3. المفرق الهجيصن يعرف علصى انهص اتصصال حميمي
ُ
) (Intimate contactبيصصصن مادتيصصصن شبه
موصصلتين أصو بتعصبير آخصر )ثنائصي وصصلة ناتصج عن
تماس حميمصي( مختلفتيصن فصي فجوة الطاقة ،Eg
ثابصصت العزل الكهربائي ، εاللفة اللكترونيةχ
ودالصة الشغصل .ϕويعصد ) (Andersonاول من
وضع مفهوم المفرق الهجين وذلك عام 0691
4. الشكل يبين مخطط الطاقة لمادتين شبه موصلتين معزولتين احداهما من النوع القابل
) (p-typeيشار له ب )1 (Semiconductorيتميز بزيادة في عدد الفجوات ويقع
مستوي فيرمي1 EFبالقرب من حزمة التكافؤ1 EVوالخرى من النوع المانح )-n
(typeيشار له ب )2 (Semiconductorيتميز بزيادة في عدد اللكترونات ويقع
مستوي فيرمي 2 EFبالقرب من حزمة التوصيل2 .ECطاقة مستوي فيرمي )EFهو ذلك
المستوى الذي تكون احتمالية انشغاله من قبل اللكترون نصف )5.0((.ونلحظ ايضا
ان موقع مستوي فيرمي للمادة الثانية 2 EFهو اعلى من مستوي فيومي للمادة الولى
1EF
2 Semiconductor
5. مخطط الطاقة للمفرق الهجين
ان دراسصة تركيصب حزم الطاقصة للمفرق الهجيصن يعصد عامل مهمصا في
تحديصد خواصصه المتمثلصة بخواص )تيار – جهد( والخواص الفولتائية.
في حالة حصول اتصال حميمي ما بين المادتين شبه الموصلتين يودي
الصى الوصصول إلصى حالصة التوازن. ل يمكصن اسصتمرار هذا الفرق في
مسصتوي فيرمصي لكل المادتيصن إصذ يحدث انتقال لللكترونات مصن شبه
الموصصل )2( إلصى شبصه الموصصل )1( ممصا يؤدي إلصى هبوط مستويات
الطاقة إلى السفل، ولكن عند انتقال الشحنات من شبه الموصل )1(
إلصى شبصه الموصصل )2( يحدث ارتفاع لمسصتويات الطاقصة نحصو العلى
وكما مبين في الشكل التالي
7. ان مقدار الزاحصة فصي مسصتوي فيرمصي )1 (EF2-EFيمكصن اعطاؤهصا بالمعادلة
التية
2 EF 2 − EF1 = ( χ 2 + Eg2 − δ e 2 ) − ( χ 1 − δ h1 ) = VD1 + VD
حيث 1 δhو 2 δeتمثل ن المسافة الفاصلة بين مستوي فيرمي وحافة حزم التكافؤ للمادة p-type
وحافة حزمة التوصيل للمادة n-typeعلى الترتيب. 1VDو 2 VDتمثل ن جهد البناء الداخلي على
كل جانب من جانبي المفرق الهجين ومجموعهما يساوي جهد البناء الداخلي الكلي VD
.
ان جهد البناء الداخلي الكلي يحدد بسبب الختلف في دالة الشغل بين المادتين
والذي يعطى بالعلقة التية
2 qVD = φ1 − φ qشحنة اللكترو ن
ان عدم الستمرارية في حواف حزمة التوصيل ΔEcتعطى بدللة الفرق بين
اللفة اللكترونية 1 χو 2 χللمادتين شبه الموصلة الولى والثانية
2 ∆ Ec = χ 1 − χ
8. ان عدم السصتمرارية في حزمصة التكافؤ ΔEVيعتمصد علصى الختلف في الفجوة
المحظورة وتعطى بالعلقة
∆ EV = ( χ 2 + E g 2 ) − ( χ 1 + E g1 ) = ∆ E g − ∆ χ
ويمكن استنتاج المعادلة التالية من المعادلتين السابقتين
∆Ec + ∆EV = ∆E g
9. : انواع المفارق الهجينة
المفرق الهجين الحاد ) (abruptوالمتدرج )(graded 1
استنادا إلى المسافات إثناء النتقال من المادة شبه الموصلة
ً
الولى إلى الخرى
المتدرج الحاد
10. المفرق الهجين المتماثل )Isotype
2
(Heterojunctionمثل n-nو p-pو المفرق الهجين
غير متماثل ) (Anisotype Heterojunctionمثل
p-nو . n-pاستنادا الى نوع التوصيلية الكهربائية على كل
جانب من جانبيه
3
مفارق ذات التطابق الشبيكي )(lattice matched
ومفارق ذات عدم التطابق الشبيكي )lattice
. (mismatchاستنادا الى ثابت الشبيكة ).(a
12. العوامل النظرية المؤثرة على خصائص المفرق الهجين
1- عدم التطابق الشبيكي )(Lattice Mismatch •
ان احد اهم الشروط في عملية انماء المفرق الهجين هو ان تمتلك كل المادتين •
ثابت الشبيكة نفسه اذ أن أي اختل ف فيه يقود الى مفهوم عدم التطابق
الشبيكي. وتعطى قيمته ولمادتين شبه موصلتين لهما ثابتي شبيكة 1 aو2a
بالعلقة التية:
= • Lattice Mismatches
2- عدم التطابق الحراري )(Thermal Mismatch •
ينشأ هذا العامل عندما تمتلك مادتا المفرق الهجين معاملي تمدد حراري •
مختلفين.
