1. Profesor : Raúl Rojas Reátegui
Alumno : Jorge O’Connor Guzmán
Especialidad : Ingeniería de Sistemas
2. Función:
Los transistores amplifican corriente, por
ejemplo pueden ser usados para amplificar
la pequeña corriente de salida de un
circuito integrado (IC) lógico de tal forma
que pueda manejar una bombilla, un relé u
otro dispositivo de mucha corriente.
Un transistor puede ser usado como un
interruptor (ya sea a la máxima corriente, o
encendido ON, o con ninguna corriente, o
apagado OFF) y como amplificador (siempre
conduciendo corriente).
La cantidad amplificada de corriente es
llamada ganancia de corriente, β o hFE.
Para información adicional por favor mira la
página Circuitos con Transistores (en inglés)
3. Hay dos tipos de transistores estándar, NPN y PNP, con
diferentes símbolos de circuito. Las letras hacen
referencia a las capas de material semiconductor usado
para construir el transistor. La mayoría de los
transistores usados hoy son NPN porque este es el tipo
más fácil de construir usando silicio. Si tú eres novato en
la electrónica es mejor que te inicies aprendiendo cómo
usar un transistor NPN.
Los terminales son rotulados como base (B), colector (C)
y emisor (E).
Un par Darlington consiste en un par de transistores, o
bien NPN o PNP, conectados juntos dentro de un mismo
encapsulado, para dar una ganancia de corriente muy
alta.
Además de los transistores estándar (juntura
bipolar), existen los transistores de efecto de campo los
que son conocidos como FET (field effect transistor).
Tienen un símbolo de circuito distinto y su
funcionamiento y propiedades respecto del transistor
estándar también es bastante diferente.
4. Fabricante:SOLID STATE
Referencia de fabricante:2N6660
Información del Producto:
MOSFET, N CH, 60V, 1.7A, TO-39
Transistor Polarity: N Channel
Continuous Drain Current Id: 1.1A
Drain Source Voltage Vds: 60V
On Resistance Rds(on): 3ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V
Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5V
Power Dissipation Pd: 6.25W
Operating Temperature Min: -55°C
Operating Temperature Max: 150°C
Transistor Case Style: TO-39
No. of Pins: 3
SVHC: No SVHC (19-Dec-2012)
Ficha Técnica: http://www.farnell.com/datasheets/1512457.pdf
5. Fabricante:NTE ELECTRONICS
Referencia de fabricante: NTE312
Información del Producto:
JFET, N CHANNEL , -25V, TO-106
Transistor Type: JFET
Breakdown Voltage Vbr: -30V
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min: 5mA
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max: 15mA
Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: -6V
Power Dissipation Pd: 360mW
Operating Temperature Min: -55°C
Operating Temperature Max: 125°C
Transistor Case Style: TO-92
No. of Pins: 3
Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 5mA to 15mA
Ficha Técnica:
http://www.nteinc.com/specs/300to399/pdf/nte312.pdf
6. Fabricante:NXP
Referencia de fabricante: PMBTA42
Información del Producto:
TRANSISTOR, NPN, SOT-23
Transistor Polarity: NPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 300V
Power Dissipation Pd: 250mW
DC Collector Current: 100mA
DC Current Gain hFE: 40
Operating Temperature Min: -65°C
Operating Temperature Max: 150°C
Transistor Case Style: SOT-23
No. of Pins: 3
MSL: MSL 1 - Unlimited
SVHC: No SVHC (20-Jun-2013)
Collector Emitter Voltage Vces: 500mV
Current Ic @ Vce Sat: 20A
Current Ic Continuous a Max: 100mA
Current Ic hFE: 10mA
Gain Bandwidth ft Typ: 50MHz
Hfe Min: 40
Operating Temperature Range: -65°C to +150°C
Package / Case: SOT-23
Peak Current Icm: 0.2A
Power Dissipation Ptot Max: 250mW
SMD Marking: 1D
Termination Type: SMD
Ficha Técnica: http://www.farnell.com/datasheets/680372.pdf
7. Fabricante:ON SEMICONDUCTOR
Referencia de fabricante: NGTB50N60FLWG
Información del Producto:
IGBT, 600V, 50A, TO-247-3
Transistor Type: IGBT
DC Collector Current: 100A
Collector Emitter Voltage Vces: 1.65V
Power Dissipation Pd: 223W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V
Operating Temperature Min: -55°C
Operating Temperature Max: 150°C
Transistor Case Style: TO-247
No. of Pins: 3
MSL: (Not Applicable)
SVHC: No SVHC (20-Jun-2013)
Ficha Técnica: http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/NGTB50N60FLW-D.PDF
8. Fabricante: ST MICROELECTRONICS
Referencia de fabricante:STP120NF10
Información del Producto:
MOSFET, N
Transistor Polarity: N Channel
Continuous Drain Current Id: 110A
Drain Source Voltage Vds: 100V
On Resistance Rds(on): 9mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V
Threshold Voltage Vgs Typ: 4V
Power Dissipation Pd: 312W
Operating Temperature Min: -55°C
Operating Temperature Max: 175°C
Transistor Case Style: TO-220
No. of Pins: 3
MSL: (Not Applicable)
SVHC: No SVHC (19-Dec-2012)
Current Id Max: 110A
On State resistance @ Vgs = 10V: 10.5mohm
Operating Temperature Range: -55°C to +175°C
Package / Case: TO-220
Termination Type: Through Hole
Voltage Vds Typ: 100V
Voltage Vgs Max: 4V
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V
Ficha Técnica: http://www.st.com/web/en/resource/technical/document/datasheet/CD00003356.pdf