS IÍB ÍOS IÍOS SÍSÍGIIIHIS IÍB memoria . La vclocldad de acccso es alta. -Menor capacidad, dcbldo a que -Para retene os datos solo cada calda de alnlacenalniento neceslta edu energizada. requlerc ! nas transistores. .Son mas fáclles de diseñar. -Mayor costa por bit'. -Mayor consumo de Potencia. . Mayor densldad y capacidad. el. : vclocldad de access cs haja. . Menor costa por bit. -Necesíta recarga de la -Nlenor consumo de potencia. infortnación. alrnacenada para retcncrla (refresco). -Diseño complejo. carlos canto c. MÍGÍBIIÍIIÉBSHIÍDÍOS Parâmetros de las IIIBIIIOÍÍBS rEl parâmetro básico de una memoria es su capacldad, la cual corresponde al total de unidades que puede alrnacenar. rEn la actualldad se conslguen memorias en tamaños del order¡ de rnegabytes. / EI tiempo de acceso es otro Mem°na T-'ezqpo de parametro Importante en las : C993 memorias. Núcleo de Ferrita 0.3 - 1.0 us '/ Este corresponde a_l tiempo Cmta Magnétiü 5 ms _ 15 que tarda la rnemorla _e_n D¡ M é” 1° _ 5° acceder a la ¡nformacuon sc° 39"' °° m5 m5 almacenada en una d¡recc¡ón_ CD ROM 200 rns ~ 400 rns / Geneqalrnente este tiempo se deslgnan como : acc en las fichas tecnicas de estos dispositivos.
  5. 5. Memorla FROM ROM programable del inglés Programmable Read Only Memory. Este lipo de memoria a diferencia de la ROM no se programa durante el proceso de fabricación, sino que la efectúe el usuario y se puede realiza' una sola vez, después de la cual no se puede bona' o volver a dmacena' otra información. Para almecener la información se emplean dos técnicas: por destrucción de fusible o por destrucción de unión. Comúnrnente la información se programa o quema en las diferentes caldas de melhoria aplicando la dirección en el bus de direcciones, los datos en los buffets de entrada de datos y un pulso de 10 a 30V. en una terminal dedicada paa fundir los fusibles correspondentes. Cuando se aplica este pulso a un fusible de la calda, se dmacena un 0 lógico_ de Io contrario se almacena un 1 lógico (estado por defeclo), quedando de esta forma la información amacenada de forma permanente. OV: : L¡ m n_ Celda de Mernoria de una FROM A . ' | o vu. . .T nos T1 r. .u. ... ... . Carlos Camo Q. HIBIIIIIHIGBSIIÍIIIOS Memoria EPROM Del inglés Erasable Read Only Memory. Este tipo de memoria es similar a la PROM con la diferencia que la información se puede borrar y volver a grabar varias veces. La programación se efechlla aplicando a un pin especial de la memoria una tensión entre 10 y 25 Voltios durante aproximadamente 50 ms. según el dispositivo, al mismo tiempo se direociona la posición de memoria y se pone la información a las entradas de datos. Este proceso puede tardar varios minutos dependiendo de la capacidad de memoria. La memoria EPROM se comporte de un arreglo de transistores MOSFET de Canal Nde compueria aislada. vm-
  6. 6. Barrado de Mais. meamioriiais EPROJM. Le memoria puede ser barrada exponíendo ei chip e una luz uitiavioieia a través de su vemnna de cuarzo transparente por aproximadamente de 1o e 2o minutos, esta ventana Ie permite e los rayos ultravioleta Ilegar hasta ei material fotoconductivo presente en las compuertas aisladas y de esta rbrma iorer que la carga se disipe a treves de este materia¡ apagando ei transistor y hacer que todas ! as cerdas de memoria quedan en 1 logico Una vez programada_ ie venlana de cuarzo se debe Cubrlr con un adnesivo para evitar ie entrada de luz ambiente que pueda berrar Ia Información, debido e su componente de iuz ultravioleta y el chip puede ser reprogremado de nuevo. Las desventaias de le EPROM son: -Se debe de secara del circuito pera poderlas borrer -Se debe borrar todo ei chip -EI prooesp de barrado se coma entre 15 y 3o minutos (esie tiempo depende del tipo de '°“"°°"°°* um? Lámpera de Luz uitravioieta de¡ tipo germicida Carlo¡ Canto Q. “ÍBÍQÍÍÍICOIIIÍDYOS l VCC 2 Ag Características Técnicas 3 A9 Referencia 27C16B 4 vim 1-¡po 5 og' (EZPROMAÊMdOÊbÍ ) apaci a I s 5 “w 2048 x 8 7 C57? Tipo de salida 3 D7 (SV) (Vp=12.75V) 9 D6 Tiern pos de Acceso 150/250 r| S D5 Encapsulado D4 DIL-24 D3
