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Dynamique des parois de domaine déplacées par courant dans des pistes de (Ga,Mn)(As,P) à anisotropie perpendiculaire Encadrant : A.Lemaitre, V.Jeudy T.Niazi , J.Curiale,  A.Lemaitre,  G.Faini  J.Ferré,  A.Thiaville
PLAN ,[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]
TRANSFERT DE SPIN M j Le déplacement d’une paroi d û à un courant est le phénomène de transfert de spin ou “Spin Transfer Torque”, prédiction de Berger (79). Temps Déplacement de paroi de domaine sous courant polarisé en spin dans une piste de 2µm de large Creep Depinning Flow But : Comprendre les mécanismes qui gouvernent la dynamique des parois sous courant polarisé en spin dans GaMnAs GaMnAs/GaInAs J J
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DYNAMIQUE DES PAROIS SOUS CHAMP MAGN ÉTIQUE ,[object Object],C. Gourdon et al,PRB 80, 161202 (2009) Stationnaire Précessionnel Mise en évidence d’une anisotropie de la vitesse de propagation des parois de domaine sous champ magnétique Précessionnel asymptotique H w GaMnAs en tension sur substrat GaInAs
PROBLÉMATIQUE ,[object Object],[object Object],[object Object]
NANOFABRICATION ,[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],GaAs  [001] substrate (Ga,Mn)AsP Vue de profil d’une piste Vue de dessus [001] Easy axis  Pistes Longueur : 100µm Épaisseur : 50nm Largeur  : 4 ; 2 ; 0.5 µm 375 µm 50 nm Pistes Réservoir
PREMIERS RÉSULTATS [Mn]=10.4%, [P]=11.3%, Tc= 105K, T= 95K [Mn]=10.4%, [P]=7%, Tc= 120K, T= 110K [100 ] [1-10] [110]
PREMIERS RÉSULTATS [Mn]=7%, [P]=8.8%, Tc= 120K, T= 40K [Mn]=7%, [P]=7%, Tc= 85K, T= 75K [110] [1-10]
PREMIERS R ÉSULTATS [Mn]=10.4%, [P]=11.3%, Tc= 105K, T= 95K Régime de Creep Régime de depinning Pas de régime stationnaire ??
CONCLUSION ,[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]
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