3- النتشار الداخلي )(Intediffusion •
ان المفارق الهجينة المصنعة بدرجات حرارة عالية يظهر فيها النتشار الداخلي •
13.
14. الخصائص الكهربائية للمفرق الهجين
لجصل معرفصة الداء الجيصد للمفرق الهجيصن فل بصد مصن دراسصة خصائصه
الكهربائيصة والمتمثلصة بخصصائص تيار – جهصد وخصصائص سصعة – جهد وهذه
الخصائص هي التي تميز المفرق الهجين.
ُ
1 خصائص تيار-جهد )Current –Voltage
(Characteristics
الخصائص هذه تمكننا من ايضاح آلية التوصيل الكهربائي، ويمكن تصنيف
هذه الخصائص بالعتماد على قطبية الفولتية المسلطة إلى نوعين: انحياز
امامي ) (Forward biasوانحياز عكسي .) (Reverse biasفاذا كانت
قطبية الفولتية المسلطة مماثلة إلى قطبية شبهي الموصل المكونان للمفرق
عندئذ يعمل المفرق بالنحياز المامي وهذا بدوره يؤدي إلى تقليل جهد البناء
الداخلي ) (Built-in potentialللمفرق والعكس صحيح بالنسبة للنحياز
العكسي .
15. خصائص سعة-جهد)(Capacitance-Voltage characteristics 2
من خلل خصائص سعة-جهد يمكن ايجاد تركيز الشوائب وجهد البناء
الداخلي وعرض منطقة النضوب)الستنزاف( وإعطاء صورة واضحة لتوزيع
الشحنة في المفرق. وفي حالة المفرق الهجين وعند انتقال حاملت الشحنة
من المادة شبه الموصلة الولى إلى الثانية او بالعكس تتكون منطقة ذات
مقاومة كهربائية عالية وهذه المنطقة تسمى بمنطقة النضوب وعندها يمكن
اعتبار المفرق متسعة إذ تتجمع الذرات المتأينة على طرفيها ولحساب سعة
الوصلة)المتسعة( لوحدة المساحة المتكونة في حالة النحياز العكسي نستخدم
المعادلة التية
εs
= C حيث :εsسماحية شبه الموصل
W
عرض منطقة النضوب : W
16. الخصائص الكهروبصرية للمفرق الهجين
عند سقوط الضوء )الشعاع الكهرومغناطيسي( على مادة شبه موصلة سوف
يتجزأ الضوء إلى ثلثة اجزاء: جزء ينعكس من سطح المادة، وجزء ينفذ من
خلل المادة والجزء الثالث من الضوء هو الجزء الممتص داخل المادة وهو
الجزء الساس لفهم هذه الخصائص. يعتمد امتصاص الفوتونات خلل المادة
شبه الموصلة على الطول الموجي لتلك الفوتونات
ان الخصائص الكهروبصرية للمفارق الهجينة يمكن تصنيفها إلى مجموعتين
1. المجموعة الولى: تهتم بتوليد تيارات ضوئية جراء امتصاص الفوتونات.
2. المجموعة الثانية: تهتم بانبعاث فوتوني كنتيجة للتهيج اللكتروني.
19. الكواشف )(Detectors
الكواشف هي أجهزة أو نبائط يتم تصنيعها من أشباه الموصلت مثل السيلكون ،
تعمل على تحويل الطاقة الضوئية الممتصة إلى اشارة كهربائية يمكن قياسها.
يمكن تقسيم الكواشف بالعتماد على آلية تحول طاقة الشعة الساقطة الى
لّ
كواشف حرارية 1
وكواشف فوتونية 2
20. الخلية الشمسية )(Cell Solar
هي نبائط تقوم بتحويل ضوء الشمس مباشرة إلى طاقة كهربائية مستفيدة
من الخصائص اللكترونية لنوع معين من المواد تعرف بأشباه الموصلت
).(semiconductorsوالشكل يوضح الخلية الشمسية مع طرائق ترتيبه.
21. ليزرات أشباه الموصلت )(Semiconductor Lasers
تستخدم المفارق الهجينة في أجهزة الليزرات وتحديدا ليزر أشباه
الموصلت الدايود ) .) diodeوله تطبيقات جدا واسعة من هذه
التطبيقات هي مشغلت السي دي )(CDو الدي في دي )(DVD
ويستخدم ايضا في ضخ ليزرات اخرى مثل ليزرات الحالة الصلبة.والشكل
يوضح ثنائي ليزر مثالي