  7. 7. pemoria -EíÊ-'RQJ La memoria EEPROM es programable y borrable eléctrlcamente del inglés Electrical Erasable Programmable Read Only Memory. Actualmente estas memorias se construyen con transistores de tecnología MOS (Metal Oxide Silice) y MNOS (Metal Nitride-Oxide Silicon). Las celdas de memoria en las EEPROM son similares a las celdas EPROM y la diferencia básica se encuentra en Ia capa aislante alrededor de cada compuesta flotante, Ia cual es más delgada y no es fotosensible. La programación de estas memorias es similar a la programación de la EPROM, Ia cual se realiza por aplicación de una tensión de 21 Volüos a Ia compuerta aislada MOSFET de cada transistor, dejando de esta forma una carga eléctrica, que es suñciente para encender los transistores y almacenar la información. EI borrado de Ia memoria se efectúa aplicando tensiones negativas sobre las compuertas para liberar Ia carga eléctrica almacenada en ellas. RM <-› 4-› RM RM c-o 4-› RM RM/ TUCK] n-s . U 'mo- ÚSBi/ CLKIN EDER -› É 'JH-o ÚSBZ/ CLKUJT vss -› â 'Eh- Van FEB/ IM -› Q EH Hi7 na' . _. 3°* m. .. ras RB? 4-» 'mc-t F35 RBC( 4-› 'mo-o n34 TUP 'llEll
  8. 8. Memoria FLASH - La memoria FLASH es similar a la EEPROM, es decir que se puede programar y borrar eléctricamenhe. se caracteriza por tener alta capacidad para almacenar informacion y es de fabricacion sencilla, lo que permite fabricar modelos de capacidad equivalente a las EPROM a menor costo que las EEPROM. - Las celdas de memoria se encuentran constituídas por un transistor MOS de puerlza a ada, el cual se Forma con una puerta de control y una puerm aisla a. - La coynpuerta a a : da almncena carga act-ic: cuando e aplica una unslon lo suficientennntn alta en Ia puerh de control. De Ia misma manera que la memoria EPROM, cuando hay carga o éctrlca en la compuorta a dada, se macona un O, de lo contrario se almoconn un 1. Carlos Camo Q. is Operations: básicas do una memoria Fbsh son la progamación, la Inclua y barrado _a programación se eieclúa con 1a aplicación de um xensiàn (generamenre de 12v o 12,75 v) a cada una de las ammpuecras a conrzol_ correspondienle a [as celdas en las que se desea-i almacenar as, Pam almacenav 1': no es necesaia aplica: náàn a las cormuenas acordo a que el estado por detecta de las cerdas ae memoria as 1. a Iectura se eíecníla adicanao una tens-on positiva a la computada ue control de Ia cerda de mamona. en ouyo caso el estado gen amacenaao se deduce con base en e¡ cambio de estado del transistor' l hay un 1 aimacenade, Ia tensión aplicada será Ia suñclenh para entender el uansisior y hace¡ circula¡ comente del drenador ¡cia la Íuenhev l hay un a almacenar», Ia lenstàn aplicam; no encendelá el transistor debian a que ra carga eléctrica almacenada en ia Inpuerta aislada ara determinar s¡ el : lato almacenado en Ia calda es un 1 ó un o, se detecta la comente circulando por el transistor en el omento que se aplica Ia tensión en la compuerta de control. a barrado corasisre en la libera: ón de las cargas eléctricas almacenadas en las compuertas aislada: de los ltansislores Este aceso consiste megane-ac' : mana tensión Io suñcleniemenla negalrva que desplaza las cargas. me. .., Lovnvuenn u: cncurnl ~v Calda de memoria de una FLASH Prooeso de descarga de una eelcla de memoria FLASH
  9. 9. EPP za I VCC M¡ 27 . . . .kn-w- Características Técnicas A, 25 _ M¡ Referencia A5 25 n AB ? $256 : x5 24 u as 'p° PLAS H EE PROM ^" 23 ^” capacidad uma "3 22 ' “E 32768 >< e A2 2: ; inc Tipo de salida 'u CE' (5V) (VD=12 5V) A0 D7 Tiempo; de Acceso DO D6 90/1 0011201150 ns 171 DS Encapsulado D2 v4 DlLe28 END ;4 DJ Carlos Canto Cl. Micrnnrocasadnres TABLA CONlpARATlVA ENTRE NIEIVIORIAS Tipo Aplicación tipica DRAM Lecture/ escritura EI ctrlco S¡ S¡ Memona nnoi al roducción a rande ÉÉ No Equipos (volumen de roducción pequeno) Princv ! mente Ieclura _i1 Lecture/ escritura ml_ Camaradital

×