1. Doc no WJZENE001 18 Mar 2004
デバイスモデル
ツェナ・ダイオード
ツェナ・ダイオード
株式会社ビー・テクノロジー
Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.
2. Doc no WJZENE001 18 Mar 2004
ご依頼の方法について
お客様に準備して頂くものは以下の 2 点です。
① データシートまたは、仕様書
半導体メーカーが公開しているデータシート、あるいはカスタム品の場合は、電気的特性が
記述されている仕様書です。
② ツェナ・ダイオードのサンプルを 3 個
対象となるツェナ・ダイオードを 3 個準備して下さい。計測をする際に予備として準備して頂
きます。また、3 個準備出来ない場合はご相談下さい。
お客様より準備して頂いた後にデバイスモデリングを実施致します。
当社からお客様にご提供する納品物は以下の通りです。
① デバイスモデル(スパイスモデル)
② デバイスモデリング・レポート
③ 回路図シンボル⇒ツェナ・ダイオードは等価回路モデルです。
以下の 1 つの特性を評価検証し、ご報告致します。
Iz(Zener Current) vs. Vz(Zener Voltage) Characteristics
次ページ以降にデバイスモデリング・レポートのサンプルの一部を掲載致します。
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3. Doc no WJZENE001 18 Mar 2004
Iz(Zener Current) vs. Vz(Zener Voltage) Characteristics
Evaluation circuit
V2
0Vdc
1
U1
K
V1
02DZ5_6 0Vdc
A
0
0
Simulation setting
Analysis type:DC Sweep
Options:Primary Sweep
Sweep variable Name:V1
Sweep type:Linear
Start:0
Eed:6
Step size:50u
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4. Doc no WJZENE001 18 Mar 2004
Circuit simulation result
Iz(Zener Current) vs. Vz(Zener Voltage) Characteristics
At Iz=5.1704m(A)
Vz=5.604(V)
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