1. Dispositivos e Circuitos Eletrônicos

UNIVERSIDADE FEDERAL DE SERGIPE
CENTRO DE CIÊNCIAS EXATAS E TECNOLOGIA
NÚCLEO DE ENGENHARIA MECÂNICA

Dispositivos e Circuitos Eletrônicos

11/08/2009 17:41 Prof. Douglas Bressan Riffel 1

UNIVERSIDADE FEDERAL DE SERGIPE Dispositivos e Circuitos
Eletrônicos
e ô cos

Circuitos Eletrônicos
Elementos Semicondutores
Dispositivos Eletrônicos
• Diodos
• Transistores Bipolares
• Transistores de Efeito de Campo
• Tiristores - SCRs



C cu os e ô cos

Sistema Físico:
• Conexão de fios condutivos e outros
dispositivos passivo e ativos, onde alguma
forma de controle é exercido sobre o fluxo
de elétrons por outro sinal elétrico, que
pode ser uma corrente ou uma tensão.



C cu os e ô cos

Teoria de Circuitos Elétricos
• Linearidade
– Superposição
– D lid d
Dualidade

=



C cu os e ô cos

• Linearidade
– Superposição =
– D lid d
Dualidade
– Teorema de Thevenin e de Norton
– Leis de Kirchoff
– Elementos reativos



C cu os e ô cos

• Linearidade
– Superposição
– D lid d
Dualidade

=



C cu os e ô cos

• Linearidade
– Superposição
– D lid d
Dualidade

∑v = 0
– Leis de Kirchoff

∑i = 0


C cu os e ô cos

• Linearidade
– Superposição
– D lid d
Dualidade
– Leis de Kirchoff S1
R1 C1


Eletrônicos
e ô cos

• Dopagem P e N
• Região PN
• Condução na Junção PN



Dopagem P
opage



Dopagem N
opage



Região PN
eg ão



Co dução a Junção
Condução na Ju ção PN


Eletrônicos
e ô cos

• Diodos



Diodo
odo

Condução Bloqueio
Diretamente Polarizado Inversamente Polarizado



Diodo
odo

Diretamente
Polarizado

Reverso



Diodo
odo

Real Ideal Potencial Circ. Equiv.
de disparo Linear aprox.



Diodos
odos


UNIVERSIDADE FEDERAL DE SERGIPE Diodo
NÚCLEO DE ENGENHARIA MECÂNICA Folha de Especificação

• Corrente e Tensão
• Corrente de saturação reversa
• Tensão Reversa Nominal – Ruptura
• Dissipação de Potência
• Capacitância
• Tempo de Recuperação Reversa
• Faixa de Temperatura



spos os e ô cos

• Diodos



Transistor Bipolar
a s s o po a

“Uma junção PN de um transistor está
reversamente polarizada, enquanto a outra
está di t
tá diretamente polarizada.”
t l i d ”

Emissor – fortemente dopado

Base – menor dopagem

Coletor



Transistor Bipolar
a s s o po a



Transistor Bipolar
a s s o po a

Bipolar = 2 Tipos de Cargas: Elétrons e Lacunas



Transistor Bipolar
a s s o po a


UNIVERSIDADE FEDERAL DE SERGIPE Transistor Bipolar
NÚCLEO DE ENGENHARIA MECÂNICA Amplificador Linear


UNIVERSIDADE FEDERAL DE SERGIPE Transistor Bipolar
NÚCLEO DE ENGENHARIA MECÂNICA Comutação



spos os e ô cos

• Diodos
– JFET
– MOSFET

Transistor Unipolar Rentrada = ∞, Igatilho = 0A
p ,
Controle pela Tensão
Ganhos menores

UNIVERSIDADE FEDERAL DE SERGIPE JFET
NÚCLEO DE ENGENHARIA MECÂNICA Transistor de Efeito de Campo

D

G

S


MOSFET
FET de Metal-Óxido-Semicondutor
Metal-Óxido-
Modo Depleção


MOSFET
Metal-Óxido-
Modo Depleção
D

G

S
Semelhante ao JFET, só que
sua curva caract estende-se
caract. estende se
até a de polaridade oposta.

MOSFET
Metal-Óxido-
Modo Intensificação

D

G

S



spos os e ô cos

• Diodos


UNIVERSIDADE FEDERAL DE SERGIPE Retificador Controlado de
Silício
S co



C ass cação
Classificação dos tiristores:
s o es

• Comutação forçada; • Indução estática, SITH;
• Comutado pela rede; • Desligamento auxiliado
• Desligamento pelo pelo gatilho, GATT;
gatilho, GTO;
tilh GTO • R tifi d controlado
Retificador t l d
• Condução reversa,
Co dução e e sa, de silício, controlado
RCT; por luz, LASCR;
• Tiristores controlados
por MOS, MCTs;


Principais Aplicações dos Dispositivos de Potência


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