trabajo para ifd 6

1. Guevara Marcos Dario

2.  (Dynamic random access memory -
Memoria de acceso aleatorio dinámica).
Tipo de memoria RAM más usada.
Almacena cada bit de datos en un
capacitor separado dentro de un circuito
integrado. Dado que los capacitores
pierden carga, eventualmente la
información se desvanece a menos que la
carga del capacitor se refresque y cargue
periódicamente (períodos cortísimos de
refresco). Por este requerimiento de
refresco es llamada memoria dinámica que
es opuesta a las SRAM y otras memorias
estáticas.

3.  Esta es la memoria de trabajo, por lo que a mayor
cantidad de memoria, más datos se pueden almacenar
en ella y más aplicaciones pueden estar funcionando
simultáneamente. De manera similar, a mayor cantidad
de memoria mayor velocidad de acceso relativa, pues
los programas no necesitan buscar datos continuamente
en el disco duro, el cual es mucho más lento.
 Su principal ventaja es la posibilidad de construir
memorias con una gran densidad de posiciones y que
todavía funcionen a una velocidad alta: en la actualidad
se fabrican integrados con millones de posiciones y
velocidades de acceso medidos en millones de bit por
segundo.
 Es una memoria volátil, es decir cuando no hay
alimentación eléctrica, la memoria no guarda la
información. Inventada a finales de los sesenta, es una de
las memorias más usadas en la actualidad.

4. La memoria puede ser de diferentes tipos de
acuerdo a latecnología de fabricación: FPM,
EDO, SDRAM, BEDO , RDRAMy DDRRAM.
 FPM(Fast Page Mode , Modo de Paginamiento
Rápido) Este tipo de memoria fue tan popular que
inclusive llegó a ser utilizada en tarjetas gráficas, sin
embargo, sus limitaciones técnicas como el puerto
simple, que sólo permitía un acceso de 16 bits a la vez,
así como su baja velocidad de operación dieron pie a la
creación de nuevas tecnologías con mayor velocidad,
una ruta de datos más amplia y puerto doble para
permitir la lectura/escritura simultánea.

5.  EDO (Extended Data Output) A diferencia de la
memoria FPM que sólo podía acceder a un solo byte
(una instrucción o valor) de información de cada vez, la
memoria EDO permite mover un bloque completo de
memoria a la caché interna del procesador para un
acceso más rápido. Permite alcanzar velocidades de
hasta 45 ns, suficiente para los ordenadores
Pentium, Pentium Pro, y los primeros Pentium II que
demandan mayor velocidad de proceso. Su
compatibilidad es muy alta y su precio muy bajo, lo que
la ha convertido en la opción más popular aún hoy en
día. Se presenta en módulos SIMM de 72 contactos
(32bits) y módulos DIMM (Dual In-line Memory
Modules)de 168contactos (64 bits)

6.  SDRAM (Synchronous DRAM) Es un tipo síncrono de
memoria, que, lógicamente, se sincroniza con el
procesador, es decir, el procesador puede obtener
información en cada ciclo de reloj, sin estados de
espera. La memoria EDO está pensada para funcionar a
una velocidad máxima de BUS de 66 Mhz (la máxima
velocidad de bus de los procesador de Intel y el doble
de la del BUS PCI), llegando a alcanzar 75MHz y 83MHz
en los módulos de 45 y 50ns, aunque con cierta
inestabilidad.

7.  BEDO (Burst Extended Data Output) Fue diseñada
originalmente para soportar mayores velocidades de
BUS. Al igual que la memoria SDRAM, esta memoria es
capaz de transferir datos al procesador en cada ciclo
de reloj, pero no de forma continuada, como la anterior,
sino a ráfagas (bursts), reduciendo, aunque no
suprimiendo totalmente, los tiempos de espera del
procesador para escribir o leer datos de memoria.

8.  RDRAM (Direct Rambus DRAM) Es un tipo de
memoria de 64 bits que puede producir ráfagas de 2ns y
puede alcanzar tasas de transferencia de 533 MHz, con
picos de 1,6 GB/s. Es el complemento ideal para las
tarjetas gráficas AGP. El problema de este tipo de
memoria es que los fabricantes, a diferencia de la DDR
RAM y la SLDRAM que son arquitecturas abiertas, deben
pagar derechos a Intel.

9. Novatech DDR1 1 GB $ 228
Novatech DDR 512mb 333 MHz Box $ 172
Kingston 1024 Mb Ddr 400 Mhz $ 270
Kingston 512mb DDR 333mhz 184pin PC 2700 $ 160

10. Es una tecnología para memorias que incrementa
el rendimiento de estas al permitir el acceso
simultáneo a dos módulos distintos de memoria.
Esto se consigue mediante un segundo
controlador de memoria en el North Brigde.

11. Uno de los casos en los que más se nota este incremento
en el rendimiento es cuando tenemos una tarjeta gráfica
integrada en placa base que utilice la memoria RAM
como memoria de vídeo. Con la tecnología Dual
Channel la gráfica puede acceder a un módulo de
memoria mientras el sistema accede al otro, pero en
general vamos a notar un incremento en el rendimiento
en todas aquellas aplicaciones que hagan un alto uso
de la memoria. Para que la memoria pueda funcionar
en Dual Channel, la placa base debe soportarlo y
además debemos tener dos módulos de memoria
exactamente iguales (Frecuencia, Latencias y
Fabricante). Si los módulos no son exactamente iguales
no funcionará el Dual channel, e incluso se pueden
dañar los módulos de memoria.

12. Es de suma importancia que los módulos sean
exactamente iguales. Esto ha llevado a los principales
fabricantes de memorias a comercializar pack
específicos para Dual channel, en los que vienen los dos
módulos correspondientes. Esto no quiere decir que por
fuerza tengan que ser un pack, sólo eso, que tienen que
ser exactamente iguales. Si vamos a utilizar un sistema
Dual channel es muy importante que utilicemos módulos
de calidad, olvidándonos de los módulos genéricos y
yendo a módulos de marca reconocida.

13. En general, los pack para Dual channel suelen ser más
caros que el precio de dos memorias sueltas de igual
capacidad, pero como ya hemos dicho, siempre y
cuando sean exactamente iguales no tienen por qué ser
un pack específico para Dual channel. Por otro lado
queda la cuestión del precio si se trata de un solo
módulo o de dos. Bien, esto depende mucho de la
marca, pero en general si bien dos módulos de 512MB
salen más caros que uno de 1GB esta diferencia no suele
ser muy grande (en torno al 10% -15%), por lo que no es
un factor muy determinante, pero eso si, es algo que
tenemos que evaluar, sobre todo si pensamos en una
posterior ampliación de la memoria.