El transistor de efecto de campo de unión (JFET) es un dispositivo semiconductor que controla el flujo de corriente a través de un canal semiconductor aplicando un campo eléctrico perpendicular. Tiene muy alta impedancia de entrada, buena inmunidad al ruido y no requiere tensión de umbral. Algunas ventajas del JFET sobre el transistor bipolar son su menor tamaño, que es un dispositivo unipolar y que está menos afectado por ruido.

2. Es un dispositivo semiconductor que
controla un flujo de corriente por un
canal semiconductor, aplicando un
campo eléctrico perpendicular a la
trayectoria de la corriente.
Junction Field-Effect Transistor, en
español transistor de efecto de campo de
unión

3. -Dispositivo unipolar: un único tipo de portadores de
carga (portadores mayoritarios)
-Ocupa menos espacio en un circuito integrado que el
bipolar (grandes ventajas para aplicaciones de
microelectrónica)
-Gran impedancia de entrada
-Menos afectado que el BJT por diferentes fuentes de
ruido
- Carece de tensión umbral (JFET y MOSFET
empobrecido)
CARACTERÍSTICAS

4. - Tiene muy alta impedancia de entrada
( 108 ohm.)
-Tiene muy buena inmunidad al ruido.
- No requiere tensión de umbral
(arranque), que lo hace excelente en
muy bajas señales.
VENTAJAS CON RESPECTO AL
TRANSISTOR BIPOLAR

5. - Tiene menor producto Ganancia x Ancho de
banda con respecto al transistor bipolar. De fábrica
cada amplificador tiene un producto
Ganancia x Ancho de Banda = Cte.
- Se requiere gran precaución en el manipuleo,
porque las cargas electrostáticas lo
destruyen, aunque vienen con protección interna.
DESVENTAJAS

6. G - Puerta (GATE)
D - Drenador (DRAIN)
S - Surtidor o fuente (SOURCE)
SIMBOLOGIA